「ar.」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Inside of the alumina crucible 1 is made into an Ar atmosphere to heat-decompose MgB_2 and generate Mg vapor 4.例文帳に追加

アルミナルツボ１内はＡｒ雰囲気にし、ＭｇＢ_２を熱分解させ、Ｍｇ蒸気４を発生させる。 - 特許庁

In this case, middle points of rises and falls of the signals AR, AG, and AB are synchronized with each other.例文帳に追加

その際、信号ＡＲ、ＡＧ、ＡＢのそれぞれの立ち上がりと立ち下がりとの中間点を同期させる。 - 特許庁

The gas not reacting with the source gas is Ar, He or N2.例文帳に追加

前記原料ガスと反応しないガスとしてＡｒ、Ｈｅ、もしくはＮ_2を用いた。 - 特許庁

Expressions D12 and D22 of Mahalanobis distance are obtained on the basis of the AR models (S6 and S7).例文帳に追加

ＡＲモデルをもとに、それぞれマハラノビスの距離の式Ｄ１^2、Ｄ２^2を求める（Ｓ６、Ｓ７）。 - 特許庁

In the method for producing an aromatic nitrile of formula (1): Ar-CN (wherein Ar is a substituted or nonsubstituted aromatic ring), an aromatic compound of formula (2): Ar-CH_2-X (wherein Ar is a substituted or nonsubstituted aromatic ring and X is any of chlorine, bromine, and iodine) is reacted with ammonia water and simple substance iodine.例文帳に追加

一般式（１）：Ａｒ−ＣＮ （１）（式（１）中、Ａｒは、置換もしくは非置換の芳香環を表す）の芳香族ニトリルの製造方法において、一般式（２）：Ａｒ−ＣＨ_２−Ｘ （２）（式（２）中、Ａｒは、置換もしくは非置換の芳香環を表し、Ｘは、塩素、臭素又はヨウ素の何れかを表す）の芳香族化合物を、アンモニア水及び単体ヨウ素と反応させる。 - 特許庁

The internal layer is composed of at least one material having a relative elongation at break Ar at 20°C in excess of 6%.例文帳に追加

内層は相対破断点伸びＡｒが２０℃で６％以上の少なくとも一つの材料からなる。 - 特許庁

The fine particles in the sensing object space AR are sensed from a change of the error rate.例文帳に追加

この誤り率の変化から、感知対象空間ＡＲの微粒子が感知される。 - 特許庁

High frequency plasma (e.g. inert gas plasma of Ar+) is generated in a sputtering chamber.例文帳に追加

スパッタチャンバにおいて高周波プラズマ（例えばＡｒ+ 等の不活性ガスプラズマ）を発生させる。 - 特許庁

The method is a method for producing an aromatic polyamide having inherent viscosity of 3.0-10 and comprising repeating units each represented by formula (I): -CO-Ar^1-CO-NH-Ar^2-NH (wherein Ar^1 and Ar^2 are each independently a 6-20C divalent aromatic group) and comprises polymerization by mixing in a planetary mixer.例文帳に追加

遊星攪拌機にて攪拌することにより重合せしめることを特徴とする、下記式（Ｉ）−ＣＯ−Ａｒ^１−ＣＯ−ＮＨ−Ａｒ^２−ＮＨ− （Ｉ）（式（Ｉ）において、Ａｒ^１，Ａｒ^２は各々独立に炭素数６〜２０の２価の芳香族基を表す）からなる、特有粘度３．０以上１０以下の芳香族ポリアミドの製造方法。 - 特許庁

An AR type average calculating means 611 calculates the average LSP parameter in a noise section.例文帳に追加

ＡＲ型平均値算出手段６１１は、雑音区間における平均的ＬＳＰパラメータを算出する。 - 特許庁

The manual and general text domain macros are special in that most of them are parsed for callable macros for example: -tag -width "Fl s Ar filex" -offset indent 例文帳に追加

マニュアルドメインマクロと一般テキストドメインマクロとが他と異なっているのは、呼びだし可能マクロ (callable macro) の内部では、そのほとんどがパーズされるという点である。 例えば以下のように変換される:-tag -width "Fl s Ar filex" -offset indent - JM

The organoaluminum compound is a tertiary organoaluminum compound containing a chemical structure represented by the general formula: Al-O-Ar (wherein Ar is an aromatic ring) in the molecule.例文帳に追加

ここで、特定の有機アルミニウム化合物とは、一般式：Ａｌ−Ｏ−Ａｒ（Ａｒは芳香族環）で示される化学構造を分子中に含む三級有機アルミニウム化合物である。 - 特許庁

The extract comprises at least one flavonoid chosen from the group consisting of apigenin, dihydrokaemferol, dihydroquercetin, dihydro-ar-turmerone and ar-turmerone.例文帳に追加

抽出物は、アピゲニン、ジヒドロケンフェロール、ジヒドロクェルセチン、ジヒドロ−ａｒ−ターメロン及びａｒ−ターメロンからなる群から選択される少なくとも１種のフラボノイドを含んでいる。 - 特許庁

The digital camera performing the AF operation in an AF area AR indicates an AF cursor CR for designating the area AR on a liquid crystal display (LCD) 10.例文帳に追加

デジタルカメラでは、ＡＦエリアＡＲの領域内においてＡＦ動作を行うが、このＡＦエリアＡＲを指定するＡＦカーソルＣＲを液晶ディスプレイ(ＬＣＤ)１０に表示する。 - 特許庁

The catalyst is preferably a complex of rhodium and an optically active isomer of a compound of formula (4-1) wherein both of Ar^1 and Ar^2 are phenyl groups substituted with alkyl group and alkoxy group.例文帳に追加

触媒としては、式（４−１）で示され、Ａｒ^1およびＡｒ^2が共にアルキル基およびアルコキシル基で置換されたフェニル基である化合物の光学活性体とロジウムとの錯体が好ましい。 - 特許庁

The AlN piezoelectric film 10 is formed by sputtering through use of a mixture gas of Ar and nitrogen having a nitrogen flow rate ratio (nitrogen flow rate/(Ar flow rate + nitrogen flow rate)) in the range of 10-75%.例文帳に追加

この場合、ＡｌＮ圧電薄膜１０は、Ａｒと窒素との混合ガスであって窒素流量比（窒素流量／（Ａｒ流量＋窒素流量））が１０％〜７５％である混合ガスを用いるスパッタリング法で形成される。 - 特許庁

Since fine needle-state structure composed of such projections CP forms the antireflection layer AR in macroscopic sense, the optical member OW having the antireflection layer AR, that is, the optical device is manufactured.例文帳に追加

このような突起ＣＰからなる微細針状構造は、巨視的な意味で反射防止層ＡＲを形成するので、反射防止層ＡＲを有する光学部材ＯＷすなわち光学素子を製造することができる。 - 特許庁

The organic ammonium molecule A having the chromophore is preferably expressed as the general formula Ar.(CH_2)_n.NH_3 (Ar expresses the chromophore having a conjugate electron system, and n expresses 0 or the integer of 1 to 12).例文帳に追加

発色団を有する有機アンモニウム分子Ａは、好ましくは、一般式Ａｒ・(ＣＨ_2)_ｎ・ＮＨ_3（Ａｒはπ共役電子系を有する発色団を表わし、ｎは０または１〜１２の整数を表わす）で表わさるものである。 - 特許庁

R1 to 6 express hydrogen atom, alkyl group, replaced or not replaced aralkyl group and aryl group, etc. Ar 1 and Ar 2 express a replaced or not replaced polycyclic aromatic group or polycyclic hectocyclic group.例文帳に追加

（式中、Ｒ１〜６は水素原子、アルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、アリール基等を表す。Ａｒ１、Ａｒ２は、置換あるいは無置換の縮合多環芳香族基または縮合多環複素環基を表す。） - 特許庁

A chalcogen compound semiconductor film 23 is half etched with an etching gas mixed with Cl_2 and Ar at a specified mix ratio, and then etched with only Ar.例文帳に追加

エッチングガスにＣｌ_２とＡｒを特定の比率で混合したガスを用いて、カルコゲン化合物半導体膜２３を途中までエッチングし、その後、Ａｒのみを用いてカルコゲン化合物半導体膜２３をエッチング処理する。 - 特許庁

A RAM circuit 42 writes the data E generated by the circuit 40 in accordance with the signal AW and reads as display data H in accordance with the signal AR.例文帳に追加

RAM 回路42は、直交変換回路40で作成された直交変換データE を書き込みアドレス信号AWに従って書き込み、読み出しアドレス信号ARに従って表示データH として読み出す。 - 特許庁

The etalon substrate 11 is installed in a sample chamber 12 of an ion beam radiator, and the mixture of gaseous CHF_3 and gaseous Ar is introduced into an ion gun chamber 13 from a gas introduction tube 15 as a reactive etching gas.例文帳に追加

エタロン基板１１をイオンビーム照射装置の試料室１２に設置し、ガス導入管１５より反応性エッチングガスとしてCHF_3ガスとArガスの混合ガスをイオン銃室１３内に導入する。 - 特許庁

Wherein, Ar^1 and Ar^2 stand for a phenyl group which may be substituted with one or more phenyl groups; and R^1 to R^11 are H, an alkyl group or the like.例文帳に追加

Ａｒ^１、Ａｒ^２は１以上のフェニル基で置換されていてもよいフェニル基を、Ｒ^１〜Ｒ^１１は水素又はアルキル基などを表わす。 - 特許庁

Active regions AR are selectively formed on one surface of a stainless steel substrate 1, and a trench gate 7 is provided, so as to fill up a gap between the active regions AR.例文帳に追加

ステンレス鋼基板１の一方の主面上に選択的に複数の能動領域ＡＲが配設され、複数の能動領域ＡＲの間を埋めるようにトレンチゲート７が配設されている。 - 特許庁

This method for dispersing the fine oxides in the molten steel is performed by supplying gaseous CO_2 or mixed gas of Ar and CO_2 into the molten steel after adding Ti and Ce into the molten steel.例文帳に追加

溶鋼中にTi及びCeを添加した後にCO_2ガス、もしくはAr+ CO_2の混合ガスを溶鋼に供給することを特徴とする溶鋼中の微細酸化物分散方法。 - 特許庁

The transparent gel layer 23 consists of a transparent gel material such as a silicone rubber and is handled integrally with the AR film 24 in the state of being applied to the surface of the AR film 24.例文帳に追加

透明ゲル層２３は、例えばシリコンゴム等の透明ゲル状物質であり、ＡＲフィルム２４の表面に塗付された状態で、ＡＲフィルム２４と一体的に取扱われる。 - 特許庁

These hydraulic jacks incorporating the accumulator are provided with accumulator chambers As and Ar, Asa and Ara, Ams and Amr storing compressed gas acting on the descent and ascent of the rams inside the rams.例文帳に追加

この油圧ジャッキは、ラムの内方にラムの昇降に作用する圧縮気体を収納するアキュムレータ室(AsとAr、AsaとAra、AmsとAmr)を設けてなるアキュムレータ内蔵式油圧ジャッキである。 - 特許庁

A reading address generating circuit 54 generates a reading address signal AR based on signal S, R, etc., from a subfield counter circuit 58, a reading counter circuit 56 and the frame counter 52.例文帳に追加

読み出しアドレス作成回路54は、サブフィールドカウンタ回路58、読み出しカウンタ回路56、およびフレームカウンタ52からの信号S 、R 等に基づいて読み出しアドレス信号ARを作成する。 - 特許庁

The mixing circuits 32L and 32R synthesize interior voice signals AL_S and AR_S produced by the exterior voice signals AL_E and AR_E, and the processor 3.例文帳に追加

ミキシング回路３２Ｌ及び３２Ｒは、外部音声信号ＡＬ_Ｅ及びＡＲ_Ｅとプロセッサ３が生成した内部音声信号ＡＬｓ及びＡＲｓとを合成する。 - 特許庁

To provide a nonsteroidal new compound having unique and strong affinity to AR bond and exhibiting AR agonist or antagonist action or its salt, and a medicine containing the compound or its salt as an active ingredient.例文帳に追加

特異的かつ強力なＡＲ結合親和性を有し、ＡＲアゴニストまたはアンタゴニスト作用を示す非ステロイド性の新規化合物またはその塩、およびこれらを有効成分とする医薬を提供する。 - 特許庁

An ion gun 11 introduces Ar gas from a gas introduction part 114 into a body 111, and generates D.C. hot cathode discharge between a filament 113 and an anode 112 to generate plasma of Ar.例文帳に追加

イオンガン１１は、ガス導入部１１４よりＡｒガスを本体１１１内に導入し、フィラメント１１３とアノード１１２との間で直流熱陰極放電をおこし、Ａｒのプラズマを生成する。 - 特許庁

A gas (Ar gas) having an atomic weight lower than that of an ion emitted from a target material 6 (Cr) is introduced into a furnace 1, and the Ar gas is ionized with a filament electron source 2.例文帳に追加

ターゲット材６（Ｃｒ）より放出されるイオンよりも低原子量のガス（Ａｒガス）を炉１内に導入し、フィラメント電子源２でＡｒガスをイオン化し、基材４にバイアス電圧を印加する。 - 特許庁

In an embodiment, a plasma is generated from a gas mixture containing about 100 to about 250 sccm of argon(Ar), about 100 to about 500 sccm of nitrogen(N2) and about 10 to about 80 sccm of silane(SiH4), thereby depositing silicon nitride.例文帳に追加

１つの実施態様では、約100〜約250 sccmのアルゴン（Ar）、約100〜約500 sccmの窒素（N_2）、および約10〜約80 sccmのシラン（SiH_4）を含むガス混合物からプラズマを形成することにより窒化珪素を堆積する。 - 特許庁

Also, the time integration of an acceleration reduction portion (Ar-Am) in the period during which the target acceleration Ar exceeds the acceleration upper limit Am is calculated as an acceleration shortage amount Q.例文帳に追加

また、目標加速度Ａｒが加速度上限Ａｍを超える期間の加速度減少分（Ａｒ−Ａｍ）の時間積分を、加速不足量Ｑとして算出する。 - 特許庁

In the reflow device, heating gases having different temperatures can be blown per substrate passing area AR from each of the heating gas jetting ports 2a, and the heating gases can be selectively jetted to either of the substrate passing areas AR.例文帳に追加

そして、各加熱ガス吹出口２ａから、基板通過領域ＡＲ毎に異なる温度の加熱ガスを吹き付け可能であるとともに、いずれかの基板通過領域ＡＲに選択的に加熱ガスを吹き付け可能に構成した。 - 特許庁

When there is no acquired identification information in a table for recording AR data acquired from the external device, the collation processing part 113 acquires the AR data by notifying the external device of the identification information.例文帳に追加

照合処理部１１３は、外部装置から取得するＡＲデータを記録するテーブルに、取得した識別情報がない場合、当該識別情報を外部装置に通知することでＡＲデータを取得する。 - 特許庁

A part wherein a leak of the outside gas is generated in evacuation is covered with an Ar gas flow from the outside of the container to make the Ar gas leak in place of the atmospheric air.例文帳に追加

真空排気時に外部気体のリークが生じる箇所を容器外部からＡｒガス流で覆うことにより、大気の代わりにＡｒガスをリークさせるようにした真空容器。 - 特許庁

In formula, X^1 and X^2 are aromatic substituent alkyl groups represented by -(AL)-(Ar)n which may be equal to or different from each other, wherein AL denotes an aliphatic hydrocarbon group, Ar denotes an aromatic group and n denotes an integer of 1 to 3.例文帳に追加

（式中、Ｘ^１、Ｘ^２は同一もしくは異なり、−（ＡＬ）−（Ａｒ）ｎで示される芳香族置換アルキル基であり、ここでＡＬは脂肪族炭化水素基、Ａｒは芳香族基、ｎは１〜３の整数である。） - 特許庁

While a corner part C where the antireflective film AR is not formed is provided on the top surface of the Faraday rotator 224b, the antireflective film AR is formed over the entire rear surface.例文帳に追加

ファラデー回転子２２４ｂの表面には反射防止膜ＡＲを形成しないコーナ部Ｃを設ける一方、裏面にはその全面に反射防止膜ＡＲを形成する。 - 特許庁

The area ratio AR of the region above the reference line as the border and the area of the region below the reference line is calculated from the areas At and Ab thus calculated.例文帳に追加

こうして算出された面積Ａｔと面積Ａｂとから、基準線を境にした上側の領域の面積と下側の領域の面積との面積比ARを算出する。 - 特許庁

The arylamine polymer has a repeating unit represented by formula (1) and a repeating unit represented by formula (2), wherein Ar^1 to Ar^3 represent an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocycle group.例文帳に追加

式（１）で表される繰り返し単位及び式（２）で表される繰り返し単位を有するアリールアミンポリマーにおいて、Ａｒ^２及び／又はＡｒ^３に置換基として架橋性基を備えさせる。 - 特許庁

The raw gases of the three components are (H2S/H2) gas, Ar gas containing vapor made of a Cu raw material 71 and Ar gas containing vapor made of an In raw material 81.例文帳に追加

３成分の原料ガスは、（Ｈ_2 Ｓ／Ｈ_2 ）ガスと、Ｃｕ原料７１の蒸気を含むＡｒガスと、Ｉｎ原料８１の蒸気を含むＡｒガスである。 - 特許庁

In the formula, Ar^1 and Ar^2 are each independently an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent, and R^1 and R^2 are each independently a substituent.例文帳に追加

（式（Ｉ）中、Ａｒ^１およびＡｒ^２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立に置換基を表す。） - 特許庁

The method for producing the aryl-substituted cyclic tetrasiloxane halide involves subjecting an aryl-substituted cyclic tetrasiloxane represented by the general formula: (Si(Ar)RO)_4 (wherein, Ar is an aryl group; and R is an alkyl group) to a de-aryl halogenation reaction.例文帳に追加

即ち、一般式 （Ｓｉ（Ａｒ）ＲＯ）_４ （式中、Ａｒはアリール基を表し、Ｒはアルキル基を表す。）で表されるアリール置換環状テトラシロキサンを脱アリールハロゲン化する。 - 特許庁

In the method for dispersing the fine oxides in the molten steel, Mg is added to the molten steel and then gaseous CO_2 or gaseous mixture of Ar and CO_2 is fed to the molten steel.例文帳に追加

溶鋼中にMgを添加した後にCO_2ガス、もしくはAr+ CO_2の混合ガスを溶鋼に供給することを特徴とする溶鋼中の微細酸化物分散方法。 - 特許庁