「crystallizing point」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In a PVT curve forming part 22, the melting point of a resin and an exothermic reaction completing temperature are inputted from a data base part 21 and the upper and lower limit temperatures of the crystallizing transition region are determined.例文帳に追加

ＰＶＴ曲線作成部２２は、樹脂の融点と発熱反応終了温度をデータベース部２１から入力し、結晶化遷移域の上限温度と下限温度を決定する。 - 特許庁

To provide a material excellent in creep-resistant property by crystallizing assistant having a high fusing point on grain boundary efficiently, with only an ordinary sintering process dispensing with specific heat treatment.例文帳に追加

特別な熱処理を必要としない通常の焼結法だけで、効率よく粒界に高融点の助剤を結晶化させることにより、耐クリープ特性に優れた材料を提供する。 - 特許庁

This is a conductive composition that contains as a solid component copper powder and glass powder, and the glass powder is a crystallized glass and the difference of its softening point and the crystallizing start temperature is 100°C or more.例文帳に追加

固形成分として銅粉末とガラス粉末を含む導電性組成物で、ガラス粉末が結晶化ガラスであり、その軟化点と結晶化開始温度との差が１００℃以上である。 - 特許庁

A fine porous membrane, consisting of a crystalline thermoplastic resin having a crystallizing melting point of 175-300°C or an amorphous thermoplastic resin having a glass transition point of 175-300°C which are having an average hole size of 0.01-5μm, a thickness of 10-50μm and a porosity of 20-95%, is employed for a separator.例文帳に追加

結晶融点が１７５〜３００℃の結晶性熱可塑樹脂、又はガラス転移点が１７５〜３００℃の非晶性熱可塑樹脂からなる、平均孔径０．０１〜５μｍ、膜厚１０〜５０μｍ、気孔率２０〜９５％の微多孔膜をセパレーターとして用いる。 - 特許庁

During or after the formation of the piezoelectric film 8, the deformation of the glass diaphragm 6 is prevented during heat treatment by crystallizing the piezoelectric film 8 at a crystallization temperature not higher than the strain point of the glass diaphragm 6.例文帳に追加

圧電膜８の成膜中または成膜後に、ガラス振動板６の歪み点より低い結晶化温度で圧電膜８を結晶化させることで、加熱処理中のガラス振動板６の変形を防ぐ。 - 特許庁

The method for producing the moded article comprises melting the polylactic acid-based polymer composition, filling the polymer composition into a mold of a molding machine in which the molding temperature is set to a range not higher than the melting point and not lower than the glass transition temperature both in DSC and molding the polymer composition while crystallizing the polymer.例文帳に追加

ポリ乳酸系ポリマー組成物を溶融し、ＤＳＣにおける融点以下ガラス転移温度以上の範囲に温度設定された成形機の金型に充填し、結晶化させながら成形する。 - 特許庁

The biologically active glass beads are obtained by crystallizing such glass beads as to contain Ca and be <120°C in the difference between the glass transition point (Tg) determined by DTA and the temperature (Tx1) at which the 1st crystal begins to deposit.例文帳に追加

Ｃａを含有し、ＤＴＡにおけるガラス転移点（Ｔｇ）と第１番目の結晶の析出し始める温度（Ｔｘ_1）の差が１２０℃以内である性質を有するガラスビーズを結晶化させてなることを特徴とする。 - 特許庁

The method comprises (1) contacting a solid polyamide with water or steam at a temperature near the crystallizing point T_c for sufficient term to increase (i) and/or (ii) and (2) then separating the water or steam from the polyamide to dry the polyamide.例文帳に追加

(１)上記の(i)および／または(ii)を増加させるのに十分な時間の間、固体状態のポリアミドを結晶化温度T_cに近い温度で水または蒸気と接触させ、(２)次いで、ポリアミドから水または蒸気を分離し、ポリアミドを乾燥させる。 - 特許庁

In the present crystallizing method, an amorphous preparatory film is formed on the entire surface of a substrate and after a high melting point metal is evaporated and deposited on a part except for the part at which a thin film transistor element is formed, crystallization is performed by the irradiation of laser.例文帳に追加

本発明による結晶化方法は、基板全面に非晶質先行膜を形成して、薄膜トランジスタ素子が形成られる部分を除いた部分に高融点金属を蒸着した後、レーザーを照射して結晶化を行なう。 - 特許庁

The shape memory resin has plural functional groups for cross linking and has a three-dimensional structure wherein crystalline resins having ≥500 and ≤3,000 number-average molecular weight are cross-linked, and has ≥60°C crystal-melting point (Tm) and ≤45°C crystallizing temperature (Tc).例文帳に追加

架橋部位となる官能基を複数有し、数平均分子量が５００以上３０００以下の結晶性樹脂を架橋した三次元構造を有する形状記憶樹脂であって、結晶溶融温度(Ｔｍ)が６０℃以上かつ結晶化温度(Ｔｃ)が４５℃以下である - 特許庁

The method comprises using a temperature measuring device for measuring a temperature at the machining position of the metal glass alloy 12, and machining the metal glass alloy 12 at a temperature of crystallizing point or lower while supplying cooling medium L to the machining position A where the metal glass alloy 12 and the tool 22 contact each other to achieve an optimum temperature.例文帳に追加

金属ガラス合金１２の加工位置の温度を温度測定装置で測定し、最適温度になるように、金属ガラス合金１２と工具２２とが接触する加工位置Ａに冷却媒Ｌを供給しつつ、金属ガラス合金１２を結晶化温度以下の温度で機械加工する。 - 特許庁

The die 2 is heated at an appropriate temperature higher than a glass transition point of the non-crystalline alloy film but lower than a crystallizing temperature, and under the temperature condition, a die transcription surface (convex surface) 2a is formed under pressing by microwave pressing means, whereby a pattern 20 comprising many fine conical concaves 2b is formed.例文帳に追加

この金型２を、非晶質合金膜のガラス転移点を超え、結晶化温度未満の範囲内の適宜温度に加熱保温し、この状態でマイクロ圧子により金型転写面（凸面）２ａを押圧加工して、多数の微細な円錐状くぼみ２ｂからなるパターン２０を形成した。 - 特許庁

The method for producing a single crystal comprises the steps of preparing a pretreated product by melting a crystal raw material, and preparing ingot by melting and crystallizing the pretreated product, producing a crystal by heat-treating the ingot at a temperature of the melting point or lower, and after that, inspecting fluctuation of crystal axes of the crystal and screening the crystal.例文帳に追加

結晶の原料を融解して前処理品を作製し、前処理品を融解及び結晶化してインゴットを作製する工程、インゴットを融点以下で熱処理して結晶を生成する工程の後に結晶の結晶軸のばらつきを検査し、結晶の選別を行う。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an insulation layer 20 having first trenches 22a each serving as a starting point for crystallizing a semiconductor layer 26 into a single crystal and second trenches 22b each serving as a reference for alignment having a larger width than that of the first trench 22a, and a semiconductor layer 26 provided above the insulation layer 20.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体層２６を単結晶化する際の起点となる第１溝部２２ａと、アライメントの際の照準となり、該第１溝部２２ａと比して大きい幅を有する第２溝部２２ｂとが設けられた絶縁層２０と、 前記絶縁層２０の上方に設けられた半導体層２６と、を含む。 - 特許庁

A water-miscible organic solvent, especially an organic solvent having ≥60°C boiling point is used as the organic crystallizing agent and a polyhydric alcohol or its ether derivative, a nonionic surfactant or an anionic surfactant, a nonionic water-soluble polymer or an anionic water-soluble polymer can be used as the preferred one.例文帳に追加

有機晶出剤としては、水混和性有機溶媒、特に沸点が６０℃以上の有機溶媒が使用され、好適なものとして、多価アルコール乃至そのエーテル誘導体、ノニオン系界面活性剤やアニオン系界面活性剤、ノニオン性水溶性高分子やアニオン性水溶性高分子も使用される。 - 特許庁

This method for producing the powder comprising polyester fiber aggregates is characterized by adding a specific hydroxy aromatic carboxylic acid compound to a solvent having a boiling point of ≥270°C, not or slightly dissolving the obtained polyester to give a dissolved compound or oligomer concentration of 10 to 25 g/100 ml converted into the polyester, and thermally polymerizing and crystallizing the produced polyester.例文帳に追加

特定のヒドロキシ芳香族カルボン酸化合物を、沸点が270℃以上で、得られるポリエステルが不溶性あるいは難溶性であり、且つ前記化合物と反応しない溶媒中に、該溶媒に溶解させる前記化合物もしくはそのオリゴマー濃度が得られるポリエステルに換算して10〜25（ｇ／100ml）となるように添加し、加熱重合結晶化させて、ポリエステル繊維凝集体よりなる粉体を得る。 - 特許庁