「ar.」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

The signals to be selected and outputted are determined by a determining means 20 at every block formed of a plurality of continuous range bins, on the basis of the pole of an AR model obtained by a clutter center frequency estimating means 5b, the power of the input signal, the power of the output signal of the first notch filter and the power of the output signal of the compensating filter.例文帳に追加

選択出力すべき信号は、クラッタ中心周波数推定手段５ｂにおいて得られるＡＲモデルの極と、受信信号電力、第１のノッチフィルタ出力信号電力、補償フィルタ出力信号電力に基づき、判定手段２０により複数の連続するレンジビンからなるブロック毎に判定する。 - 特許庁

In the welding method, a welding material containing 8-12 wt.% Ni while the temperature of starting the transformation from austenite to martensite is 200-350°C is used when welding a welding base material consisting of steel; and the welding heat input is ≤ 9.6 kJ/cm, the dilution ratio is ≤43%, and a gaseous mixture of Ar and CO2 is fed as a shield gas.例文帳に追加

本発明に係る溶接方法は、鉄鋼材料からなる溶接母材の溶接において、Ｎｉを８〜１２重量％含有しオーステナイトからマルテンサイトに変態を開始する温度が２００〜３５０℃である溶接材料を用い、且つ、溶接入熱を９．６ｋＪ／ｃｍ以下、希釈率を４３％以下、さらにシールドガスとしてＡｒとＣＯ２との混合ガスを供給することを特徴とする。 - 特許庁

Connection terminals 11A, 11B for wires on the array substrate AR are provided and effective resistance detecting terminals 13A, 13B for detecting connection resistance between the terminal electrodes 6A, 6B of the IC chip 6 connected to these connection terminals 11A, 11B are also provided for a pair of terminal electrodes 6A, 6B having identical potential and having been electrically connected in the IC chip 6.例文帳に追加

ＩＣチップ６内部で電気的に接続される同一の電位を有する一対の端子電極６Ａ，６Ｂに対応して、アレイ基板ＡＲ上の配線の接続端子１１Ａ，１１Ｂが設けられ、これら接続端子１１Ａ，１１Ｂと接続されてＩＣチップ６の端子電極６Ａ，６Ｂ間の接続抵抗を検出するための実効抵抗検出端子１３Ａ，１３Ｂが設けられている。 - 特許庁

Moreover the armrest AR includes a first lock mechanism E1 linking with an action of a slide rod 70 provided on the resting member L to allow the resting member L to slidingly change its position to the body member B and an assisting release mechanism G so provided as to project to the housing portion 12 from the resting member L and for releasing the mechanism E1 by a touch with the housing portion 12.例文帳に追加

そしてアームレストＡＲは、載置部材Ｌに設けられたスライドロッド７０の操作に連動して該載置部材Ｌの本体部材Ｂに対するスライド変位を許容する第１ロック機構Ｅ１と、載置部材Ｌから収容部１２に向けて突出するよう設けられ、収容部１２に当接して第１ロック機構Ｅ１を解除する補助解除機構Ｇとを備える。 - 特許庁

The food composition of processed Zingiber officinale contains Zingiber officinale-originated sharp ingredients, gingerol and shogaol, in a weight concentration ratio of 10:1 to 1:10 in a total amount of ≥0.001 wt.%, contains a flavor ingredient: ar-curcumene, in a content of ≤15 mg/kg, and has a saccharide concentration of 40 to 90 wt.%.例文帳に追加

ショウガ由来の辛味成分であるジンゲロール（ｇｉｎｇｅｒｏｌ）とショウガオール（ｓｈｏｇａｏｌ）を１０：１〜１：１０の重量濃度比で、合計０．００１重量％以上含有し、香気成分であるａｒ−クルクメンの含有量が１５ｍｇ／ｋｇ以下であり、糖質の濃度が４０〜９０重量％であるショウガ加工食品組成物。 - 特許庁

According to a first feature, a one-day view screen (1) showing recording states (Br and Bra) per day of performance recording files in the operation information storage means is displayed on a display (display means) 19a, and a track view display area Ar is displayed on the screen (1) so as to be scrollable along a time base.例文帳に追加

第１の特徴によれば、操作情報記憶手段における演奏記録ファイルの日ごとの記録状態（Ｂｒ，Ｂｒａ）を示す１日ビュー画面（１）がディスプレイ（表示手段）１９ａに表示され、この画面（１）には、トラックビュー表示域Ａｒが時間軸に沿ってスクロール可能に表示される。 - 特許庁

Thereafter, after the photoresist residue 14 adhered to the bottom of the opening 12 of the photoresist pattern1 1a is removed by a light ashing process, a through hole is bored through the insulating film 7b by a dry etching process using an etching gas, etc. containing C_5F_8, O_2 and Ar gas with the photoresist pattern 11a used as an etching mask.例文帳に追加

その後、フォトレジストパターン１１ａの開口部１２の底に付着したフォトレジスト残渣１４を軽いアッシング処理により除去した後、フォトレジストパターン１１ａをエッチングマスクとして、Ｃ_５Ｆ_８、Ｏ_２およびＡｒガスを有するエッチングガス等を用いたドライエッチング処理により絶縁膜７ｂにスルーホールを穿孔する。 - 特許庁

In the formula, R_1 and R_2 independently denote a substituent, Ar denotes a bivalent arylene group, n is an integer of 0 to 8, p is an integer of 1 to 4, q is an integer of 1 to 4, R3 to R6 denote a hydrogen atom or a substituent, and Ar1 and Ar2 independently denote an aryl group.例文帳に追加

<chemistry num="1"> </chemistry>式中、Ｒ_１及びＲ_２はそれぞれ独立に置換基を表し、Ａｒは２価のアリーレン基を表し、ｎは０〜８の整数を表し、ｐは１〜４の整数を表し、ｑは１〜４の整数を表し、Ｒ_３〜Ｒ_６は水素原子または置換基を表し、Ａｒ_１及びＡｒ_２はそれぞれ独立にアリール基を表す。 - 特許庁

The compound is represented by the following formula (in the formula, R1 is selected from the group consisting of 3-10C alkyl, 3-10C cycloalkyl, 3-10C halosubstituted alkyl up to perhaloalkyl and 3-10C halosubstituted cycloalkyl up to perhalocycloalkyl, and B represents phenyl, phenyl substituted with pyridyl or -Y-Ar, pyridinyl, indolinyl, isoquinolinyl, quinolinyl or naphthyl).例文帳に追加

下記式：で示される化合物：式中、Ｒ１はＣ３−Ｃ１０アルキル、Ｃ３−Ｃ１０シクロアルキル、ペルハロまでのハロ置換Ｃ３−Ｃ１０アルキル、ペルハロまでのハロ置換Ｃ３−Ｃ１０シクロアルキルよりなる群から選ばれ、Ｂはフェニル、ピリジルまたは−Ｙ−Ａｒで置換されたフェニル、ピリジニル、インドリニル、イソキノリニル、キノリニルまたはナフチルである。 - 特許庁

The method of forming a semiconductor structure includes: providing a stack, which comprises a high dielectric constant (k) dielectric 14 and an interfacial layer 12, on a surface of a substrate 10; and forming a TiC film 16 on the stack by sputtering with a Ti target in an atmosphere comprising Ar and a carbon (C) source that is diluted with He.例文帳に追加

高誘電率（ｋ）の誘電体１４および界面層１２を含む積層体を基板１０の表面上に設けるステップと、Ｈｅによって希釈された炭素（Ｃ）源およびＡｒを含む雰囲気において、Ｔｉターゲットをスパッタすることにより、前記積層体上にＴｉＣ膜１６を形成するステップとを含む、半導体構造を形成する方法である。 - 特許庁

The initial motion detection method of multicomponent AE waveforms is a method along an analysis flow by visual work by evaluating the direction of S-wave vibration and detecting discontinuity in waves and by combining a plurality of elements in addition to a method using a change in waveform amplitude and a local steady AR model, thus automatically detecting the initial motion of P and S waves in the multicomponent AE waveform precisely.例文帳に追加

多成分ＡＥ波形の初動検出方法は、波形振幅変化や局所定常ＡＲモデルを用いる手法に加えて、Ｓ波振動方向の評価と波の不連続点検出を行い、複数の要素を組み合わせて目視作業による解析の流れに則った方法で、高精度に多成分ＡＥ波形のＰ波およびＳ波の初動の自動検出を行う。 - 特許庁

The copper wiring substrate manufacturing method is characterized in that a surface 2 of a glass or quartz substrate 1 is irradiated with plasmas 4 of an inert gas such as an Ar gas to reform the surface 2 to improve the adhesive property of the surface 2 itself of the substrate 1 to pure Cu and the copper thin film 3 is formed by sputtering directly on the surface 2 of the substrate 1.例文帳に追加

本発明の銅配線基板の製造方法は、ガラスまたは石英からなる基板１の表面２に、例えばＡｒガスのような不活性ガスのプラズマ４を照射することで、その表面２に改質を施して、その基板１の表面２自体における純Ｃｕに対する密着性を向上させ、その基板１の表面２の直上に、銅薄膜３をスパッタリングによって形成することを特徴としている。 - 特許庁

In the case of depositing a PZT on a lower electrode layer and thereafter crystallizing it by heat treatment in an atmosphere of mixed gas of O_2/Ar, the flow rate of O_2 gas is controlled by one massflow controller, and the flow rates of Ar gas for purge and for O_2 gas concentration adjustment are controlled respectively by separate massflow controllers.例文帳に追加

下部電極層上にＰＺＴを堆積した後、それをＯ_２／Ａｒ混合ガス環境下の熱処理で結晶化する際に、Ｏ_２ガスはその流量を１つのマスフローコントローラで制御し、Ａｒガスはパージ用とＯ_２ガス濃度調整用の流量をそれぞれ別々のマスフローコントローラで制御する。 - 特許庁

Rules necessary for the forecast control are previously saved into a forecast rule saving area AR (work area) in a RAM 30d via an I/O interface 30a, by using wireless communication technology and a cooperative forecast information recording medium 31, such as IC card or magnetooptical disk (MO), for example, where data can be updated.例文帳に追加

ＲＡＭ３０ｄの予測ルール保存領域ＡＲ（ワークエリア）には、例えばＩＣカード、光磁気ディスク（ＭＯ）のようにデータ更新可能な協調予測情報記録媒体３１と無線通信技術を用い、Ｉ／Ｏインターフェース３０ａを介して予測制御に必要なルールが予め保存されている。 - 特許庁

In synchronizing with audio data reproduction by the audio data reproducing device AR to reproduce the MIDI data, the MIDI recording and reproducing device MR adjusts timing of reading the MIDI event, etc., in accordance with the deviation between timing when the peak of the audio signal is detected and timing when the event for time management is read.例文帳に追加

ＭＩＤＩデータ記録再生装置ＭＲは、該オーディオデータ再生装置ＡＲによるオーディオデータの再生に同期して該ＭＩＤＩデータを再生する際、オーディオ信号のピークが検出されるタイミングと、上記時間管理用のイベントが読み出されるタイミングのずれに応じて、ＭＩＤＩイベント等の読み出しタイミングを調整する。 - 特許庁

The pyrene compound having two carbazolyl groups has a structure represented by the formula (wherein Ar^1 is an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group and R^11 to R^17 are each hydrogen, halogen, an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, an aliphatic heterocyclic group, an aromatic heterocyclic group, a cyano group, a silyl group or an amino group).例文帳に追加

下記構造を有するカルバゾリル基（式中、Ａｒ^1は、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基を表し、Ｒ^11〜Ｒ^17は、水素原子、ハロゲン原子、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、脂肪族複素環基、芳香族複素環基、シアノ基、シリル基、アミノ基を表す。）を、２個含有するピレン化合物。 - 特許庁

A whitening filter 2 receives a modulated signal transmitted by a transmitter through a communication path, and outputs a signal obtained by removing the features of the frequency characteristics of the modulated signal from the received signal, and a communication path estimating circuit 3 estimates the AR model of a signal outputted by the whitening filter 2.例文帳に追加

送信装置が送信する変調信号を、白色化フィルタ２が通信路を介して受信し、この受信した信号から変調信号が有する周波数特性の特徴を取り除いた信号を出力し、また通信路推定回路３が白色化フィルタ２の出力する信号のＡＲモデルを推定する。 - 特許庁

The hydrogenated amorphous carbon film is prepared from a hydrocarbon gas through a plasma CVD method and is characterized by a G band shift of 1,550-1,559 cm^-1 and a half-width of G band of 180-197 cm^-1 in a Raman spectrum measured by Raman spectroscopy with an Ar laser (wavelength: 488 nm).例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法によって炭化水素ガスから得られる水素化アモルファスカーボン膜であって、Ａｒレーザ（波長：４８８ｎｍ）によるラマン分光分析によって測定されるラマンスペクトルのＧバンドシフトが１５５０〜１５５９ｃｍ^−１、かつＧバンド半値幅が１８０〜１９７ｃｍ^−１であることを特徴とする。 - 特許庁

In Formula (I): Ar represents an aromatic ring having Cy groups and optionally further other substituents; n is an integer of 2 or greater; Cy represents a group having a substituted or unsubstituted alkyl group or a group having a substituted or unsubstituted cycloaliphatic group, provided that a plurality of Cy groups may be identical with or different from each other; and M^+ represents an organic onium ion.例文帳に追加

（式中、Ａｒは、芳香族環を表し、Ｃｙ基以外に更に置換基を有してもよい。ｎは、２以上の整数を表す。Ｃｙは、置換もしくは無置換のアルキル基を有する基、又は置換もしくは無置換の環状脂肪族基を有する基を表し、複数のＣｙは同一でも異なっていてもよい。Ｍ^＋は、有機オニウムイオンを表す。） - 特許庁

In the plasma torch composed of an anode electrode 1 and a nozzle 4 surrounding the electrode, wherein the portion between the anode electrode and the nozzle is formed with the flowing path of a plasma gas consisting of Ar or N2 or a mixed gas thereof, a slewing force is given to the plasma gas inside the nozzle to be blown out as a slewing flow from the torch.例文帳に追加

アノード電極１と当該電極を囲むノズル４からなり、前記アノード電極とノズルの間がＡｒやＮ_2 、もしくはこれらの混合気体からなるプラズマガスの流通路となっているプラズマトーチにおいて、前記プラズマガスにノズル内部で旋回力を与え、旋回流としてトーチから噴出させる。 - 特許庁

By controlling flow rates of Ar and He gases which flow in a condensed cluster deposition device and a length of a cluster growth area in plasma gas, Ta clusters having an average diameter of from 4 to 10 nm are deposited on an insulating substrate (glass, plastic substrate) to form transition metal clusters assembly having low-magnetic resistance.例文帳に追加

絶縁体基板（ガラス、プラスティック）の上に、プラズマガス中凝縮クラスター堆積装置を用いて、該装置に導入するＡｒやＨｅガスの流量、クラスター成長領域長さ等を制御することにより、平均サイズ４−１０ｎｍのサイズの揃ったＴａクラスターを堆積させて低磁気抵抗遷移金属クラスター集合体を製造する。 - 特許庁

To solve the problem that in a welding method for an Al alloy using only Ar gas as sealed gas, and performing welding by changing the polarity of the voltage supplied between an electrode and a welded member, the weld metal narrow in weld bead width and large in melting depth can not be obtained in the welding of a thick plate and the horizontal fillet welding for the Al alloy.例文帳に追加

アルゴンガスのみをシールドガスとして使用し、電極と被溶接物との間に供給する電圧の極性を切り換えて溶接するＴＩＧア−ク溶接方法では、アルミニウム合金の厚板溶接、水平隅肉溶接等において溶接ビード幅Ｗが狭く溶け込み深さＰの大きな溶接金属を得ることができない。 - 特許庁

Where, in the formula, x is 0 or 1; each Ar is the same or different and independently is a substituted or unsubstituted aryl or heteroaryl group and R and R' each is hydrogen or a substituent group and a second repeat unit that is the same or different from the first repeat unit and comprises a substituted or unsubstituted, aryl or heteroaryl group.例文帳に追加

この式において、ｘは０又は１であり、各Ａｒは同じか異なり、独立して置換され又は置換されないアリール又はヘテロアリール基であり、並びに、Ｒ及びＲ’はそれぞれ水素又は置換基であり、第２繰り返し単位は第１繰返し単位とは同じか異なり、置換され又は置換されないアリール又はヘテロアリール基含む。 - 特許庁

The arylcarboxylic acid compound is represented by general formula (I) [wherein X is an oxygen atom or a sulfur atom; Ar is an aryl group or a heteroaryl group; R^1 and R^2 are the same or different and are each a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkoxy group or a trifluoromethyl group; and R^3 is a hydrogen atom or a lower alkyl group].例文帳に追加

本発明は、一般式（Ｉ）[式中、Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を示し、Ａｒは、アリール基又はヘテロアリール基を示し、Ｒ^１及びＲ^２は、同一又は相異なって、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基又はトリフルオロメチル基を示し、Ｒ^３は、水素原子又は低級アルキル基を示す。 - 特許庁

This method comprises: a bismuth-substituted rare earth iron garnet includes a crystal growth step of growing a crystal on a single crystal substrate by a liquid phase epitaxial growth method in an oxygen concentration of 0 to 16% (excluding 0); and a heat treatment step of heat treating the grown magneto-optical garnet thick film single crystal in a N_2 or Ar gas atmosphere containing H_2.例文帳に追加

ビスマス置換希土類鉄系ガーネットからなる磁気光学ガーネット厚膜単結晶の製造方法であって、単結晶基板上に液相エピタキシャル成長法によって酸素濃度０〜１６％（０は含まず）で結晶育成させる結晶育成工程と、育成された磁気光学ガーネット厚膜単結晶を、Ｈ_２を含有する、Ｎ_２もしくはＡｒガス雰囲気において熱処理する熱処理工程とを備えている。 - 特許庁

An electrodeless discharge lamp 1 comprises an arc tube 2 of quartz glass or the like, which is hermetically charged with, as luminescent substances, such metal halide of the same elements and of different composition ratios as indium bromide(InBr) 3 of an oxidation number of one and indium bromide (InBr3) 4 of an oxidation number of three and with, as trigger gas, such rare gas as argon(Ar).例文帳に追加

無電極放電ランプ１は、石英ガラス等からなる発光管２の内部に、発光物質として、酸化数１の臭化インジウム（ＩｎＢｒ）３と酸化数３の臭化インジウム（ＩｎＢｒ_3）４のように、同じ元素からなる金属ハロゲン化物であって互いに組成比が異なる化合物が封入され、さらに始動補助ガスとしてアルゴン（Ａｒ）などの希ガスが封入されている。 - 特許庁

In this excimer discharge lamp in which at least one external electrode is arranged at the outer surface of a discharge container composed of at least one of ceramics of sapphire and YAG, and gas containing argon (Ar) and fluorine (F) atom is sealed into the discharge container, an existing region of AlFx(X=1, 2, 3) is formed on the inner surface of the discharge container.例文帳に追加

サファイア、ＹＡＧの少なくとも一種のセラミックからなる放電容器の外表面に少なくとも１つの外部電極を設け、前記放電容器内にアルゴン（Ａｒ）とフッ素（Ｆ）原子を含むガスを封入したエキシマ放電ランプであって、前記放電容器の内表面にＡｌＦx（Ｘ＝１、２、３）の存在領域が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

This method estimates an estimated instantaneous rotational speed equivalent value Tmax based on a rotation decrease amount equivalent value ΔN obtained from a preceding time maximum/minimum value equivalent value Tmin', Tmax' of an instantaneous rotational speed N and the latest maximum value equivalent value Tmin, this estimated instantaneous rotational speed equivalent value Tmax is used, and a remainder angle AR is time converted.例文帳に追加

瞬時回転数Ｎの前回の最大値相当値Ｔmin’と最小値相当値Ｔmax’とから求めた回転低下量相当値ΔＮと最新の最大値相当値Ｔminとに基づいて予測瞬時回転数相当値Ｔmaxを予測し、その予測瞬時回転数相当値Ｔmaxを用いて余り角度ＡＲを時間換算する。 - 特許庁

In an arc welding method of galvanized steel plates in which the arc welding is of low heat input and high deposition, the input energy Pw per the feed amount of a welding wire is ≥0.4 and ≤0.65, and the weld metal deposit Ft of the welding wire per thickness of the steel plate is ≥2.5 and ≤6.0.例文帳に追加

亜鉛めっき鋼板のアーク溶接において、前記アーク溶接が低入熱・高溶着な溶接方法であり、溶接ワイヤの供給量あたりの投入エネルギーPwが0.4以上、0.65以下であり、鋼板の板厚当たりの溶接ワイヤの溶着金属量Ftが2.5以上、6.0以下であり、さらに前記アーク溶接のシールドガス中の成分がAr、CO2、O2からなり、O2≦６体積％で且つ３０体積％≦CO2＋5×O2≦１００体積％の関係を満たすことを特徴とする亜鉛めっき鋼板のアーク溶接方法。 - 特許庁

The method for producing highly aromatic hydrocarbon oil comprises performing catalytic cracking of desulfurized heavy oil (DSAR), which is obtained by performing hydrodesulfurization and hydrocracking of raw material oil containing straight run residual oil (AR) and fluidized catalytic cracking residual oil (CLO) or heavy cycle oil (HCO) using a heavy oil direct desulfurizer (RH), using a heavy oil fluidized catalytic cracker (RFCC) or a fluidized catalytic cracker (FCC).例文帳に追加

直留残油（ＡＲ）と流動接触分解残油（ＣＬＯ）又は重質サイクル油（ＨＣＯ）とを含む原料油を、重油直接脱硫装置（ＲＨ）において水素化脱硫及び水素化分解して得られた脱硫重油（ＤＳＡＲ）を、重油流動接触分解装置（ＲＦＣＣ）または流動接触分解装置（ＦＣＣ）で接触分解することにより高芳香族炭化水素油を製造する、高芳香族炭化水素油の製造方法。 - 特許庁

When a silicon oxide film is formed by rotating a rotary table 2 to adsorb BTBAS gas on a wafer W and supplying O3 gas to the surface of the wafer W to react it with the BTBAS gas adsorbed on the surface of the wafer W, a plasma of Ar gas is supplied to the silicon oxide film on the wafer W from an activated gas injector 220 to perform reforming treatment for each film formation cycle.例文帳に追加

回転テーブル２を回転させてウエハＷ上にＢＴＢＡＳガスを吸着させ、次いでウエハＷの表面にＯ3ガスを供給してウエハＷの表面に吸着したＢＴＢＡＳガスを反応させてシリコン酸化膜を成膜するにあたって、シリコン酸化膜を成膜した後、活性化ガスインジェクター２２０からウエハＷ上のシリコン酸化膜に対してＡｒガスのプラズマを供給して、成膜サイクル毎に改質処理を行う。 - 特許庁

The method of etching a substance film on a semiconductor wafer set in a reactor chamber, using a surface wave plasma etching system having an insulation plate and a glass plate for transmitting a surface wave generated by a microwave to the reactor chamber, comprises a step of generating a surface wave plasma of Ar or/and Xe to preheat the glass plate and a step of etching the substance film.例文帳に追加

絶縁板及び反応チャンバーに表面波を伝えるガラス板を具備し、マイクロ波によって表面波が発生する表面波プラズマエッチング装置により、前記反応チャンバー内に載置された半導体ウェーハ上の物質膜をエッチングする方法において、前記方法は、アルゴンまたは／およびキセノンの表面波プラズマを発生させて前記ガラス板を予熱するステップと、前記物質膜をエッチングするステップとを含むことを特徴とする半導体ウェーハ上の物質膜エッチング方法。 - 特許庁

That Ar is a group bearing the electron-withdrawing substituent permits acquisition of the organometallic complex emitting phosphorescence with a higher luminous intensity and being useful for a light-emitting layer of the light-emitting element.例文帳に追加

（Ｒ^１は炭素数１〜４のアルキル基のいずれかを表す。Ｒ^２〜Ｒ^５は、それぞれ、水素、ハロゲン元素、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。Ａｒはアリール基または複素環基を表し、特に電子吸引性置換基を有するアリール基または電子吸引性置換基を有する複素環基であることが好ましい。Ｍは第９族元素または第１０族元素を表す。）Ａｒが電子吸引性置換基を有する基であることによって、発光素子の発光層に有用な、発光強度のより大きな燐光を発光する有機金属錯体を得ることができる。 - 特許庁

The array substrate AR contains a light reflection part 9 which reflects ambient light incident from the counter substrate CT side per one pixel region of the liquid crystal layer LQ and a light transmission part 8, arranged in a position lower than that of the light reflection part 9, which transmits light of backlight per one pixel region.例文帳に追加

半透過型液晶表示装置はアレイ基板ＡＲ、対向基板ＣＴと、アレイ基板基板ＡＲおよび対向基板ＣＴ間に保持され液晶配向がアレイ基板ＡＲおよび対向基板ＣＴにより制御される液晶層ＬＱとを備え、アレイ基板ＡＲは液晶層ＬＱの一画素領域に対して対向基板ＣＴ側から入射する周囲光を反射する光反射部９、および光反射部９よりも低い位置に配置され一画素領域に対してバックライト光を透過させる光透過部８を含む。 - 特許庁

An array substrate AR of the liquid crystal display comprises a color filter 81 formed to cover a plurality of thin film transistors W and a plurality of pixel electrodes EP formed on the color filter and connected to the respective thin film transistors in a display region DSP for displaying an image and a frame-shaped light shielding layer SP disposed ao as to enclose the display region in a peripheral region DCT of the display region DSP.例文帳に追加

液晶表示装置のアレイ基板ＡＲは、画像を表示する表示領域ＤＳＰにおいて、複数の薄膜トランジスタＷを覆って形成されるカラーフィルタ８１、及び、カラーフィルタ上に形成され各薄膜トランジスタに接続される複数の画素電極ＥＰを含み、表示領域ＤＳＰの周辺領域ＤＣＴにおいて、表示領域を囲むように配置された枠状の遮光層ＳＰを含む。 - 特許庁

The optical compensation sheet has an optically anisotropic layer containing a liquid crystalline compound and at least one kind of compound expressed by general formula (I): (R^1-X^1)_m-Ar-SO_3M.例文帳に追加

液晶性化合物と、一般式（Ｉ）：（Ｒ^1−Ｘ^1）_m−Ａｒ−ＳＯ_3Ｍ［式（Ｉ）中、Ａｒは（ｍ＋１）価の芳香族ヘテロ環基または芳香族炭化水素環基を；Ｘ^1は単結合または２価の連結基を；Ｒ^1はアルキル基、又は末端にＣＦ_3基もしくは末端にＣＦ_2Ｈ基を有するアルキル基を表し、複数個のＲ^1は同一であっても異なっていてもよいが、少なくとも二つは互いに異なる基であり、且つ少なくとも一つは末端にＣＦ_3基もしくは末端にＣＦ_2Ｈ基を有するアルキル基である。 - 特許庁

The method for producing a compound represented by formula (I) comprises reacting a compound represented by formula (II): Ar-Hal with piperazine in the presence of a palladium complex containing a compound represented by formula (III) as a ligand and an alkali metal-containing base.例文帳に追加

式（Ｉ）［式中、Ａｒは明細書中に記載の意味を有する］の化合物の製造方法であって、式（ＩＩ）Ａｒ−Ｈａｌ［式中、Ａｒ及びＨａｌは明細書中に記載の意味を有する］の化合物とピペラジンとの反応を、配位子として式（ＩＩＩ）［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、ｎ及びｍは明細書中に記載の意味を有する］の化合物を有するパラジウム錯体の存在下に、かつアルカリ金属含有塩基の存在下に実施することを特徴とする方法を提供する。 - 特許庁

A server NCPF connected with a packet transfer network comprises: a section for determining a multicast tree indicative of the transfer passage of a multicast packet; and a section for instructing multicast routers AR and ANR in the packet transfer network to make a multicast transfer table being used at the time of transferring the multicast packet according to the multicast tree thus determined.例文帳に追加

パケット転送ネットワークに接続されているサーバ装置ＮＣＰＦは、マルチキャストパケットの転送経路を示すマルチキャストツリーを決定するマルチキャストツリー決定部と、決定したマルチキャストツリーに従ってパケット転送ネットワーク内のマルチキャスト対応ルータＡＲ、ＡＮＲに対してマルチキャストパケットを転送する際に用いられるマルチキャスト転送用テーブルを作成するように指示する指示部とを具備する。 - 特許庁

This method for producing an allyl halide derivative represented by general formula (3) (Ar is an aryl which may have one or more substituents; X is a halogen atom; the wave line represents either one or mixture of E/Z geometrical isomers) is characterized by reacting an allyl alcohol derivative represented by general formula (1) with a hydrogen halide represented by general formula (2): HX.例文帳に追加

一般式（１）（式中、Ａｒは置換基を有していてもよいアリール基、波線はＥ／Ｚ幾何異性体のいずれか一方もしくはそれらの混合物であることを表す。）で示されるアリルアルコール誘導体と一般式（２）ＨＸ （２）（式中、Ｘはハロゲン原子を表す。）で示されるハロゲン化水素とを反応させることを特徴とする、一般式（３）（式中、Ａｒ、Ｘおよび波線は前記と同じ意味を表す。）で示されるアリルハライド誘導体の製造方法。 - 特許庁

In the formula, Ar is a polycyclic aromatic hydrocarbon group such as anthracene or pyrene; X represents 1-21C hydrocarbon group or a direct bond; Y represents O, NH, COO, CONH or a direct bond; and Z represents a polysaccharide such as cellulose, a biopolymer such as DNA or crown ether, a polymer of cyclic host molecules such as cyclodextrin, or a molecule thereof which may be substituted.例文帳に追加

Ａｒ‐Ｘ‐Ｙ‐Ｚ 式（１） 式中、Ａｒは、アントラセン、ピレン等の多環式芳香族炭化水素基であり、Ｘは、炭素数１〜２１の炭化水素基、又は直接結合を示し、Ｙは、Ｏ、ＮＨ、ＣＯＯ、ＣＯＮＨ、又は直接結合を示し、Ｚはセルロース等の多糖類、ＤＮＡ等の生体高分子又はクラウンエーテル、シクロデキストリン等の環状ホスト分子の重合体、又は置換されていてもよいこれらの分子を示す。 - 特許庁

In the general formula (1), Ar represents a substituted or unsubstituted benzothiophene ring group, naphthothiophenes ring group, dibenzothiophene ring group, thienothiophene ring group, dithienobenzene ring group, benzothiazole ring group, naphthothiazole ring group, benzoisothiazole ring group, naphthoisothiazole ring group, phenothiazine ring group, phenoxathiin ring group, dithianaphthalene ring group, thianthrene ring group, thioxanthene ring group, and bithiophene ring group, and n is 1 to 4.例文帳に追加

（上記一般式（１）中、Ａｒは、置換もしくは非置換の、ベンゾチオフェン環基、ナフトチオフェン環基、ジベンゾチオフェン環基、チエノチオフェン環基、ジチエノベンゼン環基、ベンゾチアゾール環基、ナフトチアゾール環基、ベンゾイソチアゾール環基、ナフトイソチアゾール環基、フェノチアジン環基、フェノキサチイン環基、ジチアナフタレン環基、チアントレン環基、チオキサンテン環基、ビチオフェン環基を示す。ｎは、１ないし４である。） - 特許庁

In the general formulae [I] to [IV], Ar is an aryl which may have a substituent; X is a halogen atom; Y is a halogen atom or trifluoromethane sulfonyloxy; Z is an aryl which may have a substituent or 1C-10C linear, branched or cyclic alkyl; and R^1 and R^2 are each independently H or 1C-6C linear, branched or cyclic alkyl.例文帳に追加

（式中、Ａｒは、置換基を有していてもよいアリール基を表し、Ｘは、ハロゲン原子を表し、Ｙは、ハロゲン原子又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基を表し、Ｚは、置換基を有していてもよいアリール基又は炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキル基を表し、Ｒ^１及びＲ^２は夫々独立して、水素原子又は炭素数１〜６の直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキル基を表す。） - 特許庁

The liquid crystal display panel 10A includes an array substrate AR having a pixel electrode 16 and a thin film transistor TFT in each pixel region enclosed by scanning lines and signal lines arranged in a matrix, and a color filter substrate CF having a black matrix BM and a color filter 26, wherein a light absorbing layer 30 is formed over the surface of the thin film transistor TFT with an insulating film 20 interposed therebetween.例文帳に追加

マトリクス状に配列した走査線と信号線とで囲まれる各画素領域に画素電極１６及び薄膜トランジスタＴＦＴを配置したアレイＡＲ基板と、ブラックマトリクスＢＭ及びカラーフィルタ２６を備えたカラーフィルタ基板ＣＦとを有する液晶表示パネル１０Ａにおいて、前記薄膜トランジスタＴＦＴの表面に絶縁膜２０を介して光吸収層３０を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

The liquid crystal display panel 10A which has an array substrate AR having an inverted stagger type a-SiTFT formed as a switching element on a transparent substrate 11 is characterized in that a refracting means of refracting light from a backlight source not to reach a thin film transistor is formed on the surface of the transparent substrate 11 on the opposite side from the surface where the TFT is formed to overlap with the TFT in plan view.例文帳に追加

透明基板１１上にスイッチング素子として逆スタガ型ａ−ＳｉＴＦＴが形成されたアレイ基板ＡＲを有する液晶表示パネル１０Ａにおいて、前記透明基板１１のＴＦＴが形成されている面とは反対側の面に、平面視で前記ＴＦＴと重複する位置に、バックライト光源からの光を前記薄膜トランジスタから反らすように屈折させる屈折手段を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

When a boom operation detecting unit 70 detects the predetermined operation of the boom 30 (for example, the boom 30 is shortened fully and turned or fallen inside a predetermined area AR near a boom rest 16), an automatic storing control section 62 of a controller 60 operates the boom 30 so as to be placed on the boom rest 16 for storing independently of operation of a boom operation lever 51.例文帳に追加

ブーム動作検出器７０によりブーム３０が予め定めた所定の動作（例えば、ブーム３０が全縮状態にされた後、ブームレスト１６の近傍に定めた所定領域ＡＲ内を旋回若しくは倒伏する動作）を行ったことが検出されたとき、コントローラ６０の自動格納制御部６２は、ブーム操作レバー５１の操作とは無関係に、ブーム３０がブームレスト１６上に載置されるようにブーム３０を格納作動させる。 - 特許庁