「coupled diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Accordingly, capacitance 17 for reducing afterimage to be coupled with the floating diffusion 16 is formed.例文帳に追加

これにより、フローティングディフュージョン１６とカップリングする残像低減用容量１７が形成される。 - 特許庁

The contact opening 213 is coupled with a second diffusion region 204 of the switching transistor 2.例文帳に追加

接触開口部２１３は、スイッチング用トランジスタ２の第２拡散領域２０４に結合している。 - 特許庁

The floating diffusion is coupled to a CMOS circuit which provides addressing capabilities of respective pixels.例文帳に追加

浮遊拡散はそれぞれの画素のアドレッシング能力を提供するＣＭＯＳ回路に結合される。 - 特許庁

A diffusion layer is coupled to the substrate such that the convex surface of at least each one diffusion component is between the concave surface thereof and the diffusion layer and configured to further diffuse the light that propagates through at least one diffusion component.例文帳に追加

拡散層は、少なくとも１つの拡散部品の各々の凸面が凹面と拡散層との間にあるよう基板に結合され、少なくとも１つの拡散部品を通って伝播する光をさらに拡散するように構成される。 - 特許庁

The short transistor and a driver transistor have a diffusion layer in common coupled to the other storage node.例文帳に追加

ショートトランジスタおよびドライバトランジスタは、記憶ノードの他方に接続された共通の拡散層を有している。 - 特許庁

To provide a back light device in which a diffusion plate and a substrate are coupled before the back light device is assembled.例文帳に追加

バックライト装置の組み立て前に、拡散板と基板とを結合させたバックライト装置を提供する。 - 特許庁

The plurality of diffusion plates 52a to 52g and 53a to 53g are coupled with each other by a curved coupling part 55.例文帳に追加

曲線状の連結部５５により、複数の拡散部５２ａ〜５２ｇ、５３ａ〜５３ｇが互いに連結されている。 - 特許庁

A transfer transistor and the short transistor have a diffusion layer in common coupled to one of the storage nodes.例文帳に追加

トランスファトランジスタおよびショートトランジスタは、記憶ノードの一方に接続された共通の拡散層を有している。 - 特許庁

The gate electrode 32 of the transfer part 1 and the stray diffusion region 22 of the signal charge accumulation part 7 are capacitive coupled, so that the electrostatic potential of the stray diffusion region 22 becomes deep.例文帳に追加

転送部１のゲート電極３２と信号電荷蓄積部７の浮遊拡散領域２２とが、この浮遊拡散領域２２の静電ポテンシャルが深くなるように容量結合している。 - 特許庁

A high voltage is applied to the diffusion layer 80 capacity-coupled to the floating gate 40 and a voltage lower than the high voltage is applied to the diffusion layer 70 to implant electrons into the floating gate 40.例文帳に追加

フローティングゲート４０と容量カップリングした拡散層８０に高電圧を印加し、拡散層７０に高電圧より低い電圧を印加することによりフローティングゲート４０に電子が注入される。 - 特許庁

On the side closer to the cathode region than the P type diffusion layer 9, floating P type diffusion layers 10 and 11 are formed and coupled capacitively with a metal layer 18 applied with anode voltage.例文帳に追加

そして、Ｐ型の拡散層９よりカソード領域側にフローティング状態のＰ型の拡散層１０、１１が形成され、アノード電位が印加された金属層１８と容量結合している。 - 特許庁

Each of the diffusion components is coupled to the substrate such that the concave surface thereof is between at least some of the plurality of light emitting components and the convex surface thereof.例文帳に追加

拡散部品の各々は、凹面が複数の発光部品の少なくとも幾つかと凸面との間にあるよう基板に結合される。 - 特許庁

This impurity is diffused due to heat, thereby forming a p-type pillar layer 14 in which diffusion layers 14A1 to 14A3 are coupled in a depthwise direction.例文帳に追加

熱によりこの不純物が拡散することにより、拡散層１４Ａ１〜３が深さ方向に結合されたｐ型ピラー層１４が形成される。 - 特許庁

An optical signal inputted from an input terminal 10 is coupled with exciting light by a wavelength selective optical coupler 40 and made incident on a diffusion compensated fiber (DCF) 100.例文帳に追加

入力端１０から入力された信号光は、波長選択性光カプラ４０で励起光と結合されＤＣＦ１００に入射する。 - 特許庁

In the epitaxial layer 3, N-type diffusion layers 4, 5 as cathode regions are formed, which are diffused so as to be coupled with the substrate 2.例文帳に追加

エピタキシャル層３には、カソード領域としてのＮ型の拡散層４、５が形成され、Ｎ型の拡散層４、５は基板２と連結するように拡散されている。 - 特許庁

To prevent the climbing of polluted water over the upper side of a coupling portion for diffusion prevention units by coupling means even though two neighboring diffusion prevention units have been strongly coupled together by the coupling means.例文帳に追加

隣り合う両拡散防止ユニットの連結手段による互いの連結がより強固になされるようにした場合でも、この連結手段による両拡散防止ユニットの連結部分の上側を汚濁水が乗り越えないようにする。 - 特許庁

To provide an apparatus for producing silicon nanocrystals using ICP (inductively coupled plasma) which can minimize plasma diffusion phenomena, thereby improving the particle size characteristics and qualities of the silicon nanocrystals.例文帳に追加

プラズマ拡散現象を最小化してシリコンナノ粒子の粒度及び品質を向上させることができるＩＣＰを用いたシリコンナノ粒子製造装置を提供する。 - 特許庁

The envelope comprises at least one diffusion layer (20) coupled to at least one impermeable layer (18) such that at least one chamber (22) can be defined therebetween.例文帳に追加

エンベロープは、少なくともチャンバ（２２）がそれらの間に確定されるように、少なくとも１つの不透過層（１８）とカップリングした少なくとも１つの拡散層（２０）を含む。 - 特許庁

A floating gate 20 with a predetermined shape is formed on an SOI substrate 1, and capacitively coupled with the SOI substrate 1, using an impurity diffusion layer 17 to be a control gate and an oxidized film 18 as dielectric films.例文帳に追加

所定形状の浮遊ゲート２０がＳＯＩ基板１に形成され、制御ゲートとなる不純物拡散層１７と酸化膜１８を誘電体膜として容量結合している。 - 特許庁

In addition, the substrate holder comprises an upper member 43 comprising two plates coupled by the diffusion welding, a lower member 44 mechanically coupled with the upper member, and a electrostatic adsorption plate 61 disposed on the upper member, and further comprises a cooling device 46 built therein.例文帳に追加

さらに基板ホルダは、拡散接合により結合された２枚のプレートから成る上部部材４３と、上部部材に機械的に結合された下部部材４４と、上部部材の上に配置された静電吸着板６１を備え、さらに冷却装置４６を内蔵して構成される。 - 特許庁

Then, a P-type upper separation area 29 is formed in the epitaxial layer 21 by thermal diffusion, and the upper separation area 29 and a lower separation area 22 are coupled to form a separation area 30.例文帳に追加

その後、熱拡散を行うことにより、エピタキシャル層２１の中にＰ型の上分離領域２９が形成され、この上分離領域２９と下分離領域２２とは連結されて分離領域３０が形成される。 - 特許庁

Thereby, the heat sink is coupled with the thermoelectric module; wherein the heat sink includes a base plate, a fin and a thermal diffusion plate; wherein a thermal diffusion plate includes a material differing from the base plate and the fine; and wherein a thermal diffusion plate provides the substantially temperature uniformity to the heater block assembly during thermal cycling.例文帳に追加

生物学的サンプルを受容するための熱ブロックアセンブリ；熱ブロックアセンブリに結合された熱電モジュール；およびヒートシンクであって、ここでヒートシンクは該熱電モジュールに結合され、ここでヒートシンクは、基部プレート、フィン、および熱拡散プレートを備え、そしてここで熱拡散プレートは、基部プレートおよびフィンとは異なる材料を含み、ここで熱拡散プレートは、熱循環の間に実質的な温度均一性を熱ブロックアセンブリに提供する、ヒートシンク。 - 特許庁

The semiconductor memory comprises the floating gate 5, a source diffusion layer 2 which is capacitive-coupled with the floating gate 5 and controls the potential of the floating gate 5, and the control gate 7 so disposed as to be opposite to the floating gate 5.例文帳に追加

この半導体メモリは、浮遊ゲート５と、浮遊ゲート５と容量結合され、浮遊ゲート５の電位を制御ゲートするためのソース拡散層２と、浮遊ゲート５と対向するように配置された制御ゲート７とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device is characterized in that the insulation region in the internal section of the second well, coupled with the first conductivity-type diffusion region of the first well, makes up a bipolar junction transistor which blocks an electric current from flowing from the first well to the third well.例文帳に追加

前記第２ウェルの内部の前記絶縁領域は、前記第１ウェルの前記第１導電型拡散領域と共にバイポーラジャンクショントランジスタを形成して前記第１ウェルから前記第３ウェルに流れる電流を遮断することを特徴とする。 - 特許庁

By raising the gate bias voltage of the transmission transistor and the initial voltage of the floating diffusion node to be more than a supply voltage using the voltage coupling phenomenon of the coupled gate, the capacitance of the photodiode can be increased and the image lag phenomenon can be decreased.例文帳に追加

カップルドゲートの電圧カプッリング現象を用いて伝送トランジスタのゲートバイアス電圧及びフローティング拡散ノードの初期電圧を電源電圧以上に上昇させることでフォトダイオードの容量を増加させることができ、イメージラグ現象を減少させることができる。 - 特許庁

Further, the tip of the nozzle 20 is projected from the cylinder 13 to form a semispherical part 24 with the diameter larger than the height of the approach 27, and a semicircularly opened slit is formed to form a diffusion limiting face 24a with both sides coupled at the semispherical part.例文帳に追加

また、ノズル２０の先端部を筒部１３から突出させて、直径が噴射助走部２７の縦幅よりも大きい半球部２４として形成すると共に、この半球部に両側一対の拡散制限面２４ａを形成するように、半円状に開口した細隙を形成した。 - 特許庁

The exhaust manifold coupling structure 1 has a structure wherein an exhaust manifold 7 and a supercharger housing 15 each formed as a heat resistant alloy casting are coupled together by a communicating pipe 5 which has a circumferential coupling portion 10 formed therein by either TIG welding, laser welding, electron-beam welding, plasma welding, or diffusion bonding.例文帳に追加

排気マニホールド接続構造１はそれぞれ耐熱合金鋳物として構成される排気マニホールド７と過給機のハウジング１５とが連通管５により結合した構造を有し、連通管５は、ＴＩＧ溶接、レーザ溶接、電子ビーム溶接、プラズマ溶接、拡散接合のいずれかにより周方向の接続部１０が形成される。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type semiconductor substrate 1, in which a p-type collector layer 2 is formed on the second principal plane, a trench 13 is formed on the outer edge so as to reach from the first principal plane to the collector layer 2 to surround the inside, and a p-type isolation region 14 coupled to the collector layer 2 is formed with the sidewall by diffusion.例文帳に追加

半導体装置は、第２主面側にｐ型のコレクタ層２が形成されたｎ型の半導体基板１を有し、その周縁部に内部を取囲むように第１主面よりコレクタ層２に到達するようにトレンチ１３が形成され、その側壁より拡散にて形成されたｐ型分離領域１４がコレクタ層２と連結して設けられている。 - 特許庁

The apparatus also includes a dead layer (86) coupled to the light-illumination side of the bulk semiconductor material, the dead layer having a thickness configured to substantially match a predetermined thickness value and wherein an absolute value of a thermal coefficient of gain due to the minority carrier diffusion length property of the bulk semiconductor material is configured to substantially match an absolute value of a thermal coefficient of gain due to the thickness of the dead layer (86).例文帳に追加

装置はまた、バルク半導体材料の光照射面に結合されており予め決められた厚み値に実質的に一致するように構成されている厚みを有する不感層（８６）を含んでおり、バルク半導体材料の少数担体拡散距離特性による熱利得係数の絶対値が、不感層（８６）の厚みによる熱利得係数の絶対値に実質的に一致するように構成されている。 - 特許庁

The vertical diffusion furnace has structure similar to that of a conventional one except that it is equipped with (1) nozzles for jetting nitrogen gas toward the flange surface of a stage coupled with the furnace body, (2) a dust collector for collecting generated powdery dust, and (3) a controller performing automatic sequence control of nitrogen gas jet and dust collection.例文帳に追加

本縦型拡散炉装置は、（１）縦型拡散炉本体と結合するステージのフランジ面に向けて窒素ガスを噴出するように、窒素ガス噴出ノズルを備えること、及び（２）発生する粉塵を集塵する集塵装置を備えること、（３）窒素ガスの噴出及び集塵をシーケンス制御により自動的に行う制御装置を備えることを除いて、従来の縦型拡散炉装置と同じ構成を備える。 - 特許庁