「avalanche breakdown voltage」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

After the electrostatic charge exceeds the breakdown voltage of an LDMOS transistor 21 during an ESD phenomenon, the LDMOS transistor 21 is turned into avalanche yield.例文帳に追加

ESD現象の間、静電電荷がLDMOSトランジスタ（２１）の降伏電圧を越えた後、LDMOSトランジスタ（２１）はアバランシェ降伏に入る。 - 特許庁

To provide a trench-gate type semiconductor device that can improve avalanche resistance and main breakdown voltage.例文帳に追加

本発明は、アバランシェ耐量と主耐圧を向上させることができるトレンチゲート型半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Since the first channel of a wide forbidden band at time of high electric field becomes the main, an avalanche voltage becomes high, and breakdown strength can be enhanced.例文帳に追加

高電界時には広禁制帯幅の第１のチャネルが主となるため、アバランシェ電圧が高くなり、耐圧を向上することが可能となる。 - 特許庁

The threshold voltage of the memory transistor is controlled through injecting the charges generated by an avalanche breakdown into the control gate CG.例文帳に追加

メモリトランジスタは、アバランシェブレークダウンにより発生した電荷の制御ゲートＣＧへの注入によってしきい値電圧が制御される。 - 特許庁

To provide a PIN diode in which breakage by the application of reverse direction bias equal to or higher than an avalanche breakdown voltage is prevented and loss is reduced by improving avalanche resistance.例文帳に追加

アバランシェ耐量を向上させることにより、アバランシェ降伏電圧以上の逆方向バイアスの印加による破損を抑制し、低損失化を実現させたＰＩＮダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide an avalanche photodiode which is capable of supplying desired stable avalanche breakdown voltage and which has an electric field control layer by means of an electron as an effective carrier.例文帳に追加

電子を実効キャリアとする電界制御層を用いたアバランシェフォトダイオードにおいて、所望とするアバランシェブレークダウン電圧が安定して得られるようにする。 - 特許庁

With such a configuration, since the avalanche resistance can be remarkably improved, it is made possible to lower the loss without lowering the avalanche breakdown voltage.例文帳に追加

このような構成により、アバランシェ耐量を著しく向上させることができるので、アバランシェ降伏電圧を低下させ、低損失化を実現することが可能となる。 - 特許庁

To provide an avalanche breakdown-type constant voltage diode with a stable and high breakdown voltage without being affected by ions which exist in the vicinity of a semiconductor substrate surface.例文帳に追加

半導体基板の表面近傍に存在するイオンの影響を受ける事なく、ブレークダウン電圧が安定し且つ高耐圧が可能なアバランシェ降伏型の定電圧ダイオードを提供する。 - 特許庁

The resistance of the resistor 23 is adjusted so that a voltage being a product of the resistance of the resistor 23 and a current supplied through the avalanche diode 21 when the collector- emitter voltage exceeds the breakdown voltage of the avalanche diode 21 exceeds a threshold voltage of the IGBT 2 or more.例文帳に追加

抵抗２３の値は、コレクタ・エミッタ間電圧がアバランシェダイオード２１の耐圧を越える時に流れる電流と抵抗２３との積で与えられる電圧がＩＧＢＴ２のしきい値電圧以上となる様に、調整される。 - 特許庁

To provide a diode having good static electricity breakdown voltage by eliminating the generation of the local avalanche breakdown phenomenon when a backward direction static electricity surge is applied.例文帳に追加

逆方向の静電気サージが印加されたときに、局所的な雪崩降伏現象を起こすことをなくし、良好な静電気破壊耐性を有するダイオードを提供する。 - 特許庁

To enhance avalanche breakdown strength of a super-junction semiconductor device in which parallel pn layers are structured and tradeoff relation between breakdown voltage and ON resistance is remarkably improved.例文帳に追加

並列ｐｎ層を有し、耐圧とオン抵抗とのトレードオフ関係を大幅に改善する超接合半導体素子において、アバランシェ耐量の向上を図る。 - 特許庁

To provide a wide-band gap semiconductor device that is made compact, has low ON-resistance and low loss characteristics, and has large turn-on avalanche breakdown strength by relaxing electric field concentration to a gate insulating film to suppress a decrease in breakdown voltage.例文帳に追加

小型化すると共に、低オン抵抗、低損失特性を有し、ゲート絶縁膜にかかる電界集中を緩和して耐圧低下を抑制し、ターンオフ時のアバランシェ破壊耐量が大きいワイドバンドギャップ半導体装置の提供。 - 特許庁

In an element for detecting photons entering within a time when a reverse pulse bias voltage higher than a breakdown voltage is being applied to avalanche photodiodes 11 and 12, the bias voltage is applied simultaneously to two avalanche photodiodes 11 and 12 and the difference of the output voltages from the avalanche photodiodes 11 and 12 is delivered as a signal.例文帳に追加

アバランシェフォトダイオード１１，１２にブレークダウン電圧以上の逆方向バイアス電圧をパルス状に印加し、このバイアス電圧が印加されている時間内に入射した光子を検出する素子において、２つのアバランシェフォトダイオード１１，１２に同時にバイアス電圧を印加し、このアバランシェフォトダイオード１１，１２の出力電圧の差を信号出力とする。 - 特許庁

To provide a bidirectional high breakdown voltage planar semiconductor device having a high avalanche resistance in which forward breakdown voltage is stabilized with higher reliability, a new reverse breakdown voltage structure is contrived, and occurrence of breakdown due to field concentration is prevented in the junction termination structure in both forward and reverse directions when a voltage is applied.例文帳に追加

順方向耐圧をよりいっそう高信頼性に安定させ、逆方向耐圧構造を新たに工夫し、順逆方向共に、電圧印加時に、接合終端構造内での電界集中によるブレークダウンが発生せず、共に高アバランシェ耐量を有する双方向高耐圧プレーナ型半導体装置の提供。 - 特許庁

The diode or diodes to achieve a low clamping voltage are typically connected so as to conduct in a forward direction and the diode or diodes to achieve a high clamping voltage are connected so as to cause an avalanche breakdown.例文帳に追加

低クランプ電圧を実現すべくダイオードは典型的には順方向に導通するように接続され、高いクランプ電圧を実現すべくダイオードはアバランシェブレークダウンを生じるように接続される。 - 特許庁

After a voltage in a supply terminal for a pulse signal falls, the avalanche breakdown is detected by the fall in a terminal for a power supply voltage VDD to an element 2 to be measured.例文帳に追加

本発明は、パルス信号の供給端子における電圧が立ち下がった後、被測定素子２への電源電圧ＶＤＤの端子における立ち下がりによりアバランシェ破壊を検出する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a diode element structure that, while the reverse recovery characteristics of a diode element are maintained, the avalanche breakdown voltage and contact resistance of the diode element are modified.例文帳に追加

逆回復特性を維持しつつ、アバランシェ耐圧および接触抵抗を改善したダイオード素子構造を有する半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a mesa type avalanche photodiode having the small fluctuation amount of breakdown voltage characteristics, in addition to gigabit response characteristics and high reliability.例文帳に追加

ギガビット応答特性・高信頼性で、ブレークダウン電圧特性の変動量が小さいメサ型のアバランシェフォトダイオードを提供すること。 - 特許庁

To provide a nitride compound semiconductor element in which heat dissipation nature is good, a manufacturing cost can be inhibited, and which has a high avalanche resistance by a high breakdown voltage.例文帳に追加

放熱性が良好で、且つ、製造コストを抑制することができるとともに、高耐圧で高アバランシェ耐量を有する窒素化合物半導体素子を提供する。 - 特許庁

To obtain a steep threshold voltage distribution through making the injecting amounts of the changes generated by an avalanche breakdown into the floating gates of memory cells equal to each other.例文帳に追加

アバランシェブレークダウンにより発生した電荷のフローティングゲート内への注入量をメモリセル間で均一化して急峻なしきい値電圧分布を得る。 - 特許庁

As mentioned above, an N+ source reign 6 is not formed, so that an avalanche multiplication is restrained from occurring at the arc 47, and a lateral semiconductor device of this constitution can be improved in ON-state breakdown voltage characteristics.例文帳に追加

このように、ｎ^+ ソース領域６を形成しないことによって、円弧部４７でのアバランシェ増倍が抑制され、オン耐圧特性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a vertical type semiconductor device with a MOS structure that can realize low ON-resistance, suppress lowering of breakdown voltage, and improve avalanche resistance as well as inverse recovery resistance.例文帳に追加

ＭＯＳ構造の縦型半導体装置において、低オン抵抗化し、耐圧低下を抑制し、アバランシェ耐量を向上し、逆回復耐量を向上できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Thus, when an avalanche current flows from a breakdown spot on the curved part B1 by turning round the high resistance non-diffused corner region 16, a voltage drop occurs along the curved part B1 to move the breakdown spot to the linear part B2.例文帳に追加

このため、曲線部Ｂ１上の降伏箇所から、アバランシェ電流が、高抵抗の非拡散コーナー領域１６を回り込んで流れると、曲線部Ｂ１に沿って電圧降下が生じることにより、降伏箇所を直線部Ｂ２へ移動させることができる。 - 特許庁

To enhance breakdown voltage and avalanche resistance by preventing concentration of avalanche current to a corner of the channel region of cell structure of an FET having a square second conductivity channel region in the surface layer of a first conductivity semiconductor substrate, a heavily doped well region in the central part thereof, a first conductivity source region in the surface layer, and an MOS structure on the surface.例文帳に追加

第一導電型の半導体基板の表面層に、方形の第二導電型チャネル領域、その中央部に高不純物濃度のウェル領域、表面層に第一導電型ソース領域、さらに表面上のＭＯＳ構造を備えたＦＥＴのセル構造のチャネル領域の角部へのアバランシェ電流の集中を防ぎ、耐圧、アバランシェ耐量を向上させる。 - 特許庁

To prevent the occurrence of fluctuation and variation in the threshold voltage even in reduction of the distance between trenches and to improve avalanche breakdown tolerance due to the operation of a parasitic element, in a vertical semiconductor device having gate electrodes buried in the trenches.例文帳に追加

トレンチに埋め込まれたゲート電極を有する縦型半導体装置において、トレンチ間隔を縮小しても閾値電圧の変動やばらつきが発生せず、また寄生素子動作によるアバランシェ破壊耐量が向上できるようにする。 - 特許庁

The electrode for placing wafers in a plasma processing apparatus use a tapered gas hole for a gas inlet pipe 5 which is provided in the main body of the electrode 1, thus suppressing dielectric breakdown due to secondary electron avalanche phenomenon and improving withstand voltage.例文帳に追加

プラズマ処理装置のウエハ載置用電極において、電極本体１内に設けられているガス導入管５としてガス孔がテーパ形状をしたものを用い、これにより二次電子なだれ現象による絶縁破壊を抑え、耐電圧の向上が得られるようにした。 - 特許庁

In the example shown on Fig. 1, the depletion layer 15 intrudes into the auto-doping layer 13b but does not reach an N+ type silicon substrate 2 under avalanche breakdown voltage and a part of an epitaxial layer 13 exists between the depletion layer 15 and the N+ type silicon substrate 2.例文帳に追加

また、図１に示す例の場合、空乏層１５は、オートドーピング層１３ｂ内に侵入しているが、アバランシェ降伏電圧下において空乏層１５はＮ^+型シリコン基板２には到達せず、空乏層１５とＮ^+型シリコン基板２との間にエピタキシャル層１３の一部が介在する。 - 特許庁

When an avalanche breakdown voltage is applied to a PN junction comprising a P type guard ring 4 and an N- layer 13a, a depletion layer 15 extending from the junction plane of the PN junction to the N- layer 13a side reaches an auto-doping layer 13b.例文帳に追加

Ｐ型ガードリング４とＮ^-層１３ａとからなるＰＮ接合にアバランシェ降伏電圧が印加された時に、前記ＰＮ接合の接合面からＮ^-層１３ａ側に伸びた空乏層１５が、オートドーピング層１３ｂに到達している。 - 特許庁

To provide a high-breakdown voltage vertical MOSFET with high channel density, capable of suppressing generation of an abnormal operation such as waveform ringing or an oscillating phenomenon without deteriorating on-resistance and switching performance, which raises avalanche resistance, and by which device destruction is hard to be generated.例文帳に追加

チャネル密度の高い、高耐圧の縦型ＭＯＳＦＥＴで、オン抵抗とスイッチング性能を低下させずに、波形リンギングや発振現象などの異常動作の発生を抑制することができ、アバランシェ耐量を向上させ、デバイス破壊の起き難い高耐圧縦型ＭＯＳＦＥＴを提供すること。 - 特許庁

In the MISFET type semiconductor device in which an n-type semiconductor pillar region and a p-type semiconductor pillar region are provided over a semiconductor substrate, generation of avalanche breakdown under an electrode pad and a gate wiring can be prevented by forming these gate electrode pad and gate wiring on the n^--type region in place of the semiconductor pillar region, and thereby the avalanche resistance voltage of the semiconductor device is improved.例文帳に追加

半導体基板上にｎ型半導体ピラー領域とｐ型半導体ピラー領域とが設けられたＭＩＳＦＥＴ型の半導体装置において、ゲート電極パッドやゲート配線を半導体ピラー領域の上に形成せず、ｎ^−型領域の上に形成することにより、これら電極パッドやゲート配線の下でアバランシェ・ブレークダウンが発生することを解消し、半導体装置のアバランシェ耐圧を改善できる。 - 特許庁