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ar.を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 1354



例文

After the plasma ignition of the Ar gas is effected by the power of the microwave, an SiH_4 gas and an NH_3 gas necessitating much more energy than that for obtaining the plasma Ar gas are supplied into the treatment vessel 10.例文帳に追加

マイクロ波のパワーによりArガスがプラズマ着火した後,Arガスよりもプラズマ化するためにより大きなエネルギーを必要とするガスであるSiH_4ガスおよびNH_3ガスを処理容器10内に供給させる。 - 特許庁

(In the formula, R_1 represents a hydrogen atom or a methyl group; X represents an electron withdrawing group; Y represents a bivalent connecting group; Ar and Ar' each independently represent an aromatic ring; and n represents an integer of 1 to 5.)例文帳に追加

(式中、R_1は水素原子又はメチル基を表し、Xは電子求引性基を表す。Yは2価の連結基を表し、Ar及びAr’は、各々独立に、芳香族環を表す。nは1〜5の整数である。) - 特許庁

Then the MAP 10 uses an adjacent relation discrimination section 16 to reference the prefix storage table 14 for discriminating the AR 2 to be adjacent to the AR 3.例文帳に追加

そして、MAP10は、隣接関係判定部16により、このプレフィクス格納テーブル14を参照して、AR2がAR3に隣接しているものと判定する。 - 特許庁

A mixed gas of Xe, Kr or Ar and Xe or a mixed gas of Ar and Kr which can reduce the electron temperature of plasma is used as a noble gas in processing a film to be processed being an insulating film.例文帳に追加

さらに、絶縁膜である被加工膜を加工する際の希ガスとして、プラズマの電子温度を低減できるXeもしくはKrもしくArとXeの混合ガスもしくはArとKrの混合ガスを適用した。 - 特許庁

例文

In the formula, Ar^1 to Ar^3 represent an aromatic residue, R^1 to R^8 represent H, an alkyl group or an aryl group, X^1 represents a substituent having 3-7C branched alkyl structure, and n^1 and n^2 represent 1 to 5.例文帳に追加

Ar^1〜Ar^3は芳香族残基を、R^1〜R^8はH,アルキル基又はアリール基を、X^1はC3〜7の分岐アルキル構造を有する置換基を、n^1〜n^2は1〜5を表わす。) - 特許庁


例文

Then, the display surface AR is protected by the protection sheet SHb until the manufactured electronic equipment 100 is shipped as a product and the user or the like peels the protection sheet SHb off the display surface AR to use the electronic equipment 100.例文帳に追加

そして、製造した電子機器100を製品出荷し、電子機器100の使用に際してユーザー等が表示面ARから保護シートSHbを剥離すまで、保護シートSHbによって表示面ARを保護する。 - 特許庁

Ar gas allows Zr(BH_4)_4 stored in a supply tank T to bubble, and the Ar gas containing Zr(BH_4)_4 is introduced to the reaction chamber S as Zr(BH_4)_4 gas.例文帳に追加

そして、供給タンクTに収容されるZr(BH_4)_4をArガスによってバブリングし、Zr(BH_4)_4を含むArガスをZr(BH_4)_4ガスとして反応室Sに導入する。 - 特許庁

The air intrusion into the molten steel 2 passing through the immersion refractory 8 of the immersion tube 7, is hindered with the Ar gas, and thus the low nitrogen steel can easily be produced by using the RH-degassing apparatus.例文帳に追加

浸漬管7の浸漬き耐火物8を経路として溶鋼2中に侵入する空気が、Arガスによって阻止され、RH脱ガスによる低窒素鋼の製造を容易とする。 - 特許庁

Firstly, an H2S/H2 gas, an Ar gas containing the vapor of a raw material for Cu 71, and another Ar gas containing the vapor of a raw material for In 81 are introduced to the mixer 2.例文帳に追加

先ず、この混合器2内に、(H_2 S/H_2 )ガス、Cu原料71の蒸気を含むArガス、In原料81の蒸気を含むArガスを導入する。 - 特許庁

例文

The width W_DR of the developing rollers 17Y, 17M, 17C and 17K is set to be larger than the width W_AR of corresponding anilox rollers 24Y, 24M, 24C and 24K.例文帳に追加

また、現像ローラ17Y,17M,17C,17Kの幅W_DRが、それぞれ対応するアニロクスローラ24Y,24M,24C,24Kの幅W_ARより大きく設定される。 - 特許庁

例文

A chalcogen compound semiconductor film 23 is half-etched by using an etching gas mixed with Cl_2 and Ar at a specific mix ratio, and then the chalcogen compound semiconductor film 23 is etched using only Ar.例文帳に追加

エッチングガスにCl_2とArを特定の比率で混合したガスを用いて、カルコゲン化合物半導体膜23を途中までエッチングし、その後、Arのみを用いてカルコゲン化合物半導体膜23をエッチング処理する。 - 特許庁

Relative binocular positions AR, AL of the viewer M in relation to the control panel 3 are specified, and the left eye viewing region XL and the right eye viewing region XR of the control panel 3 in relation to the binocular positions AR, AL are determined.例文帳に追加

制御パネル3に対する観察者Mの相対的な両眼位置AR,ALを特定し、両眼位置AR,ALに対応する制御パネル3の左眼視界領域XLと右眼視界領域XRとを決定する。 - 特許庁

When the distance to HMD 10B and 10C is 50 m or shorter, a CPU 20 transmits AR illustration image data, and receives the AR illustration image data transmitted from the HMD 10B and 10C.例文帳に追加

CPU20は、HMD10B,10Cまでの距離が50m以内であるときに、ARイラスト画像データを送信し、HMD10B,10Cから送信されたARイラスト画像データを受信する。 - 特許庁

While a P-channel type MISFET is covered by a mask layer RM, ion (at least one of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr is included) is implanted into an N-type source region and an N-type drain region of N-channel type MISFET.例文帳に追加

マスク層RMによりPチャネル型MISFETを覆いつつ、Nチャネル型MISFETのN型ソース領域およびN型ドレイン領域に、イオン(F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む)を注入する。 - 特許庁

A gravity center CM of the mirror part 110 is separated in a direction orthogonal to the swinging axis AR, with respect to a second beam extension line EL2 of connecting the set of the first beams 111 in the direction along the swinging axis AR.例文帳に追加

ミラー部110の重心CMは、一組の第2梁111を揺動軸線ARに沿う方向に結ぶ第2梁延長線EL2に対して、揺動軸線ARに直交する方向に離間する。 - 特許庁

The bent portion 123b is connected to the first portion 123a and bent in the directions separating from the rocking axis line AR and along the rocking axis line AR.例文帳に追加

屈曲部分123bは、第1部分123aに接続され、揺動軸線ARから離間する方向及び揺動軸線ARに沿う方向に屈曲する。 - 特許庁

Ar gas supplied from an Ar gas tank 13 and pressurized and heated with a pressurizing and heating tank 12 is made to flow into a cavity 11 in the die 1, and the inner part in the cavity 11 is made into high pressure atmosphere and also, heated.例文帳に追加

Arガスタンク13より供給されて加圧・加熱タンク12により加圧および加熱されたArガスが金型1のキャビティ11内へと注入され、キャビティ11内を高圧雰囲気とすると共に加熱する。 - 特許庁

The charge transport segment comprises the moiety Ar-Het-Ar in which Ars are the same or different aromatic units, and Het is a heteroaromatic ring.例文帳に追加

電荷輸送セグメントはAr−Het−Ar部分を有し、Arは互いに同一または異なる芳香族単位であり、Hetは複素芳香族環である。 - 特許庁

Also, the method for manufacturing the vertical magnetic recording medium characterized by adding Ar gas and oxygen gas to a target containing the SiC in a step of depositing the magnetic layer by the reactive sputtering on the soft magnetic layer is provided.例文帳に追加

また、軟磁性層上に反応性スパッタリングにより磁性層を成膜するステップにおいて、SiCを含有するターゲットに、Arガスと酸素ガスとを添加することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The aromatic carboxylic acid compound has a structure expressed by general formula (1) and a phenylene group as Ar in the general formula (1) (wherein R expresses a group comprising a diamondoid structure; Ar expresses an aromatic group; m expresses 0-20 integer).例文帳に追加

一般式(1)で表される構造を有する芳香族カルボン酸化合物であり、前記芳香族カルボン酸化合物は、一般式(1)におけるArとしてフェニレン基を有するものである。 - 特許庁

X2=X1×Ar/(APU-APL+Ab) can be obtained from the above-mentioned enumeration expression of X2, V1, the relation between X2 and X1 is determined by Ar/(APU-APL+Ab), and the cylindrical body 3 being an intermediate member can be prevented from being collided with both side members.例文帳に追加

上記X_2 ,V_1 の算出式からX_2 =X_1 ×A_r /(A_PU−A_PL+A_b )が得られ、X_2 ,X_1 の関係がA_r/(A_PU−A_PL+A_b )で決まり、中間メンバの筒体3が両側メンバと衝接する問題を解消し得る。 - 特許庁

Further, one driver DRV controlling such a controller is stored in a memory MEM, and a plurality of control areas CTL_AR [1] to CTL_AR [N] are provided inside the one driver DRV.例文帳に追加

更に、このようなコントローラを制御する1個のドライバDRVをメモリMEMに格納し、DRV内に複数の制御領域CTL_AR[1]〜CTL_AR[N]を設ける。 - 特許庁

Each channel is provided with a first end, a second end opposite thereto, and an axis part, and has a resistive portion having a width Ar, and a first capacitive portion and a second capacitive portion each having a width Ac formed such that Ac>Ar.例文帳に追加

各チャンネルには、第一端部、対向する第二端部、及び軸部が設けられるとともに、幅Arを有する抵抗部と、幅Acを有する第一容量部及び第二容量部とが、Ac>Arとなるように形成される。 - 特許庁

While a p-channel MISFET is covered with a mask layer RM, ion (including at least a kind of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr) is implanted to the n-type source region and n-type drain region of n-channel MISFET.例文帳に追加

マスク層RMによりPチャネル型MISFETを覆いつつ、Nチャネル型MISFETのN型ソース領域およびN型ドレイン領域に、イオン(F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む)を注入する。 - 特許庁

Moreover, according to movement operation Ac6/copy operation Ac7 to the area Ar, movement/copy of the area Ar from a parameter display area of a channel to a parameter display area of another channel is performed.例文帳に追加

また、領域Arに対する移動操作Ac6/コピー操作Ac7に応じて、或るチャンネルのパラメータ表示域から他のチャンネルのパラメータ表示域への領域Arの移動/コピーが行われる。 - 特許庁

When a bend occurs in the first area (Ar(1)), a film in a peripheral zone (Z) around the cut line (9) is subjected to tension, and occurrence of any bend at the cut line (9) can be suppressed.例文帳に追加

第1領域(Ar(1))に屈曲が生じると、カットライン(9)の周囲の周辺ゾーン(Z)のフィルムに張りが出るためカットライン(9)で屈曲が生じるのを抑制することができる。 - 特許庁

A gas cooling device 30 is arranged midway in a gas feeding pipe 18 between an Ar gas cylinder 17 and a workpiece holder 20 and cools the Ar gas to a temperature of -50 to -60°C.例文帳に追加

Arガスボンベ17とワーク保持治具20の間のガス供給管18の途中にガス冷却装置30を配置し、Arガスをそこで−50〜−60℃の温度に冷却する。 - 特許庁

In the formula, Ar^1 and Ar^2 are each an aryl group or the like; R^1 is a 2C or higher alkyl group; R^2-R^6 are each a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or the like; m is 0-4; n is 1-5; and m<n.例文帳に追加

[化1]Ar^1、Ar^2はアリール基等、R^1は炭素数2以上のアルキル基、R^2〜R^6は、水素原子、アルキル基、アリール基等、mは0〜4、nは1〜5、m<n。 - 特許庁

As shown in Fig.(a), a ring 23 is supported by tilting a rotating shaft Ar of the ring 23 beforehand in the direction opposite to the direction where the rotating shaft Ar of the ring 23 is tilted with reactive force F acted on a drive gear 26.例文帳に追加

図3(a)に示すように、ドライブギヤ26に作用する反力Fによってリング23の回転軸Arが傾く方向とは反対方向に、予めリング23の回転軸Arを傾けてリング23を支持する。 - 特許庁

The flame retardant containing an organic phosphorus compound contains a P-P bond to be represented by formula (1) or formula (2) (wherein Ar^1 to Ar^4 are each an aryl group which may has a substituent), and the flame retardant resin composition comprises this flame retardant.例文帳に追加

下記一般式(1)又は(2)で示されるP−P結合を含む有機リン化合物を含む難燃剤及びこれを含む難燃樹脂組成物。 - 特許庁

To stabilize an arc and realize a low spatter by enabling a spray transfer of droplets in a MAG welding while a Ar+CO2 mixture gas whose CO2 ratio is more than 25 vol.% is used as a shield gas.例文帳に追加

CO_2 比率が25体積%を超えるAr+CO_2 混合ガスをシールドガスとするMAG溶接において、溶滴のスプレー移行を可能とし、アークの安定化、低スパッター化が可能なガスシールドアーク溶接用鋼ワイヤを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a protective panel for the display window of an electronic instrument, capable of stably molding an AR layer and capable of suppressing flash of foil or strain.例文帳に追加

本発明は、安定してAR層を成形することができ、さらにハクバリやひずみをおさえることができる電子機器表示窓の保護パネルの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the producing method of the ingot for manufacturing Fe-Ni base alloy material containing a specified quantity of Ni to be applied with etching treatment, the molten metal which is applied with deoxidize-refining containing Ar-blowing by a vacuum induction heating refining method, is cast to make the ingot.例文帳に追加

特定量のNiを含みエッチング処理されるFe−Ni系合金材料製造用鋳塊の製造方法であり、真空誘導加熱精錬法でArの吹き込みを含む脱酸精錬をした溶湯を、鋳造して鋳塊とする。 - 特許庁

A suction air controlling device A is composed of a rotary valve Ar installed on an air sucking route of an engine E and a controlling unit Ac which controls the rotation of the rotary valve Ar based on the rotating speed of a crankshaft 6.例文帳に追加

エンジンEの吸気経路に備えたロータリバルブArと、クランク軸6の回転速度に基づいてロータリバルブArの回転を制御する制御ユニットAcとで成る吸気制御装置Aを備えた。 - 特許庁

The compounds are represented by formula (I) [wherein R^1 and R^2 are each H or alkyl; R^3, R^4 and R^5 are each H or X; m is 1-4; n is 1-3; p is 1 or 2; A is -Ar^1; and Ar^1 is (substituted) phenyl].例文帳に追加

式(I):[式中:R^1、R^2は、H、アルキル;R^3、R^4、R^5は、H、X;mは1〜4;nは1〜3;pは1,2;Aは−Ar^1;Ar^1は(置換)フェニル]で示される化合物。 - 特許庁

The etching is performed in such a manner that a gaseous mixture of Ar, Cr_4 and O_2 in which the mixing ratio of Ar is70% is introduced into the chamber under a gaseous pressure of26 Pa, and the side face temperature of the work is held at 50 to 250°C.例文帳に追加

チャンバー内にはAr混合比70%以上のAr,CF_4,O_2の混合ガスをガス圧26Pa以下で導入し、被加工物の側面温度を50℃以上250℃以下に保ってエッチングを行う。 - 特許庁

To provide an AR measuring instrument for an optical recording medium having a prepit, by which an AR value is properly set by eliminating influence due to depoditions as much as possible.例文帳に追加

付着物による影響をできるだけ排除してAR値を適切に設定することができるプリピットを有する光記録媒体のAR測定装置を提供する。 - 特許庁

If a plasma etching of a first step of using a mixture gas of CHF_3/Ar/N_2 is completed in a state of erasing a plasma, an Ar gas is fed from an Ar gas supply source 46 into a processing envelop 10 as a purging gas.例文帳に追加

CHF_3/Ar/N_2の混合ガスを用いる第1ステップのプラズマエッチングが終了したなら、プラズマを消した状態でArガス供給源46よりArガスをパージングガスとして処理容器10内に送り込む。 - 特許庁

As shown in Fig. (b), when the reactive force F is acted on a drive gear 26 to tilt the rotating shaft Ar, the rotating shaft Ar conforms to an ideal rotating shaft Ai.例文帳に追加

このようにすれば、図3(b)に示すように、ドライブギヤ26に反力Fが作用してリング23の回転軸Arが傾いた場合には、当該回転軸Arが理想回転軸Aiに一致する。 - 特許庁

In the figure, a part 201 is a game state management part and manages the state of the AR game (information regarding the rendering of a virtual body 102, the score of a player 101, the number of rounds of the AR game, etc.).例文帳に追加

201はゲーム状態管理部で、ARゲームの状態(仮想物体102の描画に関する情報、プレーヤ101のスコア、ARゲームラウンド数等)を管理する。 - 特許庁

Therein, the antireflection layer 12 is formed according to a sputtering method, the low refractive index layer is formed at an Ar introduction pressure of 2 to 5 Pa and the high refractive index layer is formed at an Ar introduction pressure of 5 to 10 Pa.例文帳に追加

なお、反射防止層12は、スパッタリング法により形成され、低屈折率層は、アルゴンの導入圧が2〜5Paで形成され、高屈折率層は、アルゴンの導入圧が5〜10Paで形成される。 - 特許庁

Especially, a cover is provided outside a fastened part of a closing part, and the Ar gas is supplied to a space surrounded by the cover and the container member, and the fastened part is covered with the Ar gas flow to provide a vacuum container.例文帳に追加

特に、閉じ合わせ部の接合箇所外側にカバーを設け、そのカバーと容器部材とで囲まれた空間にArガスを供給して、当該接合箇所をArガス流で覆うようにした真空容器を提供する。 - 特許庁

The information on resolution relating to photographed images is calculated on the basis of two sheets of images of the photographing ranges AR, AR', associated with the photographed image data and stored.例文帳に追加

撮影範囲ARAR’の2枚の画像から、撮影画像に関する解像度情報が算出され、撮影された画像データと関連付けられて記憶される。 - 特許庁

A PDP has, as a protection membrane 8, a structure in which at least one kind of rare gas atoms selected from He, Ne, Ar, Kr, Xe, and Rn is dispersed in the range of 10 ppm to 1,000 ppm against MgO that becomes a base material.例文帳に追加

本実施の形態におけるPDPは保護膜8として、母材となるMgOに対し、He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rnから選択された少なくとも1種類の希ガス原子を10ppm〜1000ppmの範囲で分散させた構造とする。 - 特許庁

In the arc tube 2 formed into a double-spiral shape, the tube inner diameter of a main part thereof is 4.0-6.5 mm; and a mixture gas of (Ar + 20 wt.% of Kr) is filled in the arc tube.例文帳に追加

二重螺旋形をした発光管2は、主要部の管内径が4.0〜6.5mmであり、発光管内には、(Ar+20wt%Kr)の混合ガスが封入されている。 - 特許庁

(2) In the continuous casting method of steel, Al killed steel having no added Ca is casted using the immersing nozzle at an average descending flow speed of the molten steel within the range from 1.0 to 2.5 m/s in the immersed nozzle while blowing Ar gas into the molten steel existing in the immersed nozzle.例文帳に追加

(2)前記の浸漬ノズルを用い、浸漬ノズル内における溶鋼の平均下降流速を1.0〜2.5m/sとし、浸漬ノズル内の溶鋼にArガスを吹き込みながら、Ca非添加のAlキルド鋼を鋳造する鋼の連続鋳造方法である。 - 特許庁

Space evaluation points are set as indicators showing the effectiveness as "spaces" in respective areas AR set in a pitch based on reach time from respective characters to the areas AR.例文帳に追加

ピッチに設定された各領域ARに、各キャラクタから該領域ARまでの到達時間に基づいて、「スペース」としての有効性を示す指標値としてスペース評価ポイントを設定する。 - 特許庁

A stepped part (101) opened opposing a cut line (9) is formed by a wide heat-seal part (6a) below the cut line (9), and a bend is pulled toward a first area (Ar(1)) in a vicinity of the stepped part (101).例文帳に追加

カットライン(9)よりも下方の幅広ヒートシール部(6a)によって、カットライン(9)に臨んで開放した段部(101)が形成され、この段部(101)の近傍の第1領域(Ar(1))に屈曲が引き寄せられる。 - 特許庁

There are provided the organic radical compound represented by formula (1) (in the formula, Ar^1 to Ar^3 each represents a group each independently selected from the group consisting of an aromatic group and a condensed polycyclic aromatic group), and an organic device employing the same.例文帳に追加

下記一般式(1)(式中、Ar^1〜Ar^3は芳香族基、縮合多環芳香族基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。)で示されることを特徴とする有機ラジカル化合物、それを用いた有機デバイス。 - 特許庁

例文

Then IPA vapor (vapor of organic solvent) is jetted out of the 1st supply nozzle 40 to form an air current area AR of the IPA vapor and the wafer W is lifted so as to pass through the air current area AR.例文帳に追加

そして、第1供給ノズル40からIPA蒸気(有機溶剤の蒸気)を吐出してIPA蒸気の気流域ARを形成し、この気流域ARを基板Wが通過するように基板Wを引き揚げる。 - 特許庁

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