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atomic methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 635件
UNDERGROUND STRUCTURE CONSTRUCTION METHOD, AND UNDERGROUND STRUCTURE AND UNDERGROUND ATOMIC POWER PLANT CONSTRUCTED BY THE METHOD例文帳に追加
地下構造体の施工方法及び該方法によって得られる地下構造体並びに地下立地式原子力発電所 - 特許庁
The method includes steps of: grouping changed nodes into atomic partitions 1-4 according to the relationships between the changed nodes within the dynamic graph and existing nodes; and clustering the atomic partitions according to clustering distances between the atomic partitions to generate a running list including clusters of atomic partitions or atomic partitions, or both as elements.例文帳に追加
動的グラフ内の変更ノードと既存ノードとの間の関係に従って前記変更ノードをアトミック・パーティション1〜4にグループ化するステップと、前記アトミック・パーティション間のクラスタリング距離に従って、アトミック・パーティション・クラスタ又はアトミック・パーティションあるいはその両方を要素として含むランニング・リストが生成されるように、前記アトミック・パーティションをクラスタリングするステップと、を含む。 - 特許庁
The method of adsorption removal of atomic hydrogen includes a desorption step for desorbing atomic hydrogen adsorbed by an inconel by heating the inconel and an adsorption removal step for adsorbing and removing atomic hydrogen in an objective gas by exposing the inconel to the objective gas containing atomic hydrogen.例文帳に追加
原子状水素吸着除去方法は、インコネルを加熱することによりインコネルに吸着した原子状水素を脱離させる脱離工程と、インコネルを原子状水素を含む対象ガス中に暴露することにより対象ガス中の原子状水素を吸着除去する吸着除去工程とを含む。 - 特許庁
In the gas barrier film alternately having barrier layers which consist of much more inorganic substance at least, and organic layers much more at least on a plastic plate; at least one layer of the barrier layers is a gas barrier film formed by the atomic layer depositing method (the Atomic Layer Deposition: ALD method).例文帳に追加
プラスチック基板上に、少なくとも一層の無機物からなるバリア層と少なくとも一層の有機層とを交互に有するガスバリアフィルムであって、前記バリア層の少なくとも一層が原子層デポジッション法(Atomic Layer Deposition:ALD法)によって形成されたことを特徴とするガスバリアフィルム。 - 特許庁
SCANNING TYPE SHAPE MEASURING INSTRUMENT, ATOMIC FORCE MICROSCOPE, AND SURFACE SHAPE MEASURING METHOD USING THE SAME例文帳に追加
走査型形状測定装置、原子間力顕微鏡及びそれを用いた表面形状測定方法 - 特許庁
METHOD ESTIMATING NUMBER OF ATOMIC NUCLEUS OF PRESELECTED ISOTOPES IN MOLECULAR SPECIES FROM NMR SPECTRUM例文帳に追加
NMRスペクトルから、分子種内の予め選択された同位元素の原子核数を推定する方法 - 特許庁
Silicon nitride film (ALD-SiN film 3) is formed on the substrate 1 by an atomic layer deposition method.例文帳に追加
基板1上に、原子層蒸着法によって窒化シリコン膜(ALD−SiN膜3)を成膜する。 - 特許庁
METHOD OF OBTAINING INTERFACE INFORMATION AND METROLOGICAL INFORMATION OF SAMPLE, USING ATOMIC FORCE MICROSCOPE例文帳に追加
原子間力顕微鏡を用いて試料の界面情報及び度量衡学的情報を得る方法 - 特許庁
METHOD FOR PHOTOMASK DEFECT CORRECTION USING COMPOSITE APPARATUS OF CONVERGENCE ELECTRON BEAM DEVICE AND ATOMIC FORCE MICROSCOPE例文帳に追加
集束電子ビーム装置と原子間力顕微鏡との複合装置を用いたフォトマスク欠陥修正方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SILICON-CONTAINING SOLID THIN FILM BY ATOMIC LAYER DEPOSITION BY USING HEXACHLORODISILANE AND AMMONIA例文帳に追加
ヘキサクロロジシランおよびアンモニアを用いた原子層蒸着によるシリコン含有固体薄膜の製造方法 - 特許庁
The method of forming the crystalline phase change layer (100) leaving the surface smooth at the atomic level on the surface.例文帳に追加
表面に原子レベルで滑らかな表面を残す結晶性相変化層(100)を形成する方法。 - 特許庁
To provide a thin film deposition method using an atomic layer deposi tion method by which a thin film can be deposited at a high vapor deposition rate.例文帳に追加
高い蒸着速度で形成することができる原子層蒸着法を用いた薄膜製造方法を提供する。 - 特許庁
QUANTITATIVE EVALUATION DEVICE AND METHOD FOR ATOMIC VACANCY EXISTING IN SILICON WAFER, SILICON WAFER MANUFACTURING METHOD, AND THIN-FILM OSCILLATOR例文帳に追加
シリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置、その方法、シリコンウェーハの製造方法、及び薄膜振動子 - 特許庁
The cooking method comprises using atomic carbon having a diameter of ≤1 nm without modification, or utilizing negative ion water generated by dissolving the atomic carbon in water.例文帳に追加
直径が1nm以下の原子状炭素を直接用いて、或いはこの原子状炭素を水中に溶解させて生成したマイナスイオン水を使って調理を行うことを特徴とする。 - 特許庁
To provide a dielectric substance forming method using an atomic layer deposition method (ALD) and a method for forming the dielectric film from the dielectric substance on the semiconductor device.例文帳に追加
原子層蒸着法を利用して誘電物質を形成する方法及び半導体装置上に物質から誘電膜を形成する方法を開示する。 - 特許庁
As the measurement of the average surface potential distribution, a measuring method of an atomic force microscope image can be enumerated.例文帳に追加
前記平均表面電位分布の測定としては原子間力顕微鏡像による測定法が挙げられる。 - 特許庁
To provide a precursor for forming a group 4 metal-containing film by deposition of atomic layers, and a method therefor.例文帳に追加
原子層堆積によって、第四族金属含有フィルムを形成する前駆体及び方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of forming a strip-like single-layer graphite thin film having an edge structure set in good order in an atomic scale.例文帳に追加
原子スケールで整った端構造を持つ短冊状の単層グラファイト薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁
PASSIVATION METHOD FOR IMPROVING UNIFORMITY AND REPRODUCIBILITY OF ATOMIC LAYER DEPOSITION AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION例文帳に追加
原子層堆積法および化学気相成長法の均一性および再現性を向上するパッシベーション方法 - 特許庁
ATOMIC FORCE/HORIZONTAL FORCE MICROSCOPE WITH CALIBRATION FUNCTION AND METHOD FOR CALIBRATING SENSITIVITY THEREOF例文帳に追加
校正機能付き原子間力/水平力顕微鏡と原子間力/水平力顕微鏡の感度校正方法 - 特許庁
To provide an atomic gyroscope of a chip scale, and a method for detecting and measuring mechanical rotation of an object.例文帳に追加
チップスケールの原子ジャイロスコープと、物体の機械的な回転を検知及び測定する方法とを開示する。 - 特許庁
To establish a method for producing an alloy particle in which two or more kinds of metals are uniformly made into solid solution at an atomic level.例文帳に追加
2種以上の金属が原子レベルで均一に固溶した合金粒子の製造方法を確立する。 - 特許庁
CAPACITOR COMPRISING ALUMINA/ALUMINUM NITRIDE COMPOSITE DIELECTRIC FILM FORMED BY ATOMIC LAYER VAPOR-DEPOSITION METHOD, AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加
原子層蒸着方法で形成したアルミナ/アルミニウムナイトライド複合誘電体膜を持つキャパシタとその製造方法 - 特許庁
To provide a method for calibrating an atomic functioning apparatus including electromagnetic coils by using optical pumping of a light beam.例文帳に追加
光ビームの光ポンピングを用い、電磁コイルを備える原子機能装置を較正する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of forming a tantalum oxide film, utilizing a plasma atomic layer deposition method, by which film quality and electrical characteristics can be improved by forming a tantalum oxide film utilizing the plasma atomic layer.例文帳に追加
プラズマ原子層蒸着法を利用してタンタル酸化膜を形成することによって、膜質の改善と電気的特性の向上を図ることのできる、プラズマ原子層蒸着法を利用したタンタル酸化膜形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a wavelength correction method of an atomic absorption spectrophotometer that can correct a wavelength in conditions similar to actual measurement conditions without the use of a correction lamp, and an atomic absorption spectrophotometry using this wavelength correction method.例文帳に追加
補正用ランプを使用せずに、現実の測定状態に近い状態で波長補正を行なうことが可能な原子吸光分光光度計の波長補正方法、及びこの波長補正方法を用いた原子吸光分析法を提供する。 - 特許庁
To provide the manufacturing method of a semiconductor device, having a metal insulator field effect transistor(MISFET) where a gate insulating film having high nitrogen atomic density can be surely peeled in a region, on which a gate insulating film having low nitrogen atomic density is to be formed, when gate insulating films having different nitrogen atomic densities are formed.例文帳に追加
異なる窒素原子密度を有するゲート絶縁膜の形成に際し、窒素原子密度の低いゲート絶縁膜を形成する領域で、窒素原子密度の高いゲート絶縁膜を確実に剥離することができる、MISFETを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
The method energizes a nuclear force by a magnetic field to increase a rotative angular momentum or a coupling force of an atomic nucleus of an atomic element constituting the object, and controls the mass (m) by allowing a mass energy to be converted into a kinetic energy or the coupling force of the atomic nucleus.例文帳に追加
磁界により、核力に作用をうながし、その物体を構成する原子の原子核の回転角運動量または結合力の増大を核力によりもたらし、その運動エネルギーまたは核の結合エネルギーを質量エネルギーから変換させることにより、質量mを制御する。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for generating an atomic beam, where the efficiency for extraction high and flow rate can be regulated by a vacuum device that has a simple structure, and which can be applied to many atomic species and are used to generate an atomic beam of high flow rate.例文帳に追加
簡単な構成の真空装置により、高い取出し効率で、流量の調整が可能であると共に、多くの原子種に対して適用可能であるようにした、高流量の原子ビームを発生させるための原子ビーム発生方法及び装置を提供する。 - 特許庁
METHOD OF FORMING SILICON-RICH NANOCRYSTAL STRUCTURE USING ATOMIC LAYER DEPOSITION PROCESS AND METHOD OF MANUFACTURING NONVOLATILE SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加
原子層蒸着工程を用いたシリコンリッチナノクリスタル構造物の形成方法及びこれを用いた不揮発性半導体装置の製造方法 - 特許庁
To provide a quantum line-supported atomic force microscopic method and a quantum line-supported atomic force microscope capable of performing simultaneously shape observation and elemental analysis in the atomic level by using the atomic force microscope, analyzing the chemical state on the sample surface, and performing the elemental analysis or chemical state analysis with respect to a biosample with a resolution in the atomic level because of being operable even in liquid.例文帳に追加
原子間力顕微鏡を使って原子レベルでの形状観察と元素分析とを同時に行うことができ、さらには試料表面の化学状態を分析することが可能となり、また、液体中でも動作可能であるため生体試料に対する元素分析や化学状態分析を原子レベルの分解能で行うことが可能な量子線支援原子間力顕微法および量子線支援原子間力顕微鏡を提供する。 - 特許庁
The InSbO_4-contained transparent conductive membrane with an atomic ratio of In:Sb=1:0.8 to 1.5 is manufactured employing the above manufacturing method.例文帳に追加
上記の製造方法により製造された原子比In:Sb=1:0.8〜1.5のInSbO_4含有透明導電性膜。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing an atomic oscillator capable of reducing a unit cost by shortening a manufacturing process.例文帳に追加
製造工程を短縮してユニットコストの低減を図ることができる原子発振器の製造方法を提供する。 - 特許庁
A writing request is carried out in a permanent and atomic method for one or plural resources of a resource group.例文帳に追加
リソース・グループの1つまたは複数のリソースに対して、永続的かつアトミックな方法で書込み要求が実行される。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE UTILIZING NITRIDE FILM FORMED BY LOW-TEMPERATURE ATOMIC LAYER DEPOSITION FOR ETCH-STOP LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
低温原子層蒸着による窒化膜をエッチング阻止層として利用する半導体素子及びその製造方法 - 特許庁
SIGNAL DETECTION APPARATUS, SCANNING ATOMIC FORCE MICROSCOPE CONSTRUCTED OF IT, AND SIGNAL DETECTION METHOD例文帳に追加
信号検出装置、該信号検出装置によって構成した走査型原子間力顕微鏡、および信号検出方法 - 特許庁
To provide a method of depositing a conductive noble metal thin film on a substrate generally by atomic layer deposition.例文帳に追加
一般に原子層堆積によって基板上に導電性貴金属薄膜を製造する方法を提供すること。 - 特許庁
To provide an ALD (atomic layer growth) method and to provide a reactor for forming a high quality ALD layer in the state of an optimized process.例文帳に追加
ALD法と、最適化されたプロセス状態で高品質ALD層を形成するためのリアクタを提供する。 - 特許庁
To provide data storage device using an atomic resolution storage technique with a method for reducing the effect of a magnetic field.例文帳に追加
アトミック・レゾリューション・ストレージ技術を採用するデータ記憶装置に、磁界の影響を低減する方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method of forming a film containing a metal by atomic layer deposition using a precursor represented by the following formula.例文帳に追加
次の式の前駆体を用いて、原子層堆積によって、金属含有フィルムを形成する方法を提供する。 - 特許庁
To sensitively analyze aluminum being contained in fluoric acid by using a frameless atomic absorption method regardless of the concentration of the fluoric acid.例文帳に追加
フッ酸の濃度に拘らず、フッ酸中に含まれるアルミニウムをフレームレス原子吸光法により高感度で分析する。 - 特許庁
To provide an atomic force microscope having high usability and high measuring precision, and a method therefor.例文帳に追加
一層高い有用性及び測定精度を有する原子間力顕微鏡及びその測定方法を提供すること。 - 特許庁
The method further includes the steps of measuring the solution by an ICP (inductively-coupled plasma) spectrographic analyzer, a colorimetric method, and an atomic absorption method, and determining the silicon in the organic silicon compound from the measured values.例文帳に追加
その溶液をICP(誘導結合プラズマ)発光分析装置、比色法、原子吸光法で測定し、その測定値から有機珪素化合物中の珪素を定量する。 - 特許庁
The amount of hexavalent chromium in the sample solution 5 is measured by an absorptiometric method, an ICP emission method or an atomic absorption method to determinate hexavalent chromium contained in the sample 1.例文帳に追加
吸光光度法、ICP発光法または原子吸光法により、試料溶液5内の6価クロム量を測定して、試料1に含まれる6価クロムを定量する。 - 特許庁
To provide a film deposition method where, at the time of depositing a metal-containing thin film by an ALD (Atomic Layer Deposition) method, the film deposition rate can be increased.例文帳に追加
ALD法によって金属を含む薄膜を形成する際に、成膜速度を上昇させることができる成膜方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method of forming a silicon-rich nanocrystal structure that uses an atomic layer deposition process, and to provide a method of manufacturing nonvolatile semiconductor devices.例文帳に追加
原子層蒸着工程を用いたシリコンリッチナノクリスタル構造物の形成方法、及びこれを用いた不揮発性半導体装置の製造方法が開示される。 - 特許庁
To suitably realize an objective film thickness with minimized period of time in the method of producing a thin film using an atomic layer growth method.例文帳に追加
原子層成長法を用いた薄膜の製造方法において、できるだけ短い形成時間で狙いの膜厚を適切に実現できるようにする。 - 特許庁
The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming the film 20 on a semiconductor region 19 by an atomic layer deposition method, forming an alumina film 21 on the film 20 by the atomic layer deposition method, annealing the film 21, and film forming a conductive layer 22 on the film 21 in a reduction atmosphere.例文帳に追加
半導体領域19の上に高誘電率絶縁膜20をアトミックレイヤーデポジション法により成膜し、高誘電率絶縁膜20の上にアルミナ膜21をアトミックレイヤーデポジション法により成膜し、アルミナ膜21をアニールし、アルミナ膜21の上に導電層22を還元雰囲気下で成膜する。 - 特許庁
The gas barrier film 1 composed of a single atomic layer laminate by the atomic layer deposition method is manufactured on a base film 2 while continuously moving the long base film 2 by using, for example, an apparatus 10 shown in Fig. 1.例文帳に追加
例えば図1の装置10を用い、長尺の基材フィルム2を連続して移動させながら、その基材フィルム2上に原子層堆積法による単原子層積層体からなるガスバリア膜1を作製する。 - 特許庁
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