「atomic process」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

TONER CHARGE DEVICE FOR ATOMIC IMAGING PROCESS例文帳に追加

原子イメージングプロセスのためのトナー荷電装置 - 特許庁

the atomic process that occurs during a chemical reaction 例文帳に追加

化学反応の間に起こる原子のプロセス - 日本語WordNet

a process that alters the energy or structure or composition of atomic nuclei 例文帳に追加

原子核のエネルギーや構造、成分を変える反応 - 日本語WordNet

PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND ATOMIC LAYER DEPOSITION EQUIPMENT例文帳に追加

半導体装置の製造方法および原子層蒸着装置 - 特許庁

any process in which an atomic or nuclear system acquires an additional particle 例文帳に追加

原子または核のシステムが追加の粒子を取得するどのようなプロセスでも - 日本語WordNet

any process determined by the atomic and molecular composition and structure of the substances involved 例文帳に追加

含まれる物質の構造と、原子と分子の構成によって決定される過程 - 日本語WordNet

To provide synthesis of metal chalcogenides using chemical vapor deposition (CVD) process, atomic layer deposition (ALD) process, or wet solution process.例文帳に追加

本発明は化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス又は湿式溶液プロセスを用いた金属カルコゲニドの合成を開示する。 - 特許庁

To provide a process for depositing yttrium oxide and lanthanum oxide thin films by an ALE (atomic layer epitaxial growth) process.例文帳に追加

ＡＬＥプロセスによって酸化イットリウム薄膜および酸化ランタン薄膜を堆積させるための方法を提供すること。 - 特許庁

The result about the formation of the atomic layer deposition film is determined between an deposition process and an oxidation process, or after the oxidation process, when having the deposition process depositing a film raw material on the base to form a precursor film and the oxidation process for steam-oxidation-treating the precursor to form the atomic layer deposition film, in the formation of the atomic layer deposition film.例文帳に追加

原子層堆積膜形成が、膜原料を基体上に堆積させて前駆体膜を形成する堆積工程と、前駆体膜を水蒸気酸化処理して原子層堆積膜とする酸化工程とを有している場合、原子層堆積膜形成の成否の判定を、堆積工程と酸化工程との間、または酸化工程の後に行うようにする。 - 特許庁

To provide an atomic oscillator capable of reducing a unit cost by shortening a manufacturing process.例文帳に追加

製造工程を短縮してユニットコストの低減を図ることができる原子発振器を提供する。 - 特許庁

the energy that an atomic system must acquire before a process (such as an emission or reaction) can occur 例文帳に追加

（放射や反応のような）過程が起こる前に原子組織が獲得しなければならないエネルギー - 日本語WordNet

METHOD, APPARATUS FOR CONTINUOUSLY OBSERVING MATERIAL- WORKING PROCESS BY ATOMIC LEVEL, AND FINELY WORKING APPARATUS FOR MATERIAL例文帳に追加

材料加工過程を原子レベルで連続的に観察する方法、装置および材料の微小加工装置 - 特許庁

To prevent a partial degradation in the film properties in a wafer face of a film formed by an atomic layer epitaxy process.例文帳に追加

原子層成長法で成膜した膜のウェハ面内での膜特性の部分的な低下を防ぐ。 - 特許庁

To provide an atomic layer deposition (ALD) process for forming a silicon dioxide thin film at low temperature.例文帳に追加

低温で二酸化ケイ素の薄膜を形成するための原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスが提供される。 - 特許庁

To provide an atomic layer deposition apparatus and process that minimize mixing of the chemicals and reactive gases.例文帳に追加

化学剤及び反応性気体の混合を最小にする原子層堆積装置及び方法を提供する。 - 特許庁

The amorphous Al_2O_3 film can be deposited using a chemical vapor deposition, atomic layer deposition or sputtering process.例文帳に追加

上記アモルファスＡｌ_２Ｏ_３膜は、化学気相堆積法、原子層堆積法又はスパッタ法を用いて、堆積される。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer having a stabilized flat surface (terrace) of atomic level, and to provide its production process.例文帳に追加

安定した原子レベルの平坦面（テラス）を有する半導体ウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To attain high accuracy of processing of an atomic force microscope microprocessing device and to make it possible to remove process waste produced in a cutting step by a process probe.例文帳に追加

原子間力顕微鏡微細加工装置の加工の高精度化と加工探針による切削で発生した加工屑をインラインで除去可能にする。 - 特許庁

To achieve a process without overetching or insufficient etching and a process with high accuracy in surplus defect correction of a photomask by using atomic force microscope techniques.例文帳に追加

原子間力顕微鏡技術を用いたフォトマスクの余剰欠陥修正でオーバーエッチや削り残しのない加工や高精度な加工を実現する。 - 特許庁

To provide a process of making a germanium-antimony-tellurium alloy film using a process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition.例文帳に追加

原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To remove a process waste produced in micromachining with an atomic force microscope or foreign matters that is moved or scraped off by an atomic force microscope, without the use of wet cleaning.例文帳に追加

原子間力顕微鏡による微細機械加工で発生した加工屑や移動により原子間力顕微鏡により移動または削り取った異物を、ウェット洗浄を用いないで除去する。 - 特許庁

To provide a silicon wafer having a flat surface of atomic level suitable for downscaling of LSI, and to provide its production process.例文帳に追加

ＬＳＩの微細化に適した、原子レベルの平坦面を有するシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an atomic oscillator capable of reducing a unit cost by shortening a manufacturing process.例文帳に追加

製造工程を短縮してユニットコストの低減を図ることができる原子発振器の製造方法を提供する。 - 特許庁

PROCESS FOR PRODUCING THIN FILM OF METAL OXIDE BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION USING ALCOHOL OR ATOMIC LAYER DEPOSITION例文帳に追加

アルコールを用いた化学気相蒸着法または原子層蒸着法による金属酸化物薄膜の製造方法 - 特許庁

To provide an ALD (atomic layer growth) method and to provide a reactor for forming a high quality ALD layer in the state of an optimized process.例文帳に追加

ＡＬＤ法と、最適化されたプロセス状態で高品質ＡＬＤ層を形成するためのリアクタを提供する。 - 特許庁

Then, by a process, based on atomic layer deposition, a ZnO base multilayer structure that includes luminescent region on the substrate is formed.例文帳に追加

次に、原子層堆積ベースのプロセスにより、発光領域を含むＺｎＯベースの多層構造を基板上に形成する。 - 特許庁

The semiconductor substrate having the tunnel insulating film is introduced into an atomic-layer evaporating device, and an atomic-layer evaporating-process cycle is advanced and the nanocrystal is formed on the tunnel insulating film.例文帳に追加

続いて、前記トンネル絶縁膜を有する半導体基板を原子層蒸着装置内に入れて、原子層蒸着工程サイクルを進行して前記トンネル絶縁膜上にナノクリスタルを形成する。 - 特許庁

To provide a process of atomic layer deposition (ALD) to form a silicon dioxide thin film at low temperature under various conditions.例文帳に追加

種々の状況において低温で二酸化ケイ素の薄膜を形成するための原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスが提供される。 - 特許庁

To provide a process for producing a thin film of metal oxide by CVD using alcohol or atomic layer deposition.例文帳に追加

アルコールを用いた化学気相蒸着法または原子層蒸着法による金属酸化物薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

Using the iridium-containing film deposition material as the raw material, an iridium-containing film is produced by a CVD (Chemical Vapor Deposition) process, an ALD (Atomic Layer Deposition) process, a spin coating process or the like.例文帳に追加

このイリジウム含有膜形成材料を原料として、ＣＶＤ法、原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法：ＡＬＤ法）、スピンコート法などによりイリジウム含有膜を製造する。 - 特許庁

In the lead part the alloy containing 40 to 80 atomic % Mo and 20 to 60 atomic % W is used, manufactured by a powder metallurgical process and the crystal grain size after recrystallization ≤70 μm is fabricated.例文帳に追加

Ｍｏを４０〜８０原子％、Ｗを２０〜６０原子％を含有する合金を粉末冶金法により製造し、再結晶後の結晶粒径が７０μｍ以下であることを特徴とするリード部を製作する。 - 特許庁

In a forming process for forming an electron-emitting part 2, a current-carrying treatment is executed, while uniformly reducing a conductive film 3 under irradiation of atomic form hydrogen or under the atmosphere of atomic hydrogen.例文帳に追加

電子放出部２を形成するフォーミング工程において、原子状水素を照射または原子状水素の雰囲気下で導電性膜３を一様に還元させながら通電処理を行うことを特徴とする。 - 特許庁

To improve the throughput of a removing process without overetching or leaving an unetched part of a fine working device using atomic force microscope techniques.例文帳に追加

原子間力顕微鏡技術を用いた微細加工装置のオーバーエッチや削り残しのない除去加工のスループットを向上させる。 - 特許庁

To provide a process for depositing a film on a substrate by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) method in which an organic layer on the substrate is not damaged.例文帳に追加

ＰＥＡＬＤにより基板上に成膜するプロセスにおいて、基板上の有機膜にダメージを与えない方法を提供する。 - 特許庁

The mixing ratio between the peroxotitanic acid aqueous solution and the lithium compound in the process (a) is in the range of 0.5-1.6 by a Li/Ti atomic ratio.例文帳に追加

工程（ａ）におけるペルオキソチタン酸水溶液とリチウム化合物の混合比が、Ｌｉ／Ｔｉ原子比で０．５〜１．６の範囲にある。 - 特許庁

To reduce process-step counts and to simplify the apparatus by enabling precise removal at an atomic or molecular level, without generating affected layer by realizing a process using an optical catalyzer.例文帳に追加

光触媒による加工を実現して、原子分子レベルの精密な除去加工を可能とし、加工変質層を生じることなく、加工工程数を低減し、装置も単純化する。 - 特許庁

The deposition temperature in the first process can be made lower than the deposition temperature in the second process, as the vapor phase deposition technology, for example, an atomic layer deposition method is used.例文帳に追加

第１の工程における成膜温度を、第２の工程における成膜温度より低い温度とすることができ、気相成膜技術としては、例えば原子層堆積法を用いる。 - 特許庁

In the annealing treatment A, a process of atomic oxygen introduction annealing treatment is first executed under predetermined conditions and then, a process of hydrogen atom introduction annealing treatment is executed under the predetermined conditions.例文帳に追加

このアニール処理Ａでは、まず原子状酸素導入アニール処理の工程を所定条件下で実行し、続いて水素原子導入アニール処理の工程を所定条件下で実行する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING SILICON-RICH NANOCRYSTAL STRUCTURE USING ATOMIC LAYER DEPOSITION PROCESS AND METHOD OF MANUFACTURING NONVOLATILE SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

原子層蒸着工程を用いたシリコンリッチナノクリスタル構造物の形成方法及びこれを用いた不揮発性半導体装置の製造方法 - 特許庁

In this process, a chemical composition consists of A: 18-70%, B: 1-20%, C: 25-80% by atomic% on the basis of metals in element state.例文帳に追加

このとき、元素状態の金属に基づいて、原子％で、Ａ：１８〜７０％、Ｂ：１〜２０％、Ｃ：２５〜８０％の化学組成とする。 - 特許庁

A processing chamber (100) for performing atomic layer deposition (ALD), a substrate holder (120) provided within the process chamber, and a gas injection system (140) configured to supply a first process gas and a second process gas to the process chamber (100) are included in the subject apparatus.例文帳に追加

処理チャンバ（１００）と、前記処理チャンバ内に設けられた基板ホルダ（１２０）と、前記処理チャンバ（１００）に、第１のプロセスガス及び第２のプロセスガスを供給するように構成されたガス注入装置（１４０）とを含む、原子層堆積（ＡＬＤ）を実行する処理システム（１００）。 - 特許庁

The deposition method can also be made to have a process step of depositing the atomic layer of first species at a temperature nearly optimum for deposition of the first species on the substrate.例文帳に追加

堆積方法はまた、基板上に、第１スピーシの堆積にほぼ最適な温度で、第１スピーシを原子層堆積する工程を有することができる。 - 特許庁

The nanocrystal having a required size is formed by repeating the atomic-layer evaporating-process cycles at a plurality of times while confirming the size of the nanocrystal.例文帳に追加

前記ナノクリスタルの大きさを確認しながら、前記原子層蒸着工程サイクルを複数回繰り返して要求する大きさの前記ナノクリスタルを形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a silicon-rich nanocrystal structure that uses an atomic layer deposition process, and to provide a method of manufacturing nonvolatile semiconductor devices.例文帳に追加

原子層蒸着工程を用いたシリコンリッチナノクリスタル構造物の形成方法、及びこれを用いた不揮発性半導体装置の製造方法が開示される。 - 特許庁

A method is disclosed that uses a low temperature atomic layer deposition (ALD) process to manufacture an Sr_xTi_yO_3 based metal-insulator-metal (MIM) capacitor.例文帳に追加

低温原子層堆積（ＡＬＤ）法を用いて、Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３ベースの金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタを製造する方法が開示される。 - 特許庁