「atomic method」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method for inspecting the compound semiconductor substrate, the surface roughness Rms of the compound semiconductor substrate is measured by using an atomic force microscope at pitches of 0.4 nm or less in a visual field in a square of 0.2 μm or less.例文帳に追加

化合物半導体基板の検査方法は、化合物半導体基板の表面の検査方法であって、０．２μｍ以下四方の視野で、０．４ｎｍ以下のピッチで、原子間力顕微鏡を用いて化合物半導体基板の表面粗さＲｍｓを測定する。 - 特許庁

The atomic-layer deposition method includes controlling the amount of the gases to be introduced into the inner channel 8A and the outer channel 8B when supplying the gases onto the substrate 6, so that one of the gases pass through the inner channel 8A constantly at the same flow rate as the other gas passing through the outer channel 8B.例文帳に追加

基板６に対するガス供給時に、内側流路８Ａを通過するガスの流量と外側流路８Ｂを通過するガスの流量が常に同じになるように、内側流路８Ａおよび外側流路８Ｂへのガス導入量を制御する。 - 特許庁

To provide a construction method for exhibiting high safety as to a floor, a foundation, a ground surface and a ground of an apparatus in a field required for preventing a dangerous substance leaking-out accident of electric power substations, electric power plants, atomic-energy power stations, chemical factories, pharmaceutical plants, and the like.例文帳に追加

変電所、発電所、原子力発電所、化学工場、製薬工場等の危険物漏出事故を防止する必要のある分野においてその機器の床、基礎、地面、地盤に関する、極めて高い安全性を発揮する施工方法を提供する。 - 特許庁

An Si surface containing metal impurities beneath the surface is hydrogenized by the vapor-or liquid-phase method to deposit the metal impurities on the Si surface, and the metal impurities are removed to make a high- cleanness Si surface and planarize it at the atomic level.例文帳に追加

金属不純物を表面下に含有するＳｉ表面を、気相法または液相法により水素化し金属不純物をＳｉ表面上へ析出させ、この金属不純物を除去することによりＳｉ表面を高純度化し、原子レベルで平坦化する。 - 特許庁

To provide a DNA spin mapping/medical method and system applicable to medical service in which radical state or spin state can be detected with atomic resolution for a nonconductive substance, e.g. DNA, biological molecule, or the like, using an equipment for measuring an exchange interacting force.例文帳に追加

交換相互作用力の測定装置を用いて、原子分解能でＤＮＡ、生体分子等導電性のない物質に対してラジカル状態、スピン状態の検出を行い、医療への応用が可能なＤＮＡスピンマッピング・医療方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

According to the invention, the gate lamination layer is deposited by the atomic layer depositing method type processing, and whole electronegativity of the gate electrode is adjusted by introducing at least one pulse of an additional precursor into the selected deposition cycle of the gate electrode.例文帳に追加

本発明によると、ゲート積層は原子層堆積法のタイプの処理によって堆積され、ゲート電極の全体的電気陰性度は、ゲート電極の選択した堆積サイクルに少なくとも１回の追加前駆体のパルスを導入することによって調整される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, capable of easily processing shapes different in etching depth on a same surface without inducing a defect (group V atomic vacancy) by desorption of a constituent atom of a semiconductor and causing degradation of a surface morphology.例文帳に追加

半導体の構成原子の脱離による欠陥（Ｖ族原子空格子）の誘起または表面モフォロジーの劣化を生じさせずに、同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a charged particle beam device which is suitable for judging whether an image based on a dark field signal has appropriate atomic number contrast, and also to provide a computer program used for it, and a test piece observation method.例文帳に追加

本発明は、暗視野信号に基づく画像が、適正な原子番号コントラストを備えているか否かを判断するのに好適な荷電粒子線装置、それに用いられるコンピュータプログラム、及び試料観察方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a film deposition operating method where, as a vacuum flow rate control valve is used in opening/closing in which the number of operations is reduced for retaining a vacuum in a chamber, vacuum pressure control in the chamber can be performed at high frequency and high velocity for ALD (atomic layer deposition) film deposition.例文帳に追加

真空流量調整バルブをチェンバーの真空維持のために作動回数の少ない開閉で使用しながら、ＡＬＤ成膜のために、高頻度、高速でチェンバー内の真空圧力調整を行うことを可能にした成膜操作方法を提供する。 - 特許庁

In the method of correcting a photomask defect, after making an electrical continuity in an isolated pattern by a metal deposition film 7 by use of an electron beam or a helium ion beam generating from a gas field ion source, the defect 3 is corrected; and after the correction, the metal deposition film 7 is physically removed by an AFM (atomic force microscope) scratch working probe 9.例文帳に追加

電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビームを用いた金属デポジション膜7で孤立したパターンに導通を作ってから欠陥3を修正し、修正後金属デポジション膜7をAFMスクラッチ加工探針9で物理的に除去する。 - 特許庁

To provide a method for easily producing a fine polyurethane resin aqueous dispersion having sharp particle diameter distribution and excellent in long term stability or mechanical stability even at a lower level of hydrophilic atomic group content and emulsifier use than those of conventionals.例文帳に追加

親水性原子団の含有量、あるいは乳化剤の使用量が従来より少ないレベルにおいても、微細でかつ粒子径分布がシャープで長期安定性あるいは機械的安定性に優れたポリウレタン樹脂水性分散体を容易に製造することである。 - 特許庁

To provide radial clusters of sharp-ended multiwalled carbon nanotubes, which are new carbon nanostructures useful as a probe for STM (scanning tunneling microscope) or AFM (atomic force microscope), a field emission electron source of a display element, a display, or the like, and to provide a method for preparing the radial clusters.例文帳に追加

ＳＴＭやＡＦＭ用探針、表示素子、ディスプレイ等の電界放出電子源などとして有用な、新規なカーボンナノ構造物である鋭端多層カーボンナノチューブ放射状集合体とその製造方法鋭端多層カーボンナノチューブ放射状集合体とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method is one for hydrodesulfurizing a gasoline fraction in the presence of a catalyst which contains at least one support, at least one group 8 element and tungsten and in which the atomic ratio i.e. (group 8 element)/(group 8 element + tungsten) is above 0.15 and below 0.50.例文帳に追加

少なくとも１種の担体、少なくとも１種の第８族元素およびタングステンを含む触媒で、その原子比すなわち（第８族元素）／（第８族元素＋タングステン）の比が０．１５より大きく、かつ０．５０より小さい触媒の存在下に、ガソリン留分を水素化脱硫するための方法。 - 特許庁

The film is adhered and aligned in a single step with a method containing a step to shoot an ion-beam at the substrate with a specified incident angle and simultaneously to adhere the film to the substrate (a) and to align an atomic structure of the film in at least a specified aligning direction (b).例文帳に追加

基板をイオン・ビームで指定の入射角で衝撃して、同時に（ａ）基板上に膜を付着しながら、（ｂ）膜の原子構造を少なくとも１つの所定の配向方向に配列するステップを含んでいる方法によって、膜を単一のステップで付着させ配向させる。 - 特許庁

Zinc borate has a specific chemical composition and has a crystalline size of not less than 60 nm determined based on any of diffraction peak of surface indices (020), (101) and (200) in an X-ray diffraction image and a sodium content of not more than 100 ppm measured by means of an atomic absorption method.例文帳に追加

特定の化学組成を有し、Ｘ線回折像（Cu-kα）における面指数(０２０)(１０１)及び(２００)の回折ピークから求めた結晶子サイズが何れも６０ｎｍ以上であり、且つ原子吸光法で測定したナトリウム分の含有量が１００ｐｐｍ以下であるホウ酸亜鉛。 - 特許庁

In the method for generating singlet oxygen, a compound of formula (1) (where X^1 to X^3 are each an atomic group required to form a 5-membered aromatic heterocycle; Y is hydroxy, amino, alkyl, aryl, alkoxy or aryloxy; and L is a substituent).例文帳に追加

下記一般式（１）で表される化合物を用いることを特徴とする一重項酸素発生方法及び一重項酸素検出方法である〔Ｘ^1〜Ｘ^3：５員芳香族ヘテロ環を形成するのに必要な原子団；Ｙ：水酸基、アミノ基、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基；Ｌ：置換基〕。 - 特許庁

To provide a proton conductive carbon cluster (especially fullerenol and/or fullerenol hydrogen sulfate ester) holding a platinum-group element, especially platinum or palladium dispersed in atomic level and, accordingly, useful as an electrode catalyst or electrode material of fuel cells and provide the application of the cluster and a method for the production of the cluster.例文帳に追加

白金族元素、特に、白金又はパラジウムを原子レベルで分散、担持しており、従って、燃料電池の電極触媒や電極材料として有用であるプロトン伝導性炭素クラスター（特に、フラレノール及び／又はフラレノール硫酸水素エステル）とその利用とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The heat-resistant electrode which has a composition containing Ag and Ni and having 0.07-20 atomic % Ni content, the target composed of a sintered compact with the above composition and used for the heat-resistant electrode, the method for manufacturing the heat-resistant electrode, and the thin film EL element using the same are provided.例文帳に追加

ＡｇとＮｉとを含有し、Ｎｉの含有量が０．０７−２０原子％である構成の耐熱性電極耐熱性電極、前記組成の焼結体である耐熱性電極用ターゲット、耐熱性電極の製造方法、およびこれを用いた薄膜ＥＬ素子とした。 - 特許庁

In the method of measuring structural change of the protein, a Saupe order matrix element of a domain is obtained from an axial-direction variation of an NMR signal dependent upon the orientation angle of a molecule in a magnetic field and atomic coordinates of the domain, and the matrix is diagonalized to obtain the orientation information on the domain.例文帳に追加

本発明の１つの実施形態において、分子の磁場中での配向角度に依存したＮＭＲシグナルの軸方向の変化量、ドメインの原子座標から、ドメインのＳａｕｐｅオーダーマトリクスエレメントを得て、そのマトリクスを対角化して、ドメインの配向情報を得る。 - 特許庁

The Ti-Al-based alloy target obtained by this method comprises 45 to 65 atomic% Al, and has at least two or more phases of Ti_3Al, TiAl, TiAl_2 and TiAl_3 upon analysis by X-ray diffraction, and in which metal Ti and metal Al as simple substances are not left upon EPMA (Electron Probe Micro Analysis).例文帳に追加

これにより得られたＴｉ−Ａｌ系合金ターゲットは、Ａｌを４５〜６５原子％含有し、Ｘ線回折で分析したときにＴｉ_３Ａｌ，ＴｉＡｌ，ＴｉＡｌ_２，ＴｉＡｌ_３の少なくとも２種以上の相を含み、ＥＰＭＡ分析をしたときに単体の金属Ｔｉ及び金属Ａｌが残存していない。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can attain improvement of a capacitance equivalent thickness and a leakage current characteristic through the formation of an amorphous high-dielectric insulating film with a high density using a precursor which can be vapor-deposited by means of an atomic layer vapor-deposition process at a temperature of 400°C or higher.例文帳に追加

400℃以上の温度で原子層蒸着法により蒸着が可能な前駆体を用いて高密度を有する非晶質の高誘電絶縁膜形成を通じてキャパシタンス等価厚及び漏洩電流特性を向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

After dissolving again the metal impurities in the dilute nitric acid 5, the liquid drops are recovered to measure the kinds and quantities of the trace amount of metal impurities existent on the surface of the semiconductor substrate 1 by atomic absorption method or inductively coupled plasma/mass spectrometry.例文帳に追加

金属不純物を希硝酸５の中に再溶解させた後、液滴を回収し、原子吸光分析法あるいは誘導結合プラズマ質量分析法によって半導体基板表面上に存在する極微量金属不純物の種類および量を測定する。 - 特許庁

To provide a catalyst for cleaning automobile exhaust gas in which rhodium in an atomic state is carried in a sufficiently and highly dispersed state, and having sufficiently high catalytic activity, and to provide a method for manufacturing a catalyst for cleaning automobile exhaust gas that can manufacture the catalyst efficiently and reliably.例文帳に追加

原子状態のロジウムが十分に高度に分散された状態で担持され、十分に高度な触媒活性を有する自動車排ガス浄化用触媒並びにその触媒を効率よく確実に製造することが可能な自動車排ガス浄化用触媒の製造方法を提供すること。 - 特許庁

This method for producing the intercalation compound in which a monohydric alcohol is intercalated therebetween is characterized in that a vanadium oxide in which the atomic valence of vanadium is tetra- or penta-valent, phosphorus pentaoxide and monohydric alcohol are reacted under pressure.例文帳に追加

バナジウム、リン及び酸素を基本組成とする層状化合物の層間にモノアルコールがインターカレートしているところの層間化合物を製造する方法において、バナジウムの原子価が５価以下４価以上であるバナジウム酸化物、五酸化リン及びモノアルコールを加圧下で反応せしめることを特徴とする方法。 - 特許庁

In a semiconductor device manufacturing method for forming a gate insulating film between a semiconductor region and a gate electrode, the gate insulating film is formed of a metal oxide film, containing fluorine in the film or a metal silicate film containing fluorine by atomic layer deposition.例文帳に追加

半導体領域とゲート電極との間にゲート絶縁膜が形成される半導体装置の製造方法において、前記ゲート絶縁膜を原子層蒸着法により膜中にフッ素を含有する金属酸化膜またはフッ素を含有する金属シリケート膜で形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for spark discharge atomic emission spectrometric analysis for maximizing a measurement region as an analysis point configured on a surface of a sample, implementing a component analysis of a sample according to a multiple-analysis logic, and improving the accuracy of the component analysis and a speed of an analysis process.例文帳に追加

本発明は、試料面上に設定される分析点である測定領域の最大化を図り、多回分析ロジックに従った試料の成分分析を行い、成分分析の高精度化、分析処理の高速化を実現したスパーク放電発光分光分析方法に関する。 - 特許庁

To provide a cutting tool insert coated by the chemical vapor deposition method and equipped with a TiC_xN_y layer having a low tensile stress of 10 to 300 MPa and an αAl_2O_3 layer having a high surface smoothness of 0.1 μm or less when measured in the inter-atomic force microscopic process.例文帳に追加

本発明は、１０〜３００ＭＰａの低引張応力を備えたＴｉＣ_ｘＮ_ｙ層と、原子間力顕微鏡技法によって測定したときに０．１μｍ以下の高表面平滑度を備えたαＡｌ_２Ｏ_３層と、を有する化学蒸着法で被覆した切削工具インサートに関する。 - 特許庁

The micromachining method, which uses a device comprising an atomic force detecting means, applies voltage to a probe to subject a workpiece to micromachining, while a nonmagnetic solvent including water is present between the workpiece and the probe.例文帳に追加

原子間力検出手段を備えた装置を用いた微細加工方法であって、該被加工試料と探針との間に、水を含有する非極性溶媒を存在させた上で、該探針に電圧をかけることによって被加工試料に微細な加工を施すことを特徴とする微細加工方法。 - 特許庁

Moreover, in the method for producing the indium-germanium vapor depositing target, germanium and indium are mixed and stirred in such a manner that the content of germanium is controlled to the range of 2 to 12 atomic % to the total content of both the elements to produce a mixture, and this mixture is sintered in the temp. range of 900 to 1400°C.例文帳に追加

またインジウム−ゲルマニウム系蒸着ターゲットの製造方法において、ゲルマニウムとインジウムとをゲルマニウムが両元素の合計量に対して２〜１２原子％の範囲となるよう混合・撹拌して混合物を製造し、該混合物を９００〜１４００℃の温度範囲で焼結する。 - 特許庁

The method for producing the imprinting member comprises the steps of: depositing an amorphous DLC (diamond-like carbon) film containing 12-30 atomic% hydrogen and the balance of carbon on the surface of a base material; and irradiating the surface of the DLC film directly with a laser beam to form the engraved groove consisting of a geometrical pattern or the like.例文帳に追加

基材の表面に、水素を１２〜３０原子％含み、残部が炭素からなるアモルファス状ＤＬＣ膜を被覆形成し、その後、該ＤＬＣ膜の表面に直接、レーザビームを照射して、幾何学模様などからなる彫刻溝を彫刻することによってインプリント部材を製造する。 - 特許庁

To provide a method for an eddy current flaw detection by which flaw inspection of a thick plate of a structure such as an atomic power plant and an aircraft can be executed, and detection of flaws not only on the surface but also on a rear face opposite to the inside and a flaw detection face can be executed, and a flaw detection probe which is optimum therefor.例文帳に追加

原子力プラントや航空機などの構造物の、厚板のキズ検査が可能であり、表面のみならず、内部及び探傷面とは反対の裏面キズの検出ができる渦電流探傷法及びそれに最適な探傷プローブを提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a plasma-discharge processing apparatus and method therefor whereby the density of atomic oxygen radicals is improved properly and the control of a plasma-discharge processing is made at a low cost, in the plasma-discharge processing performed under a nearly atmospheric pressure by using the mixed gas of nitrogen and oxygen gases.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で窒素ガスと酸素ガスとが混合された混合ガスを用いて行うプラズマ放電処理で、原子状酸素ラジカルの密度を的確に高めることができ、かつ安価に制御を行うことが可能なプラズマ放電処理装置およびプラズマ放電処理方法を提供する。 - 特許庁

By this method, a pattern type magnetic recording medium in which, in the second magnetic recording layer 26, a region 40 where the atomic content of the ferromagnetic element becoming a magnetic recording region is relatively large and a region 42 where it is relatively small are present in the intra-substrate plane direction periodically, is manufactured.例文帳に追加

この方法により、第二磁気記録層２６において磁気記録領域となる強磁性元素の原子含有率の相対的に大きい領域４０と相対的に小さい領域４２とが基板面内方向に周期的に存在するパターン型磁気記録媒体を作製する。 - 特許庁

To provide an analytical method capable of easily and highly accurately determining metal (M1), by atomic absorption analysis or plasma emission analysis, in an organic phase sample (X) containing an organic solvent (S1) in which metal components are dissolved and which is slightly soluble in water even in the case of a very small amount of metal contents.例文帳に追加

金属成分が溶解した、水に難溶な有機溶媒(S1)を有する有機相試料(X)中の金属(M1)を、該金属量が微量な場合でも、原子吸光分析又はプラズマ発光分析により容易に、且つ高精度で定量できる分析方法を提供すること。 - 特許庁

After weighing the sample, comprising a metallic single substance or a metallic alloy of niobium, tantalum, zirconium or titanium or a metallic compound therefrom into a decomposition vessel, hydrochloric acid or hydrofluoric acid is added thereto to decompose the sample, and then the impurity element in the acquired solution is measured directly by furnace atomic absorption method.例文帳に追加

ニオブ、タンタル、ジルコニウム、チタンの金属単体、金属合金あるいはこれら金属の化合物からなる試料を分解容器に秤量した後、塩酸およびフッ化水素酸を加えて試料を分解後、得られた溶液中の不純物元素をファーネス原子吸光法によって直接測定する。 - 特許庁

To provide a catalyst for cleaning automobile exhaust gas, in which rhodium of an atomic state is dispersed and deposited at a sufficiently high level and which has sufficiently high-level catalytic activity and to provide a method for efficiently and surely manufacturing the catalyst for cleaning automobile exhaust gas.例文帳に追加

原子状態のロジウムが十分に高度に分散された状態で担持され、十分に高度な触媒活性を有する自動車排ガス浄化用触媒並びにその触媒を効率よく確実に製造することが可能な自動車排ガス浄化用触媒の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The shift reaction catalyst contains copper, palladium and/or platinum and has an atomic ratio, copper to palladium and/or platinum, of 0.2-20 and in the method for transforming carbon monoxide, carbon monoxide is transformed in the presence of the catalyst.例文帳に追加

銅ならびにパラジウム及び又は白金を含んでなり、かつパラジウム及び又は白金に対する銅の原子比が０．５〜２０であることを特徴とするシフト反応用触媒であり、また該触媒の存在下に一酸化炭素を平成することを特徴とする一酸化炭素の変性方法である。 - 特許庁

The method for analyzing aluminum by flameless atomic absorption spectrometry analyzes aluminum contained in a hydrogen fluoride-containing aqueous solution, and includes introducing the hydrogen fluoride-containing aqueous solution and a strontium salt into an atomization reactor, and atomizing them by ashing to analyze the aluminum.例文帳に追加

フッ化水素を含有する水溶液中に含まれるアルミニウムを分析する方法であって、フッ化水素を含有する水溶液およびストロンチウム塩を、原子化炉に導入して、灰化して原子化させ、アルミニウムを分析することを特徴とするフレームレス原子吸光法によるアルミニウムの分析方法。 - 特許庁

The method of evaluating the vapor deposition film measures a phase change by scanning vibratingly a probe of an atomic force microscope on a vapor deposition film surface of an optical member having the vapor deposition film on a base material, and evaluates the vapor deposition film, based on the measured phase change.例文帳に追加

基材上に蒸着膜を有する光学部材の該蒸着膜表面上で、原子間力顕微鏡の探針を振動させながら走査して位相変化を測定し、測定された位相変化に基づいて前記蒸着膜を評価する蒸着膜評価方法。 - 特許庁

The organic EL element S1 is formed by laminating a lower electrode 2, an organic film 3 comprising an organic luminescent material, and an upper electrode in order on a substrate 1, and the organic EL element S1 is sealed by covering with the sealing film 5 comprising alumina formed by an atomic layer growth method.例文帳に追加

有機ＥＬ素子Ｓ１は基板１の上に順次、下部電極２、有機発光材料からなる有機膜３、上部電極４が形成されてなり、この有機ＥＬ素子Ｓ１は原子層成長法により成膜されたアルミナからなる封止膜５により被覆され封止されている。 - 特許庁

The method of inhibiting the formation of a biofilm in a circulating water system comprises continuously compounding a slurry or liquid brominated hydantoin with a diluted solution of ammonium sulfate with water at an atomic number ratio of Br to N of 1:0.2 to 1:2 and injecting the resulting compound into the circulating water system immediately after compounding.例文帳に追加

スラリー状又は液状の臭素化ヒダントインと硫酸アンモニウムの水希釈液とを、Ｂｒ：Ｎの原子数比が１：０．２〜１：２で連続的に配合し、配合後直ちに循環水系に注入することを特徴とする循環水系のバイオフィルムの形成抑制方法。 - 特許庁

The method employs an ion plating method to form an electrically conductive transparent zinc oxide-based film and uses a target obtained by processing an oxide sintered compact or an oxide mixture substantially comprising zinc, titanium and oxygen, wherein the atomic ratio Ti/(Zn+Ti) of the titanium to the sum of the zinc and the titanium is greater than 0.02 but does not exceed 0.1.例文帳に追加

イオンプレーティング法により酸化亜鉛系透明導電膜を形成する方法であって、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である酸化物焼結体または酸化物混合体を加工して得られるターゲットを用いる方法 - 特許庁

The rhodopsin prepared from the eyeball of a cow is crystallized, a mercury derivative is prepared using a long time, six diffraction data are measured from only one crystal by MAD method (a measuring method by changing wavelength especially using radiated light from a SPring-8 and a beamline with a trichromator), and a crystal structure of GPCR can be analyzed by atomic resolution.例文帳に追加

牛の眼球から調製したロドプシンを結晶化した後、長時間かけて水銀誘導体を調製し、その後ＭＡＤ法（特に、ＳＰｒｉｎｇ−８の放射光とトリクロメータを備えたビームラインを使って波長を変えて測定する方法）を使って、ただひとつの結晶から６つの回折データを測定することにより、原子分解能でＧＰＣＲの結晶構造解析に成功した。 - 特許庁

Further, the method of manufacturing the dielectric multilayer film mirror is characterized in that the dielectric multilayer film structures 10 are manufactured by film-depositing the pair of dielectric multilayer films 2 having both the surfaces-symmetric structure on both surfaces of the substrate 1 according to the atomic layer deposition (ALD) method and the dielectric multilayer film mirror is made by joining at least two obtained sheets of dielectric multilayer film structures.例文帳に追加

また、このミラーの製造方法は、原子層堆積（ＡＬＤ）法により基板１の両面に両面対称構造を有する一対の誘電体多層膜２を同時に成膜して誘電体多層膜構造体10を製造し、得られた２枚以上の誘電体多層膜構造体を接合して誘電体多層膜ミラーを製造することを特徴とする。 - 特許庁

The method includes (a) a step of providing the template formed with CNT or CNT sequence, (b) a step of forming the inorganic nanotubes on the external side of the CNT by performing vapor deposition of inorganic materials on the template by an atomic layer deposition (ALD) method and (c) a step of obtaining the inorganic nanotubes or an inorganic nanotube sequence by the interrelated inorganic nanotubes by removing the CNT.例文帳に追加

イ）ＣＮＴまたはＣＮＴ配列が形成されたテンプレートを設ける段階と、ロ）原子層蒸着（ＡＬＤ）法により前記テンプレート上に無機物の蒸着を行い、前記ＣＮＴの外側面に無機物ナノチューブを形成する段階と、ハ）前記ＣＮＴを除去して相互関連した無機物ナノチューブによる無機物ナノチューブまたは無機物ナノチューブ配列を得る段階とを含む。 - 特許庁