「ar.」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The completed molded body is inserted in a C-shaped container and sintered at 1,400°C in Ar atmosphere for 10 hours by using the electric furnace.例文帳に追加

できた成形体をＣ型の容器に入れ、電気炉を用いてＡｒ雰囲気中で１４００℃にて１０時間焼結を行う。 - 特許庁

It is preferable that the first etching gas contains the gas for which an etching gas is diluted by the Xe gas or the gas mixture of the Xe gas and an Ar gas.例文帳に追加

第１エッチングガスは、エッチングガスをＸｅガス又はＸｅガスとＡｒガスとの混合ガスで希釈したガスを含むことが好ましい。 - 特許庁

Accompanying gas which does not contain oxygen such as He, Ar, Kr, Xe, hydrogen, hydrocarbon whose carbon number is 2-6 or the like can be accompanied upon forming the film.例文帳に追加

Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、水素、炭素数２〜６の炭化水素などの水素を含まない同伴ガスを成膜時に同伴させてもよい。 - 特許庁

A cathode membrane CD composing an OLED element of a display area AR in the first substrate SUB1 shields the driving circuit area DR.例文帳に追加

第１基板ＳＵＢ１における表示領域ＡＲのＯＬＥＤ素子を構成する陰極膜ＣＤで駆動回路領域ＤＲをも遮蔽する。 - 特許庁

O2 gas and a rare gas, especially Ne gas and/or Ar gas are contained in the cleaning gas for PDP.例文帳に追加

ＰＤＰ用洗浄ガスには、Ｏ_2ガス並びに希ガス、特にＮｅガス及び／又はＡｒガスが含有されている。 - 特許庁

The irradiation of the Ar ion beam neutralizes the observed area of the sample 3 and prevents the sample from charging up.例文帳に追加

このＡｒイオンビームの照射によって、試料３の被観察領域は電気的に中和され、チャージアップが発生することがない。 - 特許庁

The high frequency power is applied between electrodes 2, 3 in the Ar gas atmosphere to perform plasma treatment of the laminate 10.例文帳に追加

Ａｒガス雰囲気において、電極２，３間に高周波電力を印加し、積層体１０のプラズマ処理を行う。 - 特許庁

The polymer is characterized by having the unit represented by the formula (1) [wherein, Ar is a 6-20C aromatic hydrocarbon].例文帳に追加

下記式（１）で示されるＮ−置換アクリルアミド単位を有することを特徴とする重合体（式中、ＡｒはＣ_6〜Ｃ_20の芳香族炭化水素を表す）。 - 特許庁

In formulae (1) and (2), Ar is an n_1-valent aryl group; n_1 is an integer of 2-4; and n_2 is an integer of 1 or 2.例文帳に追加

なお、式（１）及び式（２）中、Ａｒはｎ_1価のアリール基を表し、ｎ_1は２から４までの整数を表し、ｎ_2は１又は２の整数を表す。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a bipolar semiconductor device with low-energy RF power in the case of the RF etching method of an Ar ion.例文帳に追加

ＡｒイオンのＲＦエッチ法の場合、低エネルギーのＲＦパワーのバイポーラ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Exterior voice signals AL_E and AR_E are input to a volume control circuit 10 via amplifiers 28L and 28R.例文帳に追加

外部音声信号ＡＬ_Ｅ及びＡＲ_Ｅは、アンプ２８Ｌ及び２８Ｒを介して、ボリュームコントロール回路１０に入力される。 - 特許庁

Coefficients ar, ab providing Ye-ar.Gr=0 and Cy-ab.Gr=0 are calculated from an achromatic object without a luminance change.例文帳に追加

輝度変化のない無彩色被写体において、Ｙｅ−ａ_r・Ｇｒ＝０、Ｃｙ−ａ_b・Ｇｒ＝０となる係数ａ_r，ａ_bを算出する。 - 特許庁

The anti HCV drug contains a compound represented by formula I [wherein, Ar is a substituted or unsubstituted aryl group].例文帳に追加

式Ｉ［式中、Ａｒは、置換又は無置換のアリール基である］で表される化合物を含有する抗ＨＣＶ薬。 - 特許庁

The second dielectric layer 13 is formed by reactive sputtering in a gaseous mixture atmosphere composed of Ar gas, O_2 gas and N_2 gas.例文帳に追加

第２誘電体層１３は、Ａｒガス、Ｏ_2ガス及びＮ_2ガスからなる混合ガス雰囲気中において、反応性スパッタリングにより成膜する。 - 特許庁

The traveling direction of the tape lights a mark of the direction corresponding to the tape travel of a triangular mark of a display region AR 3.例文帳に追加

テープの走行方向は、表示領域ＡＲ３の三角マークのテープ走行と対応する向きのマークを点灯させる。 - 特許庁

The symmetric axis As and a rotary axis Ar when the substrate W is rotated are shifted in a direction parallel to the rotary face of the substrate W.例文帳に追加

そして、その対称軸Ａｓと基板Ｗを回転させる際の回転軸Ａｒとが、基板Ｗの回転面と平行な方向にずらされている。 - 特許庁

In an etching step for forming a via hole 8, mixture gas of C_4H_8, O_2, and Ar is used an etching gas.例文帳に追加

ヴィアホール８を形成するためのエッチング工程において、エッチングガスとして、Ｃ_４Ｈ_８、Ｏ_２、及びＡｒの混合ガスを用いる。 - 特許庁

Provided that, in the formula (1) and (2), R1-R19 is hydrogen atom or a prescribed substitutional group, and Ar is an aromatic group, and n is 2 or 3.例文帳に追加

但し、式（１）及び（２）において、Ｒ１〜Ｒ１９は水素原子又は所定置換基、Ａｒは芳香族基、ｎは２又は３である。 - 特許庁

This new aziridine derivative of the formula (1) having an aromatic group on the 3-site is obtained by reaction between a guanidium salt and an aromatic aldehyde (Ar-CHO).例文帳に追加

グアニジウム塩と芳香族アルデヒド（Ａｒ−ＣＨＯ）との反応によって、３位に芳香族基を有する次式（１） - 特許庁

A zinc-oxide film is formed by a sputtering method, in which a non-doped zinc-oxide target and Ar gas and oxygen gas for the discharge gas are used.例文帳に追加

ノンドープの酸化亜鉛ターゲットを用い、また、放電ガスとしてＡｒガスと酸素ガスとを用い、スパッタ法によって酸化亜鉛膜を形成する。 - 特許庁

Provided, in formulae (I-1) and (I-2), Ar represents a substituent expressed in formula (II-1) or (II-2).例文帳に追加

但し、一般式（Ｉ−１）および（Ｉ−２）式中、Ａｒは下記一般式（ＩＩ−１）または（ＩＩ−２）で表される置換基を表す。 - 特許庁

A vector (a) that is an AR parameter is calculated by use of a Yule-Walker equation to a tertiary cumulant (step S23).例文帳に追加

３次キュムラントに対するＹｕｌｅ−Ｗａｌｋｅｒ方程式を用いて、まずＡＲパラメータであるベクトルａを計算する（ステップＳ２３）。 - 特許庁

Although it is not illustrated, an antireflection film (AR coated film) is formed on a light-emitting surface (rear surface) of the quartz crystal birefringent plate 3.例文帳に追加

水晶複屈折板３の光出射面（裏面）には図示していないが、反射防止膜（ＡＲコート膜）が形成されている。 - 特許庁

The metal spattered with Ar+ ions or the like has high energy, so that the metal layer strongly adheres onto the inside of the notched part.例文帳に追加

Ａｒ＋イオン等により飛散されたメタルは高いエネルギーを有する為、メタル層がノッチ内部へ強固に付着する。 - 特許庁

As the pressure recovering gas, a mixture of steam (H_2O) of about 10% in the volume ratio and argon gas (Ar) is used.例文帳に追加

復圧ガスとして、体積混合比略１０％の水蒸気（Ｈ_２Ｏ）と、アルゴンガス（Ａｒ）とを含む混合ガスを用いる。 - 特許庁

Ar^+ ions are injected from an opening of a mask 50 to introduce a fine grating defect etc., in a desired area in the surface of the SOI layer 12.例文帳に追加

マスク５０の開口部からＡｒ^+イオンを注入してＳＯＩ層１２面内の所望領域に微細な格子欠陥等を導入する。 - 特許庁

The guard columns 4 prevent a large number of projecting parts 30 constituting the AR grid 5 from being crushed when the antireflection coating 17 is pressed.例文帳に追加

保護柱４は反射防止膜１７が押圧された時にＡＲ格子５を構成する多数の凸部３０が潰されることを防止する。 - 特許庁

A nonselective RF inverting pulse P1 is applied to invert longitudinal magnetization components Mz of arterial blood AR and venous blood VE.例文帳に追加

非選択的ＲＦ反転パルスＰ１を印加し、動脈血ＡＲおよび静脈血ＶＥの縦磁化成分Ｍzを反転させる。 - 特許庁

In the step for film-depositing the oxide film of Ge, a Ge oxide target is sputtered while an Ar gas is introduced to film-deposit the oxide film 3.例文帳に追加

Ｇｅの酸化物膜の成膜工程では、Ａｒガスを導入しながらＧｅ酸化物ターゲットをスパッタリングして、酸化物膜３を成膜する。 - 特許庁

After selecting the object AR on the basis of mobile prediction of an MN, an MMR (mobility management router) informs the MN about a list of object ARs (S01).例文帳に追加

ＭＭＲはＭＮの移動予測から候補ＡＲを選定した後、その候補ＡＲの一覧をＭＮに通知する（Ｓ０１）。 - 特許庁

The signals AL+ and AR+ are supplied to one-side ends of speaker coils 21L, 21R of a headphone 20 respectively.例文帳に追加

増幅信号ＡＬ＋とＡＲ＋は、ヘッドホン２０のスピーカコイル２１Ｌと２１Ｒの各一端に供給される。 - 特許庁

The subsequent Ar etching was carried out as an after- treatment of the RIBE by the chlorine base gas.例文帳に追加

後のＡｒによるエッチングは、上記の塩素系ガスによるＲＩＢＥの後処理として行ったものである。 - 特許庁

By adjusting the dose amount of the Ar ions, tensile stress of the lattice strain layer 4 is set to 11-27 MPa.例文帳に追加

また、Ａｒイオンのドーズ量を調整し、格子歪み層４の引張り応力が１１ＭＰａ以上かつ２７ＭＰａ以下となるようにする。 - 特許庁

One or more kinds of gas selected from a group of N_2, H_2, O_2, CO_2, and Ar are dissolved in the processing solution.例文帳に追加

処理溶液には、Ｎ_2、Ｈ_2、Ｏ_2、ＣＯ_2、およびＡｒからなる群より選択された１または２種類以上のガスが溶存している。 - 特許庁

The ticket vending machine 100 detects the staying of the portable terminal 200 in the communication area ar by the Bluetooth communication and records the number of seconds of that staying.例文帳に追加

券売機１００は、通信エリアａｒへの携帯端末２００の滞在をbluetooth通信により検知し、その滞在秒数を記録する。 - 特許庁

The power density of laser light decreases on the end surface of the quartz block 12 having a large area and hence never damages the AR coating 25.例文帳に追加

レーザ光は、面積の広い石英ブロック１２の端面でパワー密度が低減し、ＡＲコーティング２５を損傷しない。 - 特許庁

After a specified time elapses, each of the SiH4 gas, O2 gas and Ar gas is fed from the top nozzle 20 and from the side nozzle 24.例文帳に追加

そして、所定時間経過後、ＳｉＨ_4ガス、Ｏ_2ガス及びＡｒガスをそれぞれトップノズル２０及びサイドノズル２４から供給する。 - 特許庁

Accordingly, SO_2 is employed as etchant gas and He, Ar or the like is employed as the carrier gas in the dry etching of the organic reflection preventing film.例文帳に追加

その為に、有機反射防止膜のドライエッチングに、エッチャントガスとしてＳＯ２、キャリアガスとしてＨｅ又はＡｒ等を用いる。 - 特許庁

The communication area ar is adjusted to such extents that a user moving with the portable terminal 200 can browse the animation advertisements 110x.例文帳に追加

通信エリアａｒは、携帯端末２００とともに移動するユーザが動画広告１１０ｘを閲覧可能な範囲に調整されている。 - 特許庁

The resist pattern 5 is then plasma-treated with a mixed gas composed of Ar, O_2, C_4F_6 to be shaped.例文帳に追加

次に、レジストパターン５をＡｒ，Ｏ_２，Ｃ_４Ｆ_６からなる混合ガスを用いてプラズマ処理して整形する。 - 特許庁

The peroxide-functional organopolysiloxane (P) comprises at least one of a unit represented by formula (I): Y_aR_bSiO_4-a-b/2.例文帳に追加

一般式（Ｉ）Ｙ_ａＲ_ｂＳｉＯ_４_−_ａ_−_ｂ／２ （Ｉ）の単位を少なくとも１つ有するペルオキシド官能性オルガノポリシロキサン（Ｐ）。 - 特許庁

Furthermore, an AR film 24 having a transparent gel layer 23 arranged between the PET film 16a and the optical waveguide 22.例文帳に追加

さらに、ＰＥＴフィルム１６ａと導光板２２の間には、透明ゲル層２３を有するＡＲフィルム２４を配置している。 - 特許庁

After completion of this purging step, the plasma etching of a second step of using the mixture gas of C_4F_8/Ar/N_2 is performed.例文帳に追加

このパージング工程の終了後に、Ｃ_４Ｆ_８／Ａｒ／Ｎ_２の混合ガスを用いて第２ステップのプラズマエッチングが行われる。 - 特許庁

To change the purity of an Ar gas used in a blowing step of a converter in accordance with quality required to molten steel.例文帳に追加

転炉の吹錬工程で使用されるＡｒガスの純度を、溶鋼の要求品質に応じて変更できるようにする。 - 特許庁

At least one kind of surfactant is a polycyclic aromatic compound expressed by formula: R_1-Ar-X_1M_1 (wherein Ar denotes a condensed ring, R_1 an alkyl group and X_1M_1 a hydrophilic group).例文帳に追加

Ｒ_1−Ａｒ−Ｘ_1Ｍ_1 一般式（１）（一般式（１）において、Ａｒは縮合環を表し、Ｒ_1のアルキル基を表し、Ｘ_1Ｍ_1は親水基を表す。） - 特許庁