「etching condition」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

There are removed the nitride film 12 and the SOG film 13 exposed under substantially the same condition in the etching selection ratio of the nitride film 12 and the SOG film 13.例文帳に追加

窒化膜１２とＳＯＧ膜１３のエッチング選択比がほぼ同じ条件で露出している窒化膜１２とＳＯＧ膜１３を除去する。 - 特許庁

The dry etching process can be executed under the condition that the aluminum film 103 remains on only the side wall of the hole 321, and a conductive layer 322 is able to be formed.例文帳に追加

このドライエッチングプロセスは、ホール３２１の側壁にのみアルミニウム膜１０３が残留し、導電層３２２を形成可能な条件下とする。 - 特許庁

To provide an etching method for a semiconductor and its device which can obtain the semiconductor having a high flatness degree and a uniform surface condition.例文帳に追加

高平坦度で、しかも面状態が均一な半導体ウェーハが得られる半導体ウェーハのエッチング方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

A trench hole is made by etching it in condition that the bottom of a via hole is filled with filling material, where a thermobridging compound is dissolved in an organic solvent.例文帳に追加

熱架橋性化合物を有機溶媒に溶解した埋込材にてビアホールの底部を埋めた状態でエッチングにてトレンチホールを形成する。 - 特許庁

When a connection hole 20 corresponding to a part of the wiring layer 14 is formed in the interlayer insulating film by dry etching using a resist layer as a mask, etching is applied up to the insulating film 16b wherein sand etching tends to progress under a condition with high deposition containing no N_2, and the insulating film 16a is etched thereafter under a condition with low deposition containing N_2.例文帳に追加

レジスト層１８をマスクとするドライエッチング処理により配線層１４の一部に対応する接続孔２０を層間絶縁膜に形成する際に、サイドエッチが進行しやすい絶縁膜１６ｂまではＮ_２を含まないデポジション性の強い条件でエッチングを行い、その後はＮ_２を含むデポジション性の弱いい条件で絶縁膜１６ａのエッチングを行なう。 - 特許庁

When a step of forming a resist pattern by processing a resist film formed on a workpiece and a step of etching the workpiece with the resist pattern as a mask under a predetermined etching condition are performed, a dimension and a shape (a film thickness and a taper angle) of the formed resist pattern are measured and the etching condition is adjusted based on the measured dimension and shape of the resist pattern.例文帳に追加

被加工対象上に形成されたレジスト膜を加工してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして、所定のエッチング条件で被加工対象をエッチングする工程とを実行する際に、形成されたレジストパターンの寸法及び形状（膜厚及びテーパ角度）を測定し、測定されたレジストパターンの寸法及び形状に基づいて前記エッチング条件を調整する。 - 特許庁

To provide a dry-etching apparatus having structure to maintain a stable plasma condition and achieve the longer operation life of an external circumferential ring in a chamber such as an Si ring.例文帳に追加

安定なプラズマ状態を維持でき、Ｓｉリングなどチャンバー内の外周リングの長寿命化が図れる構成を有するドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

If only the condition of the SAG is secured, a double core SSC having a small beam divergent angle is realized with a high yield even through a simple etching process.例文帳に追加

SAG条件さえ確保されれば、簡単なエッチング工程を通じてもビーム発散角が非常に小さな２重コアSSCを非常に高い収率で具現できる。 - 特許庁

To suppress the generation of powder generated under a high-speed processing condition in the plasma processing process of film formation and etching, etc., in the manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造プロセスにおける成膜やエッチング等のプラズマ処理工程において、高速処理条件下で生じるパウダーの発生を抑制する。 - 特許庁

A second hole is formed by etching the first interlayer insulating film positioned below the first hole under condition of preventing the first diffusion prevention film from being etched.例文帳に追加

第１の拡散防止膜がエッチングされにくい条件で、第１のホールの下方に位置する第１の層間絶縁膜をエッチングして第２のホールを形成する。 - 特許庁

Then, a contact hole 5 is formed by anisotropic dry etching, and heat treatment is carried out under a condition that a temperature is about 800°C, and that a time is about 30 minutes.例文帳に追加

次に、異方性ドライエッチングによってコンタクトホール５を形成した後、温度が８００℃程度、時間が３０分程度の条件で、熱処理を行う。 - 特許庁

For each opening having the same opening width, etching (irradiation of methane/hydrogen plasma) is carried out, under the condition such that a hydrogen plasma concentration at a mask end becomes a predetermined concentration.例文帳に追加

開口部幅が同じ開口部毎に、マスク端での水素プラズマ濃度が所定の濃度となる条件でエッチング（メタン／水素プラズマ照射）を行う。 - 特許庁

The resist pattern has a surface layer on a resist pattern with etching rate (Ånm/s) ratio (internal layer/surface layer) of 1.1 or more under the same condition.例文帳に追加

レジストパターン上に表層を有し、同条件下での該表層と内層とのエッチング速度（Å／ｓ）比（内層／表層）が１．１以上であるレジストパターン。 - 特許庁

To provide a treatment condition for achieving precise etching with a high selection ratio without generating any film damage in a low-permittivity film (Low-k film, such as SiOCH).例文帳に追加

低誘電率膜(Low-k膜、例えばSiOCH)において、膜ダメージを発生せず、高選択比で高精度なエッチングを実現可能な処理条件を提供する。 - 特許庁

To provide a test pattern which can determine etching condition for a wiring board having a lot of various wiring patterns in a shorter time.例文帳に追加

本発明は、より短時間に多種多様な配線パターンを有した配線板のエッチング条件を出せるテストパターンを提供することを目的とする。 - 特許庁

The lactone swelling composition is used to condition resin material for etching to form a porous textured surface on the resinous material.例文帳に追加

ラクトン膨潤組成物は樹脂物質の表面に多孔質テクスチャーを形成するためのエッチングのために、樹脂物質を状態調節するために使用される。 - 特許庁

Etching (methane/hydrogen plasma irradiation) is performed for each opening having the same opening width, in a condition where a hydrogen plasma concentration at a mask end becomes a predetermined concentration.例文帳に追加

開口部幅が同じ開口部毎に、マスク端での水素プラズマ濃度が所定の濃度となる条件でエッチング（メタン／水素プラズマ照射）を行う。 - 特許庁

The method also comprises the steps of then dry etching under the condition in which an etching velocity of the dielectric 2 with respect to that of the sidewall 9a becomes about 10, thereby obtaining the through hole 10 having a tapered shape of an optimal slope.例文帳に追加

その後、サイドウォール９ａのエッチング速度に対する層間絶縁膜２のエッチング速度が約１０になるような条件でドライエッチングをすることにより、最適な傾斜のテーパ形状を有するスルーホール１０を得ることができる。 - 特許庁

The height of a polysilicon layer 4 is formed to be lower than before to be about 95[nm], and when etching a NONON film 5, a polysilazane film 15b and a silicone oxide film 15a, etching treatment is performed under such a prescribed condition that a selection ratio condition between the polysilicon layer 4 and the NONON film 5 is in a range of 1:1.5 to 2.例文帳に追加

多結晶シリコン層４の高さを９５［ｎｍ」程度と従来に比較して低く形成し、ＮＯＮＯＮ膜５およびポリシラザン膜１５ｂおよびシリコン酸化膜１５ａをエッチング処理するときに、多結晶シリコン層４およびＮＯＮＯＮ膜５間の選択比条件を１：１．５〜２の範囲となる所定条件でエッチング処理する。 - 特許庁

The method further comprises the steps of forming an insulating film 4 so as to embed scratches 3a, 3b occurring on the surface of the film 2 at this polishing time, and then etching back under the condition where an etching selection ratio of the film 4 to the film 2 becomes '1' by reactive ion etching until the film 2 is exposed.例文帳に追加

この研磨時に層間絶縁膜２の表面に生じるスクラッチ３ａ、３ｂを埋め込むように絶縁膜４を形成した後、層間絶縁膜２に対する絶縁膜４のエッチング選択比が１になる条件で反応性イオンエッチングにより層間絶縁膜２が露出するまでエッチバックを行う。 - 特許庁

When a plurality of wafers are successively subjected to etching for forming multilayered film gates formed of metal and poly-Si different from each other in reactivity, the amount of an Si reaction product is properly regulated in an etching condition that is just previously set, by which a dimensional shift is restrained from occurring between a first wafer and a second wafer in an etching process.例文帳に追加

金属とPoly−Ｓｉといったような反応性の異なる多層積膜ゲートを複数枚連続でエッチングする場合、直前のエージング条件でＳｉの反応生成物の量を適量に調節することで、エッチング工程の１枚目、２枚目の寸法シフト異常をなくすることが出来る。 - 特許庁

The first element isolation insulating film 31 and the second element isolation insulating film 32 are etched under the etching condition that the etching rate of the second element isolation insulating film 32 is higher than that of the first element isolation insulating film.例文帳に追加

第１素子分離絶縁膜３１と第２素子分離絶縁膜３２は、ＣＭＰ法により平坦化された後、第２素子分離絶縁膜３２のエッチングレートの方が第１素子分離絶縁膜のそれよりも高いエッチング条件でエッチングされる。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device for performing lithography processing and etching processing for a plurality of semiconductor wafers included in each of a plurality of lots comprises an etching condition setting process, a correlation relation acquiring process, and a feedback processing process.例文帳に追加

複数のロットのそれぞれが含む複数の半導体ウェハに対して、リソグラフィ処理及びエッチング処理を行う半導体装置の製造方法であって、エッチング条件設定工程、相関関係取得工程及びフィードバック処理工程を備えている。 - 特許庁

After being planarized by a CMP method, the first element isolation insulating film 31 and the second element isolation insulating film 32 are etched under the etching condition that the etching rate of the second element isolation insulating film is higher that of the first element isolation insulating film.例文帳に追加

第１素子分離絶縁膜３１と第２素子分離絶縁膜３２は、ＣＭＰ法により平坦化された後、第２素子分離絶縁膜３２のエッチングレートの方が第１素子分離絶縁膜のそれよりも高いエッチング条件でエッチングされる。 - 特許庁

According to the present invention, dry etching is performed on the condition that the etching rate of Si is higher than that of SiO_2, a crystal defect is actualized as a protrusion (convex defect), and a defect caused by processing is actualized as a pit (concave defect).例文帳に追加

本発明によれば、ＳｉＯ_２よりもＳｉのエッチング速度が大きい条件でドライエッチングを施していることから、結晶欠陥については突起（凸型の欠陥）として顕在化し、加工起因欠陥についてはピット（凹型の欠陥）として顕在化する。 - 特許庁

While the etched layer 23 is etched, the etching condition (condition of a spreading etched area EA formed on the etched layer 23) of the etched layer 23 can be observed in situ by the CCD camera 6.例文帳に追加

被エッチング層２３がエッチングされている最中に、ＣＣＤカメラ６により被エッチング層２３に対するエッチング処理の進行状況（被エッチング層２３に形成されるエッチングエリアＥＡの広がり状況）がｉｎ−ｓｉｔｕ 観察される。 - 特許庁

To determine an exposure condition to control the variations of the dimensions in an optional direction and at an optional position corresponding to the variations in a film thickness distribution on the surface of a wafer and an etching process.例文帳に追加

ウエハ面内の膜厚分布およびエッチングプロセス変動に応じた任意の方向と位置における寸法のバラツキを制御できるように露光条件を決定する。 - 特許庁

Then, a second TiN film 6a is formed to improve the condition of the surface damaged by etching, and the upper aluminum film 9 is deposited by a high-temperature aluminum film depositing method.例文帳に追加

次いで、第２のＴｉＮ膜６ａを形成してエッチングダメージによる表面状態を改善した状態で、上層アルミ膜９を高温アルミ成膜法により成膜する。 - 特許庁

To achieve such a surface condition as this on the occasion of etching, etchant is used whose concentration of nitric acid is 2% or less, and average temperature of the etchant is made 10°C or below.例文帳に追加

このような表面状態を実現するには、エッチングに際して、硝酸濃度が２％以下のエッチング液を用い、エッチング液の平均温度を１０℃以下とする。 - 特許庁

After a wiring pattern is dissolved and a semiconductor substrate is held in an etching condition which does not influence the protection layer, the presence or absence of the dissolution of the wiring pattern is judged.例文帳に追加

配線パターンを溶解させ、かつ保護層には影響を与えないエッチングの条件により半導体基板を保持した後、配線パターンの溶解の有無を判定する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device wherein a short-circuit between drawer lines due to etching residue is prevented in the drawer lines and the optimum display condition can be obtained.例文帳に追加

引出線において、エッチング残渣による引出線同士の短絡を防止して、最適な表示状態を得ることができる液晶表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then, the photopolymer film 107 is planarized by a development process under development condition under which differences between a latent image 110 portion and a non-exposed portion in film thickness and etching speed are balanced.例文帳に追加

次に、潜像１１０部分と未感光部分の膜厚差とエッチング速度差がバランスする現像条件で現像処理して感光性樹脂膜１０７を平坦化する。 - 特許庁

To provide a rigid stencil mask, as well as stencil mask blanks, of which etching condition is easily determined and the central portion of a membrane is hard to break, being easy to be manufactured.例文帳に追加

エッチング条件を容易に決めることができ、かつメンブレン中央部が壊れ難い、製造容易な高剛性のステンシルマスク及びステンシルマスクブランクスを提供する。 - 特許庁

A material not to be easily etched as compared with the lower clad layer 102 and the upper clad layer 104 under a prescribed etching condition is used for a material constituting the core 103.例文帳に追加

また、そのコア１０３を構成する材料に、所定のエッチング条件において下部クラッド層１０２および上部クラッド層１０４よりエッチングされ難い材料を用いる。 - 特許庁

It is important for a dry etching condition, which can form the needlelike projection 501 on the polyimide resin 201, not to use fluorine system gas for a reactant gas of a dry etching system, and to make a ratio of argon gas flowing rate with respect to that of oxygen gas be 20% or less.例文帳に追加

このポリイミド樹脂２０１上に針状突起物５０１を形成できるドライエッチング条件は、ドライエッチング装置の反応ガスにフッ素系ガスを使用しないことおよび、酸素ガス流量に対するアルゴンガス流量比を２０％以下にすることが重要である。 - 特許庁

The etching is interrupted at a step when the first insulating film 2 is disclosed and then the etching condition is changed and thereafter the first insulating film 2 is etched.例文帳に追加

更にバイアホール９形成工程で半絶縁性基板１のエッチングを行う際に、第１の絶縁膜２のエッチングがされにくい条件で行ない、第１の絶縁膜２の露出した段階でエッチングを中断し、エッチング条件を変更し第１の絶縁膜２をエッチングする。 - 特許庁

In the method for etching an oxide film, an etching gas containing C_5F_8 gases is changed to a plasma state, under which condition an oxide film on a substrate is etched with a flow rate of a CO gas set to 20-90 sccm, thus solving the above problem.例文帳に追加

Ｃ_5Ｆ_8ガスとＣＯガスとを含むエッチングガスを用い、このエッチングガスをプラズマ状態にして基板上の酸化膜をエッチングするにあたり、ＣＯガスの流量を２０〜９０ｓｃｃｍにすることを特徴とする酸化膜のエッチング方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

Then the photoresist 8 and the 2nd inter-layer insulating film 7 are subjected to dry etching under a condition that the selection ratio between the photoresist 8 and the 2nd inter-layer insulating film 7 is nearly equal to form a through hole 9.例文帳に追加

次に、第２層間絶縁膜７とフォトレジスト８との選択比がほぼ等しい条件にてフォトレジスト８と第２層間絶縁膜７をドライエッチングし、スルーホール９を形成する。 - 特許庁

To prevent an inter layer dielectric from being damaged due to an impact in wire bonding, and to prevent an etching condition when forming a trench on the inter layer dielectric from being varied.例文帳に追加

層間絶縁膜が、ワイヤボンディング時の衝撃によりダメージを受けるのを防止しつつ、層間絶縁膜にトレンチを形成する際のエッチングの条件が変動しないようにする。 - 特許庁

A thin film of non-single-crystalline silicon 4 deposited on an oxide film 3 is plasma-etched under a condition of having coated the inner wall of an etching reaction chamber 1 with a thin film 2 containing silicon.例文帳に追加

エッチング反応室１の内壁にシリコンを含有した薄膜２を被着した状態で、酸化膜３上に堆積させた非単結晶シリコン薄膜４をプラズマエッチングする。 - 特許庁

To eliminate the need of adjusting a wiring pattern even if variation in density of the wiring pattern is large and to provide a desired printed wiring board with a satisfactory yield by the adjustment of a minimum etching condition.例文帳に追加

配線パターンの粗密差が大きい場合でも、配線パターンの調整が不要で、最小限のエッチング条件の調整で、所望のプリント配線板を歩留まりよく得ることである。 - 特許庁

To provide a substrate for lithographic printing plate, uniform in a pit obtained by electrochemical surface roughening treatment as well as chemical etching treatment while excellent in the condition of surface and plate detecting property.例文帳に追加

電気化学的粗面化処理により得られるピットが均一で、化学エッチング処理が均一に行われ、面状に優れ、検版性に優れる平版印刷版用支持体の提供。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for forming a hafnium silicon oxide film under the condition that film thickness uniformity in a wafer surface is excellent and suppressing a variation of a threshold by etching treatment.例文帳に追加

ウエハ面内の膜厚均一性に優れた条件でハフニウムシリコン酸化物膜を形成し、エッチング処理によって閾値変動を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The anisotropic etching is performed on the condition that the lower layer insulation film be removed from the silicon film at a high selection ratio, and the SC 11 is extended until it is opened to the source drain region 5.例文帳に追加

シリコン膜に対して下層絶縁膜を高い選択比で除去し得る条件で異方性エッチングを行うことにより、ソースドレイン領域５に開口するまでＳＣ１１を延長する。 - 特許庁

To easily improve an etching rate by making it easy to set an etching condition, when a laminate of an aluminum foil and an aluminum fiber is selected as an anode foil for an aluminum electrolytic capacitor with a rough surface and with an oxide film formed thereon.例文帳に追加

表面が粗面化され、かつ酸化皮膜が形成されたアルミニウム電解コンデンサ用陽極箔として、アルミニウム箔とアルミニウム繊維との積層体にした場合のエッチング条件を設定しやすくすることにより、エッチング倍率を容易に向上させることを目的にしている。 - 特許庁