「etching condition」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The etching is first executed under a condition of a large etching rate and then under a condition of a small etching rate.例文帳に追加

このエッチングは、最初にエッチングレートの大きな条件で実行し、次に、選択比は大きいがエッチングレートの小さな条件で実行する。 - 特許庁

The silicon nitride film 3 and the oxide film 2 are subjected to open-etching and over-etching under the same etching condition, and the over-etching step is carried out under a condition with a high selective ratio to silicon.例文帳に追加

シリコンチッカ膜３、酸化膜２は同一エッチング条件にて開口エッチングとオーバーエッチングを行い、オーバーエッチングは、対シリコンと高選択比となるエッチング条件で行う。 - 特許庁

THREE-DIMENSIONAL SHAPE MEASURING DEVICE, ETCHING CONDITION DETERMINATION METHOD, AND ETCHING PROCESS MONITORING METHOD例文帳に追加

立体形状測定装置、エッチング条件出し方法およびエッチングプロセス監視方法 - 特許庁

In the second etching, etching is carried out under the condition where isotropic etching characteristics are strong, and the etching of the tungsten plug is not carried out so that tungsten residues can be completely removed.例文帳に追加

第２の過エッチングでは等方性エッチング特性が強い条件でエッチングし、タングステンプラグはエッチングされず、タングステン残留物を完全に除去する。 - 特許庁

An etching completion time or an etching rate is measured in the dry etching treatment to age the etching device 1 in a condition modified in response to the value.例文帳に追加

そのドライエッチング処理におけるエッチング終点時間またはエッチレートを測定し、その値に応じて変更された条件でエッチング装置１のエージングを行う。 - 特許庁

Next, the remaining part 22 of the cap film 20 and the low dielectric film 10 are etched at the same time under second etching condition different from the first etching condition (second etching step).例文帳に追加

次に、第１のエッチング条件とは異なる第２のエッチング条件で、キャップ膜２０の残部２２と低誘電率膜１０とを一括してエッチングする（第２のエッチング工程）。 - 特許庁

In the first step of an etching process, a rough control step is carried out on the condition that an etching rate becomes comparatively high.例文帳に追加

エッチング過程の当初は、比較的エッチングレートが高くなる条件で粗調整ステップが実行される。 - 特許庁

At etching a material using a two step etching method, a first etching step is terminated before a ground layer is exposed and a system moves to a second etching step, with the condition that etching speed be slower than the first etching step.例文帳に追加

二段階エッチング法を用いて被エッチング材のエッチングを行う際に、第１エッチング段階を下地層が露出する前に終了し、エッチング速度が前記第１エッチング段階より遅い条件で第２エッチング段階に移行する。 - 特許庁

The side wall of the laminate LB is etched on an etching condition where an etching speed of polycrystal silicon is higher than an etching speed of amorphous silicon.例文帳に追加

多結晶シリコンのエッチング速度がアモルファスシリコンのエッチング速度よりも速いエッチング条件で積層体ＬＢの側壁がエッチングされる。 - 特許庁

To provide an etching apparatus capable of easily controlling an etching shape without changing a process condition or a mask condition; and a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

プロセス条件やマスク条件を変えることなく、容易にエッチング形状を制御することができるエッチング装置及び半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide an etching method where an etching liquid is uniformly efficiently sprayed on a flexible board so as to perform etching without leaving a fatigued etching liquid, and the etching condition in the central part and the peripheral part in a tape is made uniform.例文帳に追加

フレキシブル基板に均一に効率よくエッチング液を噴射し、疲労したエッチング液を残留させることなくエッチングをし、テープ中央部と周辺部でのエッチング状態を均一にすることを可能とする。 - 特許庁

To provide an etching device easy in process control and controllable under a fixed condition about etching performance with a small amount of a chemical, and an etching solution management method.例文帳に追加

プロセス管理が容易で、少量の薬液でエッチング性能を一定条件下に制御可能なエッチング装置及びエッチング液管理方法を提供する。 - 特許庁

Etching processing is performed inside the opening 61a under an etching condition that an etching rate of the first insulating film becomes higher than those of the second insulating film and the silicon nitride film.例文帳に追加

第１の絶縁膜のエッチングレートが第２の絶縁膜及びシリコン窒化膜より高くなるエッチング条件で開口部６１ａ内にエッチング処理を施す。 - 特許庁

For example, the etching may be carried out by a reactive ion etching method whose temperature condition is made about 200°C and which uses chlorine gas.例文帳に追加

例えば、温度条件を２００℃程度とし、塩素ガスを用いた反応性イオンエッチング法によりエッチングすればよい。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an oxide thin film transistor element, wherein an etching process condition is optimized by using specific etching gas through a helicon plasma dry etching process and etching selectivity is improved.例文帳に追加

特定エッチングガスを使用してヘリコンプラズマ乾式エッチング工程を通じてエッチング工程条件を最適化し、エッチング選択性を向上させた酸化物薄膜トランジスタ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

First, a resist 30 is used as a mask, and the cap film 20 is etched to partway under first etching condition (first etching step).例文帳に追加

まず、レジスト３０をマスクとして、第１のエッチング条件でキャップ膜２０を途中までエッチングする（第１のエッチング工程）。 - 特許庁

To optimize the polished state of a crystal blank whose oscillation frequency is not deteriorated and an etching condition by a wet etching method.例文帳に追加

湿式エッチング法により発振周波数の劣化しない水晶ブランクの研磨状態とエッチング条件の最適化を図る。 - 特許庁

A backside gas pressure is set smaller than that in a main etching condition for a given period of time from the start of etching.例文帳に追加

またエッチング開始からある一定時間の裏面ガス圧力をメインエッチング条件の裏面ガス圧力よりも小さく設定する。 - 特許庁

To provide an etching apparatus which performs high-quality etching treatment by removing a bad condition where a temperature during treatment cannot be controlled.例文帳に追加

処理時の温度が制御できなくなる不具合をなくし、高品質なエッチング処理が可能となるエッチング装置を提供する。 - 特許庁

A trench TR2 is formed under the determined etching condition using the patterned nitride film 22 as an etching mask (S4).例文帳に追加

そして決定されたエッチング条件を用いて、パターニングされた窒化膜２２をエッチングマスクとしてトレンチＴＲ２を形成する（Ｓ４）。 - 特許庁

Straight chain fluorocarbon gas is used as etching gas, and the etching of the reflection preventing film 32 and the interlayer insulating film 31 is effected collectively and continuously under the same etching condition.例文帳に追加

エッチングガスとして、直鎖フロロカーボンガスを用い、同じエッチング条件で連続して反射防止膜３２と層間絶縁膜３１とを一括してエッチングするようにした。 - 特許庁

To provide a method for extending the life of an etching solution so that the etching solution is not deteriorated and can etch an article in a nearly fresh condition, by incessantly regenerating trivalent cerium contained in the etching solution which continues etching, into tetravalent cerium during etching.例文帳に追加

エッチング中のエッチング液に含まれる３価のセリウムを、エッチング中に絶えず４価のセリウムに再生し、新しいエッチング液に近い状態でエッチングが行われ、液劣化が起きないように上記のエッチング液を長寿命化する方法の提供。 - 特許庁

The static eliminating process after an etching process for RIE is performed under the following condition.例文帳に追加

ＲＩＥのエッチング工程後に行われる除電処理を次に示す条件で行う。 - 特許庁

A second etching process of a semiconductor layer is performed on the condition that an inverted mesa is formed.例文帳に追加

半導体層の第２のエッチング工程は逆メサを形成する条件で行う。 - 特許庁

To provide a method for inspecting the etching that facilitates obtaining the size of a reverse taper in the etching by a reverse-taper condition.例文帳に追加

本発明は、逆テーパ条件によるエッチングにおいて逆テーパの大きさを容易に求めることができるエッチング検査方法の提供。 - 特許庁

To provide an etching agent for smoothening the surface of copper under a mild condition, and to provide an etching method for smoothening the surface.例文帳に追加

穏和な条件で銅表面を平滑にするためのエッチング剤及び前記表面を平滑にするエッチング法を提供すること。 - 特許庁

Backside gas pressure from the start of etching for the given length of a time is set shorter than the backside gas pressure of a main etching condition.例文帳に追加

また エッチング開始からある一定時間の裏面ガス圧力をメインエッチング条件の裏面ガス圧力よりも小さく設定する。 - 特許庁

To provide an etching agent enabling an amorphous ITO film to be etched under a mild condition without causing etching residue at all.例文帳に追加

非晶質ＩＴＯ膜を、温和な条件下で、エッチング残渣を全く発生せずにエッチングが行えるエッチング剤を提供することにある。 - 特許庁

At this time, an etching condition for preventing the lower layer wiring 13 from being exposed is set for forming a recess 14a in the etching stop layer 14.例文帳に追加

このとき、下層配線１３が露出しないようにエッチング条件を設定してエッチング停止層１４に凹部１４ａを形成する。 - 特許庁

At evenly scraping the surface of a silicon substrate comprising a horizontal surface and a slope an anisotropic dry-etching method, the etching condition of a reactive ion etching cycle comprising deposition and etching is set to a following condition: E1<D1, D2<E2, and D3<E3.例文帳に追加

水平面及び傾斜面を有するシリコン基板の表面を異方性ドライエッチング法により一様に削り取るに際し、デポジションとエッチングとからなる反応性イオンエッチングのサイクルのエッチング条件を下記で示される条件に設定することを特徴とするシリコンウエハ構造体の製造方法。 - 特許庁

To provide an etching agent capable of etching a transparent electrically conductive thin film under a mild condition without producing any etching residual dross at all by using an oxalic acid solution.例文帳に追加

透明導電薄膜をシュウ酸溶液を用いたエッチングの際に、エッチング残渣を全く発生せず、且つ、温和な条件下で、エッチングが行えるエッチング剤を提供することにある。 - 特許庁

A buffer layer 4 of two kinds or more of materials which are different in an etching speed in a prescribed etching condition is formed on the emitter layer 3.例文帳に追加

エミッタ層３上に所定のエッチング条件におけるエッチング速度が異なる２種類以上の物質の緩衝層４を形成する。 - 特許庁

To provide a stencil mask, along with stencil mask blanks, capable of easily determining an etching condition.例文帳に追加

エッチング条件を容易に決めることができるステンシルマスク及びステンシルマスクブランクスを提供する。 - 特許庁

By using the etching mask formed in this way, dry etching is performed in a condition wherein the reflecting mirror part is formed vertically and smoothly as shown in figure (D).例文帳に追加

このように形成したエッチングマスクを用いて、反射ミラー部が（Ｄ）に示すように、垂直かつ平滑に形成される条件でドライエッチングを行う。 - 特許庁

The method further comprises the steps of dry etching the film 3 and the film 4 under the condition in which the films 3 and 4 have substantially the same etching rate, and forming a straight gate opening 7.例文帳に追加

ＳｉＯ_2膜３とＨＳＱ膜４をそれらがほぼ同じエッチング・レートを持つ条件下でドライエッチングし、ストレート状のゲート開口部７を形成する。 - 特許庁

Then, on a second etching condition, the hole is formed in such a way that it removes the etching stopper film 4 which constitutes the bottom of the hole and it leads to the conductive layer 3.例文帳に追加

その後、第２のエッチング条件で、そのホールの底面を構成するエッチングストッパ膜４が除去され、導電層３に至るホールが形成される。 - 特許庁

The etching condition of a layer 23 as an object of etching is observed by a CCD camera 6 through a transparent mask layer 24 since the layer 23 is etched using the mask layer 24.例文帳に追加

透明なマスク層２４を使用して被エッチング層２３をエッチングしながら、その進行状況をマスク層２４越しにＣＣＤカメラで観察する。 - 特許庁

After the patterning of a nitride film 22, thickness of an SOI layer 3 is measured (S2) and the etching condition (etching time or the like) of the SOI layer 3 is determined (S3).例文帳に追加

窒化膜２２のパターニング後に、ＳＯＩ層３の厚さを測定し（Ｓ２）、その結果を用いて、ＳＯＩ層３のエッチング条件（エッチング時間等）を決定する（Ｓ３）。 - 特許庁

The second etching process can be performed continuously, by only changing the flow rate ratio between etching gases and the etching can be performed stably under the condition that the silicon surface is not damaged.例文帳に追加

第２のエッチング処理工程は、エッチング用のガスの流量比を変えるだけで連続して行なえ、安定した条件で、シリコン面にダメージを与えない条件でエッチング処理を行なえるようになる。 - 特許庁

To enable a distribution of a reaction product on a wafer outer peripheral portion and an incident ion distribution to a wafer outmost peripheral portion to be controlled with a high degree of accuracy, and to perform etching optimally with an etching rate depending on an etching condition.例文帳に追加

ウエハ外周部における反応生成物分布とウエハ最外周部への入射イオン分布を高精度に制御でき、エッチング条件に応じたエッチングレートで最適にエッチングを行う。 - 特許庁

In this etching, the silicon nitride film 86 is caused to work as an etching stopper in the etching treatment, as a kind or a condition that a selection ratio can be ensured in an interlayer insulating film for the silicon nitride film.例文帳に追加

このエッチングは、シリコン窒化膜に対する層間絶縁膜の選択比が確保されるような種類・条件として、当該エッチング処理においてシリコン窒化膜８６をエッチングストッパとして機能させる。 - 特許庁

After the cleaning etching gas is fed into the reactive tube 16, the cleaning method includes a first step for removing the film by etching under a first gas cleaning condition, and a second cleaning step for removing the film of the reactive tube 16 by etching under a second gas cleaning condition with an etching rate lower than that of the first step.例文帳に追加

本方法は、クリーニング用エッチングガスを反応管内に導入して、第１のガスクリーニング条件で被クリーニング膜をエッチング除去する第１のステップと、第１ステップでの被クリーニング膜のエッチングレートよりエッチングレートが低くなるガスクリーニング条件で、反応管の被クリーニング膜をエッチング除去する第２のステップとを有する。 - 特許庁

In the wiring etching method, including a step of etching a wiring film formed on a semiconductor substrate by plasma etching, etching is carried out under CW conditions (condition for causing continuous plasma discharge), until a prescribed film thickness prior to etching of the wiring film extending throughout the entire film thickness, and subsequently etching is carried out under TM conditions (condition for causing intermittent plasma discharge).例文帳に追加

半導体基板上に形成された配線膜をプラズマエッチング法によりエッチングする工程を含む配線エッチング方法において、前記配線膜が全膜厚にわたってエッチングされるよりも前の所定の膜厚まではＣＷ条件（プラズマ放電を連続的に放電させる条件）でのエッチングを行い、それ以降はＴＭ条件（プラズマ放電を断続的に放電させる条件）でのエッチングを行う。 - 特許庁

In this condition, an etching solution 92 is fed to the wafer 28 from a nozzle 94 to etch the wafer 28.例文帳に追加

この状態でウェーハ２８にノズル９４からエッチング液９２を供給し、ウェーハ２８をエッチングする。 - 特許庁

To provide an exposure condition setting method capable of easily obtaining an etching pattern of predetermined shape.例文帳に追加

所望形状のエッチングパターンを容易に得ることができる露光条件設定方法を提供すること。 - 特許庁