「bulk coefficient」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The bulk scattering coefficient β of the first magnetic layer F1 has a negative value and that β of the second magnetic layer F2 has a positive value.例文帳に追加

第１の磁性層Ｆ１のバルク散乱係数βは負の値であり、第２の磁性層Ｆ２のバルク散乱係数βは正の値である。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium having excellent high recording density characteristics and high productivity and low variation of a frictional coefficient in the same manufacturing bulk.例文帳に追加

高記録密度特性および高生産性に優れ、特に、同一バルク内の摩擦変動係数が小さい磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a calcined coke which can be used as aggregate for manufacturing a molded article which is hard and excellent in a coefficient of thermal expansion, a bulk density, a bending strength and resistivity.例文帳に追加

固くて、しかも、熱膨張係数、嵩密度、曲げ強度、固有抵抗に優れた成形体を製造するための骨材として使用することが出来る仮焼コークスを提供する。 - 特許庁

Although the coefficient of thermal expansion or other properties of the interfacial phase are between those of the bulk resin and the filler particle, they tend to incline toward the properties of the filler particle.例文帳に追加

界面相領域の熱膨張率または他の性質は、バルク樹脂および充填材粒子のそれの中間であるが、充填材粒子のそれら性質の方に偏る傾向がある。 - 特許庁

An amorphous silicon region part is formed nearby the interface of the bulk layer with the embedded silicon oxide film, and then the region part is irradiated with laser light under a condition that an active layer made of single-crystal silicon and the bulk layer are not fused, but amorphous silicon having a high coefficient of light absorption is fused.例文帳に追加

バルク層の埋め込みシリコン酸化膜との界面付近にアモルファスシリコン領域部を形成し、その後、この領域部に単結晶シリコンからなる活性層やバルク層は溶融しないが、高吸光係数のアモルファスシリコンは溶融する条件でレーザ光を照射した。 - 特許庁

The nonwoven fabric of the carbon fiber has 30-100 g/m^2 weight and ≤5.0% coefficient of the variation of the weight, and also has 0.20-0.50 g/cm^3 bulk density and ≤5.0% coefficient of the variation of the thickness when 61.9 kPa load is added thereto in the thickness direction.例文帳に追加

炭素繊維不織布は、目付が３０〜１００ｇ／ｍ^2及び目付の変動係数が５．０％以下、並びに、厚さ方向に６１．９ｋＰａの荷重を負荷したときの、嵩密度が０．２０〜０．５０ｇ／ｃｍ^3及び厚さの変動係数が５．０％以下である。 - 特許庁

To manufacture a thin film piezoelectric device which reduces an insertion loss and improves performance, by combining a plurality of thin film bulk wave oscillators each of which an electromechanical coupling coefficient is great and an acoustic quality coefficient (Q factor) and frequency/temperature characteristics are excellent.例文帳に追加

電気機械結合係数が大きく、音響的品質係数（Ｑ値）及び周波数温度特性に優れた複数個の薄膜バルク波共振器を組み合せることにより、挿入損失が小さくて、性能の改良された薄膜圧電デバイスを作製できるようにする。 - 特許庁

In the photonic crystal 1 having a laminated structure in which a plurality of pairs of an Si film 3 and an SiO_2 film 2 are cyclicly laminated, the Si film 3 has the extinction coefficient in visible rays range of which the wavelength is from 480 to 800 nm is smaller than the extinction coefficient of a bulk Si single crystal.例文帳に追加

Ｓｉ膜３とＳｉＯ_２膜２とのペアを複数周期積層した積層構造を有するフォトニック結晶１において、Ｓｉ膜３は、波長４８０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の可視光領域における消衰係数が、バルクＳｉ単結晶の消衰係数よりも小さくされる。 - 特許庁

By this, the absolute value of the magnetostrictive constant λ of the whole free layer 20 is reduced and the bulk dispersion coefficient of the free layer 20 is increased as a whole, therefore, a resistance change rate ΔR/R can be improved.例文帳に追加

このため、フリー層２０全体としての磁歪定数λの絶対値が低減されるうえ、フリー層２０の総体的なバルク散乱係数が高まるので抵抗変化率ΔＲ／Ｒが向上する。 - 特許庁

The conductive electrode (14) shows advantageous properties such as a low or controlled oxide formation (or probably in passive state), high melting point, high bulk modulus, and low diffusion coefficient.例文帳に追加

当該導電性電極（１４）は、低い又は制御された酸化物形成（又はおそらく不動態化されている）、高い融点、高い体積弾性率、及び低い拡散率という特性を有利に示す。 - 特許庁

Since it is expected that CoMnGeCu can increase a bulk scattering coefficient β and the like as compared with CoMnGe, the product ΔRA of a variation in reluctance ΔR and the area A of an element can be increased.例文帳に追加

ＣｏＭｎＧｅＣｕは、ＣｏＭｎＧｅに比べてバルク散乱係数β等を大きくできると考えられ、この結果、磁気抵抗変化量ΔＲと素子面積Ａの積ΔＲＡを高くできる。 - 特許庁

The apparatus also includes a dead layer (86) coupled to the light-illumination side of the bulk semiconductor material, the dead layer having a thickness configured to substantially match a predetermined thickness value and wherein an absolute value of a thermal coefficient of gain due to the minority carrier diffusion length property of the bulk semiconductor material is configured to substantially match an absolute value of a thermal coefficient of gain due to the thickness of the dead layer (86).例文帳に追加

装置はまた、バルク半導体材料の光照射面に結合されており予め決められた厚み値に実質的に一致するように構成されている厚みを有する不感層（８６）を含んでおり、バルク半導体材料の少数担体拡散距離特性による熱利得係数の絶対値が、不感層（８６）の厚みによる熱利得係数の絶対値に実質的に一致するように構成されている。 - 特許庁

This oxide superconductor is set to be such 'a construction as to consist of an oxide superconductive bulk form with its outer surface provided with a resin-impregnated cloth-adhered coating layer' or 'a construction as to furnish the surface layer of the above oxide superconductive bulk form with a layer impregnated with a resin or a resin dispersed with a filler material of low linear expansion coefficient'.例文帳に追加

酸化物超電導体を、「その外表面に“樹脂含浸された布の密着被覆層”を有した酸化物超電導バルク体から成る構成」とするか、あるいはこれに加えて「酸化物超電導バルク体の表層部に樹脂又は線膨張係数の小さいフィラ−材を分散して含有する樹脂の含浸層を設けた構成」とする。 - 特許庁

A double oxide of lithium and cobalt with the resistance coefficient of more than 1 mΩ.cm and less than 40 Ω.cm, where ; the bulk density of powder is 3.8 g/cm3, is used as a cathode activator of the nonaqueous electrolyte secondary cell.例文帳に追加

非水電解質二次電池において、正極活物質として、粉体充填密度が３．８ｇ／ｃｍ^3の時の抵抗係数が１ｍΩ・ｃｍ以上４０ｍΩ・ｃｍ以下のリチウムコバルト複合酸化物を用いる。 - 特許庁

A fundamental acoustic characteristic is made clear by measuring a sonic velocity of a bulk wave (longitudinal wave and transverse wave), frequency dependence of an attenuation coefficient and density, in the extremely low expansion glass material, and a standard sample is prepared to calibrate a device.例文帳に追加

超低膨張ガラス材料に対して、バルク波(縦波と横波)の音速、減衰係数の周波数依存性と密度を計測することにより、その基本音響特性を明らかにし、装置校正用の標準試料を作成する。 - 特許庁

To raise crystallinity of a lower electrode formed on a substrate and to raise crystal orientation of piezoelectric thin film formed on the lower electrode in order to raise an electromechanical coupling coefficient when a bulk elastic wave element is used as a resonator.例文帳に追加

バルク弾性波素子を共振子として用いた場合の電気機械結合係数を向上させるため、基板上に形成される下電極の結晶性を高め、その上に形成される圧電薄膜の結晶配向性を高める。 - 特許庁

To provide a surface wave device that utilizes surface waves which are predominantly composed of a longitudinal wave that is slower than "a fast transverse wave" and "a slow transverse wave" within a bulk wave, has a large electromechanical coupling coefficient, and small propagation loss, and can achieve high phase velocity.例文帳に追加

バルク波の内の「速い横波」及び「遅い横波」よりも遅い、縦波を主成分とした表面波を利用しており、電気機械結合係数が大きく、伝搬損失が小さく、かつ高位相速度を実現し得る表面波装置を提供する。 - 特許庁

The high thermal conductivity graphite material is characterized in that the bulk density is ≥1.85 g/cm^3, the thermal conductivity in each direction of X, Y, and Z directions is ≥170 W/(m×K) and the coefficient of thermal expansion is ≤5.5×10^-6/°C, and has isotropy.例文帳に追加

本発明の高熱伝導黒鉛材料は、かさ密度が１．８５ｇ／ｃｍ^3以上、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向の各方向における熱伝導率が１７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、熱膨張係数が５．５×１０^-6／℃以下であって、等方性のものである。 - 特許庁

When the atom% of Ni in the NiFe alloy existing in the free magnetic layer 16 falls within this range, a spin parasitic bulk scattering coefficient β increases and the product ΔRA of a variation in resistance and an element area of the magnetic sensing element can be increased as compared with a prior art.例文帳に追加

フリー磁性層１６中に存在するＮｉＦｅ合金中のＮｉの原子％がこの範囲であるとスピン依存バルク散乱係数βが増加し、従来よりも磁気検出素子の抵抗変化量と素子面積の積ΔＲＡを大きくできる。 - 特許庁

The crucible for pulling the single crystal has the double-layer structure where the inside layer is the graphite material having a bulk specific density of 2.1 or more, a porosity of 20-25% and a thermal expansion coefficient of 1.0×10^-6 /°C (at room temperature to 400°C) or less and the outside layer is the C/C material.例文帳に追加

嵩比重が２．１以上、気孔率が２０〜２５％、熱膨張係数が１．０×１０^-6／℃（室温〜４００℃）以下の特性を有する黒鉛材を内層とし、Ｃ／Ｃ材を外層とする２層構造からなることを特徴とする単結晶引き上げ用ルツボ。 - 特許庁

The mixture solution for reaction injection molding by causing a norbornene monomer to bulk polymerize in a mold comprises the norbornene monomer, a polymerization catalyst and an elastomer having a shear rate coefficient of at least 1.30 and at most 1.60.例文帳に追加

ノルボルネン系モノマーを型内で塊状重合させて反応射出成形するための配合液であって、ノルボルネン系モノマー、重合触媒及び１．３０以上、１．６０以下の剪断速度係数を有するエラストマーを含有してなることを特徴とする配合液。 - 特許庁

The electrostatic chuck has a dielectric part composed of a material which is substantially a single-phase material and has the absolute value of the thermal expansion coefficient at room temperature of 6×10^-7/K or lower, bulk density of 95% or higher, and volume resistivity of 1×10^12 Ωcm or higher and lower than 1×10^14 Ωcm.例文帳に追加

室温での熱膨張係数の絶対値が６×１０^-7／Ｋ以下、嵩密度９５％以上、体積抵抗率が１×１０^12Ωｃｍ以上１×１０^14Ωｃｍ未満であり、実質的に単相からなる材料を誘電体部とすることを特徴とする静電チャックである。 - 特許庁

In a thin film bulk acoustic resonator (1) wherein a multilayer structure (51) including a piezoelectric layer (2) including a piezoelectric material and a pair of electrode layers laminated through the piezoelectric layer (2) is formed on a substrate, the multilayer structure (51) further includes a layer A(7) having a negative coefficient of thermal expansion.例文帳に追加

圧電材料を含む圧電層（２）と、圧電層（２）を介して積層された一対の電極層とを含む多層構造（５１）が基板上に形成された薄膜バルク音波共振子（１）であって、多層構造（５１）が負の熱膨張率を有する層Ａ（７）をさらに含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a large sized bulk like oxide superconductor free from defect by preventing the occurrence of crack caused by the difference of coefficient of thermal expansion from that of a supporting member in the manufacturing of the oxide superconductor by a half-melting solidification method.例文帳に追加

本発明は、半溶融凝固法により酸化物超電導体を製造する際に支持部材との熱膨張係数差に起因するクラックを入らないようにして欠陥のない大型のバルク状の酸化物超電導体を製造することができる技術の提供を目的とする。 - 特許庁

In a vacuum vessel, a thin film having a microcrystalline structure composed of a single metal or alloy having a bulk diffusion coefficient at room temperature of not less than 1×10^-55 (m^2/s) and a free energy of oxide formation at room temperature of not less than -330 (kJ/mol of compounds) is formed on a smooth surface of each of two substrates.例文帳に追加

真空容器内において，平滑面を有する２つの基体それぞれの前記平滑面に，室温における前記体拡散係数を１×１０^-55(m^2/s)以上とし，且つ，室温における酸化物の生成自由エネルギーを−３３０(kJ/mol of compounds)以上とする単金属又は合金から成る微結晶構造の薄膜を形成する。 - 特許庁

An aggregate 61 of conductive fibers is provided as the terminal, which is made up in an outer shape having an almost flat surface whose elastic coefficient is lower than that of the bulk of a material making up an electrode of a semiconductor element 1, thereby preventing the molten marks in the terminal and flaws in the chip electrode from occurring, and enabling the tests to be carried out continuously.例文帳に追加

半導体素子１の電極を形成する材料のバルクの弾性係数より低い弾性係数を有し、ほぼ平坦な面を有する外形に形成して導電性繊維の集合体６１を接触子とすることでチップ電極のキズや接触子の溶融痕の発生を防ぎ、連続試験を可能とする。 - 特許庁

From among 1st and 2nd magnetized fixed films 231, 233 which respectively indicate mutually parallel magnetization directions, the 2nd magnetized fixed film 233 which is far from a magnetized free layer 25 is constituted of a material containing at least one of tantalum (Ta), chromium (Cr) and vanadium (V) and indicates bulk scattering coefficient of ≤0.25.例文帳に追加

互いに反平行な磁化方向を示す第１および第２の磁化固着膜２３１，２３３のうち磁化自由層２５から遠い側の第２の磁化固着膜２３３を、例えばタンタル（Ｔａ），クロム（Ｃｒ）およびバナジウム（Ｖ）のうちの少なくとも１つを含む材料により構成し、０．２５以下のバルク散乱係数を示すようにする。 - 特許庁

In this invention, a matrix section 11a where nanoparticles 11 of thermoelectric conversion materials with an average particle diameter of 200 nm or less are connected is provided, and continuous pores where a part or all of the holes 12 with nanometer size communicate are formed inside the matrix section 11a, and Seebeck coefficient is comparable to that of thermoelectric conversion materials in bulk form which has non nano-structures.例文帳に追加

平均粒径が２００ｎｍ以下の熱電変換材料のナノ粒子１１同士が連結したマトリックス部１１ａを有し、マトリックス部１１ａ内にナノメートルサイズの空孔１２の一部又は全部が連通した連続気孔が形成され、ゼーベック係数が、非ナノ組織を有するバルク状熱電変換材料と同程度となる。 - 特許庁

Further, the high thermal conductivity graphite material is obtained by the above production method, and in which bulk density is ≥1.85 g/cm^3, thermal conductivity in the respective directions of X, Y, Z directions is ≥170 W/m K and a thermal expansion coefficient is ≤5.5×10^-6/K, and which is isotropic.例文帳に追加

また、本発明の高熱伝導黒鉛材料は、上記製造方法によって得られた、かさ密度が１．８５ｇ／ｃｍ^３以上であり、Ｘ，Ｙ，Ｚ方向の各方向における熱伝導率が１７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上でありかつ熱膨張係数が５．５×１０^−６／K以下であり、等方性の高熱伝導黒鉛材料である。 - 特許庁

Simultaneously, in the region distant from the nonmagnetic substance layer 15 of the second fixed magnetic layer 14c and the free magnetic layer 16 interior, the atomic% of the above element Z is enlarged, and a spin dependency bulk scattering coefficient β is made high, and the product ΔRA of the magnetic reluctance variation ΔR of the magnetic sensing element and the element area A are highly maintained.例文帳に追加

同時に、第２固定磁性層１４ｃ及びフリー磁性層１６内部の非磁性材料層１５から離れた領域で、前記元素Ｚの原子％を大きくしてスピン依存性バルク散乱係数βを高くし、磁気検出素子の磁気抵抗変化量ΔＲと素子面積Ａの積ΔＲＡを高く維持することができる。 - 特許庁