「atomic process」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

This means to ensure the atomic property has a means to detect the interrupt of the other user process, a means to invalidate the operation of the one user process by utilizing a memory protecting function possessed by the OS, and a means to re-execute the one user process.例文帳に追加

このアトミック性を保証する手段は、他方のユーザプロセスの割り込みを検出する手段と、ＯＳが有するメモリ保護機能を利用して、一方のユーザプロセスの操作を無効化する手段と、前記一方のユーザプロセスを再度実行する手段とを有している。 - 特許庁

The surface treatment of the ZnTe-based compound semiconductor also includes a second surface treatment process (process A) wherein, while atomic hydrogen is irradiated on the ZnTe-based compound semiconductor substrate, the compound semiconductor substrate is annealed at a temperature ranging between 80°C and 150°C, before the first surface treatment process is conducted.例文帳に追加

さらに、前記第１の表面処理工程の前に、前記ＺｎＴｅ系化合物半導体基板に原子状水素を照射しながら８０℃から１５０℃の温度範囲でアニールする第２の表面処理工程（工程Ａ）を有するようにした。 - 特許庁

The cleaning process comprises a process to heat the substrate to be processed to a first temperature, a process to introduce the gas which mixes chlorine and nitrogen and has the atomic ratio of chlorine and nitrogen of 9:1 to 5:5, and a process to apply the radio frequency wave power to an electrode 2 to which the substrate to be processed is set.例文帳に追加

前記クリーニングする工程は、前記被処理基板を第１温度に加熱する工程と、塩素と窒素とを含み且つ前記塩素と窒素との原子比が９対１乃至５対５であるガスを導入する工程と、前記被処理基板が載置される電極２に高周波電力を印加する工程とを含む。 - 特許庁

The structure and the method for manufacturing a magnetic reading head include a process of forming a fill layer for a magnetic reading head gap by using an atomic layer deposition(ALD) method.例文帳に追加

磁気読取りヘッドを製造する構造および方法は、原子層堆積（ＡＬＤ）を使用して磁気読取りヘッドギャップのためのフィルレイヤーを形成することを含む。 - 特許庁

Alternatively, inclination of the process surface is corrected to the opposite direction by a biaxial tilt stage provided in the atomic force microscope scanner system so as to flatten the processed figure.例文帳に追加

もしくは加工面の傾きを原子間力顕微鏡スキャナー側に設けた2軸チルトステージで反対方向に補正することで加工形状が平らになるようにする。 - 特許庁

The method for forming an integrated circuit configuration on a semiconductor substrate includes deposition of the high-k gate insulating material on the substrate by using an atomic layer deposition process.例文帳に追加

原子層堆積プロセスを用いて基板上に高ｋゲート絶縁材料を堆積することを包含する、半導体基板上に集積回路構造を形成するための方法。 - 特許庁

Deposition is performed by an atomic layer deposition (ALD) process utilizing a first reactant provided during a first pulse period and a second reactant provided during a second pulse period.例文帳に追加

第１パルス期間に供給される第１反応物と、第２パルス期間に供給される第２反応物とを利用する原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスにより成膜する。 - 特許庁

A plurality of cycles of a first atomic layer deposition (ALD) process is sequentially conducted to deposit a layer of a first material on the substrate in the deposition chamber.例文帳に追加

第１の原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスの複数のサイクルを連続して実行し、前記堆積チャンバ内の前記基板上に、第１の物質の膜を堆積する。 - 特許庁

The present invention is a process of making the germanium-antimony-tellurium alloy film using the process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition, wherein a silyltellurium precursor is used as the source of tellurium for the alloy film and is reacted with an alcohol during the deposition process.例文帳に追加

シリルテルル前駆体がゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜のためのテルル源として用いられ、堆積プロセスの際にアルコールと反応する、原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法が提供される。 - 特許庁

To prevent the contamination of a target caused by a gaseous starting material or reaction gas to be introduced at the time of performing an ALD (Atomic Layer Deposition) process in the case a film deposition system is composed so that film deposition by an ALD process and film deposition by a sputtering process can be performed to a treatment substrate on a substrate stage in the same chamber.例文帳に追加

同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。 - 特許庁

In a network constructed of a network device or a user device, a composite operation service constructed as one operation process is generated by combining a plurality of atomic element operation services capable of offering a necessary service as to operation services (atomic element operation services) provided by the respective device basically, and when the composite operation service is executed, a plurality of atomic element operation services are operated cooperatively.例文帳に追加

ネットワーク機器、ユーザ機器などにより構成されるネットワークについて、各機器が本来提供する運用サービス（原子運用サービス）について、必要なサービスを提供可能な複数の原子運用サービスを組み合わせて一つの実行プロセスとして構成される合成運用サービスを生成し、前記合成運用サービスを実行することで、複数の原子運用サービスを連携して動作させる。 - 特許庁

Alternatively, inclination of the scanning plane and the mask surface is corrected by a biaxial tilt stage provided in an atomic force microscope scanner system to process the mask, while the mask surface is kept parallel to the scanning plane.例文帳に追加

もしくはスキャン面とマスク面の傾きを原子間力顕微鏡スキャナー側に設けた2軸チルトステージで補正してスキャン面とマスク面が平行になる状態で加工を行う。 - 特許庁

When the instruction which can be exported is supported, the atomic update process is exported to a center location.例文帳に追加

FETCHADD命令が実行され、WBに設定された属性のページにあるメモリ位置がアクセスされると、ＣＰＵはそのメモリ位置を含むキャッシュラインの排他的使用を得ることによりFECHADDを原子的に実行する。 - 特許庁

To provide a method for preparing a metal-containing layer having uniform, conformal thickness and smooth surfaces by ALD (atomic layer deposition) process using specific metal precursors.例文帳に追加

特定の金属先駆物質を用いたＡＬＤ法により、基板表面に、均一で共形的な厚さと平滑な表面とを有する金属含有皮膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film forming apparatus and a film forming method capable of utilizing an ALD (Atomic Layer Deposition) process at high productivity without using a high speed switch valve, and capable of cleaning in a chamber.例文帳に追加

高速スイッチングバルブを用いずにかつ高い生産性で、ＡＬＤ法を利用することができ、チャンバー内クリーニングが可能な成膜装置および成膜方法を提供すること。 - 特許庁

Such magnetic powder is manufactured through a process where iron oxyhydroxide or iron oxide is returned including the total precious metals of 0.01-10% by an atomic ratio to Fe.例文帳に追加

このような磁性粉末は貴金属をＦｅに対する原子比で合計０.０１〜１０％含むオキシ水酸化鉄または酸化鉄を還元する工程を経て製造することができる。 - 特許庁

In November 2011, this process was selected for the Japan Atomic Energy Agency Decontamination Technology Verification Testing Project and trial works began in December at two locations inside the prefecture. 例文帳に追加

2011 年11月には、独立行政法人日本原子力研究開発機構の除染技術実証試験事業に採択され、同年12月に県内2か所で試験工事を始めている。 - 経済産業省

1 The U.N. agencies, which are involved in monitoring process of this project are the World Health Organization (WHO), the International Atomic Energy Agency (IAEA), the World Meteoro logical Organization (WMO), the International Maritime Organization (IMO), and the International Civil Aviation Organization (ICAO).例文帳に追加

1 本件の監視プロセスに関与している国連機関は、世界保健機関（WHO）、国際原子力機関（IAEA）、世界気象機関（WMO）、国際海事機関（IMO）、国際民間航空機関（ICAO）である。 - 経済産業省

In the process of making the germanium-antimony-tellurium alloy film using a process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition, a silylantimony precursor is used as a source of antimony for the alloy film.例文帳に追加

原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法であって、シリルアンチモン前駆体が該合金膜のためのアンチモン源として用いられる方法が提供される。 - 特許庁

Meanwhile, the generation of defects which can not be restored by heat treatment is prevented by performing the surface treatment process continuously in the same chamber using a plasma gas including a halogen having an atomic weight not less than Cl and a rare gas having an atomic weight not less than Ar after the gate oxide film exposure time.例文帳に追加

一方、ゲート酸化膜露出時点以降は、引き続き同じチャンバ内でＣｌ以上の原子量を持つハロゲンとＡｒ以上の原子量を持つ希ガスを含むプラズマガスを用いて表面処理工程を行なうこととしたことにより、熱処理では回復できない欠陥の発生を抑制したこと。 - 特許庁

When an Si single crystal ingot is manufactured by CZ method, the concentration distribution of atomic vacancies, which are on a cross section of the Si single crystal ingot previously grown, is detected by direct observation of atomic vacancies, the obtained concentration distribution is fed back for the subsequent pulling process, and the speed profile of the subsequent pulling is adjusted.例文帳に追加

ＣＺ法によるSi単結晶インゴットの製造に際し、先行して育成されたSi単結晶インゴットの横断面における原子空孔の濃度分布を、原子空孔の直接観測法によって検出し、それを後続の引き上げ処理にフィードバックして、後続の引き上げにおける速度プロファイルを調整する。 - 特許庁

Through the atomic layer deposition process, a silicon-rich nanocrystal structure that includes silicon-rich insulating layers and silicon-rich nanocrystal layers, and having a high silicon content and superior step coverage can be formed.例文帳に追加

原子層蒸着工程を通じてシリコンリッチ絶縁層とシリコンリッチナノクリスタル層を含んで高いシリコン含量と優れた段差塗布性を有するシリコンリッチナノクリスタル構造物を形成することができる。 - 特許庁

To provide a method for forming a film comprising a metal which has a uniform and conformal thickness and a smooth surface on the surface of a substrate by an ALD (Atomic Layer Deposition) process using specified metal precursors.例文帳に追加

特定の金属先駆物質を用いたＡＬＤ法により、基板表面に、均一で共形的な厚さと平滑な表面とを有する金属含有皮膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process for forming an insulating film by atomic layer deposition in which residual carbon can be removed sufficiently and an oxygen rich film is not formed excessively.例文帳に追加

原子層蒸着による絶縁膜の形成において、充分な残留炭素の除去が可能でかつ過剰に酸素リッチな膜質が狭持されることのない成膜が可能な方法を提供する。 - 特許庁

A process waste 5, produced in mechanical processing with an atomic force microscope probe 3, is irradiated with a gas cluster ion beam 1, having energy that will not damage a normal pattern 6 or a glass substrate 7, but which can remove the process waste 5 which is weakly depositing thereon, so as to remove the waste by sputtering effects.例文帳に追加

原子間力顕微鏡探針３による機械加工で発生した加工屑５を正常パターン６やガラス基板７にはダメージを与えないが弱く付着した加工屑５は除去できるようなエネルギーを持ったガスクラスターイオンビーム１を照射してスパッタ効果で除去する。 - 特許庁

The surface treatment of the ZnTe-based compound semiconductor includes at least a first surface treatment process (process B) wherein, while at least Zn and atomic hydrogen are irradiated on the ZnTe-based compound semiconductor substrate, the compound semiconductor substrate is annealed at a temperature ranging between 150°C and 300°C.例文帳に追加

ＺｎＴｅ系化合物半導体の表面処理において、ＺｎＴｅ系化合物半導体基板に少なくともＺｎおよび原子状水素を照射しながら１５０℃から３００℃の温度範囲でアニールする第１の表面処理工程（工程Ｂ）を少なくとも有するようにした。 - 特許庁

The method for manufacturing the magnetic probe has a film formation process for forming a film of a magnetic material 7 on the surface of the probe base material 1 having the tip part 1a by the atomic layer deposition method.例文帳に追加

また、本発明による磁性探針の製造方法は、先端部１a有する探針基材１の表面に、原子層堆積法により磁性材料７を成膜する成膜工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

To easily remove a deposit deposited in a device without increasing temperature, in a device for growing an atomic layer for forming, for instance, an alumina film, assuming a low-temperature process around 300°C at most.例文帳に追加

高々３００℃程度の低温処理を前提とされた例えばアルミナ膜を形成する原子層成長装置において、装置内部に堆積する堆積物を、高温にすることなく容易に除去できるようにする。 - 特許庁

The method for manufacturing the conductive probe has a film formation process for forming a film of a conductive material 3 on a surface of a probe base material 1 having a tip part 1a by an atomic layer deposition method.例文帳に追加

本発明に係る導電性探針の製造方法は、先端部１a有する探針基材１の表面に、原子層堆積法により導電性材料３を成膜する成膜工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

Before a semiconductor substrate is fed to a water rinsing process for water rinsing after a thin film layer is removed, the concentration of the amine whose carbon atomic number is 8 or more contained in an ultrapure water is detected by an amine detection part 61.例文帳に追加

薄膜層除去後の半導体基板を水洗リンスする水洗リンス工程への供前に、超純水に含まれる炭素原子数８以上のアミンの濃度がアミン検出部６１で検出される。 - 特許庁

To provide doping which allows the concentration and uniformity of a deposited dopant to be controlled by blocking some of the available binding sites for a dopant precursor with a blocking reactant and allows the blocking reactant to be introduced prior to introduction of the dopant precursor in an ALD (atomic layer deposition) process or allows the blocking reactant and the dopant precursor to be introduced simultaneously.例文帳に追加

阻害反応物を用いてドーパント前駆体が利用可能な結合部位の一部を阻害することによって、堆積したドーパントの濃度および均一性を制御することができる。 - 特許庁

As a result, in a reprocessing facility of an atomic fuel, for example rare gases such as xenon (Xe) and krypton (Kr) contained in an off-gas 10 of the reprocessing process can be efficiently and reliably recovered.例文帳に追加

この結果、たとえば、原子力燃料再処理設備において、再処理操作工程中のオフガス１０中に含まれているキセノン（Ｘｅ）やクリプトン（Ｋｒ）などの希ガスを効率よくかつ確実に回収することができる。 - 特許庁

Otherwise, the transparent film is deposited to be higher than the normal glass surface, and the portion higher than the glass surface is scraped off by a mechanical process by an atomic force microscope with a fixed height so as to flatten the surface of the filled transparent film.例文帳に追加

透明膜が正常なガラス面よりも高くなるように埋め、ガラス面よりも高い部分を高さを固定した原子間力顕微鏡による機械的な加工で削り取り埋めた透明膜表面が平坦になるようにする。 - 特許庁

This computer, wherein a plurality of programs run under the control of an OS(operating system) having a memory control mechanism, has a means to ensure the atomic property of one user process without requiring dedicated CPU(central processing unit) instructions.例文帳に追加

本発明においては、メモリ管理機構を有するＯＳの管理下で、複数のプログラムが動いているコンピュータであって、専用のＣＰＵ命令を必要とせずに、一方のユーザプロセスのアトミック性を保証する手段を設ける。 - 特許庁

Thereafter, an oxide film or a nitride film is deposited on the surface of the diamond substrate with the oxygen and/or nitrogen adsorbed by an atomic layer deposition process where an organic metal compound and an oxidizing agent or a nitriding agent are alternately fed.例文帳に追加

その後、この酸素及び／又は窒素を吸着させたダイヤモンド基板の表面上に、有機金属化合物と酸化剤又は窒素剤とを交互に供給する原子層堆積法により、酸化膜又は窒素膜を成膜する。 - 特許庁

The whole property is inspected in a customized method composed of repeated call of the property inspection schema related to each of the operators F(p), G(p), U(p, q), and X(p), and a standard process to an atomic proposition and Boolean operator.例文帳に追加

特性全体は、Ｆ（ｐ）、Ｇ（ｐ）、Ｕ（ｐ， ｑ）、Ｘ（ｐ）の各演算子に関する特性検査スキーマの反復呼び出しと、原子命題およびブール演算子の標準的な処理で構成されるカスタマイズされた方法で検査される。 - 特許庁

To provide a method for producing a thin film consisting of oxide or multiple oxide by a CVD process including an ALD (Atomic Layer Deposition) process by which the production of a satisfactory thin film is made possible in the case a metallic compound having low hydrolysis reaction such as alkoxide and a β-diketone complex is used as a precursor.例文帳に追加

ＡＬＤ法を含むＣＶＤ法による酸化物又は複合酸化物からなる薄膜の製造方法において、前駆体にアルコキシドやβ−ジケトン錯体等の加水分解反応の遅い金属化合物を用いる場合に良好な薄膜の製造が可能となる薄膜の製造方法を与えること。 - 特許庁

The method comprises a step for providing a semiconductor substrate wherein a prescribed process is carried out for forming a semiconductor element and a step for forming an ion implantation layer 105 by injecting trivalent impurities having a larger atomic weight than that of boron and consisting of a single atom to a prescribed depth of the semiconductor substrate by an ion implantation process.例文帳に追加

半導体素子を形成するための所定の工程が行われた半導体基板を提供する段階と、前記半導体基板の所定深さに、ホウ素より大きい原子量を有し且つ単原子からなる３価不純物をイオン注入工程によって注入してイオン注入層１０５を形成する段階を含む。 - 特許庁

To provide a solar cell which includes an atomic layer multilayer structure preventing thermal effect on the solar cell and heat crack occurrence in the solar cell in the process for forming respective layers in the solar cell, and to provide a method of manufacturing the solar cell.例文帳に追加

太陽電池内の各層を形成するプロセスにおいて、太陽電池に対する熱的影響および熱亀裂の発生を抑制する原子層多層構造を備えた太陽電池および太陽電池を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The windshield for the timepiece is formed with an oxide film by a sputtering process on a glass base material, in which the sputtering gas is a gaseous mixture composed of Ar and an element having an atomic radius smaller than atoms exclusive of oxygen constituting the oxide film.例文帳に追加

ガラス基材に酸化物膜がスパッタリング法で形成された時計用風防ガラスであり、そのスパッタリングガスが、前記酸化物膜を構成する酸素以外の原子よりも小さな原子半径の元素とＡｒの混合ガスであることを特徴とする。 - 特許庁

In the hydrogen generation material generating hydrogen by contact with water and generating water by contact with hydrogen, a hydrogen storage metal storing-releasing hydrogen by oxidation-reduction is used as a matrix, and at least one of substances selected from metals and metal oxides is added to the surface of the hydrogen storage metal by an ALD (Atomic Layer Deposition) process or an LPD (Liquid Phase Deposition) process.例文帳に追加

水の接触により水素を発生し、水素の接触により水を発生する水素発生材において、酸化還元によって水素を吸蔵・放出できる水素吸蔵金属を母材とし、前記水素吸蔵金属の表面に、金属又は金属酸化物の少なくとも一方の物質がＡＬＤ法又はＬＰＤ法を用いて添加されている。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin film which uses an ALD (Atomic Layer Deposition) method of forming a metal silicate film whose residual impurity concentration is reduced by carrying out a process of removing impurities in the film using a chamber which is the same used for forming the film, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

成膜と同一の処理チャンバーを用いて膜中の不純物除去処理を行い、残留不純物の濃度が低減された金属シリケート膜を形成するALD法を用いた薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the implantation inhibition layer forming process, the implantation inhibition layer is formed of a material which comprises an element whose atomic weight is larger than a silica atom as a structure element and whose melting point is higher than a temperature of the silicon carbide substrate when the ions are implanted.例文帳に追加

さらに、注入阻止層形成工程では、珪素原子よりも原子量が大きい元素を構成元素として含み、かつイオンが注入されるときの炭化珪素基板の温度よりも融点が高い材料からなる注入阻止層を形成する。 - 特許庁

The magnetostrictive material having a composition expressed by RT_x (R is one or more kinds of rare earth elements; T is one or more kinds of elements selected from the group consisting of Fe, Ni and Co; and X is the atomic ratio of T to R and satisfies 1≤X≤9) is obtained by a powder metallurgical process.例文帳に追加

ＲＴ_X （Ｒは一種類以上の希土類元素、ＴはＦｅ、Ｎｉ、およびＣｏからなる群より選択される一種類以上の元素、ＸはＲに対するＴの原子比で、１≦Ｘ≦９）で表される組成の磁歪材を、粉末冶金法により得る。 - 特許庁

In the process for depositing the Co containing oxide film, magnetron sputtering is performed by using of a metallic target where the magnetic flux density in the inner part is ≤0.2 T and the total content of Co and Fe is ≥80 atomic % to the whole metal when an external magnetic field is applied at 7.96 kA/m intensity.例文帳に追加

外部磁界を７．９６ｋＡ／ｍの強度で印加したときの内部の磁束密度が０．２Ｔ以下であり、ＣｏおよびＦｅの合計含有量が全金属に対して８０ａｔ％以上である金属ターゲットを用いて、マグネトロンスパッタリングを行うＣｏ含有酸化物膜の成膜方法。 - 特許庁