「dummy patterns」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus, a decouping capacitor formed of the field dummy areas, the gate insulating film dummy patterns 21a and the gate electrode dummy patterns 31a in the p- well 23 is connected to a main electronic circuit in parallel, by using the dummy pattern used in the CMP process.例文帳に追加

上記の構成により、ＣＭＰ工程において用いられるダミーパターンを利用することによって、ｐ^-ウェル２３内のフィールドダミー領域、ゲート絶縁膜ダミーパターン２１ａおよびゲート電極ダミーパターン３１ａからなるデカップルコンデンサが主たる電子回路に並列に接続されることとなる。 - 特許庁

A plurality of types of dummy patterns 96 and 98 having different sizes are designed in an vacant region not occupied by the function patterns.例文帳に追加

機能パターンによって占有されない空き領域の中に、大きさの異なる複数種類のダミーパターン９６，９８を設計する。 - 特許庁

Rewiring comprises body patterns 2 and dummy patterns 3 mutually and electrically isolated in a surface of a semiconductor substrate 1S.例文帳に追加

再配線が半導体基板１Ｓの面内において互いに電気的に分離された本体パターン２およびダミーパターン３を有している。 - 特許庁

Each of the simplified patterns 18 is provided with grooves 18a radial from the center of the dummy pad 16.例文帳に追加

簡易パターン１８には、ダミーダイパッド１６の中心に対して放射状の溝１８ａを設ける。 - 特許庁

The semiconductor device is made to have an actual pattern (1) and dummy patterns (6, 8, and 10) of different coordinates.例文帳に追加

実パターン（１）と、異なる座標系のダミーパターン（６、８、１０）とを有する半導体装置。 - 特許庁

First to third wiring layers include first to third dummy pattern groups which are arranged in a matrix and comprise rectangular dummy patterns respectively.例文帳に追加

第１〜第３の配線層において、マトリクス状に配置され、それぞれが矩形であるダミーパターンからなる第１〜第３のダミーパターン群を備える。 - 特許庁

In a method for designing the semiconductor integrated circuit by arraying standard cells Sc1, at the ends of gate patterns 5 constituting the standard cells Sc1, dummy patterns 3 are disposed in the direction perpendicular to the gate patterns 5, and reduction in the gate pattern possession density at the ends of the gate patterns 5 is compensated by disposing the dummy patterns 3.例文帳に追加

標準セルＳｃ１を配列して半導体集積回路を設計する方法において、標準セルＳｃ１を構成するゲートパターン５の端部に、該ゲートパターン５と垂直な方向にダミーパターン３を配置し、該ダミーパターン３の配置により、ゲートパターン５の端部での該ゲートパターンの占有密度の低下を補う。 - 特許庁

Antenna patterns 20a, 20b and dummy patterns 21a, 21b are bonded onto a resin sheet 30 by a prepreg 32, and micro holes 31 penetrating from the front surface of the resin sheet 30 to the back surface of the resin sheet 30 are provided in a region of the resin sheet 30 where the antenna patterns 20a, 20b and dummy patterns 21a, 21b are bonded.例文帳に追加

樹脂シート３０上にプリプレグ３２によってアンテナパターン２０ａ，２０ｂ及びダミーパターン２１ａ，２１ｂが接着され、樹脂シート３０には、アンテナパターン２０ａ，２０ｂ及びダミーパターン２１ａ，２１ｂが接着された領域に、表裏貫通した微細穴３１が設けられている。 - 特許庁

In a semiconductor device having a multilayer wiring structure, dummy patterns (21) are formed in a narrow wiring airspace (AREA_S1), each differing in orientation from orientation of dummy patterns (22, 23) each formed in a wide wiring airspace (Area_S2).例文帳に追加

多層配線構造の半導体装置において、狭い配線空隙（Ａｒｅａ＿Ｓ１）に、広い配線空隙（Ａｒｅａ＿Ｓ２）に形成されたダミーパタン（２２，２３）と異なる向きのダミーパタン（２１）が形成されている。 - 特許庁

In a process adopting the shallow trench isolation, small dummy patterns 2 are formed inside a p-well 3 and an n-well 4, and large dummy pattern patterns 1 are formed outside the p-well 3 and the n-well 4.例文帳に追加

シャロートレンチアイソレーションを採用するプロセスで、Ｐウェル３とＮウェル４の内側にはダミーパターン小２を形成し、Ｐウェル３とＮウェル４の外側には大きなダミーパターン大１を形成する。 - 特許庁

Furthermore, by occupying relatively wide regions of the dummy area FA with the first dummy patterns DP_1, increase in the data volume for the mask can be restrained.例文帳に追加

さらに、ダミー領域ＦＡのうち相対的に広い領域を上記第１ダミーパターンＤＰ_１で占めることで、マスクのデータ量の増加を抑えることができる。 - 特許庁

Since the dummy holes 31 and the dummy patterns 21a are made of a non-magnetic substance or a low permeability member, a leakage flux is suppressed, and DC overlapping characteristics are improved.例文帳に追加

ダミーホール３１およびダミーパターン２１ａは非磁性体又は低透磁率部材であるため、漏れ磁束を抑えられ、直流重畳特性が改善される。 - 特許庁

In order to make the shrinking amount of the other patterns matched to that of the most densely arranged patterns on pattern layout, slit-like dummy patterns are arranged in advance around through-holes to be formed.例文帳に追加

パターンレイアウト上一番密なパターンのシユリンク量に他パターンのシュリンク量を整合させるために、あらかじめ形成されるスルーホールの周辺にスリット状のダミーパターンを配置させる。 - 特許庁

Moreover, the interval between the dummy patterns 12 is set to the minimum value allowed in the manufacture of the element.例文帳に追加

また、ダミーパターン１２同士における間隔は、素子の製造上許される最小値に設定されている。 - 特許庁

At least a portion 5b of the dummy patterns constitutes a trap for catching rubbing powder of the alignment layer.例文帳に追加

そして、ダミーパターンの少なくとも一部５ｂは、配向膜の切削粉を捉えるトラップを構成している。 - 特許庁

Corrosion-proof close-contact type dummy patterns 511 to 531 for assuring close contact of the embedded layer dummy patterns 611 to 631 to the total range to the interlayer insulation film 43 of the upper most layer from the semiconductor substrate 2 in the connection hole dummy patterns 4101 to 4301 are formed in the interlayer insulation film isolating band 12 as the barrier with respect to moisture.例文帳に追加

層間絶縁膜分離帯１２に、半導体基板２から最上層の層間絶縁膜４３に到る全範囲に、埋め込み層ダミーパターン６１１〜６３１を接続孔ダミーパターン４１０１〜４３０１内に密着せしめる耐蝕性の密着層ダミーパターン５１１〜５３１を形成し、水分に対するバリアとする。 - 特許庁

A pattern arranging device 50 arranges a dummy pattern in a layout region where a plurality of wiring patterns are arranged.例文帳に追加

パターン配置装置５０は、複数の配線パターンが配置されたレイアウト領域にダミーパターンを配置する。 - 特許庁

This is a design method for a dummy pattern, which is inserted in wiring patterns 11-13, and 15-17 on a reticule.例文帳に追加

本発明は、レチクル上の配線パターン11〜13,15〜17に挿入するダミーパターンを設計する方法である。 - 特許庁

In the case with multilayer wiring, dummy patterns on the scribe lines in different wiring layers are connected together with a via.例文帳に追加

多層配線を有する場合は異なる配線層のスクライブ線上のダミーパターンをビアで結合する。 - 特許庁

The array blocks of the dummy patterns are formed in the present rectangular blocks in accordance with the determined array size.例文帳に追加

決定されたアレイサイズに基づいて、現在の矩形ブロック中にダミーパターンのアレイブロックを生成する。 - 特許庁

The wiring system first dummy pattern 2a of a first wiring layer, the wiring system second dummy pattern 4a of a second wiring layer, and the dummy pattern 5 of the contact hole which connects the first and the second dummy patterns, are arranged, so that working irregularity on a manufacturing process is reduced.例文帳に追加

また、第１配線層の配線系第１ダミーパターン２ａと、第２配線層の配線系第２ダミーパターン４ａと、第１及び第２ダミーパターンを接続するコンタクトホールのダミーパターン５を配置し、製造プロセス上での加工ばらつきを低減する。 - 特許庁

The dummy patterns 13 are insulated from the first and second translucent electrode patterns 11, 12 so as to be in a floating state.例文帳に追加

かかるダミーパターン１３は、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２と絶縁されており、フロート状態にある。 - 特許庁

A unit cell includes: active regions 14, 18, 24, and 28; gate patterns 32, 34, 36, and 38; dummy patterns 42, 44, 46, and 48, and an electric conductive pattern 94.例文帳に追加

単位セルは、活性領域１４、１８、２４、２８、ゲートパターン３２、３４、３６、３８、ダミーパターン４２、４４、４６、４８、及び導電パターン９４を有する。 - 特許庁

The mask includes one or a plurality of main patterns 11 and one or a plurality of dummy patterns 12 on the surface of a transparent substrate 10 that is transparent to light from a light source.例文帳に追加

光源の光に対して透明な透明基材１０の表面に、１または複数のメインパターン１１と、１または複数のダミーパターン１２とを備える。 - 特許庁

The photomask has a pattern-concentrated region 21 where F-shape patterns 1 are densely arranged, and a pattern scattered region 22 where small square dummy patterns 2 are scattered.例文帳に追加

「Ｆ」の字型のパターン１が密集するパターン密集領域２１と、小さな矩形状のダミーパターン２が点在するパターン点在領域２２とが存在している。 - 特許庁

The body patterns 2 electrically connected to multilayer wiring and the floated dummy patterns 3 are mixed and formed in the surface of the semiconductor substrate 1S.例文帳に追加

多層配線と電気的に接続された本体パターン２と、フローティングされたダミーパターン３とが、半導体基板１Ｓの面内で混在して設けられている。 - 特許庁

The square dummy patterns disposed in a knight jump manner automatically generable at high uniformity in a chip, and the rectangular dummy patterns in lattice arrangement which have high chipping resistance is formed in a scribe line area.例文帳に追加

チップ内部では、自動発生時に高い均一性で発生することができる正方形の桂馬とび配置のダミーパターンを、スクライブ線上には高い対チッピング耐性をもった格子状配置の矩形ダミーパターンを形成する。 - 特許庁

A die is virtually divided into a plurality of minute zones 21, and a necessary amount of dummy metals is simply and quickly inserted so as to put together dummy metal patterns 24 after inserting the dummy metal patterns 24 into at least a part of the minute zones 21 where a layout pattern 20 is not arranged.例文帳に追加

ダイを仮想的に複数の微小領域２１に分割し、レイアウトパターン２０が配置されていない微小領域２１の少なくとも一部にダミーメタルパターン２４を挿入した後に、これらダミーメタルパターン２４を接合するため、必要な量のダミーメタルを簡易かつ迅速に挿入できる。 - 特許庁

A first method is a step of arranging the dummy patterns of different shapes to be adjacent to each other in the separated areas.例文帳に追加

第１の方法は、形状の異なるダミーパターンを上記分離領域に互いに隣接するように配置する。 - 特許庁

To design a semiconductor device by taking into consideration capacity fluctuation between wiring patterns due to the insertion of a dummy pattern.例文帳に追加

ダミーパターンの挿入による、配線パターン間の容量変動を考慮した半導体装置の設計をする。 - 特許庁

A dummy pattern is formed on the outside of device patterns formed in an exposure region in the surface of a photomask.例文帳に追加

フォトマスクの面内における露光領域内に形成されたデバイスパターンの外側にダミーパターンを形成する。 - 特許庁

The dummy patterns 2 are arranged in such a manner that at least one dummy pattern is present in the objective range of scanning by a mask pattern defect detecting device.例文帳に追加

ダミーパターン２は、パターン点在領域２２内では、マスクパターン欠陥検査装置の走査対象範囲内に少なくとも１個が存在するようにして配置されている。 - 特許庁

The method for designing a mask includes steps of: defining a chip region; reducing the chip region to form a parent dummy pattern; forming a mesh dummy pattern; and forming offspring dummy patterns 150, 230 by removing portions of the parent dummy pattern and the mesh dummy pattern where they overlap each other.例文帳に追加

マスクの設計方法は、チップ領域を定義するステップと、前記チップ領域を縮小して母ダミーパターンを形成するステップと、メッシュ（Ｍｅｓｈ）ダミーパターンを形成するステップと、前記母ダミーパターンと前記マッシュダミーパターンとの重なる部分を除去して子ダミーパターン１５０，２３０を形成するステップと、を含む。 - 特許庁

The semiconductor device 1 comprises one-layer dummy patterns 20c, 20d and two-layer dummy patterns 40c, 40d on regions 13a, 13c and hence the regions 13a, 13c can be made equivalent to the condition of the regions 13b.例文帳に追加

半導体装置１は、領域１３ａ、１３ｃに、１層ダミーパターン２０ｃ、２０ｄおよび２層ダミーパターン４０ｃ、４０ｄが設けられているので、領域１３ａ、１３ｃを、領域１３ｂの状態と同等にすることができる。 - 特許庁

Furthermore, a third interlayer insulation film 16 extended from the integrated circuit region 31 covers the three dummy insulation film patterns 21, and three dummy insulation film patterns 22 are formed at a fixed interval also in the third interlayer insulation film 16.例文帳に追加

さらに、集積回路領域３１から延びた第３層間絶縁膜１６が３つのダミー絶縁膜パターン２１を覆っており、第３層間絶縁膜１６にも、３つのダミー絶縁膜パターン２２が一定間隔で形成されている。 - 特許庁

Also, a second interlayer insulating film 14 extended from the integrated circuit region 31 covers the three dummy insulation film patterns 20, and three dummy insulation film patterns 21 are formed at a fixed interval also in the second interlayer insulation film 14.例文帳に追加

また、集積回路領域３１から延びた第２層間絶縁膜１４が３つのダミー絶縁膜パターン２０を覆っており、第２層間絶縁膜１４にも、３つのダミー絶縁膜パターン２１が一定間隔で形成されている。 - 特許庁

In this semiconductor device, portions of each layer to be originally nondense are provided with dummy patterns 4c, 4d, 14c, 14d, 24, and these dummy patterns are electrically connected to the reference wiring that is either of a power supply wiring 25 and a ground wiring 26.例文帳に追加

半導体装置は、各層の本来疎になる部分にはダミーパターン４ｃ，４ｄ，１４ｃ，１４ｄ，２４を備えており、これらのダミーパターンは、電源配線２５およびグランド配線２６のいずれか一方である基準配線と電気的に接続されている。 - 特許庁

A stamper has three-dimensional patterns in a dummy region, and the three-dimensional patterns have a repeatable run out of 1 nm or less between the fifteenth order and 40th order, when the rotational frequency is the first order is set as the reference.例文帳に追加

ダミー領域の凹凸パターンは、そのリピータブルランアウトが回転周波数を基準の１次とした場合に１５次から４０次の間で１ｎｍ以下であるスタンパ。 - 特許庁

To provide a pachinko game machine where amusement of a game is improved by making special patterns meaningful for diversifying a performance content in the pachinko game machine provided with dummy patterns.例文帳に追加

ダミー図柄を設けたパチンコ遊技機において、特別図柄を意味あるものとして演出内容の多様化を図り、遊技の興趣を高められるパチンコ遊技機を提供する。 - 特許庁

The dummy patterns 42, 44, 46, and 48 in a selected unit cell are located diagonally among the gate patterns 32, 34, 36, and 38 in the selected unit cell.例文帳に追加

選択された単位セル内のダミーパターン４２、４４、４６、４８は、選択された単位セル内のゲートパターン３２、３４、３６、３８との間に対角的に配置される。 - 特許庁

An occupying ratio of the body patterns 2 and dummy patterns 3 mixed and formed in the surface of the semiconductor substrate 1S, the occupying ratio of rewiring ranges from 35% to 60%.例文帳に追加

半導体基板１Ｓの面内における本体パターン２およびダミーパターン３を合わせた占有率、すなわち再配線の占有率が３５％以上６０％以下である。 - 特許庁

A width W_2 of each of the first dummy patterns 142 is smaller than a width W_1 of any of the circuit patterns 140, and is equal to a minimum design rule width, for example.例文帳に追加

そして、第１のダミーパターン１４２の幅Ｗ_2はいずれの回路パターン１４０の幅Ｗ_1より狭く、例えば最小デザインルールで規定されている幅である。 - 特許庁

Two kinds of large and small dummy patterns 11 serving as a dummy active region is provided in an isolation region 10 wherein a large dummy pattern 11b is located at a position remote from a main pattern 9 and a small dummy pattern 11a is arranged regularly in a gap on the periphery of the main pattern 9.例文帳に追加

分離領域１０内に、ダミーのアクティブ領域となる大小２種のダミーパターン１１を設け、本番パターン９から遠方位置に大きなダミーパターン１１ｂを配置し、本番パターン９周辺にできた隙間に小さなダミーパターン１１ａを規則的に配列して配置する。 - 特許庁

A plurality of third active dummy patterns 11 are arranged in a predetermined direction at a third pitch in the isolated region 10.例文帳に追加

複数の第三アクティブダミーパターン１１は分離領域１０内に所定の方向に第三のピッチで配置されている。 - 特許庁

The dummy diffusion patterns with different granularities can be added so that diffusion density is substantially uniform over the chip.例文帳に追加

異なる粒度を有するダミー拡散パターンが、拡散密度がチップ上で実質的に均一になるように付与され得る。 - 特許庁