「crystal interface」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To decrease influences of a sector interface as a crystal defect.例文帳に追加

結晶欠陥であるセクタ境界面の影響を低減する。 - 特許庁

To reduce interface level or crystal defect in interface of a single crystal semiconductor layer formed on insulator.例文帳に追加

絶縁層上に形成された単結晶半導体層の界面における界面準位または結晶欠陥を低減させる。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR MEASURING INTERFACE POSITION AT CRYSTAL GROWTH例文帳に追加

結晶成長時に相界面の位置を測定する方法及び装置 - 特許庁

The multipanel liquid crystal display includes an interface circuit and an LCD module.例文帳に追加

マルチパネルＬＣＤは、インタフェース回路及びＬＣＤモジュールを含む。 - 特許庁

To reduce the stress on an interface between a crystal and a seed crystal when a GaN substrate is obtained by a flux method.例文帳に追加

フラックス法によりＧａＮ基板を得る際に種結晶との界面の応力を低減する。 - 特許庁

To provide a color filter for LCD using a cholesteric liquid crystal or chiral nematic liquid crystal which is formed with one interface of the liquid crystal of the liquid crystal layer as exposed.例文帳に追加

液晶層の一方の液晶界面を露出したままで形成した、コレステリック液晶もしくはカイラルネマチック液晶を用いたＬＣＤ用カラーフィルタ。 - 特許庁

METHOD OF SIMULATING FORM OF SOLID-LIQUID INTERFACE BETWEEN SINGLE CRYSTAL AND MELT例文帳に追加

単結晶及び融液の固液界面形状のシミュレーション方法 - 特許庁

A defect in an MOS interface, the number of crystal grain boundaries and defects in the crystal grain boundaries in the critical path are reduced.例文帳に追加

クリティカルパス中のMOS界面欠陥・結晶粒界数・結晶粒界欠陥が低減されている。 - 特許庁

In the semiconductor device 6, deuterium D5 is segregated in a crystal interface of a semiconductor substrate 1 and dangling bond of semiconductor atom of a crystal interface is terminated by deuterium.例文帳に追加

半導体基板の結晶界面に重水素が偏析しており、結晶界面の半導体原子のダングリングボンドが重水素により終端されている。 - 特許庁

In this case, the SiC single crystal 70 is cut off preferably at its side in the interface between the seed crystal 40 and the SiC single crystal 70.例文帳に追加

このとき、種結晶４０とＳｉＣ単結晶７０との界面のうちＳｉＣ単結晶７０側で切り離すのが好ましい。 - 特許庁

Thereupon, a defect 103 happens in the vicinity of the amorphous and a crystal interface 102.例文帳に追加

この際、アモルファス・結晶界面１０２付近に欠陥１０３が発生する。 - 特許庁

To provide an interface circuit system whose cost is reduced, and a liquid crystal display device.例文帳に追加

低コストのインタフェース回路システムおよび液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

Also, by using molecules to specifically activate an interface between the mixed substance and the liquid crystal substance and activating the interface, the range of selection of the substance to be mixed is widened, and the liquid (liquid crystal)-liquid crystal interface is stabilized over a wider temperature range.例文帳に追加

また、混合された物質と、液晶物質の界面を特異的に活性化する分子を用いて界面活性を行うことにより、混合物質の選択の幅を広げ、より広い温度範囲で、液体（液晶）−液晶界面を安定化させる。 - 特許庁

GRAPHICAL USER INTERFACE FOR SELECTING PULSE PARAMETER IN CRYSTAL LENS ULTRASONIC EMULSIFICATION SUCTION SURGERY SYSTEM例文帳に追加

水晶体超音波乳化吸引外科用システムのためのグラフィカルユーザーインタフェース - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gallium nitride single crystal at room temperature while suppressing distortion on an interface between the crystal and a substrate.例文帳に追加

基板との界面において歪みを抑制しつつ室温下で窒化ガリウム単結晶を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To detect that a solid/liquid interface is a concave form in a crucible during growing a single crystal and to make the interface flat.例文帳に追加

単結晶育成中における、るつぼ内の固液界面が凹面型になったことを検出してこれを平坦にする。 - 特許庁

The twin crystal of Cu usually forms a twin crystal interface with which one of (111) orientations match wherein the migration rate is low at such matched twin crystal interface and hence the two crystals forming a twin crystal can be regarded substantially as a single large crystal grain.例文帳に追加

銅の双晶においては、通常｛１１１｝面の１つが整合した双晶境界を形成し、このように整合した双晶境界ではエレクトロマイグレーション速度は小さく、双晶を形成する２つの結晶粒は、実質的に１つの大きな結晶粒とみなすことができる。 - 特許庁

An image generated by a DSP 110 is outputted to a liquid crystal interface 130, and an image generated by an image processing processor 400 is outputted to a liquid crystal interface 410.例文帳に追加

ＤＳＰ１１０によって生成された画像は、液晶インタフェース１３０へ出力され、画像処理プロセッサ４００によって生成された画像は、液晶インタフェース４１０へ出力される。 - 特許庁

To provide a crystal growth method which enables the growth of a crystal which has excellent interface steepness at a heterojunction interface, in a shower head type MOCVD apparatus with a gas middle chamber.例文帳に追加

ガス中間室を備えるシャワーヘッド型ＭＯＣＶＤ装置において、ヘテロ接合界面の界面急峻性が優れた結晶の成長を可能とする結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

The second light deflection liquid crystal cell includes a prism layer being in contact with a liquid crystal layer, and an alignment structure for controlling a major axis direction of liquid crystal molecules in an interface between the liquid crystal layer and the prism layer to a second direction.例文帳に追加

第２の光偏向液晶セルは、液晶層と接するプリズム層と、液晶層とプリズム層との界面の液晶分子の長軸方向を、第２の方向に制御する配向構造とを含む。 - 特許庁

The first light deflection crystal cell includes a prism layer being in contact with a liquid crystal layer, and an alignment structure for controlling a major axis direction of liquid crystal molecules in an interface between the liquid crystal layer and the prism layer to a first direction.例文帳に追加

第１の光偏向液晶セルは、液晶層と接するプリズム層と、液晶層とプリズム層との界面の液晶分子の長軸方向を、第１の方向に制御する配向構造とを含む。 - 特許庁

To form crystal in defect-free area in good yield by changing pulling velocity V and temperature gradient G of a single crystal grown by the Czochralski process according to dopant concentration and keeping V/G value in crystal interface within a prescribed range in the radial direction of the crystal.例文帳に追加

ＣＺ法によるシリコン単結晶の育成において、結晶中のドーパント濃度が変化した場合でも、無欠陥領域の結晶を、歩留良く製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for improving performances of a crystal growth program based on the temperature gradient at the crystal growth front (crystal-melt interface) in the Czochralski process.例文帳に追加

チョクラルスキー法において、結晶成長フロント(結晶−融液界面)での温度勾配にもとづいた結晶成長プログラムの性能改善方法を提供する。 - 特許庁

The display device includes a liquid crystal layer 22 and a pair of substrates 12 and 14 between which the liquid crystal layer 22 is sandwiched, where a liquid crystal molecule state in the vicinity of the substrate side interface of the liquid crystal layer 22 is fixed irrespective of a voltage applied to the liquid crystal layer.例文帳に追加

液晶層22と、液晶層22を挟持する一対の基板12,14と、を有し、液晶層22の基板側界面近傍における液晶分子の状態が、液晶層に印加される電圧によらず固定されている。 - 特許庁

A layer comprising liquid crystal monomers 12 having liquid crystal skeletons and having properties of aligning the liquid crystal skeletons vertically to an interface at the interface with dissimilar substance and polymerizing is formed at a transparent substrate 2.例文帳に追加

まず、液晶性骨格を有し、異種物質との界面において液晶性骨格を界面に垂直に向けて配向する性質と、重合する性質を有する液晶性モノマー１２からなる層を透明基板２に形成する。 - 特許庁

The single crystal film is produced by combining the liquid phase epitaxy action by a single crystal substrate 5, the action caused by control of crystal growth orientation by temperature gradient of a liquid phase-solid phase interface 10 and the action caused by movement of the liquid phase-solid phase interface 10 and control of wettability of the single crystal substrate 5 and the liquid phase.例文帳に追加

単結晶基板５による液相エピタキシー作用と、液相固相界面１０の温度勾配による結晶成長方位の制御による作用と、液相固相界面１０の移動と、単結晶基板５と液相のぬれ性の制御による作用とを組み合わせて作製する。 - 特許庁

The ratio of crystallization of the raw material melt B is derived on the basis of the position of the upper interface, and the position of the crystal growth interface is identified.例文帳に追加

当該上界面の位置に基づいて原料融液Ｂの結晶化している比率が導出され，結晶成長界面の位置が特定される。 - 特許庁

A semiconductor device with an interface between lattice mismatching crystals is manufactured in an edge grown heteroepitaxy from a crystal having a small area to reduce distortion of the crystal due to a mismatching of the crystal, and a crystal reduced in defect of the dislocation in the crystal is realized.例文帳に追加

格子不整合結晶の界面を含む半導体デバイスが、小さな表面積を有する結晶からのエッジ成長ヘテロエピタキシによって製造されて、結晶不整合によるひずみを低減し、転位欠陥が低減された結晶を実現する。 - 特許庁

The liquid crystal is driven by a transverse electric field, so as not induce disclination of the liquid crystal by the line of electric force to be generated on the metal spacer interface.例文帳に追加

金属スペーサー界面にできる電気力線で液晶のディスクリネーションを誘起しないように横方向電界で液晶を駆動する。 - 特許庁

A single crystal rod is pulled according to a set speed at which the temperature gradient at the interface between a liquid and a solid of the single crystal rod becomes constant.例文帳に追加

単結晶棒は、単結晶棒の固体と液体の界面の温度勾配を一定するような速度設定に従い引上げられる。 - 特許庁

To increase the crystal growth speed of a group III nitride crystal and to grow the group III nitride crystal having a practical crystal size at a low cost by positively utilizing the fluctuation of the liquid surface (gas-liquid interface) of a mixed melt.例文帳に追加

混合融液の液面（気液界面）の変動を積極的に利用することで、III族窒化物結晶の結晶成長速度を高め、実用的な結晶サイズのIII族窒化物結晶を低コストで成長させる。 - 特許庁

To provide both a method for producing a semiconductor crystal by which the slip dislocation is scarcely caused and the semiconductor crystal having a convex solid-liquid interface can be grown and an apparatus for producing the semiconductor crystal.例文帳に追加

スリップ転移が発生しにくく、固液界面が凸状の半導体結晶を成長させることのできる半導体結晶の製造方法と製造装置を提供する。 - 特許庁

By the method, a gallium nitride single crystal comprising only a hexagonal crystal can be grown on the substrate 13, in which tetragonal gallium nitride is not mixed on the interface between the crystal and the substrate 13.例文帳に追加

これにより、基板１３との界面において正方晶の窒化ガリウムが混在されていない、六方晶のみの窒化ガリウム単結晶を基板１３上において生成することができる。 - 特許庁

The substrate on which the liquid crystal is printed is heated and the surface tension of the surface of an alignment layer and the liquid crystal is lowered to fit the interface therebetween and the liquid crystal layer is flattened.例文帳に追加

さらに、液晶を印刷した基板を加温して配向膜表面と液晶の表面張力を低下させ、両者の界面をなじませるとともに、液晶層を平坦化する。 - 特許庁

An angle of a liquid crystal display device 111 relative to the robot type interface device is next changed.例文帳に追加

そして、ロボット型インタフェース装置に対する液晶表示装置１１１の相対角度を変更する。 - 特許庁

Therefore, the non-polymerizable fluorine-substituted low molecular compound is forced to move to the interface between the liquid crystal and the polymer.例文帳に追加

よって、液晶と高分子との界面に非重合性フッ素置換低分子化合物がはきだされる。 - 特許庁

GRAPHICAL USER INTERFACE FOR SELECTING PULSE PARAMETER IN CRYSTAL LENS ULTRASONIC EMULSIFICATION SUCTION SURGERY SYSTEM例文帳に追加

水晶体超音波乳化吸引外科用システムにおけるパルスパラメータの選択のためのグラフィカルユーザーインタフェース - 特許庁

Where the maximum temperature difference in temperature distribution within the face of a growth interface when growing the crystal, is at most 2°C.例文帳に追加

結晶成長時の成長界面の面内温度分布における最大温度差が２℃以下とする。 - 特許庁

The first crystal region is grown from an interface with one impurity semiconductor layer, and the second crystal region is grown towards the interface with the other impurity semiconductor layer from a position separated from the interface with one impurity semiconductor layer.例文帳に追加

一方の不純物半導体層との界面から第１の結晶領域が成長しており、一方の不純物半導体層との界面から離れた位置から他方の不純物半導体層との界面に向かって第２の結晶領域が成長している。 - 特許庁

The manufacturing apparatus for the single crystal is provided with a heater 120 for heating a solid-liquid interface that heats at least the solid-liquid interface 14 between raw material melt 11 and the single crystal 13 in a crystal growth furnace 100, a heater 130 for heating the crystal that heats the single crystal 13 after solidification and a cooling device 150 that cools the backside of the heater 130 for heating the crystal.例文帳に追加

結晶成長炉１００内に、少なくとも原料融液１１と単結晶１３の固液界面１４を加熱する固液界面加熱用ヒータ１２０と、固化後の単結晶１３を加熱する結晶加熱用ヒータ１３０と、結晶加熱用ヒータ１３０の裏側領域を冷却する冷却装置１５０とが配設されている単結晶の製造装置。 - 特許庁

When materials constituting the interface between the heterogeneous materials can have a plurality of crystal structures or chemical compositions in the interface, a crystal phase stabilizing structure suppresses a change in a crystal phase by substituting atoms which are not contained in any of the materials constituting the interface for atoms of a fraction of a unit cell of a thickness-direction first layer of the heterogeneous-material interface.例文帳に追加

結晶相安定化構造は、異種材料界面において、界面を構成する材料が、複数の結晶構造あるいは化学的組成を持ちうる場合、該材料の界面の厚み方向の第一層目の単位胞において、その一部の原子を、前記界面を構成するいずれの材料にも含まれない原子によって置換することによって結晶相の変化を抑制する。 - 特許庁

Controlling the pulling speed of the single crystal makes the heat stress at the center of the single crystal above the solid-liquid interface 33 set at not higher than 50 MPa.例文帳に追加

単結晶の引上げ速度を制御することにより、固液界面３３上であって単結晶の中心部での熱応力を５０ＭＰａ以下とする。 - 特許庁

The alignment layers are provided at peripheral parts of the adhesion spacers other than the interface and at inner wall surfaces of the liquid crystal display substrates between which the liquid crystal is enclosed.例文帳に追加

前記配向膜は、前記界面を除く接着スペーサ周囲の部分、及び前記液晶を封入する液晶表示基板の内壁面に設けられる。 - 特許庁

Liquid crystal molecules (50a) on the interface of the liquid crystal layer for the TFT array substrate are given a pretilt angle corresponding to the prescribed angle of the inclined surfaces.例文帳に追加

液晶層のＴＦＴアレイ基板との界面における液晶分子（５０ａ）は、傾斜面によって所定角度に対応するプレチルトが付与されている。 - 特許庁

The compound semiconductor crystal may also be cut by irradiating the laser in a direction parallel to an interface between the compound semiconductor crystal and the base substrate.例文帳に追加

化合物半導体結晶と下地基板との界面に平行な方向にレーザを照射することで化合物半導体結晶を切断加工してもよい。 - 特許庁