「etching condition」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

At removing of the sidewall spacers 26a after forming a heavily-doped region 28 by the injection of impurity ions with high concentration, the etching time can be shortened, and the generation of the residual etching of the specific sidewall spacers 26a can be prevented by almost uniformly removing all the sidewall spacers 26a under a prescribed etching condition.例文帳に追加

このため、高濃度の不純物イオンの注入により高濃度不純物領域２８を形成した後、サイドウォール・スペーサ２６ａを除去する際に、そのエッチング時間を短縮することができると共に、所定のエッチング条件により全てのサイドウォール・スペーサ２６ａをほぼ均一に除去して、特定のサイドウォール・スペーサ２６ａのエッチング残りの発生を防止することができる。 - 特許庁

The method further comprises the steps of: processing the dummy film to a predetermined shape by anisotropic etching of a deposition condition; processing the film to be processed to a predetermined shape by the anisotropic etching; removing the dummy film on the film to be processed formed in the predetermined shape by the anisotropic etching; and forming an upper layer film on the film to be processed.例文帳に追加

さらに、前記ダミー膜を所望の形状にデポ条件の異方性エッチングにより加工する工程と、前記被加工膜を所望の形状に異方性エッチングにより加工する工程と、前記所望の形状に加工された被加工膜上の前記ダミー膜を異方性エッチングにより除去する工程と、前記被加工膜上に上層膜を形成する工程と、を備えている。 - 特許庁

Because an etching condition is optimized by performing RIE processing under the above condition, both the upper pole chip 11a and the magnetic pole part 100 can be formed with high accuracy, and the time needed to form both can be drastically shortened.例文帳に追加

上記のような条件下においてＲＩＥ加工を行うことにより、エッチング条件が最適化されるので、上部ポールチップ１１ａおよび磁極部分１００の双方を高精度に形成することができると共に、双方の形成に要する所要時間を大幅に短縮することができる。 - 特許庁

Since the condition of the etching treatment is optimized by performing the work by RIE under the above-mentioned condition both the upper pole chip 11a and the magnetic pole part 100 can be formed with high accuracy and the time required for forming them can be drastically reduced.例文帳に追加

上記のような条件下においてＲＩＥによる加工を行うことにより、エッチング条件が最適化されるので、上部ポールチップ１１ａおよび磁極部分１００の双方を高精度に形成することができると共に、双方の形成に要する所要時間を大幅に短縮することができる。 - 特許庁

The strength is increased in portion on which the impact of wire bonding directly affects, and the variation of the etching condition due to the enlargement of size of the dummy pattern can be controlled to a minimum.例文帳に追加

これにより、ワイヤボンディング時の衝撃が直接影響する部分の強度を高めつつ、ダミーパターンのサイズを大きくすることによるエッチング条件の変動を最小限に抑えることができる。 - 特許庁

To reduce the step in the boundary face between films by realizing dry etching under a given condition and to execute a good shape transfer by not forming sidewall protective films while keeping the selection ratio against a resist.例文帳に追加

一定条件でのドライエッチングを可能にして膜の境界面の段差を無くし、側壁保護膜を形成しないことによって対レジスト選択比を維持しながら良好な形状転写を可能にする。 - 特許庁

Then, under this condition, the whole surface of the second metal film 4 and the first metal film 2 except an area covered by the resist mask 3 are removed by using an acid system etching solution through a cell reaction.例文帳に追加

そして、この状態で酸系のエッチング液を用いて第２の金属膜４の全面およびレジストマスク３で覆われた領域以外の第１の金属膜２を電池反応により除去する。 - 特許庁

An etching is conducted under the condition that the materials of the silicon substrate 1 and gate electrode 7 are removed while the materials of STI separation film 2, side wall spacer 9, and cap film 8 are not removed.例文帳に追加

ＳＴＩ分離膜２の材質、サイドウォールスペーサ９の材質、及びキャップ膜８の材質は除去されず、シリコン基板１の材質及びゲート電極７の材質は除去される条件下で、エッチングを行う。 - 特許庁

A silicon substrate is cleaned in the condition that the etching quantity of the first silicon oxide 106 in a region 102 where the peripheral circuit is formed is made 0.01 to 0.2 nm in film thickness.例文帳に追加

周辺回路が形成される領域１０２の第１シリコン酸化膜１０６のエッチング量が、膜厚にして０．０１ｎｍ以上０．２ｎｍ以下となる条件により、シリコン基板を洗浄する。 - 特許庁

For the purpose of preventing the damage to an oxide film at a termination time position, the residual film thickness of polysilicon is monitored by using a light interference real time film thickness monitor, and just before the termination position, changeover to a high selective etching condition is performed.例文帳に追加

ポリシリコンの終点時に起こる酸化膜の損傷を防止するため、光干渉式リアルタイム膜厚モニタでポリシリコン残膜を検知し、終点直前に高選択エッチング条件に切り換える。 - 特許庁

A program, which continuously and variably controls the direct current voltage V_DC with time depending on type, content and condition of an etching process, is incorporated into software used in a control portion 80.例文帳に追加

制御部８０で使用するソフトウェアの中には、エッチングプロセスの種類・内容・条件に応じて直流電圧Ｖ_DCを時々刻々と連続的に可変制御するためのプログラムが組み込まれている。 - 特許庁

To provide a promising bottom resist layer material as a bottom resist film for a multi-layer resist process such as a silicon-containing two-layer resist process or a three-layer resist process with a silicon-containing intermediate layer for instance, by having the optimum n-value, and k-value in exposure of short wavelength and having excellent etching resistance in a substrate etching condition.例文帳に追加

短波長の露光において、最適なｎ値、ｋ値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性にも優れ、例えば、珪素含有２層レジストプロセス、あるいは珪素含有中間層による３層レジストプロセスといった多層レジストプロセス用レジスト下層膜として有望なレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

A method for evaluating a single crystal silicon wafer includes a first step S11 for dry etching a mirror-finished surface 10a of a single crystal silicon wafer 10 on a condition that the etching rate of Si is higher than that of SiO_2, and second steps S12 and S13 for measuring the number of pits existing on the dry etched surface.例文帳に追加

鏡面加工された単結晶シリコンウェーハ１０の表面１０ａに、ＳｉＯ_２よりもＳｉのエッチング速度が大きい条件でドライエッチングを施す第１の工程Ｓ１１と、ドライエッチングされた前記表面に存在するピットの個数を計測する第２の工程Ｓ１２，Ｓ１３とを備える。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor manufacturing and etching methods that can (1) form a sidewall on condition of very high selective etching and reduce as much film decrease in an SOI layer as possible in a thin film SOI device, (2) have a stable and high current drive capability, and (3) realize a high yield.例文帳に追加

薄膜ＳＯＩデバイスにおいて、▲１▼超高選択比エッチング条件にてサイドウォールを形成し、ＳＯＩ層の膜減の量を極力低減すること、▲２▼安定した高い電流駆動能力を持つこと、▲３▼高歩留まりを実現することの可能な電解効果トランジスタの製造方法及びエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a non-chelating type remover free from discoloration of a metallic material used as a substrate and capable of releasing a photoresist film or a film of etching resistant resin composition each remained on the surface of the substrate after etching and easy in elluent treatment after releasing under a wide range of releasing condition, accordingly, under a simple process management.例文帳に追加

広範囲の剥離条件下で、したがって簡便な工程管理の下に、基材として用いる金属材料に変色を生じることなく、エッチング後の基材表面に残るフォトレジスト皮膜や耐エッチング性樹脂組成物皮膜を剥離でき、しかも剥離後の排水処理の容易な非キレートタイプの剥離剤を提供する。 - 特許庁

When formed by dry etching in a laminate structure comprising a high carbon concentration insulating film 114 and a low carbon concentration insulating film 116 containing no carbon or having a low carbon concentration, the groove is formed in the low carbon concentration insulating film 116 under a first etching condition using a first etching gas to which a CHF-based gas is added, and then a high carbon concentration insulating film 114 is exposed from a wiring groove bottom part.例文帳に追加

高炭素濃度絶縁膜１１４と、炭素を含まないまたは炭素濃度が低い低炭素濃度絶縁膜１１６との積層構造にドライエッチングで配線溝を形成する際、ＣＨＦ系ガスを添加した第１のエッチングガスを用いた第１のエッチング条件で低炭素濃度絶縁膜１１６に配線溝を形成し、当該配線溝底部に高炭素濃度絶縁膜１１４を露出させる。 - 特許庁

Irregularities 19 are provided on the rear of a wafer by wet etching, and then phosphorus (P) ions are implanted into the rear of the wafer under the condition that acceleration energy is, for instance 190 keV, and an average projection range is, for instance 0.24 μm.例文帳に追加

ウエットエッチングにより、ウエハの裏面に凹凸部１９が形成された後、加速エネルギーが例えば１９０ｋｅＶ、平均投影飛程が例えば０．２４μｍの条件で、例えばリン（Ｐ）がイオン注入される。 - 特許庁

Anisotropic etching is performed on the condition that the upper layer insulating films 7, 10 be removed from the lower layer insulating film 6 at a high selection ratio, and a SC 11 is formed so as to open to the lower layer insulating film 6 (B).例文帳に追加

下層絶縁膜６に対して上層絶縁膜７および１０を高い選択比で除去し得る条件で異方性エッチングを行って下層絶縁膜６に開口するＳＣ１１を形成する（図３（Ｂ））。 - 特許庁

A portion, where the source-drain region 11 and the storage node electrode 5 are located in close vicinity to each other putting the color oxide film 4 therebetween, is etched under a condition where an etching rate of an insulating material is larger than that of the semiconductor material.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域１１とストレージノード電極５とがカラー酸化膜４を挟んで近接する箇所を、半導体材料のエッチングレートに比べ絶縁材料のエッチングレートが大きい条件でエッチングする。 - 特許庁

By setting a plasma condition (a diffusion distance or a pressure) and a mask shape (the opening width) so as to avoid a region with a hydrogen plasma amount in which etching and polymer generation that drastically increase the unevenness occur simultaneously on its surface, a shape with different etching depths can be processed in the same plane while suppressing the unevenness on the surface.例文帳に追加

表面で凹凸を著しく増加させるようなエッチングとポリマーの生成が同時に起きるような水素プラズマ量の領域を避けるように、プラズマ条件（拡散距離または圧力）とマスク形状（開口部幅）を設定することにより、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を加工することができる。 - 特許庁

The etching rate equal to or above the attained by the industrially applied caustic soda solution having high concentration is attained with the caustic soda solution having low concentration by pressurizing the caustic soda solution and as a result, the crystallization is performed under a concentration condition at which the crystallization is facilitated.例文帳に追加

苛性ソーダ溶液を加圧することにより低濃度の苛性ソーダ溶液で工業的に使用できる高濃度以上のエッチング速度が得られ、それにより、容易に晶析できる濃度条件とすることができる。 - 特許庁

To obtain a releasing effect identical or superior to a condition possessed by a high concentration amine compound having high permeability even to a deteriorated and hardened part of a resist film formed in an impurity doping step, in a dry-etching step, etc.例文帳に追加

不純物注入工程やドライエッチング工程等によって生じたレジスト膜の変質硬化部位に対しても浸透性が高く、高濃度アミン化合物と有する条件と同等以上の剥離効果を得ることを可能とする。 - 特許庁

To provide a plasma reactor performing the processing of etching, ashing and CVD and the like on a semiconductor substrate and easily and mechanically adjusting a resonance frequency and impedance, when it is installed and a processing condition is changed.例文帳に追加

半導体基板などにエッチング、アッシング、ＣＶＤ等の処理を施すプラズマリアクターであって、設置時や処理条件の変更時に共振周波数やインピーダンスの機械的調整を一層容易に行い得るプラズマリアクターを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can let a gate electrode include a conductive material having a preferable work function and need not consider a relationship in etching condition between component materials of the gate electrode and an interlayer insulating layer.例文帳に追加

ゲート電極を好適な仕事関数を有する導電材料から構成することができ、ゲート電極の構成材料と層間絶縁層のエッチング条件との関係を考慮する必要のない半導体装置を提供する。 - 特許庁

Under such condition as at least a dry-etching rate of an inter- layer insulating film is significantly slower than an inter-layer insulating film positioned outside of it, the inter-layer insulating film on the outer side is selectively etched to form a through hole.例文帳に追加

少なくとも外側の層間絶縁膜よりも、その内側の層間絶縁膜のドライエッチングレートが極めて遅い条件で、外側の層間絶縁膜を選択的にエッチングして、スルーホールを形成することを特徴とする。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes a first step of forming a trench 5a on a semiconductor substrate 1 by anisotropic etching and a second step of making a corner 5 at the bottom of the trench 5 round after the first step, by isotropic etching under the condition which does not eliminate a reaction product 20 formed on the inner plane of the side wall of the trench 5 by the anisotropic etching.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、異方性エッチングを行うことにより半導体基板１上にトレンチ５を形成する第１の工程を備え、そして、この第１の工程の後、前記異方性エッチングにより前記トレンチ５の側壁の内面に形成された反応生成物２０を除去しない状態で、等方性エッチングを行うことにより前記トレンチ５の底部のコーナー部５ａを丸める第２の工程を備えたところに特徴を有する。 - 特許庁

Then, an etching operation is carried out under the condition that the removal ratio of the second insulating film 4 to the first insulating film 3 is set at 1:1, the upper electrodes 23 of all the capacitors 2 are disclosed, and then the interconnect line 5 is formed so as to connect the upper electrodes 23 together.例文帳に追加

次に、第２絶縁膜４および第１絶縁膜３の除去比率が１：１である条件でエッチングを行い、全てのキャパシタ２の上部電極２３を露出させた後、複数の上部電極２３を接続する配線５を形成する。 - 特許庁

A shape formed by repeating the etching process surface migration amount computing step (STEP 12) and the deposition process surface migration amount computing step (STEP 13) until the number of cycles set in the condition setting step (STEP 11) is reached is found.例文帳に追加

エッチングプロセス表面移動量計算ステップ（ＳＴＥＰ１２）とデポジションプロセス表面移動量計算ステップ（ＳＴＥＰ１３）とを条件設定ステップ（ＳＴＥＰ１１）にて設定されたサイクル数繰り返すことにより形成される形状を求める。 - 特許庁

In the method for grasping the one-line processing quantity by the FIB under the prescribed condition, the sample is processed by performing scanning of a plurality of lines, and the etching size at that time is measured by the microscope length measuring function, and the average processing quantity by one-line scanning is calculated.例文帳に追加

所定条件下のＦＩＢによる１ラインの加工量を把握する方法は複数ラインの走査を行って試料を加工し、その際のエッチング寸法を顕微鏡測長機能で測長し、１ライン走査の平均加工量を算出する。 - 特許庁

The first resist pattern is used as an etching mask to etch the insulating film under the condition that deposits are formed on a width-direction center part of the plane pattern part, long in the one direction, of the first opening, thereby forming a first groove corresponding to the first opening.例文帳に追加

第１のレジストパターンをエッチングマスクとして、第１の開口の一方向に長い平面パターン部の幅方向の中央部に、堆積物が堆積する条件で、絶縁膜をエッチングすることによって、開口に対応する第１の溝を形成する。 - 特許庁

Abnormal discharge is detected using, as the detection index of abnormal discharge, a change in the voltage such as high frequency load voltage or the like indicating the operating condition of matching in the sputter etching for conducting the matching for controlling reflection wave for the progressing wave.例文帳に追加

進行波に対して反射波を抑制するマッチングを行うスパッタエッチングにおいて、マッチングの作動状況を示す高周波ロード電圧等の電圧変化を異常放電の検知指標として用いることで、異常放電の検知を行う。 - 特許庁

This manufacturing method includes a process of forming a gate recess 16A by applying a wet etching method in condition that at least either electrode of the source electrode 11a and the drain electrode 12 is connected conductively to a channel region 13.例文帳に追加

ソース電極１１及びドレイン電極１２の少なくとも何れか一方の電極をチャネル層１３と導電接続した状態でウエット・エッチング法を適用してゲート・リセス１６Ａを形成する工程が含まれていることが基本になっている。 - 特許庁

Thus, with no severe etching condition as even an antireflection film of inorganic compound is removed employed, a contact point for transferring a charge photoelectric-converted by a light receiving part formed on the surface of a semiconductor substrate 1 to the outside is assured.例文帳に追加

このようにして、無機化合物である反射防止膜までをも除去するような厳しいエッチング条件を採用することなく、半導体基板１の表面に形成された受光部により光電変換された電荷を外部へと伝達するための接点が確保される。 - 特許庁

Then, the method monitors the ratio of a reflected light or reflected light intensity, and detects the end point of plasma etching to the film to be etched on condition that the ratio or the intensity is increased or reduced more than a prescribed threshold.例文帳に追加

そして、本発明に係る方法は、反射波の比率又は反射波強度をモニタリングするとともに、該比率又は強度が、所定閾値より増加又は減少すること等を条件として、前記被エッチング膜に対するプラズマエッチングの終点検出を行う。 - 特許庁

The heat oxidation film is formed in such a condition so as to suppress the growth of oxygen condensation in the Si substrate to a degree that no problem occurs in an actual processing, thereby precisely forming a three-dimensional shape by an anisotropic etching using KOH.例文帳に追加

このような条件で熱酸化膜を形成することによって、Ｓｉ基板中の酸素凝結欠陥の成長を実際の加工に支障のない程度まで抑制し、ＫＯＨによる異方性エッチングにより精度よく３次元形状を形成することができる。 - 特許庁

This inlet sheet has a metal foil circuit pattern 2b including a loop antenna on a surface from which no protective film is peeled during the etching, and is electrically connected by joining an IC chip 6 in a package chip condition with an electronic parts with the protective film broken by resistance welding.例文帳に追加

このインレットシートは、エッチング時に保護膜を剥離しない表面にループアンテナを含む金属箔の回路パターン２ｂが形成され、パッケージチップ状態のＩＣチップ６と、抵抗溶接によって保護膜を破壊し電子部品と接合することにより、電気的に接続した。 - 特許庁

Furthermore, a second laminated insulation film 8 of which etching rate is smaller than that of first laminated insulation film 7 is formed, and the first and second laminated insulation films 7 and 8 are etched at the same time under the same condition, so as to form a pattern groove 9 for a second wiring layer 10.例文帳に追加

さらに、第１および第１の積層絶縁膜７よりもエッチングレートが小さい第２の積層絶縁膜８を形成し、第１および第２の積層絶縁膜７、８を同じ条件で一度にエッチングし、第２の配線層１０用のパターン溝９を形成する。 - 特許庁

An EC200 comprises a substrate process executing part 280 for executing an etching of a product substrate (a wafer W), a dummy process executing part 275 for executing the dummy process to the dummy substrate, and a determining part 270 for determining the execution of the dummy process on the basis of the condition about temperature.例文帳に追加

ＥＣ２００は，製品基板（ウエハＷ）に対してエッチング処理を実行する基板処理実行部２８０，ダミー基板に対してダミー処理を実行するダミー処理実行部２７５および温度に関する条件に基づきダミー処理を実行するか否かを判定する判定部２７０を有している。 - 特許庁

A second face 38 of the semiconductor substrate 10 is etched with a first etchant having the property that the etching amount of the semiconductor substrate 10 is larger than that of the insulation layer 28 so that the conductive part 30 can be protruded in the condition of being coated with the insulation layer 28.例文帳に追加

半導体基板１０に対するエッチング量が絶縁層２８に対するエッチング量よりも多くなる性質の第１のエッチャントによって、半導体基板１０の第２の面３８をエッチングし、絶縁層２８にて覆われた状態で導電部３０を突出させる。 - 特許庁

The etching treatment device includes a coating means 14 detachably attachable to an object W to be treated, the coating means coating a prescribed area of a face Wa to be treated of the object W, under a condition of being attached to the object W, and blocking contact with a treating liquid or treating gas in the prescribed area.例文帳に追加

被処理物Ｗに着脱自在であり、当該被処理物Ｗに装着された状態にて当該被処理物Ｗの被処理面Ｗａの所定領域を被覆し、当該所定領域における前記処理液又は処理ガスの接触を遮断する被覆手段１４を備える。 - 特許庁

The high-frequency power of 13.56 MHz is applied to a substrate S including the insulating film I in the range of 50-300 W while exposing the substrate S to the plasma, whereby the insulating film I is etched in a condition where an etching reaction by an ion component in the plasma becomes dominant.例文帳に追加

上記絶縁膜Ｉを有する基板Ｓをこのプラズマに曝しつつ、該基板Ｓに対し５０Ｗ〜３００Ｗの範囲で１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印可することにより、プラズマ中のイオン成分によるエッチング反応が支配的となる条件で絶縁膜Ｉをエッチングする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a memory of small storage capacity is formed at high yield even if, related to a system LSI on which a memory comprising a trenched capacitor is mounted, an etching condition is standardized for forming a deep trench among generations.例文帳に追加

トレンチ型のキャパシタを有するメモリ部を搭載したシステムＬＳＩにおいて、各世代でディープトレンチを形成する際のエッチング条件の標準化した場合でも、低記憶容量のメモリを歩留まりよく形成することができる半導体装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

In the patterning process of the gate, a polycrystalline silicon film 16a which constitutes the floating gate 6 is left in the element formation area 12, and besides in condition that the element isolation film 14 is exposed, the etching is stopped once, and a groove is made in the surface of the element isolating and insulating film 14.例文帳に追加

ゲート部のパターニング工程では、浮遊ゲート６を構成する多結晶シリコン膜１６ａが素子形成領域１２に残され、且つ素子分離絶縁膜１４が露出した状態で一旦エッチングを止めて、素子分離絶縁膜１４の表面に溝２３を加工する。 - 特許庁

The fine pillar structure is formed on the polymer material by carrying out dry-etching under the condition of process pressure of the reactive ion by mixed gas of more than 0.01 Pa and less than 0.2 Pa by using the mixed gas of oxygen or inactive gas mainly with oxygen and halogen containing gas.例文帳に追加

酸素もしくは酸素を主体とした不活性ガスやハロゲン含有ガスとの混合ガスを用いて、これら混合ガスによる反応性イオンのプロセス圧力を０．０１Ｐａ以上０．２Ｐａ以下の条件にして、ドライエッチングを行い、ポリマー材料に微細なピラー構造を形成する。 - 特許庁

In the combined electric discharge machining method and device with a chemical etching action, the device includes a conducting electrode providing an electrode in a negative electrode environment, an auxiliary electrode providing an environment under a positive electrode condition, an insulating liquid, and the bad conducting workpiece as a workpiece yet to be machined.例文帳に追加

ケミカルエッチング作用具備の複合放電加工法及び装置において、その装置は陰極環境の電極を提供する導電性電極と、陽極条件の環境を提供する補助電極と、絶縁液、加工待機する工作物である不良導電性工作物とを包括する。 - 特許庁