「atomic method」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an inductance element and a method for manufacturing the inductance element in which the inductance element supports reduced thickness, reduced size, and reduced length in, for example, a data carrier component or an atomic clock.例文帳に追加

例えば、データキャリア部品や電波時計等の薄型化、小型化、短尺化等に対応させることが可能なインダクタンス素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a stress-tuned dielectric film having Si-N bonds on a semiconductor substrate by plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD).例文帳に追加

プラズマ励起原子層の成膜（ＰＥＡＬＤ）によって半導体基板上にＳｉ−Ｎ結合を有するストレス調節された誘電体膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To improve the uniformity of in-plane film thickness distribution while avoiding a change in throughput and film quality in a film forming method using a vertical tube ALD (atomic layer deposition) device.例文帳に追加

縦型チューブＡＬＤ（原子層堆積）装置を用いる成膜方法において、スループットや膜質の変化を回避しながら面内膜厚分布均一性を向上させる。 - 特許庁

The electric double layer capacitor is obtained by the above-described manufacturing method, and the electrode active material in which an atomic ratio (H/C) of hydrogen to carbon is in a range of 0.35 to 0.46 is used.例文帳に追加

電気二重層キャパシタは、上記の製造方法によって得られ、炭素に対する水素の原子比（Ｈ／Ｃ）が０．３５〜０．４６の範囲内の電極活物質を用いる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thermoelectric conversion material in which a fine precursor powder can be obtained by homogeneously mixing constitutive elements in atomic, ionic and molecular levels.例文帳に追加

構成元素を原子やイオンおよび分子レベルで均質に混合し、微細なプリカーサー粉末を得ることが可能な熱電変換材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

The depositing method can be CVD (chemical vapor deposition), MOCVD (organic metal chemical vapor deposition), ALD (atomic layer deposition), or those similar to this.例文帳に追加

蒸着は化学気相蒸着法ＣＶＤ、有機金属化学気相蒸着法ＭＯＣＶＤ、原子層蒸着法ＡＬＤ、またはこれと類似の蒸着法であり得る。 - 特許庁

The method is for approximately solving, at least either of constants A or B of proportion, by using the linearity of the attenuation coefficient of X-rays in substances with an atomic number of 4 to 30.例文帳に追加

比例定数Ａ，Ｂに少なくとも一方を、原子番号が４から３０の物質においてＸ線の減弱係数の線形性を利用して近似的に解く。 - 特許庁

The manufacturing method comprises introducing the plasma stream consisting of the occlusion atomic ions and the plasma stream consisting of the fullerene ions into a reaction room from the opposite direction to form the occlusion fullerene.例文帳に追加

内包原子イオンからなるプラズマ流とフラーレンイオンからなるプラズマ流を反対方向から反応室に導入し、内包フラーレンを形成することにした。 - 特許庁

METHOD FOR UTILIZING AS INFORMATION RECORDING CODE BY ADDING ADDITIONAL INFORMATION WITH RESPECT TO MOLECULE HAVING CHAIN STRUCTURE HAVING MASS-ANALYZABLE ATOMIC GROUP AS CONSTITUTING UNIT例文帳に追加

質量分析可能な原子群を構成単位とする鎖状構造を有する分子に対して付加情報を付与して、情報記録コードとして利用する方法 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a proton conductive membrane in which the orientation of an organic atomic group is controlled, and provide a fuel cell using this proton conductive membrane.例文帳に追加

有機原子団の配向が制御されたプロトン伝導膜の製造方法を提供すること、このプロトン伝導膜を使用した燃料電池を提供することである。 - 特許庁

To provide the laminating method of an atomic layer capable of forming a metal oxide film having excellent step coverage characteristics and high dielectric constant at a high deposition speed.例文帳に追加

優れたステップカバレージ特性及び高誘電率を有する金属酸化物の膜を、高い蒸着速度で形成することのできる原子層積層方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of flattening/cleaning the surface of a crystalline InP substrate by which the surface of a crystalline InP wafer can be cleaned in atomic order under a superhigh vacuum condition, and to provide a method of growing semiconductor device by molecular beam epitaxy using the method.例文帳に追加

超高真空下でＩｎＰ結晶ウェーハの表面を原子的なオーダーで清浄化するＩｎＰ結晶基板表面の平坦・清浄化方法及びそれを用いた半導体デバイスの分子線エピタキシャル成長方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the magnetic probe has a film formation process for forming a film of a magnetic material 7 on the surface of the probe base material 1 having the tip part 1a by the atomic layer deposition method.例文帳に追加

また、本発明による磁性探針の製造方法は、先端部１a有する探針基材１の表面に、原子層堆積法により磁性材料７を成膜する成膜工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the conductive probe has a film formation process for forming a film of a conductive material 3 on a surface of a probe base material 1 having a tip part 1a by an atomic layer deposition method.例文帳に追加

本発明に係る導電性探針の製造方法は、先端部１a有する探針基材１の表面に、原子層堆積法により導電性材料３を成膜する成膜工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method using an atomic layer deposition method in order to grow an extremely homogeneous thin-film whose surface density is favorable, which has an extremely high purity and whose surface properties are controlled with high precision.例文帳に追加

良好な表面密度、極めて高い純度を有し、表面特性を高精度で制御された非常に均一な薄膜を成長するために、原子層堆積法を用いた方法を提供することである。 - 特許庁

This production method of an NdFeBGa magnet having a high coercive force is a production method, by producing a quenched ribbon of Nd-Fe-B-G_X (x is a number representing atomic ratio and satisfies the equation: 1≤x≤3) and by pressurizing-sintering the produced ribbon.例文帳に追加

Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ−Ｇ_Ｘ（ｘは原子数比を表示する数であり、１≦ｘ≦３）の急冷リボン作製し、これを加圧焼結することを特徴とする高保磁力ＮｄＦｅＢＧａ磁石の製造法。 - 特許庁

To provide a method by which trace sodium and potassium contained in a borate-coexisting solution can be measured easily with high sensitivity and high accuracy by the furnace atomic absorption method without exposing the solution to a risk of contamination from the outside.例文帳に追加

ホウ酸が共存する溶液中の微量ナトリウム及びカリウムをファーネス原子吸光法によって定量する際に、外部からの汚染の危険がなく、簡単に、高感度且つ高精度に測定する方法を提供する。 - 特許庁

To resolve a conventional problem being very slow in forming a film by atomic layer deposition method by supplying both a metal source and an oxygen source into a film forming chamber at the same time in chemical vapor deposition (CVD) method.例文帳に追加

化学気相成長(CVD)法において金属源、ケイ素源および酸素源を成膜室に同時給送することにより、原子層堆積法の成膜は非常に低速であるという従来の難点を克服する。 - 特許庁

The target for wiring formation is composed of the Mo-W material having a composition consisting of 25-45 atomic % tungsten and the balance molybdenum with inevitable impurities and prepared, e.g. by integrally compounding tungsten and molybdenum by a powder metallurgy method, a melting method, etc.例文帳に追加

配線形成用ターゲットは、原子パーセントでタングステン25〜 45%、残部モリブデンおよび不可避的不純物よりなり、例えばタングステンとモリブデンを粉末冶金法や溶解法などで複合一体化したＭｏ−Ｗ材からなる。 - 特許庁

The strontium-containing thin film such as a SrTiO_3 film and a (Ba, Sr)TiO_3 film is formed by using bis(propyltetramethylcyclopentadienyl) strontium as an Sr source, with a chemical vapor deposition method or an atomic layer deposition method.例文帳に追加

Ｓｒ源として、ビス（プロピルテトラメチルシクロペンタジエニル）ストロンチウムを用いて、化学気相成長法または原子層堆積法により、ＳｒＴｉＯ₃または（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ₃膜等のストロンチウム含有薄膜を形成する。 - 特許庁

The ceramic porous plate has fine pore parts having 5 nm to 200 μm average pore diameter and ≥0.5 mm thickness and a thin film having film thickness controlled in a molecular layer or atomic layer level is formed on at least a part of the inside wall of the fine pore parts by an atomic layer deposition (ALD) method.例文帳に追加

平均細孔径が５ｎｍ〜２００μｍの細孔部を有し厚さが０．５ｍｍ以上のセラミック多孔質板であって、該細孔部内壁の少なくとも一部にＡＬＤ法によって分子層または原子層レベルで膜厚制御された薄膜が形成されていることを特徴とするセラミック多孔質板を提供する。 - 特許庁

When an Si single crystal ingot is manufactured by CZ method, the concentration distribution of atomic vacancies, which are on a cross section of the Si single crystal ingot previously grown, is detected by direct observation of atomic vacancies, the obtained concentration distribution is fed back for the subsequent pulling process, and the speed profile of the subsequent pulling is adjusted.例文帳に追加

ＣＺ法によるSi単結晶インゴットの製造に際し、先行して育成されたSi単結晶インゴットの横断面における原子空孔の濃度分布を、原子空孔の直接観測法によって検出し、それを後続の引き上げ処理にフィードバックして、後続の引き上げにおける速度プロファイルを調整する。 - 特許庁

In a measuring method of elastic modulus of an extreme surface in a solid material sample such as resin film by using an atomic force microscope, a probe of an atomic force microscope is contacted at an elastic displacement as a displacement of a solid material sample within the range providing elastic deformation without providing plastic deformation to the solid material sample.例文帳に追加

原子間力顕微鏡を用いた樹脂フィルム等の固体物質試料の極表面の弾性率の測定方法であって、原子間力顕微鏡の探針を、固体物質試料に塑性変形を与えることなく弾性変形を与える範囲内の固体物質試料の変位量である弾性変位量で接触させる。 - 特許庁

An associated method includes steps for configuring metadata associating the virtual stripe of the data storage space and the cache data; modifying the metadata such that a state change related to a pending data transaction between the data storage space and a cache is reflected; writing the corrected metadata into the atomic write descriptor; and recalling the atomic write descriptor for transacting a selected atomic block size in an event of an interruption while executing the data transaction.例文帳に追加

関連する方法も提供され、データ記憶スペースの仮想ストライプとキャッシュ・データを関連付けるメタ・データを構成し、データ記憶スペースおよびキャッシュ間の保留データ・トランザクションに関連する状態変化を反映するようにメタ・データを修正し、修正されたメタ・データをアトミック・ライト記述子に書込み、データ・トランザクション中に割込みが生じたらアトミック・ライト記述子を呼び戻して選択されたアトミック・ブロック・サイズをトランザクションするステップを含む。 - 特許庁

A second ferroelectric film 13 is formed on the first ferroelectric film 12 by an atomic layer deposition method so as to bury the recessed parts 15 on the surface of the first ferroelectric film 12.例文帳に追加

第１強誘電体膜１２の表面の凹部１５を埋め込むように、第１強誘電体膜１２の上に、原子層堆積法により第２強誘電体膜１３を形成する。 - 特許庁

This film 13 is a layer constituted by laminating atomic layers, which respectively comprise 15 to 23 pieces or thereabouts of atoms, and is formed using O2 gas or an O2 gas plasma, an atmospheric plasma or a CVD(Chemical Vapor Deposition) method or the like.例文帳に追加

この酸化膜１３は、１５〜２３個程度の原子の積層によって構成された層であり、Ｏ_2 ガス、またはＯ_3 ガスプラズマ、大気圧プラズマ、あるいはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等にて形成する。 - 特許庁

The deposition temperature in the first process can be made lower than the deposition temperature in the second process, as the vapor phase deposition technology, for example, an atomic layer deposition method is used.例文帳に追加

第１の工程における成膜温度を、第２の工程における成膜温度より低い温度とすることができ、気相成膜技術としては、例えば原子層堆積法を用いる。 - 特許庁

In the PLLA used here, a remaining amount of polymerization catalyst used upon melt-polymerization of L-lactide is removed to an extent not detected by the atomic absorption method.例文帳に追加

ここで用いるポリ乳酸（ＰＬＬＡ）は、L−ラクタイドを溶融重合する際に用いられた重合触媒の残存料が原子吸光法により検出されない範囲まで除去されている。 - 特許庁

To provide a method for preparing a metal-containing layer having uniform, conformal thickness and smooth surfaces by ALD (atomic layer deposition) process using specific metal precursors.例文帳に追加

特定の金属先駆物質を用いたＡＬＤ法により、基板表面に、均一で共形的な厚さと平滑な表面とを有する金属含有皮膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a microfabrication method that achieves high-accuracy processing even while giving lateral oscillation to a cantilever having a probe in a microfabrication device using an atomic force microscope.例文帳に追加

原子間力顕微鏡を用いた微細加工装置において、探針を有するカンチレバーに横振動を与えつつも、高精度な加工を可能とする微細加工方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a film forming apparatus and a film forming method capable of utilizing an ALD (Atomic Layer Deposition) process at high productivity without using a high speed switch valve, and capable of cleaning in a chamber.例文帳に追加

高速スイッチングバルブを用いずにかつ高い生産性で、ＡＬＤ法を利用することができ、チャンバー内クリーニングが可能な成膜装置および成膜方法を提供すること。 - 特許庁

For example, a deposition method is disclosed about a chemical vapor deposition or an atomic layer deposition in a metal-containing film such as a metallic silicide film and a metallic oxynitride silicon film.例文帳に追加

例えば金属ケイ酸塩又は金属酸窒化ケイ素の膜のような金属含有膜の化学気相成長又は原子層成長による堆積法が本書に開示されている。 - 特許庁

The crucible 12 is heated in a range from 1,700°C to 2,750°C under a nitrogen atmosphere to obtain a planarized surface at an atomic level (planarity of about 0.3 nm) at a higher speed (etching rate of 200-300 μm/hour) than that in a prior method.例文帳に追加

窒素雰囲気中で黒鉛製坩堝１２内を1700℃〜2750℃に熱することにより、原子オーダーのレベルで平坦（平坦度〜0.3nm）な面が従来よりも高速（エッチング速度200〜300μm/hour）に得られる。 - 特許庁

The measuring method is used for a nanostructure substrate, and also a nanostructure such as an atomic force microscope-use probe, a near-field optical microscope-use probe or the like which uses the enhancing effect.例文帳に追加

本発明は、ナノ構造体基板に限らず、原子間力顕微鏡用プローブ，近接場顕微鏡用プローブなど、増強度を利用するナノ構造体に対しても用いることができる。 - 特許庁

The method for fabricating the semiconductor device comprises the steps of forming an amorphous silicon film on the surface of an insulator, heating the amorphous silicon film, and thereby setting the hydrogen concentration in the amorphous silicon film to 5 atomic % or less.例文帳に追加

絶縁表面上にアモルファスシリコン膜を形成し、前記アモルファスシリコン膜を加熱することによって、前記アモルファスシリコン膜中の水素濃度を５原子％以下とする。 - 特許庁

To provide a method where hydrogen is produced by effectively utilizing vapor generated from a nuclear reactor in a boiling water atomic power generation plant, and further, the produced hydrogen is effectively utilized.例文帳に追加

沸騰水型原子力発電プラントでの原子炉から生成する蒸気を有効に利用して水素を製造すると共に、製造された水素を有効に利用する方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing, the ratio of zinc atoms to the total amount of zinc atoms and tin atoms in the transparent electrode (an atomic ratio of Zn/(Zn+Sn)) is preferably 0.5-0.9.例文帳に追加

この製造方法において、透明電極中の亜鉛原子とスズ原子の総量に対する、亜鉛原子の割合（Ｚｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）、原子比）が０．５〜０．９であることが好ましい。 - 特許庁

To provide an aberration correction device of a scanning transmission electron microscope, which can correct defocus and astigmatism during observation and can obtain atomic resolution; and to provide an aberration correction method thereof.例文帳に追加

デフォーカス及び非点収差を観察中に補正可能で、且つ原子分解能が得られる走査型透過電子顕微鏡の収差補正装置及び収差補正方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming an atomic layer of metal oxide by making a substrate absorb chemically an organometallic complex having a ligand of β-diketone, and oxidizing it with free radicals of active oxygen.例文帳に追加

β−ジケトンの配位子を有する有機金属錯体を基板に化学吸着させ、これを活性酸素ラジカルで酸化させて金属酸化物原子層を形成させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode having a nano gap structure where the single crystal planes face each other and the shape is arranged at the atomic level, and to provide a nanostructure device having this electrode and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

単結晶面が対向し、形状が原子レベルで整ったナノギャップ構造を有する電極、および、この電極を有するナノ構造デバイス及びその作製方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a gallium oxide single crystal substrate having a principal plane flattened in atomic level, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

原子レベルで平坦化された主面を有する酸化ガリウム単結晶基板、及び原子レベルで平坦化された主面を有する酸化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method estimating the number of atomic nucleus of the preselected isotopes in molecular species from the NMR spectra of test pieces containing the molecular species concerned as the key substances.例文帳に追加

主要物質として分子種を含有する試料のＮＭＲスペクトルから、該分子種内の予め選択された同位元素の原子核の数を推定するための方法を提供する。 - 特許庁

This method comprises producing tetrahydroindene from 5- vinylnorbornene using a zeolite catalyst having a Si/Al atomic ratio of ≥50 and pore structure having a main cavity inlet of ≥12-membered oxygen ring.例文帳に追加

Ｓｉ／Ａｌ原子比が５０以上であって主空洞の入り口が１２員酸素環以上の細孔構造を有するゼオライト触媒を使用して５−ビニルノルボルネンからテトラヒドロインデンを製造する。 - 特許庁

To provide a method of production easily and safely substituting a fluorine atom bonded to an sp2 hybrid carbon atom of a fluorine-containing olefin such as TFE with another atom or atomic group.例文帳に追加

ＴＦＥ等の含フッ素オレフィンのｓｐ２混成炭素原子に結合したフッ素原子を、簡便かつ安全に他の原子又は原子団で置換することができる製造方法を提供する。 - 特許庁

A surface analysis method of an insulation material with an atomic force microscope includes performing AFM measurement by suppressing charging of the insulation material due to static electricity under high humidity environment.例文帳に追加

高湿度環境下で絶縁材料の静電気による帯電を抑制してＡＦＭ測定を行う原子間力顕微鏡による絶縁材料の表面分析方法である。 - 特許庁