「atomic method」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

This indirect quantitative analytical method of silicone in a sample by using a graphite furnace atomic absorption spectrometry method is characterized by adding beforehand a chemical modification agent including a platinum group compound into a graphite furnace.例文帳に追加

黒鉛炉原子吸光分析法を用いて試料中のシリコーンを間接的に定量分析する方法において、白金族化合物を含む化学修飾剤をあらかじめ黒鉛炉内に添加することを特徴とする上記方法。 - 特許庁

To provide a method for producing a polymer obtained from a radical- polymerizable monomer utilizing an atomic transfer-type radical polymerization method in which handling of a catalyst is facilitated and the initiator system can allow a wide selection range of initiators.例文帳に追加

ラジカル重合性モノマーから成る重合体の製造方法であって、触媒の取り扱いが容易で且つ開始剤の選択幅の広い開始系を使用した原子移動型ラジカル重合法による製造方法を提供する。 - 特許庁

This method of manufacturing a transparent or translucent gas-barrier laminated body includes processes of: forming a base layer 12 on at least one-side surface of a plastic film base material 11 by using either a physical film formation method or a chemical vapor-phase epitaxial method, or both of them; and forming a gas barrier layer 13 on a surface of the base layer 12 by using an atomic layer deposition method.例文帳に追加

プラスチックフィルム基材１１の少なくとも一方の面に、物理成膜法もしくは化学気相成長法のいずれか、またはその両方を用いて下地層１２を形成する工程と、下地層１２の表面に、原子層堆積法を用いてガスバリア層１３を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

To provide a method for producing a metal compound oxide, with which the metal compound oxide with a desired structure is obtained more efficiently at a lower temperature, while more retaining the atomic arrangement of a precursor, by making the same into ceramic.例文帳に追加

前駆体の原子配置をより維持したままセラミックス化し、所望の構造の金属複合酸化物をより効率的に、より低温で得る金属複合酸化物の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film formation method using atomic-layer vacuum deposition which is applied to the formation of a gate insulating layer, having a high dielectric constant, less likely to be crystallized due to its being thermally stable, and proper film properties.例文帳に追加

比誘電率が高く、熱的に安定で結晶化し難い、膜特性の良好なゲート絶縁膜の形成に適用される原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an atomic absorption spectrophotometer, whose measurement is stabilized by a method where the particle size of anatomized sample inside an atomization chamber and the flow of a combustible gas containing the atomized sample are made to be stable.例文帳に追加

霧化チャンバ内での霧化試料の粒子径、霧化試料を含んだ可燃性ガスの流れを安定的にすることにより、測定を安定化するようにした原子吸光分光光度計を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method for the extremely small optical waveguide is characterized by that the oxide film is formed by anodizing the surface of the metallic substrate by using a probe tip of an atomic force microscope, etc.例文帳に追加

また、本発明の極微小光導波路の製造方法は、金属基板表面を原子間力顕微鏡等の探針先端を用いて陽極酸化して酸化膜を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The method of surface treatment includes: preparing a substrate; and forming a ceramic layer on a surface of the substrate by atomic layer deposition (ALD), wherein the ceramic layer has a thickness of 1 to 1,000 nm.例文帳に追加

基板を用意することと、原子層析出（ＡＬＤ）によって基板の表面にセラミック層を形成することとからなり、セラミック層は１〜１０００ｎｍの厚さを有する表面処理方法。 - 特許庁

To provide a method for forming a film comprising a metal which has a uniform and conformal thickness and a smooth surface on the surface of a substrate by an ALD (Atomic Layer Deposition) process using specified metal precursors.例文帳に追加

特定の金属先駆物質を用いたＡＬＤ法により、基板表面に、均一で共形的な厚さと平滑な表面とを有する金属含有皮膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of continuously depositing the atomic layers of respective single-layer films of a one single-layer film thickness by respectively bringing a plurality of precursors into contact with the surface of a substrate at different temperatures.例文帳に追加

基板上に、異なる温度において、複数の前駆体をそれぞれ接触させることにより、１単層膜厚のそれぞれの単層膜を連続的に原子層堆積する方法を提供する。 - 特許庁

Using a sapphire slightly-tilted substrate having an off-angle of 0.5° or less, a plurality of nitride semiconductor films having flatness in an atomic scale are fabricated by a molecular beam epitaxy method to manufacture a nitride semiconductor device.例文帳に追加

オフ角が０．５度以下であるサファイヤ微傾斜基板を用い、分子線エピタキシー法により複数の窒化半導体膜を原子スケールで平坦な膜を作製して窒化物半導体素子を製造する。 - 特許庁

The surface silica layer 4 and the adhesion silica layer 3 are preferably formed in a plasma CVD method, and the surface silica layer 4 preferably contains 20-40 atomic % of carbon.例文帳に追加

このとき、表面シリカ層４および密着シリカ層３をプラズマＣＶＤ法で形成することが好ましく、さらに、表面シリカ層４の炭素含有量が２０〜４０原子％であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a probe and a cantilever for realizing an AFM (Atomic Force Microscope) having high resolution, and a method for manufacturing the probe and the cantilever easily and surely.例文帳に追加

高い分解能を有するＡＦＭを実現し得るプローブ及びカンチレバーと、それらプローブ及びカンチレバーを簡易且つ確実に製造することが可能な製造方法とを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a thin film treatment device where, even if a growing method in which raw materials are alternatively made to flow for growing a thin film having a satisfactory step coverage is performed, the time for performing the growth of one atomic layer can be reduced.例文帳に追加

段差被覆性の良い薄膜を成長するため原料を交互に流す成長法を行っても１原子層の成長を行う時間を短縮できる薄膜処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a simple and versatile method for making an ion beam carry a high current, as to an ion beam generating device used for a device for analyzing an atomic arrangement on a surface and an interface by using a helium ion beam.例文帳に追加

ヘリウムイオンビームを用いて、表面・界面の原子配列を解析する装置に用いるイオンビーム発生装置に関し、簡便で汎用性のあるイオンビームの大電流化方法を提供する。 - 特許庁

The galvannealed steel sheet ahs a flattened part on the surface, and an oxide layer composed of <20 atomic % Al concentration and the balance substantially Zn and having ≥10 nm thickness exists on the surface of flattened part, and the producing method is provided.例文帳に追加

平坦部を表面に有し、その平坦部表面のAl濃度が20at%未満で、残部が主としてZnからなる酸化物層が10nm以上の厚さで存在する合金化溶融亜鉛めっき鋼板及びその製法。 - 特許庁

The invention relates to a method for estimating physical strength of a film from the observation of the surface conditions of the film of an aqueous acrylic-modified polyurethane resin in air and in water by using atomic force microscope.例文帳に追加

原子間力顕微鏡を用いての水性アクリル変性ポリウレタン樹脂被膜の、空気中と水中の表面状態の観察から被膜の物理強度を予測する方法により解決する。 - 特許庁

To provide a surface observation method using a scanning probe atomic force microscope capable of observing various differences of the surface state, especially the difference of hydrophobicity or hydrophilicity of the surface.例文帳に追加

表面状態の種々の相違、特に表面の疎水性あるいは親水性の差を観察することができる走査プローブ原子間力顕微鏡を用いた表面の観察方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a low-resistance electrode is relatively easily formed on an N atomic plane of a gallium nitride-based compound semiconductor layer, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

窒化ガリウム系の化合物半導体層のＮ原子面上に比較的簡単に低抵抗な電極を形成することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing β-aminoalcohols from acetal or ketal and imines by using a metal compound which is readily available and handleable and has no low atomic valence.例文帳に追加

本発明は、入手および取扱いが容易な、低原子価でない金属化合物を用いてアセタールまたはケタールとイミン類から、β−アミノアルコール類を製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method for forming the semiconductor structure includes reacting a silicon precursor and an atomic oxygen precursor at a processing temperature of about 150°C or less to form a silicon oxide layer over a substrate.例文帳に追加

半導体構造を形成する方法は、基板上にシリコン酸化被膜を形成するために、シリコン前駆体と原子酸素前駆体を約１５０℃以下の処理温度において反応させることを含む。 - 特許庁

Since calculation required for the calculation of atomic energy or the like can be reduced by using the potential map in the molecular simulation method, the calculation time can be shortened.例文帳に追加

上記の分子シミュレーション方法によれば、ポテンシャルマップを用いることにより原子のエネルギーなどの算出に要する計算を削減することができるため、計算時間を短縮することができる。 - 特許庁

In the method for manufacturing β-FeSi_2, powders of simple elements of Fe and Si are mixed in an atomic ratio of 1:2, a reaction aid is added to this mixed powder and mixed, and this mixture is heat-treated.例文帳に追加

Ｆｅ及びＳｉの単体元素の粉末を１：２の原子比で混合し、この混合粉末に反応助剤を添加して混合し、この混合物を加熱処理するβ−ＦｅＳｉ_2の製造方法。 - 特許庁

The method provides the influence of factors like pH, temperature, viscosity and ionic nature of media along with atomic and molecular properties indicating chemical and therapeutic values of foods and medicines of natural and synthetic nature.例文帳に追加

天然および合成性の食品および医薬品の化学的および治療的価値を示す原子および分子属性とともに、pH、温度、粘性および媒質のイオン性といった因子の影響を提供する。 - 特許庁

There are provided a catalyst for steam-reforming methanol which comprises copper, zinc, and palladium and/or platinum, has a copper/ palladium and/or platinum atomic ratio of 0.5-10 and a zinc/copper atomic ratio of 0.1-10 and a method for producing hydrogen which comprises steam- reforming methanol in the presence of the catalyst.例文帳に追加

銅ならびに亜鉛ならびに、パラジウム及び／又は白金を含んでなり、かつパラジウム及び／又は白金に対する銅の原子比が０．５〜１０であり、銅に対する亜鉛の原子比が０．１〜１０であることを特徴とするメタノールの水蒸気改質触媒、及び、該触媒の存在下にメタノ−ルを水蒸気改質することを特徴とする水素の製造方法。 - 特許庁

At the time of producing an iron alloy (containing 1 to 7 atomic % rare earth elements R and 15 to 20 atomic % semimetals M) by the melt superquenching method, the concentration of oxygen in the molten alloy is controlled at ≤1,000 ppm, and the viscosity coefficient η of the molten alloy is controlled to ≤20 mPa.sec.例文帳に追加

液体超急冷法によって鉄基合金（１原子％以上７原子％以下の希土類元素Ｒおよび１５原子％以上２０原子％以下の半金属元素Ｍを含有）を作製する際、鉄基合金溶湯の酸素濃度を１０００ｐｐｍ以下に調整し、原料合金溶湯の粘性係数ηを２０ｍＰａ・ｓｅｃ以下に制御する。 - 特許庁

The barrier film is constructed by forming a TiN film with an ALD (Atomic Layer Deposition) method, and a film selected from those of Ti, Ru, and Co, or an alloy film including at least two out of those is stacked on the TiN film surface with a CVD method or a PVD method.例文帳に追加

バリアメタル膜を、ＡＬＤ法によりＴｉＮ膜を形成し、当該ＴｉＮ膜表面に、Ｔｉ、Ｒｕ及びＣｏの中から選択される膜またはこれらのうち少なくとも二種を含む合金膜をＣＶＤ法またはＰＶＤ法により積層して構成する。 - 特許庁

In the method in which the strength of the bond between the biopolymer and a ligand is estimated, and in the parameter which is used for the method, van der Waals interaction energy is calculated by using a distance- dependent atomic-pair potential function to which the contribution of a hydrophobic effect is added in a force-field energy calculation method.例文帳に追加

力場エネルギー計算法において、疎水効果の寄与を加えた距離依存型原子対ポテンシャル関数のパラメータを用いてファンデルワールス相互作用エネルギーを計算することにより、生体高分子−リガンド間の結合の強さを予測する方法及び上記パラメータ。 - 特許庁

To provide a plasma condition monitoring and/or controlling method in a plasma spectrometer, for example, an inductively coupled plasma optical- emission spectrometer or an inductively coupled plasma atomic-spectrometer (ICP-OES or ICP-MS), and a spectrometer for executing the method.例文帳に追加

プラズマ・スペクトロメーター、例えば、プラズマ光学放射スペクトロメーター又は原子スペクトロメーター（ＩＣＰ−ＯＥＳ又はＩＣＰ−ＭＳ）におけるプラズマの状態を監視及び／又は制御する方法、及びそのような方法を実行するスペクトロメーターに関する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for measuring impurities on the surface of a semiconductor wafer capable of more accurately analyzing the impurities in the measurement of the impurities on the surface of the wafer by an atomic absorption spectrometry using a vapor-phase decomposition method.例文帳に追加

気相分解法を用いた原子吸光分析による半導体ウエハ表面の不純物測定において、より正確な不純物分析を行うことができる半導体ウエハ表面の不純物測定方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for welding metal parts, which forms appropriate beads and forms joints excellent in resistance against corrosion and weld cracking, and to provide welding metal parts for an atomic power plant, which are welded by the method.例文帳に追加

適正なビードを形成し、耐食性および耐溶接割れ性に優れた接合部を形成することができる金属部品の溶接方法、およびこの金属部品の溶接方法により溶接された原子力プラント用溶接金属部品を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a capacitor, a capacitance film is formed by the atomic layer depositing method by using organic raw materials containing one or two or more metallic elements selected from a group constituted of Zr, Hf, La and Y as film formation gas.例文帳に追加

本発明のキャパシタの製造方法において、容量膜は、Ｚｒ、Ｈｆ、ＬａおよびＹからなる群から選択される一または二以上の金属元素を含む有機原料を成膜ガスとして原子堆積法により成膜される。 - 特許庁

In the method for manufacturing a capacitor, a capacitance film is formed by an atomic layer depositing method by using organic raw materials containing one or two or more metallic elements selected from a group constituted of Zr, Hf, La and Y as film formation gas.例文帳に追加

本発明のキャパシタの製造方法において、容量膜は、Ｚｒ、Ｈｆ、ＬａおよびＹからなる群から選択される一または二以上の金属元素を含む有機原料を成膜ガスとして原子堆積法により成膜される。 - 特許庁

The film forming method using the atomic layer deposition (ALD) method is characterized in that a liquid raw material composed of an organic metal compound is directly jetted into a film forming chamber 2 holding a substrate W therein by a liquid raw material jetting valve 41.例文帳に追加

原子層成長（ＡＬＤ）法を用いた成膜方法であって、基板Ｗを内部に保持する成膜室２内に、有機金属化合物からなる液体原料を液体原料噴射弁４１により直接噴射することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an apparatus and process capable of executing the process in the cycle time of a high speed by avoiding the undesirable condensation of gaseous precursors in atomic layer deposition which is a method for depositing an extremely thin film on a surface.例文帳に追加

非常に薄い膜を表面にめっきする方法である原子層めっきにおいて前駆物質ガスの望ましくない凝縮を回避し、プロセスが高速のサイクル時間で実施できる装置とプロセスを提供する。 - 特許庁

To provide a method for constructing an underwater structure capable of being installed even on the uneven bottom of the water, without forming a gap between the underwater structure and the bottom of the water, in the installation of the underwater structure such as an intake pool for atomic power generation.例文帳に追加

例えば原子力発電の取水プールのような水中構造物の設置に際し、不陸な水底であっても、水底との隙間を形成せずに設置可能な水中構造物の施工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for performing, in a processing system and a method of communicating within the processing system, atomic access to a semaphore within a frame of bus protocol with minimized addition of hardware and without degradation of performance.例文帳に追加

処理システムと、処理システム内で通信する方法において、セマフォへのアトミックなアクセスを、バスプロトコルの枠組み内で、追加のハードウェアを最少にして、性能を劣化することなく、実施する技術を提供する。 - 特許庁

After the writing operation is normally carried out, the backup resource group and the present resource group are swapped in an atomic and consistent method, and the backup resource group is turned into a new present resource group as the result.例文帳に追加

その書込み動作を正常に実行後に、バックアップ・リソース・グループと現在のリソース・グループがアトミックで一貫性のある方法でスワップされ、その結果、今度はバックアップ・リソース・グループが新たな現在のリソース・グループとなる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which has a smaller thickness than heretofore and no threading dislocation and is provided with a stress relieving silicon germanium buffer layer having a flat surface in atomic level, and is superior in mass productivity.例文帳に追加

従来よりも膜厚が薄く、貫通転位が無く、且つ表面が原子レベルで平坦な歪緩和シリコンゲルマニウム緩衝層を有する、量産性の優れた半導体装置を製造する方法を提供する - 特許庁

To achieve an atomic absorption photometer according to an electrical heating oven analysis method for improving analysis accuracy by limiting the reflection light of the light emission of a graphite pipe entering a spectroscope and minimizing the reduction in the quantity of measured light.例文帳に追加

分光器に入射する黒鉛管発光の反射光を制限し測定光量の低下を最小限として分析精度を向上できる電気加熱炉分析法による原子吸光光度計を実現する。 - 特許庁

One manufacturing method of the InSbO_4-contained transparent conductive membrane is to sputter simultaneously a target comprising a sintered compact consisting of In, Sb, and O with an atomic ratio of 1:0.9 to 1.1 for In:Sb, and a target consisting of Sb.例文帳に追加

ＩｎとＳｂとＯからなり原子比Ｉｎ：Ｓｂが１：０．９〜１．１である焼結体からなるターゲットとＳｂからなるターゲットとを同時にスパッタすることによるＩｎＳｂＯ_4含有導透明電性膜の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a molecular device which comprises a step of using a molecular structure having an atomic density higher in the peripheral part than in the inner part and bondable residues in the peripheral part to allow the above bondable residues to crosslink and the like are disclosed.例文帳に追加

内部よりも周囲部分の原子密度が高く、周囲部分に結合性残基を有する分子構造体を用い、前記の結合性残基を架橋させる工程を含む、分子デバイスの製造方法など。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a halftone phase shift mask by which no correction scum of a residual defect is left when the residual defect of a halftone phase shift mask is removed by using an AFM (atomic force microscope) correcting device.例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスクの残留欠陥をＡＦＭ型修正機を用いて除去する際、残留欠陥の修正カスを残さないハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To relax stress generated in a thin film, and improve adhesion to the thin film, and further raise the film developing rate on a substrate by the Atomic Layer Epitaxy(ALE) method.例文帳に追加

基板上にＡＬＥ法により薄膜を形成する薄膜の形成方法において、薄膜に発生する応力を緩和するとともに、薄膜の下地に対する密着性を向上させ、更に、成膜レートを向上させる。 - 特許庁

This method for producing the olefin is characterized by using a zeolite catalyst obtained by loading a rare earth element on an aluminosilicate, in which the loaded amount of the rare earth element is 1.5-30 range by atomic ratio based on aluminum in the zeolite.例文帳に追加

ゼオライト触媒が、稀土類元素を担持したアルミノシリケートであり、かつ希土類元素の担持量がゼオライト中のアルミニウムに対し原子比で１．５〜３０の範囲であることを特徴とするオレフィンの製造方法である。 - 特許庁