「boundary diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A characteristic curve is defined on a coordinate plane where a visually equal scale (by normalizing 1/3 square of any one of three stimulus values of an object color) is used as a first axis and a gradation value of original data is used as a second axis, the boundary value of a level of error diffusion is decided through the characteristic curve.例文帳に追加

視覚的に均等な尺度（物体色の三刺激値のいずれかの１／３乗を正規化したもの）を第１の軸とし、元データの階調値を第２の軸とする座標平面上に特性曲線を定義し、当該特性曲線を通じて誤差拡散のレベルの境界値を定める。 - 特許庁

When the first and second processing blocks are disposed side by side in the horizontal direction and substantially symmetrically to the boundary plane thereof, the processing atmosphere of the first and second processing blocks is separated substantially and diffusion of copper from the first processing block to the second processing block is suppressed.例文帳に追加

第１処理ブロックと第２処理ブロックをその境界面について略対称となるように水平方向に並べて配置することによって第１処理ブロックと第２処理ブロックの処理雰囲気を実質的に分離し、第１処理ブロックから第２処理ブロックへの銅の拡散を抑制する。 - 特許庁

To provide a micro porous layer where void volume and air permeability can be optimized, drainability is favorably achieved, boundary joining strength with a catalyst layer is fully secured, the occurrence of crack is eliminated, and is superior in electrolyte membrane shrinkage suppression effect and flattening suppression effect, thus durability can be improved, and to provide a gas diffusion layer including the micro porous layer and a fuel battery cell including the gas diffusion layer.例文帳に追加

気孔率や透気度を最適化でき、もって排水性が良好となり、触媒層との界面接合強度も十分に保証され、さらにはひび割れの発生が解消されて、電解質膜収縮抑制効果やフラッティング抑制効果に優れ、耐久性の向上を図ることのできるマイクロポーラス層と、このマイクロポーラス層を具備するガス拡散層、およびこのガス拡散層を具備する燃料電池セルを提供する。 - 特許庁

The two substrates are next superposed under atmospheric pressure such that the thin films formed on the two substrates are in contact and, when necessary, the substrates are heated to cause atomic diffusion at a bonded interface and grain boundary of the microcrystalline thin films, which bonds the two substrates.例文帳に追加

その後，大気圧下で前記２つの基体に形成された前記薄膜同士が接触するように前記２つの基体を重ね合わせると共に，必要に応じて基体を加熱することで前記微結晶薄膜の接合界面及び結晶粒界に原子拡散を生じさせて前記２つの基体を接合する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a permanent magnet, with which method while eliminating surface layer of the permanent magnet with cracks or roughness, new cracks or roughness are not formed on a newly exposed surface, and metal grains with high coercive force are efficiently subjected to grain boundary diffusion in the permanent magnet.例文帳に追加

亀裂や凹凸を有する永久磁石表面層を排除しながら、新たに露出した表面に別途の亀裂や凹凸が形成されることがなく、しかも、保磁力性能の高い金属粒を効率的に永久磁石内に粒界拡散することのできる、永久磁石の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a high withstand voltage MOS transistor where the boundary of a low concentration diffusion area surrounding a drain area can be matched with a field oxidized film formed between a gate and a drain area in terms of self-matching, resulting in high withstand voltage and the less dispersion of a transistor characteristic.例文帳に追加

ドレイン領域を取り囲む低濃度拡散領域の境界を、ゲートとドレイン領域との間に形成されるフィールド酸化膜の境界に自己整合的に合わせることができるようにし、それにより高耐圧及びトランジスタ特性のバラツキの少ない高耐圧ＭＯＳトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the boundary region of the memory cell region and the contact region, a dummy word line 12 extending in parallel with the word line 5, a second charge holding film 4b, a second diffusion layer bit line 2b and a second embedded insulating film 3b in contact with the dummy word line 12 and the side face of the second charge holding film 4b are provided.例文帳に追加

メモリセル領域とコンタクト領域の境界領域では、ワード線５と平行に延伸するダミーワード線１２と、第２の電荷保持膜４ｂと、第２の拡散層ビット線２ｂと、ダミーワード線１２及び第２の電荷保持膜４ｂの側面に接する第２の埋め込み絶縁膜３ｂとが備えられている。 - 特許庁

Next, a deposition process of depositing the films in such a manner that the films adjoin each other in the lamination direction and setting the thicknesses of the boundary diffusion layers existing at the boundaries for the films adjacent to each other in the lamination direction so as to be ≤50% of the thicknesses on the layers on the thinner sides among the adjacent films is performed.例文帳に追加

次に、積層方向において互いに隣接するように膜を成膜すると共に、積層方向に互いに隣接する膜の界面に存在する界面拡散層の厚みが、隣接する膜のうち薄い側の層の厚みの５０％以下となるように設定する成膜工程を実施する。 - 特許庁

The method for plating the surface of a recessed space with a metal comprises immersing a workpiece 2 such as a printed wiring board having a recessed space in a plating liquid, and performing the plating while generating an MHD flow 4 by the Lorentz force and a micro-MHD flow 5 at the boundary area 3 of a diffusion layer by applying a magnetic filed 1 with an arbitrary intensity.例文帳に追加

凹部空間を有するべきプリント基板などの被めっき対象物２をめっき液中に浸漬させ、任意の強さの磁場１を印加し、ローレンツ力によりＭＨＤ流れ４と拡散層慮域３におけるマイクロＭＨＤ流れ５を生じさせてめっきを行う凹部空間内表面に金属をめっきする方法。 - 特許庁

A three-phase interface of solid-liquid-gas is formed between with respect to the detection target compound gas moved through an acting electrode 7 by diffusion at the boundary of the acting electrode 7 and an electrolyte 12 and the detection target compound gas is made to react at the three-phase interface to allow a current to flow to the acting electrode 7.例文帳に追加

作用電極７と電解液１２との境界では、作用電極７内を拡散で移動した検出対象化合物ガスとの間で、固体−液体−気体の三相界面が形成されており、検出対象化合物は三相界面で反応し、作用電極７に電流が流れる。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a contact hole 47, inside which a boundary between diffusion layers 41 and 42 and an element isolation region 12 is exposed, and a high melting-point metal layer (a titanium film 48) for covering the surface of a silicon substrate 11 exposed inside the contact hole 47 is formed into a thickness of 5 nm-11 nm.例文帳に追加

拡散層４１，４２と素子分離領域１２との境界が内部に露出する接続孔（コンタクトホール４７）を備えた半導体装置において、コンタクトホール４７の内面に露出するシリコン基板１１表面を被覆する高融点金属層（チタン膜４８）が５ｎｍ以上１１ｎｍ以下の膜厚に形成されているものである。 - 特許庁

In a discharge plasma sintering system, an Fe base material and an Fe-20%Si powder material having sulfuric acid corrosion resistance are held at high temperature under high pressure and are subjected to diffusion joining, thereby producing the structural material in which a gradient composite structure is formed on the joined boundary between the Fe base material and the Fe-Si corrosion resistant material.例文帳に追加

Ｆｅ基材と耐硫酸腐食性を有するＦｅ−２０％Ｓｉ粉末材料を放電プラズマ焼結装置において、高温、高圧下に保持して拡散接合を行うことを特徴とする、Ｆｅ基材とＦｅ−Ｓｉ耐食材との接合界面において傾斜複合組織が形成された構造材料を作製する方法。 - 特許庁

The length of the gate electrode (1) is more elongated than the minimum working size whereby the concentration of the semiconductor substrate (10) for regulating a threshold voltage Vth can be reduced than that of a conventional substrate, thereby permitting the reduction of a connecting electric field in a boundary surface between the semiconductor substrate (10) and diffusion layers (11, 11', 12) than that in a conventional device.例文帳に追加

本発明では、ゲート電極（１）のゲート長を最小加工寸法よりも長くしたことにより、閾値電圧Ｖｔｈ調整用の半導体基板（１０）の濃度を従来のそれよりも低減することができ、半導体基板（１０）と拡散層（１１、１１’、１２）との境界面の接合電界を従来のそれよりも低減することができる。 - 特許庁

The laminated copper foil is manufactured through a step 1 for laminating a Ni plating layer and a Sn plating layer in this order at least on a part of the copper or copper alloy base material, a step 2 for forming the NiSn alloy layer on the boundary surface of the Ni plating layer and the Sn plating layer by a diffusion reaction, and a step 3 for removing the residual Sn plating layer.例文帳に追加

該積層銅箔は、銅又は銅合金箔基材上の少なくとも一部にＮｉめっき層及びＳｎめっき層をこの順に積層する工程１と、該Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層の界面に拡散反応によってＮｉＳｎ合金層を形成する工程２と、残留Ｓｎめっき層を除去する工程３とを行うことによって製造することができる。 - 特許庁

The catalyst electrodes 32 and 33 are applied to an electrolyte membrane 31, and separators 36 for forming fuel gas passages 37 and oxidizing gas passages 38, along with gas diffusion electrodes 34 and 35 are formed, so that fuel gas and oxidizing gas are supplied down to a boundary portion of the catalyst electrodes 32 and 33 applied to the electrolyte membrane 31, even if manufacturing errors or assembly errors are produced.例文帳に追加

製造誤差や組み付け誤差が生じても電解質膜３１に塗布された触媒電極３２，３３の外周部まで燃料ガスや酸化ガスが供給されるように、電解質膜３１に触媒電極３２，３３を塗布すると共にガス拡散電極３４，３５とにより燃料ガス流路３７および酸化ガス流路３８を形成するセパレータ３６を形成する。 - 特許庁