「atomic method」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

In the nanocrystal soft magnetic alloy obtained by subjecting a rapidly cooled thin strip alloy produced by a melt quenching method to heat treatment, and consisting of a fine bcc phase of Fe having a grain size of ≤100 nm as the main phase, an element Q having the positive value of a mixed enthalpy ΔH with Fe is contained by ≥0.01 atomic % as an essential component.例文帳に追加

本発明は、液体急冷法により作製した急冷薄帯合金を熱処理することにより得られる粒径１００ｎｍ以下のＦｅの微細なｂｃｃ相を主相としたナノ結晶軟磁性合金において、Ｆｅとの混合エンタルピーΔＨが正の値を有する元素である元素Ｑを０.０１原子％以上必須成分として含むことを特徴とする。 - 特許庁

In this method, an aliphatic aldehyde, aliphatic ketone or a mixture thereof react with ammonia in the presence of a catalyst in the vapor phase to produce pyridine bases, wherein the catalyst contains titanium and/or cobalt and silicon as the zeolite constituting elements, atomic ratio of silicon to titanium and/or cobalt is around 5 to 1,000, and the zeolite has a control index of around 0.8 to 12.例文帳に追加

触媒の存在下、脂肪族アルデヒド、脂肪族ケトン又はそれらの混合物を、アンモニアと気相接触反応せしめてピリジン塩基類を製造するにあたり、触媒としてチタン及び／又はコバルト並びにケイ素をゼオライトの構成元素として含有し、チタン及び／又はコバルトに対するケイ素の原子比が約５〜約１０００、かつ制御指数が約０．８〜約１２のゼオライトを使用する。 - 特許庁

A formation method of a silicone oxide film comprises a step of depositing a polysilicon film on a substrate and a step of forming the silicon oxide film on the surface of the polysilicon film by exposing the surface of the polysilicon film to an atomic oxygen O* formed by exciting a plasma with a microwave to a mixed gas composed of a gas including oxygen and an inert gas mainly composed of a Kr gas.例文帳に追加

シリコン酸化膜の形成方法は、基板上にポリシリコン膜を堆積する工程と、 前記ポリシリコン膜の表面を、酸素を含むガスとＫｒガスを主体とする不活性ガスとよりなる混合ガスにマイクロ波によりプラズマを励起することで形成される原子状酸素Ｏ*に曝すことにより、前記ポリシリコン膜の表面にシリコン酸化膜を形成する工程とよりなる。 - 特許庁

The method for depositing a film including a noble metal on the substrate in a reaction chamber comprises treatment with a hydrogen halide or gaseous halide of a metal halide or an organometallic compound and depositing a film including a noble metal reaction product and the noble metal derived from an oxygen-containing reaction product by using an atomic layer deposition process which is a vapor deposition process.例文帳に追加

反応チャンバ中の基板上に貴金属を含む薄膜を堆積するための方法であって、該方法は、以下を含む： 該基板を水素ハライド又は金属ハライドの気体ハライド又は有機金属化合物を用いて処理すること；及び 貴金属反応物及び酸素含有反応物からの該貴金属を含む薄膜を、気相堆積プロセスである原子層堆積プロセスを用いて堆積すること。 - 特許庁

The method for producing the metal compound oxide comprises a firing stage where the precursor in which the atomic arrangement of two or more kinds of metallic atoms lies in the prescribed one is used, the precursor is fired under the conditions where the segregation of the metallic elements is suppressed, or the precursor is fired under the conditions where the temperature rising rate in a prescribed temperature range reaches the prescribed temperature rising rate or below.例文帳に追加

本発明の金属複合酸化物の製造方法は、２種以上の金属原子の原子配置が所定の配置である前駆体を使用し、前駆体を金属元素の偏析を抑制する条件で焼成し、あるいは、前駆体を所定の温度域における昇温速度が所定の昇温速度以下となる条件で焼成する焼成工程を含むものである。 - 特許庁

In the color organic EL display 100 in which the color filter layer 13, the gas barrier layer 20 and the organic EL structure 30 are laminated in the order on a substrate 11, an underlying part of the gas barrier layer 20 is one subjected to degasification treatment, and is formed by the atomic layer growth method at a temperature equal to or lower than the decomposition initiating temperature of the color filter layer 13.例文帳に追加

基板１１上にカラーフィルタ層１３、ガスバリア層２０、および有機ＥＬ構造体３０が順次積層されてなるカラー有機ＥＬディスプレイ１００において、ガスバリア層２０の下地部分は、脱ガス処理を施されたものであり、ガスバリア層２０は、カラーフィルタ層１３の分解開始温度以下の温度にて原子層成長法を行うことにより形成されたものである。 - 特許庁

The method comprises, in producing the corresponding lactam compound from a cycloalkanone oxime compound in the presence of a solid catalyst by Beckmann rearrangement, using as the solid catalyst, a double oxide containing silicon and M, satisfying the requirement (1): the Si/M (atomic ratio) being the ratio of silicon to M contained in the double oxide is 2 or greater, and the oxide is treated with a sulfur-containing compound.例文帳に追加

シクロアルカノンオキシム化合物からベックマン転位反応により対応するラクタム化合物を製造するに際し、固体触媒が、珪素およびＭを含む複合酸化物であり、（１）複合酸化物に含まれる珪素とＭのＳｉ／Ｍ（原子比）が２以上で、かつ、硫黄含有化合物にて処理したもの、を使用することを特徴とするラクタム化合物の製造方法により解決される。 - 特許庁

To solve a problem that when an apparatus for forming an HfO_2 (hafnium oxide) film by an ALD (Atomic Layer Deposition) method supplies TEMAH and O_3 alternately to a reaction chamber to form the HfO_2 film, the TEMAH receives heat in the reaction chamber to be decomposed and then an Hf film is formed in a TEMAH supply nozzle and peels to become particles.例文帳に追加

ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりＨｆＯ_2（ハフニウムオキサイド）膜を形成する装置にてＴＥＭＡＨとＯ_3を交互に反応室へ供給することにより、ＨｆＯ_2膜が形成される場合にＴＥＭＡＨが反応室内の熱を受け加熱分解し、ＴＥＭＡＨ供給ノズル内でＨｆ膜が形成され、前記Ｈｆ膜が剥がれパーティクルという課題を解決する。 - 特許庁

The atomic content of a ferromagnetic element at an ion implantation part is increased by implanting ions of the ferromagnetic element to the precursor layer of a second magnetic recording layer 26 of a magnetic recording medium having a first magnetic recording layer 24 constituted of crystal grain boundary consisting of ferromagnetic crystal particles and oxide, and the second magnetic recording layer 26 which does not contain oxide, using ion implantation method.例文帳に追加

強磁性結晶粒子と酸化物からなる結晶粒界で構成された第一磁気記録層２４と酸化物を含まない第二磁気記録層２６を有する磁気記録媒体の第二磁気記録層２６の前駆層に、イオン注入法を用い、強磁性元素のイオンを注入することで、イオン注入部位の強磁性元素の原子含有率を増加させる。 - 特許庁

The method for refining the structure of an Al series target material for sputtering in which a molten alloy containing one or more elements selected from transition metals by 10 atomic % or less, essentially containing the group 3A elements as the above transition elements and the balance substantial by Al is subjected to rapid cooling treatment to finely disperse and form compounds in the target structure is applied.例文帳に追加

遷移元素から選択される元素のいずれか１種または２種以上を１０原子％以下含み、前記遷移元素として３Ａ族元素を必須として含有し、残部実質的にＡｌからなる合金溶湯を急冷処理することにより、ターゲット組織中の化合物を微細に分散形成させるＡｌ系スパッタリング用ターゲット材の組織微細化方法を適用する。 - 特許庁

The PDP is provided with at least the blue phosphor layer and the green phosphor layer, wherein the blue phosphor layer comprises BaMgAl_10O_17:Eu particles, and the BaMgAl_10O_17:Eu particles present on the surface have Eu^3+/Ba ratio of 1.5 to 2.8, (atomic ratio; measured by XPS method).例文帳に追加

青色蛍光体層及び緑色蛍光体層を少なくとも備えたプラズマディスプレイパネルであって、青色蛍光体層がＢａＭｇＡｌ_10Ｏ_17：Ｅｕ粒子を含み、ＢａＭｇＡｌ_10Ｏ_17：Ｅｕ粒子は、その表面に存在するＢａに対するＥｕ^3+の比Ｅｕ^3+／Ｂａが、１．５〜２．８（原子比：ＸＰＳ法により測定）である組成を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルにより上記課題を解決する。 - 特許庁

The method of manufacturing the modified carbon material includes a process for forming the carbon material by firing a polymer material of natural origin having atomic groups containing a heteroatom such as nitrogen, oxygen or sulfur in the main chain or the side chain at 500-1,000°C under an inert gas atmosphere and a process for irradiating the carbon material with microwaves.例文帳に追加

また、本発明に係る改質炭素素材の製造方法は、窒素、酸素、硫黄のようなヘテロ原子を含む原子団が主鎖や側鎖に存在している、天然由来の素材からなる高分子物質を、不活性ガス雰囲気中で、５００℃〜１０００℃の温度で焼成して炭素素材を形成する工程と、該炭素素材にマイクロ波を照射する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method of forming a diffusion barrier used for manufacturing the semiconductor device includes a step for depositing an iridium-doped tantalum-based barrier layer on a pattern-formed intermediate dielectric (ILD) layer by a physical vapor deposition (PVD) process, and the barrier layer is deposited to form the barrier layer into amorphous structure as a result, at least 60% of an iridium concentration in terms of atomic weight.例文帳に追加

半導体デバイス製造に用いる拡散バリアを形成する方法は、物理蒸着（ＰＶＤ）工程によって、パターン形成された中間誘電体（ＩＬＤ）層の上に、イリジウム・ドープされたタンタル・ベースのバリア層を堆積するステップを含み、該バリア層は、原子量で少なくとも６０％のイリジウム濃度で、バリア層が結果としてアモルファス構造を有するように堆積される。 - 特許庁

The manufacturing method of the conjugated diene polymer comprises polymerizing a conjugated diene compound using a catalyst obtained from (A) the compound bearing a bulky ligand of a metal of an atomic number of 57-71, (B) an ionic compound comprised of a non-coordinating anion and a cation and (C) an organometallic compound of an element selected from among group 2, 12 and 13 elements in the periodic table.例文帳に追加

（Ａ）嵩高い配位子を有する原子番号５７〜７１の金属の化合物、（Ｂ）非配位性アニオンとカチオンとからなるイオン性化合物、（Ｃ）周期律表第２族、１２族、１３族から選ばれる元素の有機金属化合物、から得られる触媒を用いて共役ジエン化合物を重合させることを特徴とする共役ジエン重合体の製造方法に関する。 - 特許庁

This method for producing monoethylene glycol by using an unpurified crude ethylene oxide containing a chlorine compound comprises adding alkaline material in an amount regulated so that the atomic equivalent may be ≥0.5 based on 1 atom inorganic chlorine generated in a hydration reaction liquid after the hydration reaction, and feeding the resultant liquid to a rectifier 107 of monoethylene glycol to purify the monoethylene glycol.例文帳に追加

塩素化合物を含有する未精製の粗エチレンオキシドを加水反応用原料として使用し、モノエチレングリコールを製造する方法において、加水反応後に、加水反応液中に生ずる無機塩素１原子に対してアルカリ性物質を０．５以上の原子当量となるように添加した後、モノエチレングリコールの精留塔に供給し精製することを特徴とする高純度モノエチレングリコールの製造方法。 - 特許庁

In a method comprising the steps of forming a first semiconductor film having a lattice constant different from that of a substrate on the substrate, making the first semiconductor film porous, cleaning the surface of the porous semiconductor film, and forming a second semiconductor film having the same composition as that of the first semiconductor film on the cleaned surface; atomic hydrogen is used at least in a part of these steps.例文帳に追加

本発明は、基板上に基板とは格子定数の異なる第一の半導体膜を形成する工程と該第一の半導体膜を多孔質化する工程と、該多孔質化した半導体膜の表面をクリーニングする工程と、該クリーニングした表面上に該第一の半導体膜と同じ組成の第二の半導体膜を形成する工程において、該工程の少なくとも一部に原子状水素を用いたことを特徴とする。 - 特許庁

In the method for evaluating the activity of the catalyst for polymerizing olefins containing magnesium and titanium, a nuclear magnetic resonance system is used to subject the magnesium atomic nucleus in the catalyst to nuclear magnetic resonance under a condition of a rotational speed of 6 KHz or above and the intensity of a magnetic field of 12 tesla or above and the activity of the catalyst is evaluated on the basis of the length of the obtained relaxation time.例文帳に追加

マグネシウムおよびチタンを含有するオレフィン類重合用触媒の活性評価方法であって、核磁気共鳴装置を用い、回転速度６ＫＨｚ以上、磁場強度１２テスラ以上の条件下で前記触媒中のマグネシウム原子核を核磁気共鳴させ、得られる緩和時間の長短により、触媒活性を評価することを特徴とするオレフィン類重合用触媒の活性評価方法である。 - 特許庁

The manufacturing method of a light olefin and/or a monocyclic aromatic compound comprises carrying out a catalytic cracking reaction by bringing a hydrocarbon raw material into contact with a catalyst in the presence of steam in a moving bed reactor, where pentasil zeolite having an Si/Al atomic ratio smaller than 50 and containing a rare earth element is used as the catalyst.例文帳に追加

移動床反応器を用いて、水蒸気の存在下、炭化水素原料を触媒に接触させて接触分解反応を行い、軽質オレフィン及び／又は単環芳香族化合物を製造する方法であって、該触媒として、Ｓｉ／Ａｌ原子比が５０より小さく、かつ希土類元素を含有するペンタシル型ゼオライトを用いることを特徴とする軽質オレフィン及び／又は単環芳香族化合物の製造方法。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device having a process of etching a compound semiconductor with an etching solution, the etching solution includes chemical materials containing group 6B atoms as constitution elements, the atomic numbers of all group 6B atoms forming the chemical materials are 16 or above (e.g. all group 6B atoms forming the chemical materials are sulfur atoms), and the compound semiconductor is etched with the above etching solution.例文帳に追加

化合物半導体を溶液を用いてエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法において、エッチング溶液が、６Ｂ族原子を構成要素に含む化学物質を含有し、且つ該化学物質を構成する全ての６Ｂ族原子の原子番号が１６以上（例えば、化学物質を構成する全ての６Ｂ族原子が硫黄原子）のものを用いて化合物半導体のウェットエッチングを行う。 - 特許庁

This new topograph measuring method and its device are characterized by detecting the electrostatic force working between the cantilever and the sample, and feeding back a cantilever bias potential at which the electrostatic force becomes minimum to the cantilever, in the noncontact type atomic force microscope for scanning the sample surface by the cantilever to execute measurement, while maintaining an attraction gradient between the cantilever and the sample constant.例文帳に追加

本発明による新トポグラフ測定方法およびその装置は、カンチレバーと試料間の引力勾配を一定に維持しながらカンチレバーで試料表面を走査することにより計測する非接触型原子間力顕微鏡において、カンチレバーと試料間に作用する静電気力を検出し、該静電気力が最小となるカンチレバーバイアス電位をカンチレバーにフィードバックすることを特徴とする。 - 特許庁

The atomic arrangement simulation method for performing simulation for arraying atoms in a preset shape comprises: a temporary arrangement step of temporarily arranging the atoms in the shape; an annealing step of annealing the atoms arranged by the temporary arrangement step on the basis of potentials between the atoms; and a coarseness and minuteness adjustment step of adjusting the coarseness and minuteness relation of the atoms annealed by the annealing step.例文帳に追加

予め設定された形状に原子を配列するためのシミュレーションを行う原子配置シミュレーション方法において、前記形状に原子を仮配置する仮配置ステップと、前記仮配置ステップにより配置された原子を原子間ポテンシャルに基づいてアニーリングするアニーリングステップと、前記アニーリングステップによりアニーリングされた原子の粗密関係を調整する粗密調整ステップとを有することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

In this extremely fine magnetic recording medium and its manufacturing method, non-oxidized regions enclosed by oxidized regions and oxidized regions enclosed by non-oxidized regions are arranged as an array by applying oxidation processing to the surface of a substrate which consists of magnetic material whose magnetic property is changed by oxidation by using an atomic force microscope under a wet atmosphere, and 1-bit information is made recordable in each region.例文帳に追加

酸化により磁気特性の変化する磁性材料からなる表面に対して、湿潤雰囲気下で原子間力顕微鏡を用いて酸化処理を施すことにより、酸化領域に囲まれた未酸化領域又は未酸化領域に囲まれた酸化領域をアレイ状に配し、前記各領域に１ｂｉｔの情報を記録可能とした、極微細な磁気記録媒体およびその製造方法。 - 特許庁

In this method for manufacturing an aluminate fluorescent substance using a compound at least including an alkali earth metal excluding magnesium, a compound including europium, a compound including magnesium and a compound including aluminum as raw materials, the atomic molar ratio of the sum of the mole numbers of magnesium and manganese to the sum of the europium and the alkali earth metal excluding magnesium in the all raw material compounds is set at 1.06-1.09.例文帳に追加

アルミン酸塩蛍光体の製造方法について、少なくともマグネシウム以外のアルカリ土類金属を含む化合物と、ユーロピウムを含む化合物と、マグネシウムを含む化合物と、アルミニウムを含む化合物とを原料とし、すべての原料化合物中について、マグネシウム以外のアルカリ土類金属とユーロピウムの合計モル原子数に対する、マグネシウムとマンガンの合計モル原子数の比を１．０６以上１．０９以下とする。 - 特許庁

The method of manufacturing a master mold for nanoimprint comprises forming a pattern on a resist-applied silicon substrate by electron beam drawing to prepare a silicon master, separating a master mold having a rugged pattern reverse to a resist pattern of the silicon master formed by electroforming, from the silicon master, and then eliminating resist residue on the surface of the master mold by irradiation of plasma containing atomic hydrogen.例文帳に追加

レジストを塗布したシリコン基板に電子線描画によってパターンを形成してシリコン原盤を作製した後、電鋳により形成された前記シリコン原盤のレジストパターンと逆の凹凸パターンを有するマスターモールドを前記シリコン原盤から剥離した後、原子状水素を含むプラズマの照射で前記マスターモールドの表面のレジスト残渣を除去することを特徴とするナノインプリント用マスターモールドの製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a polycrystal silicon solar cell includes a step for forming on the metallic silicon substrate a gettering layer of 0.01 atomic % or more including at least one kind of gettering element that is selected among phosphorus, boron, germanium, and tin, a step for forming an active layer thereon, and a step for forming a surface doped layer in the surfacial part of the active layer or thereon.例文帳に追加

金属級シリコン基板の上に、リン、ホウ素、ゲルマニウム、錫の中から選択される１種以上のゲッター元素を合わせて０．０１原子パーセント以上含むゲッター層を形成する工程と、該ゲッター層の上に活性層を形成する工程と、該活性層の表層部分又はその上に表面ドープ層を形成する工程と、を含むことを特徴とする多結晶シリコン太陽電池の製造方法。 - 特許庁

To provide an RFe_2O_4 thin film in which excessive oxidation does not occur even when an atomic oxygen active species is used as an oxidation source, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

Ｆｅ及びＲ，Ｏ（Ｒは、Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｙのうち少なくとも１つ以上である）を含む薄膜原料供給源と基板との間に、プラズマを発生させ、基板上にＲＦｅ_2Ｏ_4薄膜を形成する気相成膜方法であって、前記プラズマが、５４３５ｃｐｓより少ないＯ活性種の発光強度を有し、Ｆｅ活性種の発光強度に対するＯ活性種の発光強度が、Ｏ活性種の発光強度／Ｆｅ活性種の発光強度＜２である気相成膜方法を提供する。 - 特許庁

Improved methods are disclosed for catalyst-assisted atomic layer deposition to form a silicon dioxide layer having favorable properties on a semiconductor substrate by using a first reactant component composed of a silicon compound which has at least two silicon atoms, or using a tertiary aliphatic amine as a catalyst component, or using both in combination with related purging method, and by sequencing them.例文帳に追加

少なくとも２個のシリコン原子を有するシリコン化合物から成る第１の反応物成分を用いることによって、又は、触媒成分として第三脂肪族アミンを用いることによって、又は、関連するパージ法と組合せて両方を用いること、及びそれらを順序づけることによって、半導体基板上に良好な性質を有する二酸化シリコン層を形成するための触媒補助型原子層堆積法の改良法を開示する。 - 特許庁

To provide a technique capable of measuring accurately a topograph relative to even the sample surface whose accurate surface topograph measurement is difficult by a conventional method, by overcoming a defect that the accurate surface topograph can not be measured because an attraction detected by a cantilever tip includes both an interatomic force and an electrostatic force when executing the surface topograph measurement by a conventional noncontact type atomic force microscope.例文帳に追加

本発明は、従来の非接触型原子間力顕微鏡による表面トポグラフ計測の際に、カンチレバー先端で検出される引力には原子間力と静電気力の両方が含まれるために正確な表面トポグラフを計測できないという欠点を克服し、従来法では正確な表面トポグラフ計測が困難であった試料表面に対しても、そのトポグラフを正確に計測する技術を提供するものである。 - 特許庁

The present invention relates to a film thickness evaluation method for measuring the distribution of film thickness of an insulation thin film by using an atomic force microscope which applies a variable DC voltage between a sample and a probe held by a cantilever.例文帳に追加

試料と、カンチレバーに保持された探針との間に可変直流電圧を印加する原子間力顕微鏡を用いて、絶縁性薄膜の膜厚分布を測定する膜厚評価方法で、試料の測定領域に電圧を変化させて印加するとともに、発生電流および絶縁破壊電圧を測定し、前記測定領域のうち任意の１点の膜厚を基準値として、各測定点の絶縁破壊電圧および（１）式の関係に基づいて、前記測定領域内の相対膜厚の分布を求めることとする。 - 特許庁

Article 66 (1) A Municipality, in a case when an Insured Person Requiring Long-Term Care, etc., that is a Primary Insured Person that is a person delinquent in payment of an insurance premium (except for those who can receive a medical allowance for general disease pursuant to the Act for Medical Measures for the Victims of the Atomic Bomb (Act No. 117 of 1994) and other benefits for medical care as determined by an Ordinance of the Ministry of Health, Labour, and Welfare) fails to pay said insurance premium from the payment due date of said insurance premium until the expiry of the period as determined by an Ordinance of the Ministry of Health, Labour, and Welfare, except for a case when it is determined that there is a special circumstance for said delinquency of insurance premium payment such as a disaster or other special circumstances provided by a Cabinet Order, shall request said Insured Person Requiring Long-Term Care, etc., to submit the Certificate of Insured Person, pursuant to the provisions of an Ordinance of the Ministry of Health, Labour, and Welfare, and enter on said Certificate of Insured Person that the provisions of Article 41, paragraph (6), Article 42-2, paragraph (6), Article 46, paragraph (4), Article 48, paragraph (4), Article 51-2, paragraph (4), Article 53, paragraph (4), Article 54-2, paragraph (6), Article 58, paragraph (4) and Article 61-2, paragraph (4) shall not apply (herein referred to as "Entry of Change of Payment Method" in this Article and paragraph (3) of the following Article). 例文帳に追加

第六十六条　市町村は、保険料を滞納している第一号被保険者である要介護被保険者等（原子爆弾被爆者に対する援護に関する法律（平成六年法律第百十七号）による一般疾病医療費の支給その他厚生労働省令で定める医療に関する給付を受けることができるものを除く。）が、当該保険料の納期限から厚生労働省令で定める期間が経過するまでの間に当該保険料を納付しない場合においては、当該保険料の滞納につき災害その他の政令で定める特別の事情があると認める場合を除き、厚生労働省令で定めるところにより、当該要介護被保険者等に対し被保険者証の提出を求め、当該被保険者証に、第四十一条第六項、第四十二条の二第六項、第四十六条第四項、第四十八条第四項、第五十一条の二第四項、第五十三条第四項、第五十四条の二第六項、第五十八条第四項及び第六十一条の二第四項の規定を適用しない旨の記載（以下この条及び次条第三項において「支払方法変更の記載」という。）をするものとする。 - 日本法令外国語訳データベースシステム