「atomic process」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for depositing a film including a noble metal on the substrate in a reaction chamber comprises treatment with a hydrogen halide or gaseous halide of a metal halide or an organometallic compound and depositing a film including a noble metal reaction product and the noble metal derived from an oxygen-containing reaction product by using an atomic layer deposition process which is a vapor deposition process.例文帳に追加

反応チャンバ中の基板上に貴金属を含む薄膜を堆積するための方法であって、該方法は、以下を含む： 該基板を水素ハライド又は金属ハライドの気体ハライド又は有機金属化合物を用いて処理すること；及び 貴金属反応物及び酸素含有反応物からの該貴金属を含む薄膜を、気相堆積プロセスである原子層堆積プロセスを用いて堆積すること。 - 特許庁

The method of manufacturing the modified carbon material includes a process for forming the carbon material by firing a polymer material of natural origin having atomic groups containing a heteroatom such as nitrogen, oxygen or sulfur in the main chain or the side chain at 500-1,000°C under an inert gas atmosphere and a process for irradiating the carbon material with microwaves.例文帳に追加

また、本発明に係る改質炭素素材の製造方法は、窒素、酸素、硫黄のようなヘテロ原子を含む原子団が主鎖や側鎖に存在している、天然由来の素材からなる高分子物質を、不活性ガス雰囲気中で、５００℃〜１０００℃の温度で焼成して炭素素材を形成する工程と、該炭素素材にマイクロ波を照射する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The process for production of the oligocarbonate polyol with a number average molecular weight of 500-5,000 g/mol by a reaction of an organic carbonate and an aliphatic polyol in the presence of a metal acetylacetonate based on a metal with an atomic number of 39, 57, 59-69 or 71 in the periodic table element (PTE).例文帳に追加

ＰＴＥの原子番号３９、５７、５９〜６９または７１を有する金属に基づく金属アセチルアセトネートを含んでなる触媒の存在下、有機カーボネートと脂肪族ポリオールとを反応させることを含む、数平均分子量５００〜５０００ｇ／ｍｏｌを有するオリゴカーボネートポリオールの製造方法。 - 特許庁

A variable temperature and/or reactant dose atomic layer deposition (VTD-ALD) process modulates ALD reactor conditions (such as temperature and flow rate) during the growth of a film (such as a metallic film) on a wafer to produce different film properties and different film depths.例文帳に追加

温度および（または）反応物の投与量を調節可能な原子層堆積（ＶＴＤ−ＡＬＤ）プロセスは、異なるフイルム特性および異なるフイルムの奥行きを生成するために、ウェーハ上のフイルム（例えば金属）の成長段階において、ＡＬＤ反応装置の条件（例えば温度、流量など）を調節する。 - 特許庁

A sliding member has, on its sliding surface, a thin coating film having a hydrogen content of less than 30 atomic %, the thin film being composed of a diamond-like carbon film or an amorphous carbon film, that are prepared by the plasma source ion injection process, wherein ions are injected by forming a plasma around a base material 3 and applying a negative pulse voltage to the base material.例文帳に追加

基材３の周囲にプラズマを形成し、基材に負のパルス電圧を印加することによってイオン注入を行うプラズマソースイオン注入法により作製したダイヤモンドライクカーボン膜あるいは非晶質カーボン膜であって、水素含有量が３０原子％未満である薄膜を摺動面に被覆した。 - 特許庁

This production process for tungsten - chromium - zinc multiple sulfide comprises: adding an ammonium thiotangustate aqueous solution to zinc hydroxychromate hydrate in an amount sufficient to provide a W/(Zn+Cr) atomic ratio of 0.003-0.05; mixing and agitating them, to evaporate water in the resulting mixture and to obtain a solid material; and then, subjecting the solid material to reductive decomposition.例文帳に追加

ヒドロキシクロム酸亜鉛水和物にチオタングステン酸アンモニウム水溶液を、Ｗ／（Ｚｎ＋Ｃｒ）原子比が０．００３以上、０．０５以下の範囲で添加し、混合・攪拌しながら水分を蒸発させて固体成分を得、それを還元分解することを特徴とするタングステン−クロム−亜鉛複合硫化物の製造方法。 - 特許庁

Disclosed is a process for preparing toner particles which comprises: (a) selecting a carbon black; (b) measuring the surface level of sulfur of the carbon black by an X-ray Photoelectron Spectroscopy to ensure that the surface level of sulfur is about 0.05 atomic percent or less; and (c) mixing the carbon black with a resin to generate a toner composition.例文帳に追加

（ａ）カーボンブラックを選択することと、（ｂ）カーボンブラック表面の硫黄濃度をＸ線光電子分光法によって測定し、表面の硫黄濃度が約０．０５ａｔ％以下であるようにすることと、（ｃ）カーボンブラックと樹脂とを混合し、トナー組成物を作成することとを含む、トナー粒子を調製するプロセス。 - 特許庁

To provide a method to easily measure phase difference by using a scanning atomic force microscope(AFM) without peeling a resist 1 during manufacturing a Levenson type phase shift mask, and to provide a method for manufacturing phase shift mask such that the manufacture process of a Levenson phase shift mask can be significantly reduced by using the above method for measuring the phase difference.例文帳に追加

レベンソン位相シフトマスクの製造途中にレジスト１を剥離せずに、走査型原子間力顕微鏡(AFM)を用いて簡便に位相差を測定する方法を提供し、この位相差測定方法を用いてレベンソン位相シフトマスクの製造プロセスを大幅に短縮することが可能になる位相シフトマスク製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a step of forming an insulation film on the semiconductor substrate, a step of dry-etching the insulation film by a dry process, and a step of removing the damaged layer occurring on the semiconductor substrate by the dry etching by thermally decomposed atomic hydrogen at a predetermined temperature.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を、ドライ工程によりエッチングする工程と、前記エッチングにより前記半導体基板上に生じたダメージ層を、熱分解した原子状の水素により、所定の温度下で除去する工程とを含む。 - 特許庁

To provide the subject method comprising such a process as to subject a reaction chamber with a substrate set inside to the feed of both adsorption gas and reactant gas and their purges alternately to effect atomic layer growth by reaction between the adsorption gas and reactant gas to form a thin film on one side of the substrate; wherein impurities left in the thin film are diminished during film formation.例文帳に追加

基板が設置された反応室に対して、吸着ガス及び反応ガスの供給、及びパージを交互に行い、吸着ガスと反応ガスとの反応によって原子層成長を行わせることにより、基板の一面上に形成された薄膜において、成膜の際に、膜中に残存する不純物を低減する。 - 特許庁

The title ink comprises a coloring material containing at least self-dispersible carbon black having at least one hydrophilic group bonded directly or via another atomic group to the surface of the carbon black and an aqueous medium and has a Ka value measured by the Bristow process of less than 1.5 and the total amount of multivalent cations having a functionality of 2 or higher of 0.05-1 mole/l.例文帳に追加

カーボンブラックの表面に、少なくとも1つの親水性基が直接若しくは他の原子団を介して結合している自己分散型カーボンブラックを少なくとも含む色材、及び水性媒体を含み、且つブリストウ法によって求められるKa値が１．５未満であり、且つ２価以上の多価のカチオンイオンの総量が０．０５〜１モル／ｌであるインク。 - 特許庁

The method of growing a compound semiconductor, in which an InxGayAl1-x-yN layer (0≤x, y≤1) is grown on a GaAs substrate includes a process of adding group V elements, having an atomic radius larger than that of N, in a density that ranges from 1×1017 to 1×1023 cm-3, to the InxGayAl1-x-yN layer.例文帳に追加

本発明では、ＧａＡｓ基板上に、Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)を成長させる化合物半導体の成長方法において、該Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-_yＮ層に、原子半径がＮよりも大きいＶ族元素を1×１０^17ｃｍ^-3から１×１０^23ｃｍ^-3までの濃度範囲だけ添加する工程を含む化合物半導体の成長方法を提供する。 - 特許庁

The PC 6 is so constituted as to process the magnetic resonance signal from the control device 4 measuring a prescribed area inside the subject, calculate a relaxation time of the hydrogen atomic nucleus, determine the presence/absence of the magnetic fluid 30 retained in the subject inside based on the calculated relaxation time, and notify the determination result to an operator.例文帳に追加

Ｐ．Ｃ．６は、被検体内部の所定領域を測定した制御装置４からの磁気共鳴信号を信号処理して水素原子核の緩和時間を算出するとともに、この算出された緩和時間に基づいて被検体内部に滞留している磁性流体３０の有無を判定して、この判定結果を術者に告知するように構成される。 - 特許庁

Before forming a second layer insulation film on the upper side of a tungsten wiring, the thermal budget at a maximum temperature C of 600°C or more to be loaded in process steps after forming the tungsten wiring film is applied beforehand, to avoid forming an unstable atomic configuration in the tungsten wiring, thereby relaxing the stress of the tungsten wiring and compacting it.例文帳に追加

タングステン配線上部に第二の層間絶縁膜が成膜される前に、該タングステン配線成膜後の工程で負荷される最高温度Ｃ、すなわち６００℃以上の熱履歴をあらかじめ施すことで、タングステン配線の内部に不安定な原子配列が形成されるのを防止し、タングステン配線の応力緩和と緻密化を図る。 - 特許庁

To provide a new cantilever for processing, wherein a great number of fine grooves are simultaneously processed with high accuracy by probes as a great number of cutting blades, in order to drastically shorten a process time for forming fine shapes by using functions of an atomic force microscope on a three-dimensional surface including a curved face.例文帳に追加

曲面を含んだ３次元形状の表面に原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）の機能を利用して微細形状を形成するときの加工時間を大幅に短縮することを目的とし、そのために多数の切れ刃となるプローブ（探針）によって多数の微細溝を同時に高精度で加工できる新規な加工用カンチレバーを工夫すること。 - 特許庁

This method for producing the nano element arranging the functional groups in the desired positions and order comprises a process of arranging and localizing ≥2 polypeptide compounds containing a zinc finger motif bonding specifically with a specific target base sequence of the double-stranded DNA and the functional atomic group, on the double-stranded DNA by allowing them to come near with an autonomic cohesion.例文帳に追加

２重鎖ＤＮＡの特定の標的塩基配列に特異的に結合するジンクフィンガーモチーフと機能性原子団とを含有するポリペプチド化合物２個以上を、前記２重鎖ＤＮＡ上に自律凝集により近接させて配列・定位させる工程を含む、機能性原子団を所望の位置及び順序で配列したナノ素子の製造方法。 - 特許庁

To prevent reattachment of chips produced during modification by removal to a substrate in a step of removing defective portions remaining so as to be different from a state expected by design against a design in a light shielding film Cr, an absorbing film TaN, a phase film MoSi left without being removed in the process and the substrate Qz by using a probe of an atomic force microscope.例文帳に追加

プロセス工程で除去されず残ってしまった遮光膜Ｃｒ、吸収膜ＴａＮ、位相膜ＭｏＳｉ、や基板Ｑｚの設計とは異なり残留した欠陥部分を原子間力顕微鏡の探針を用いて除去する工程において、除去修正時に発生する削り屑の基板への再付着を防止する。 - 特許庁

The method of forming a diffusion barrier used for manufacturing the semiconductor device includes a step for depositing an iridium-doped tantalum-based barrier layer on a pattern-formed intermediate dielectric (ILD) layer by a physical vapor deposition (PVD) process, and the barrier layer is deposited to form the barrier layer into amorphous structure as a result, at least 60% of an iridium concentration in terms of atomic weight.例文帳に追加

半導体デバイス製造に用いる拡散バリアを形成する方法は、物理蒸着（ＰＶＤ）工程によって、パターン形成された中間誘電体（ＩＬＤ）層の上に、イリジウム・ドープされたタンタル・ベースのバリア層を堆積するステップを含み、該バリア層は、原子量で少なくとも６０％のイリジウム濃度で、バリア層が結果としてアモルファス構造を有するように堆積される。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device having a process of etching a compound semiconductor with an etching solution, the etching solution includes chemical materials containing group 6B atoms as constitution elements, the atomic numbers of all group 6B atoms forming the chemical materials are 16 or above (e.g. all group 6B atoms forming the chemical materials are sulfur atoms), and the compound semiconductor is etched with the above etching solution.例文帳に追加

化合物半導体を溶液を用いてエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法において、エッチング溶液が、６Ｂ族原子を構成要素に含む化学物質を含有し、且つ該化学物質を構成する全ての６Ｂ族原子の原子番号が１６以上（例えば、化学物質を構成する全ての６Ｂ族原子が硫黄原子）のものを用いて化合物半導体のウェットエッチングを行う。 - 特許庁