「atomic method」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a surface treatment method for a surface coating layer by the iron and steel having a flat surface at an atomic level.例文帳に追加

原子レベルで平坦な表面を有する鉄鋼又は鉄鋼による表面被覆層の表面処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an atomic layer deposition apparatus which can form a thin film having higher density by using a plasma ALD method.例文帳に追加

プラズマＡＬＤ法を用いた場合により高密度の薄膜を形成することができる原子層堆積装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming Si_3N_4 and SiO_2 thin films through atomic layer vapor deposition using TDMAS as a reaction material.例文帳に追加

反応物質としてＴＤＭＡＳを用いた原子層蒸着によるＳｉ_3Ｎ_4およびＳｉＯ_2薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

An ion source and a method are provided in which molecular ion is generated in a cold operation mode and atomic ion is generated in a hot operating mode.例文帳に追加

コールド動作モードで分子イオンを生成し、ホット動作モードで原子イオンを生成するイオン源と方法が提供される。 - 特許庁

This method uses atomic oxygen generated from ozone, or the like, as a supply source of oxygen for converting fluorides into oxides.例文帳に追加

フッ化物を酸化物に転換する際の酸素の供給源としてオゾンなどから発生する原子状酸素を使用する。 - 特許庁

To provide a method for producing a nano element capable of arranging a plurality of functional atomic groups such as electron-transferring atomic groups, chromogenic atomic groups, etc., on specific positions of a double-stranded DNA substrate in an objective/optional order and localized at desired close proximity locations in an Å order on the DNA substrate.例文帳に追加

電子移動原子団、色素原子団等の機能性原子団を、２重鎖ＤＮＡ基板上の特定の位置に目的の／任意の順序で複数個配列させることができ、ＤＮＡ基板上のÅオーダーで所望の近接した位置に定位することができるナノ素子製造方法を提供する。 - 特許庁

HYDRIDE METAL COMPLEX AND LOW ATOMIC VALENCE METAL COMPLEX, AND METHOD OF DRAWING OUT ELECTRON FROM HYDROGEN MOLECULE USING THESE, METHOD OF HYDROGENATING SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING HYDROGEN FROM DEUTERIUM例文帳に追加

ヒドリド金属錯体および低原子価金属錯体、並びにそれらを用いて、水素分子から電子を取り出す方法、基質を水素化する方法、および重水素から水素を製造する方法 - 特許庁

To provide a complex which is useful as a new catalyst which enables generating atomic oxygen by facilitating the decomposition for hypochlorite such as sodium hypochlorite, a producing method thereof and a method for generating atomic oxygen under the presence of the said complex.例文帳に追加

次亜塩素酸ナトリウムのような次亜塩素酸塩用の分解を促進して原子状酸素を生成させることができる新たな触媒として有用な複合体、その製造方法、及び該複合体の存在下で原子状酸素発生させる方法を提供する。 - 特許庁

Sodium carbonate is coated on the inside of a cuvette pan of a frameless atomic absorption spectrometry device, and the organic silicone which is a sample is injected onto the cuvette pan, and the quantitative analysis of the organic silicone is executed by a frameless atomic absorption spectrometry method.例文帳に追加

フレームレス原子吸光分析装置のキュベット皿内部に、炭酸ナトリウムをコーティングし、このキュベット皿に試料となる有機シリコーンを注入し、フレームレス原子吸光分析法によって有機シリコーンを定量分析する。 - 特許庁

To provide an apparatus capable of efficiently depositing a film without necessitating frequent maintenance of a film deposition chamber, in vacuum film deposition by an ALD (atomic layer deposition) method.例文帳に追加

ＡＬＤ法による真空成膜において、成膜室の頻繁なメンテナンスが不要で効率良く成膜しうる装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of inspecting accurately and easily an atomic layer deposition film, in particular, having a very thin film thickness.例文帳に追加

特に膜厚がきわめて薄い原子層堆積膜について、正確にしかも容易に検査を行うことができる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process for depositing a film on a substrate by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) method in which an organic layer on the substrate is not damaged.例文帳に追加

ＰＥＡＬＤにより基板上に成膜するプロセスにおいて、基板上の有機膜にダメージを与えない方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming compound thin films through atomic layer deposition using high-k dielectric Group VB species.例文帳に追加

本発明は、高ｋ誘電体の第ＶＢ族核種を使用して原子層堆積により化合物薄膜を形成する方法に関する。 - 特許庁

To provide a clustered computer system, bridge device and method including support for an atomic ownership change operation of an input/output bridge device.例文帳に追加

入出力ブリッジ・デバイスのアトミック所有権変更動作のサポートを含むクラスタ化コンピュータ・システム、ブリッジ・デバイス、および方法を提供する。 - 特許庁

To provide a design and a method for thermally stabilizing a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) in a chip-scale atomic clock.例文帳に追加

チップスケール原子時計内の垂直共振器面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）を熱的に安定化させる設計および方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor thin film having a flatter surface than conventional one at an atomic level, and to provide a growth method of the nitride semiconductor thin film.例文帳に追加

従来よりも原子レベルで平坦な表面を有する窒化物半導体薄膜及びその成長方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor thin film having a flatter surface than conventional one at an atomic level, and to provide a growth method of the nitride semiconductor thin film.例文帳に追加

従来よりも原子レベルで平坦な表面を有する窒化物半導体薄膜及びその成長方法を提供すること。 - 特許庁

SIGNAL DETECTING METHOD BY SCANNING PROBE AND SIGNAL DETECTION DEVICE AND/OR ATOMIC FORCE MICROSCOPE WITH SIGNAL DETECTION DEVICE例文帳に追加

走査型プローブによる信号検出方法および信号検出装置、並びに該信号検出装置を備えた原子間力顕微鏡 - 特許庁

DEVICE FOR FORMING SURFACE-TREATED LAYER, METHOD FOR FORMING SURFACE-TREATED LAYER AND CONTROL ROD FOR ATOMIC FURNACE AT WHICH THE SURFACE-TREATED LAYER IS FORMED例文帳に追加

表面処理層の形成装置、表面処理層の形成方法及びその表面処理層が形成された原子炉用制御棒 - 特許庁

To provide a probe sharpening method capable of arbitrarily forming the taper angle of the leading end of a probe for STM(scanning tunnel microscope), AFM(atomic force microscope) and SNOM(scanning near field optical microscope).例文帳に追加

ＳＴＭ、ＡＦＭ、ＳＮＯＭ用のプローブ先端のテーパー角を任意に形成可能なプローブの尖鋭化方法を提供する。 - 特許庁

The structure and the method for manufacturing a magnetic reading head include a process of forming a fill layer for a magnetic reading head gap by using an atomic layer deposition(ALD) method.例文帳に追加

磁気読取りヘッドを製造する構造および方法は、原子層堆積（ＡＬＤ）を使用して磁気読取りヘッドギャップのためのフィルレイヤーを形成することを含む。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING ANOMALOUS DISPERSION REGION IN ATOMIC VAPOR, METHOD AND APPARATUS FOR GAIN-ASSISTED SUPERLUMINAL LIGHT PROPAGATION AND APPARATUS FOR ADVANCED DETECTION OF INPUT OPTICAL SIGNAL例文帳に追加

原子蒸気の中に異常分散の領域を作る方法及び装置、利得利用超光速光伝搬の方法及び装置、入力光信号の先行検出装置 - 特許庁

To provide a network distributed computing method in which program development, tests and maintenance are facilitated and a highly reliable atomic power plant operation monitoring system utilizing the method.例文帳に追加

プログラムの開発、試験及び保守が容易なネットワーク分散コンピューティング方法、及びそれを利用して信頼性の高い原子カプラント運転監視システムを提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film in which a thin film having good film characteristics can be formed while suppressing defects on the film interface by atomic layer deposition (ALD method).例文帳に追加

原子層蒸着法（ＡＬＤ法）において、膜界面の欠陥が少なく、膜特性の良好な薄膜を形成することができる薄膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing a gas barrier film excellent in gas barrier property efficiently and inexpensively by an atomic layer deposition method.例文帳に追加

原子層堆積法によるガスバリア性に優れたガスバリア膜の作製を効率的で安価に行うことができるガスバリア膜の作製方法及び作製装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a field effect transistor and method and system for fabricating a semiconductor device in which film formation can be controlled on the order of atomic layer.例文帳に追加

原子層オーダでの膜形成の制御が可能な、電界効果トランジスタの製造方法、並びに、半導体デバイスの製造方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

The method for growing the carbon nanotubes comprises: providing a catalyst source on the substrate and growing the carbon nanotubes along the orientation of atomic array on the surface of the substrate from the catalyst source by a chemical vapor deposition method.例文帳に追加

基板上に触媒源を設け、化学気相成長法により触媒源からカーボンナノチューブをを基板の表面の原子配列の方位に沿って成長させる。 - 特許庁

To provide a method for preparing a thin gold film flat at the atomic level on a mica substrate by a vacuum deposition method with a simple operation.例文帳に追加

本発明は、操作の簡単な真空蒸着法を用いて、雲母基板上に原子レベルで平坦な金薄膜を作製する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which is deposited by the atomic layer deposition (ALD) method, capable of reducing contamination of a substrate due to Na.例文帳に追加

ＡＬＤ法により成膜を行う半導体デバイスの製造方法であって、Ｎａによる基板の汚染を低減できる半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

And a method of manufacturing the magnetic random access memory is characterized that the tunnel oxide film is formed by atomic layer laminating method, and the other material films, especially the anti-oxidation film, are formed by a non-atomic layer laminating method.例文帳に追加

磁気トンネル接合層が下部磁性膜、酸化防止膜、トンネル酸化膜および上部磁性膜で構成されたことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ、ならびに前記トンネル酸化膜は原子層積層法で形成し、他の物質膜、特に前記酸化防止膜は非原子層積層法で形成することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。 - 特許庁

To provide an atomic force microscope which can precisely detect interaction quantity due to interatomic force between a cantilever and a sample with a measurement method using light such as an optical lever method, even when the cantilever is driven in high speed in the Z direction, and to provide a cantilever support of the atomic force microscope.例文帳に追加

カンチレバーをＺ方向に高速に駆動した場合にも、光てこ法等の光を使った測定法でカンチレバーの試料との間の原子間力による相互作用量を正確に検出できる原子間力顕微鏡及びそのカンチレバー支持具を提供する。 - 特許庁

To make it possible to form a high accurate resistance element through film formation by a plasma atomic layer deposition method (plasma ALD method) without reducing any insulating performance of an insulating film as a grounding in the plasma ALD method.例文帳に追加

本発明は、プラズマ原子層堆積法（プラズマＡＬＤ法）の下地の絶縁膜の絶縁性能を低下させず、プラズマＡＬＤ法での膜形成により高精度の抵抗素子の形成を可能にする。 - 特許庁

The forming method of a semiconductor structure is constituted of a stage that a silicon substrate 10 having the surface 12 is provided, a stage that an interface 14 consisting of a single silicon atomic layer, a single nitrogen atomic layer and a single metal atomic layer is formed on the surface of the substrate 10 and a stage that more than one layer of single crystal oxide layers 26 are formed on the interface.例文帳に追加

半導体構造の作成方法は、表面１２を有するシリコン基板１０を設ける段階；シリコン基板の表面上に、シリコン，窒素および金属の単独の原子層からなるインタフェース１４を形成する段階；および１層以上の単結晶酸化物２６をインタフェース上に形成する段階；によって構成される。 - 特許庁

In the analysis method, application of γ rays 12 to a sample atomic nucleus 40 to be measured causes a (γ, n) reaction in the atomic nucleus 40 in a sample 31 to be measured, and the nuclide of the atomic nucleus 40 is identified by measuring energy (spectra) of neutrons 41 generated in this case by the radiation detector 15.例文帳に追加

この分析方法においては、被測定試料原子核４０にγ線１２が照射されることによって、被測定試料３１中の原子核４０に（γ、ｎ）反応を生じさせ、この際に発生する中性子４１のエネルギー（スペクトル）を放射線検出器１５によって測定することによって、原子核４０の核種を特定する。 - 特許庁

To provide an atomic layer deposition method by which a gas which does not contribute to deposition of a thin film is sufficiently trapped in an exhaust trap.例文帳に追加

薄膜の形成に寄与しなかったガスを排気トラップにおいて十分にトラップすることができる原子層堆積方法を提供する。 - 特許庁

To provide: a composition for producing a metal copper film from a high-atomic-valence compound of copper; a method for producing a metal copper film; and a metal copper film.例文帳に追加

銅の高原子価化合物から金属銅膜を製造する組成物、金属銅膜の製造方法、および金属銅膜を提供する。 - 特許庁

The second barrier layer 142, which is formed on the second surface 112 by the atomic layer deposition method, is made of an inorganic material having water vapor barrier properties.例文帳に追加

第２のバリア層１４２は、第２の面１１２に原子層堆積法によって形成され、水蒸気バリア性を有する無機材料からなる。 - 特許庁

Also a method of forming a barrier layer from purified pentakis(dimethylamido)tantalum, for example, a tantalum nitride barrier layer by atomic layer deposition is claimed.例文帳に追加

また、精製ペンタキス(ジメチルアミド)タンタルから原子層堆積によってバリヤ層、例えば、窒化タンタルバリヤ層を形成する方法も特許請求される。 - 特許庁

On the High-k film 412, an extremely thin silicon nitride film 413 of 10 Å or less is further formed by an ALD (atomic layer deposition) method or the like.例文帳に追加

このＨｉｇｈ−ｋ膜４１２上にＡＬＤ法などにより１０Å以下の極薄のシリコン窒化膜４１３を形成する。 - 特許庁

To provide a method of assembling an array of particulates or molecules using an atomic force microscope for partitioning a ferro-dielectric magnetic domain.例文帳に追加

強誘電体磁区を画定するために原子間力顕微鏡を用いて、微小粒子または分子のアレイをアセンブルする方法を提供する。 - 特許庁

As a result, the method for generating atomic oxygen which contains the decomposition of hypochlorite under the presence of the complex is provided.例文帳に追加

本発明により、該複合体の存在下、次亜塩素酸塩を分解することを含む原子状酸素を発生させる方法が提供される。 - 特許庁

Considering an atomic model having a degree of internal freedom serving to determine covalently bonded portions, the motion of an expansion dynamic system combining atomic nucleus coordinates and the degree of internal freedom is calculated in a classic molecular dynamics method to express the smooth re-linkage of bonds.例文帳に追加

共有結合部位を決定する役割を持つ内部自由度を持った原子モデルを考え、原子核座標と内部自由度を併せた拡張力学系の運動を古典分子動力学法で計算し、結合の滑らかな繋ぎ変えを表現する。 - 特許庁

The base film composed of a III group nitride, having the Al content of 50 atomic % or higher, is formed through a CVD method, thereafter, the III group nitride film, having the Al content less than that of the base film by 10 atomic % or higher, is formed on the base film.例文帳に追加

ＣＶＤ法によって、Ａｌ含有量が５０原子％以上であるIII族窒化物下地膜を形成した後、前記下地膜よりも１０原子％以上少ないＡｌ含有量のIII族窒化物膜を前記下地膜上に形成する。 - 特許庁

To provide a method and a device for cooling neutral atomic gas in which the number of atoms becoming Bose-Einstein condensation is dramatically increased, by realizing high cooling efficiency for the neutral atomic gas having magnetic moment.例文帳に追加

磁気モーメントを有する中性原子気体に対して高い冷却効率を実現し、ボース・アインシュタイン凝縮に到る原子数を飛躍的に増大させることを可能とする中性原子気体の冷却方法および冷却装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a flat face on an atomic scale in the surface of a metallic substrate by an electrochemical method capable of flattening on an electronic level having a practically requred width.例文帳に追加

実用上必要な広さを有する電子レベルでの平坦化が可能な電気化学的方法による金属基板表面における原子スケールの平坦面の形成方法を提供する。 - 特許庁