「etching condition」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, when an etching rate of the silicon wafer 52 is defined as R1, and the etching rate of the resist pattern 64 is defined as R2, a selection ratio (R1/R2) is 0. 5 to 1. 5, and etching is performed on condition that R1 is 5 to 40 nm/minute.例文帳に追加

このとき、シリコンウエハ５２のエッチングレートをＲ１、レジストパターン６４のエッチングレートをＲ２としたとき、選択比（Ｒ１／Ｒ２）が０．５〜１．５であって、且つ、Ｒ１が５〜４０ｎｍ／分の条件でエッチングを行う。 - 特許庁

In an etching method, which is so arranged as to perform the etching treatment of a multilayer film by repeating the etching treatment plural number of times, next etching treatment is performed under the condition, that a last reference position θ1 with respect to a chamber of a semiconductor substrate which was used in the last etching, be readjusted to the next reference position θ2.例文帳に追加

エッチング処理を複数回繰り返すことで、多層膜のエッチング処理を行うようにしたエッチング方法において、直前にエッチングしたときに使用した半導体基体のチャンバーに対する直前の基準位置θ１を、次の基準位置θ２に再調整した状態で、次のエッチング処理を行う。 - 特許庁

When the conductive film is dry-etched, an etching condition is selected so that a deposition film is formed in the vicinity of an opening in the recess in the middle of the dry etching.例文帳に追加

導電膜のドライエッチングに際して、その最中に前記凹部内の開口部近傍にデポジション膜が形成されるようにエッチング条件を選択して行う。 - 特許庁

In the above structure, first, on a first etching condition, a hole is formed in such a way that it penetrates up and down the interlayer insulating film 5 and exposes the surface of the etching stopper film 4.例文帳に追加

前述の構造においては、まず、第１のエッチング条件で、層間絶縁膜５を上下に貫通し、エッチングストッパ膜４の表面を露出させるホールが形成される。 - 特許庁

To provide an etching apparatus which can accurately control an etching condition and can stably form a fine wiring, and to provide a method for manufacturing an etched substrate.例文帳に追加

エッチング条件を精密に制御することが可能で、ファイン配線も安定して形成することができるエッチング装置およびエッチング基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this condition range, the generation of the fence is controlled even when plasma etching is performed mainly using the chlorine gas.例文帳に追加

この条件範囲であれば、塩素ガスを主としたプラズマエッチングを行ってもフェンスの発生が抑えられる。 - 特許庁

To realize dry-etching without generation of under-cut, using active seeds generated under atmospheric condition.例文帳に追加

大気圧状態で生成した活性種を用いてアンダーカットを生ずることなくドライエッチングをできるようにする。 - 特許庁

Then, etching is conducted under a condition where the side wall 15 is removed, so as to form the second element separation groove 17.例文帳に追加

この後、サイドウォール１５を除去した状態でエッチングが行われ、第２の素子分離溝１７が形成される。 - 特許庁

To accurately monitor the degree of progress of an etching process, set the etching time of each vessel to the adequate condition in accordance with an increase in the impurity concentration of an etchant, improve the accuracy of the etching process, and effectively utilize the etchant.例文帳に追加

エッチングの進行度合いを正確に監視して、エッチング液の不純物濃度の増大に応じて、各槽でのエッチング時間を適正な状態に設定でき、エッチング処理の精度を向上させ、かつエッチング液を有効に活用する。 - 特許庁

A part of the metallic film 2m with the side wall, exposed from the mask 3, and the re-deposited film 4 are etched by isotropic etching under an etching condition that the etching speed in the material of the metallic film 2m is higher than that in the material of the substrate 1.例文帳に追加

異方性エッチングにより金属膜２のマスク３から露出された部分を厚み方向に部分的にエッチングすることで、金属膜２に異方性エッチングにともなう再付着膜４に覆われた側壁が形成される。 - 特許庁

The interlayer insulating film 8 is easier to be etched than the gate protective films 6m and 6n to predetermined etching condition.例文帳に追加

層間絶縁膜８は、所定のエッチング条件に対してゲート保護膜６ｍおよび６ｎよりエッチングされやすい。 - 特許庁

In an etching process, an optimum formation condition of a via-hole is obtained from a combination of selection of a semiconductor material and an etchant parameter.例文帳に追加

エッチングプロセスは、半導体材料の選択とエッチャントパラメータとの組み合わせから、ビアホールの最適な形成を得る。 - 特許庁

Next, a photoresist 31 is formed on the oxide layer 32, and the oxide layer 32 is etched under a first dry-etching condition.例文帳に追加

次に、酸化層３２上にフォトレジスト３１を形成して、第１のドライエッチング条件により、酸化層３２をエッチングする。 - 特許庁

The end of the polysilicon island 3I is etched so that it becomes a taper shape with a condition of isotropic etching.例文帳に追加

このとき、ポリシリコン・アイランド３Ｉの端部がテーパー形状となるように等方性エッチングの条件でエッチングを行う。 - 特許庁

Then, the contact hole is formed from the surface of the layer insulating film onto the upper layer wiring on the condition that the etching selective ratio of the layer insulating film is higher than that of the etching stop film.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜の表面から上層配線へのコンタクトホールの形成を、エッチング停止膜に対して層間絶縁膜のエッチング選択比の高い条件で行う。 - 特許庁

Further, for a given period of time from the start of etching, a CxFy gas having a lower C/F ratio or a lower CxFy gas flow rate than that in the main etching condition is used.例文帳に追加

さらに エッチング開始からある一定時間の間、メインエッチング条件よりも低Ｃ／Ｆ比のＣｘＦｙガスを用いる、若しくはＣｘＦｙガス流量を低流量化する。 - 特許庁

In the semiconductor storage device, an anisotropic etching gas 33 for obtaining a phase-change memory element M1 is operated under a condition having an etching rate to the interface film 7 lower than a GST film 23 and an upper electrode 24.例文帳に追加

相変化メモリ素子Ｍ１を得るための異方性エッチングガス３３はＧＳＴ膜２３及び上部電極２４よりも界面膜７に対するエッチングレートが低い条件で行われる。 - 特許庁

To provide a treatment method in which plasma etching treatment can be effectively performed at a high speed by using a simple device under an atmospheric condition in a plasma etching process in a semiconductor production process.例文帳に追加

半導体製造工程におけるプラズマエッチング工程において、大気圧条件で、簡便な装置を用いてプラズマエッチング処理を高速で効果的に行える処理方法の提供。 - 特許庁

The method also comprises the steps of forming a gate electrode 8, then wet etching the films 3 and 4 under the condition in which the film 4 has sufficiently larger etching rate than that of the film 3, and removing only the film 4.例文帳に追加

ゲート電極８の形成後、ＳｉＯ_2膜３よりもＨＳＱ膜４が十分大きいエッチング・レートを持つ条件下でウェットエッチングして、ＨＳＱ膜４のみを除去する。 - 特許庁

Then anisotropic dry etching is applied up to the electric connection region or electric wires of active elements, under the condition of the etching selection ratio being high between the photoresist 3 and the inter-layer insulating film 2.例文帳に追加

次に、フォトレジスト３と層間絶縁膜２とのエッチングの選択比が高い条件で能動素子の電気的接続領域あるいは電気配線の上まで異方性のドライエッチングを行う。 - 特許庁

Further, a CxFy gas exhibiting a C/F ratio lower than the main etching condition is used for the given length of a time from the start of etching or the flow rate of the CxFy gas is made lower.例文帳に追加

さらに エッチング開始からある一定時間の間、メインエッチング条件よりも低Ｃ／Ｆ比のＣｘＦｙガスを用いる、若しくはＣｘＦｙガス流量を低流量化する。 - 特許庁

As a result, by adjusting the optimum etching condition only to the transparent substrate 2 comprising the single material, the recessed parts 3 are periodically provided at a stretch without changing the etching condition on the way.例文帳に追加

これにより、エッチング加工において、エッチング最適条件を、単一物質からなる透明基板２にだけ合わせることができるようにして、途中で、エッチング条件を変えることなく、一気に透明基板２に凹部３を周期的に形成できるようにする。 - 特許庁

The system control device 40 is stored with data on correlation between a processing condition of the etching processing and a removal amount of the pattern structure on the wafer surface by the etching processing, and sets the processing condition of the etching processing based upon the measurement result of the size of the pattern structure on the wafer surface and the data on the correlation, so that the pattern structure on the wafer surface after the etching processing has a desired size.例文帳に追加

システム制御装置４０は、エッチング処理時の処理条件とエッチング処理によるウェハ表面のパターン構造の削れ量との相関データが記憶され、ウェハ表面のパターン構造の寸法の測定結果と相関データに基づいて、エッチング処理後のウェハ表面のパターン構造が所望の寸法になるように、エッチング処理時の処理条件を設定する。 - 特許庁

A dry etching process, constituted of a process for dry-etching the upper electrode film 10 by using a condition that the adhesion 14 of a reaction product to the sidewall of the photoresist mask 5, and a process subjecting the ferroelectric film 11 to dry etching by condition that the reaction product does not adhere to the sidewall of the photoresist mask, when a ferroelectric film single layer is subjected to dry etching is performed.例文帳に追加

フォトレジストマスク５側壁への反応生成物の付着１４が発生する条件を用いて上部電極膜１０のドライエッチングを行う工程と、強誘電体膜単層のドライエッチング時にフォトレジストマスク側壁に反応生成物の付着が発生しない条件により強誘電体膜１１のドライエッチングを行う工程からなるドライエッチングプロセスを行う。 - 特許庁

To provide a method of removing processing damage of an Si wafer by achieving wet etching by a mixed acid that brings the Si wafer into a surface condition at a level without roughening it at an etching rate of 10-60 μm/min and at uniformity of ±5% with respect to an etching amount.例文帳に追加

１０〜６０μm／分の範囲のエッチングレートで、エッチング量に対し±５％レベルのユニフォーミティ、荒らさない程度の表面状態となる混酸によるウェットエッチングを実現することでＳｉウェーハの加工ダメージ除去方法を提供すること。 - 特許庁

The etching speed to be provided under the same condition without using a dummy wafer is stably maintained by carrying out a plasma etching process by O_2 gas by using this inductively coupled plasma etching device before a main process.例文帳に追加

本発明による誘導結合型プラズマエッチング装置を用いてＯ_2ガスによるプラズマエッチング処理を本処理前におこなうことで、ダミーウェハを用いなくても同一条件下において得られるエッチング速度を安定的に維持するを可能にした。 - 特許庁

These laminated films 2, 3 and 4 are continuously etched by a mixing gas consisting of fluorine gas, chlorine gas and Ar gas in the same etching chamber, under the same etching condition, using the resist pattern 5 as the mask and an ICP etching device which can provide a high density plasma.例文帳に追加

この積層膜２，３，４をレジストパターン５をマスクとして、高密度プラズマが得られるＩＣＰエッチング装置を使用して、「フッ素系ガスと塩素系ガスとＡｒガスの混合ガス」にて同一エッチング室内、同一エッチング条件で連続的にエッチングする。 - 特許庁

A crystal oscillator 2 is arranged so as to be dry-etched by the dry etching means 1 under the same condition as the etched material 5.例文帳に追加

水晶振動子２を、被エッチング材料５と同一条件でドライエッチング手段１によってエッチングされるように配置する。 - 特許庁

The etching is effected by a method wherein CH_2F_2 gas is added to C_4F_8 gas or the like, and plasma etching is effected under a treating condition that fluorocarbon is readily deposited on the resist mask 8 at a part whereat an interval between patterns is wide.例文帳に追加

このエッチングは、Ｃ_４Ｆ_８ガス等にＣＨ_２Ｆ_２ガスを添加して、パターンの間隔の広い部分のレジストマスク８上にフルオロカーボンが堆積されやすい処理条件でプラズマエッチングを行う。 - 特許庁

Accordingly, the wet etching under the condition that the end face shape of ridge after the dry etching can be almost maintained becomes possible and thereby reduction in ridge width and improvement in symmetry of the ridge shape can be realized simultaneously.例文帳に追加

したがって、ドライエッチング後のリッジ端面形状を概ね維持した状態でのウェットエッチングが可能となってリッジ幅の狭幅化とリッジ形状の対称性の向上の双方を同時に実現できる。 - 特許庁

Under a condition of a high selection ratio (etching rate ratio) between a 2nd inter-layer insulating film 7 and a photoresist 8, the 2nd inter-layer insulating film 7, a flattening insulating film 6, and a 1st inter-layer insulating film 5 are subjected to dry etching.例文帳に追加

第２層間絶縁膜７とフォトレジスト８の選択比（エッチングレート比）が高い条件にて、第２層間絶縁膜７、平坦化絶縁膜６及び第１層間絶縁膜５をドライエッチングする。 - 特許庁

In the semiconductor element 1, the insulation layers 11 and 13 are formed so that the etching speed of the insulation layer 13 may be higher than that of the insulation layer 11 on the same etching condition.例文帳に追加

半導体素子１では、同一のエッチング条件において絶縁層１３のエッチング速度が絶縁層１１のエッチング速度よりも速くなるように絶縁層１１及び１３が形成されている。 - 特許庁

The substrate (11) and the wave guide thin film (12) are made of materials which can be subjected to dry etching, and the dry etching speed of silicon being the material of the substrate (11) is ≥10 times as high as that of polyimide resin being the material of the wave guide thin film (12) in the etching condition of the substrate (11).例文帳に追加

基板(11)と導波薄膜(12)は共にドライエッチング可能な材料から成り、基板(11)のエッチング条件において、基板(11)材料であるシリコンのドライエッチング速度は、導波薄膜(12)材料であるポリイミド樹脂のドライエッチング速度の１０倍以上である。 - 特許庁

Under etching condition of high selectivity to a silicon nitride film, an upper layer of a silicon oxide film 14 is etched with sufficient overetching amount.例文帳に追加

そして、対シリコン窒化膜高選択性のエッチング条件で、シリコン酸化膜１４上層を充分なオーバーエッチ量によりエッチングする。 - 特許庁

To provide a plasma-etching device which can get proper plasma condition and can cope with micronization and hardly causes shading damages.例文帳に追加

適切なプラズマ状態を得ることができ、微細化に対応可能であり、シェーディングダメージが生じ難いプラズマエッチング装置を提供すること。 - 特許庁

The hole 12a is formed by dry etching treatment for masking a resist layer, and after dry etching is performed in a condition that an undercut occurs under the resist layer in the treatment, the hole 12a is formed so that a diameter is increased in an opening part outward by performing the dry etching in a condition that the undercut does not occur under the resist layer.例文帳に追加

孔１２ａは、レジスト層をマスクとするドライエッチング処理により形成し、この処理ではレジスト層の下にアンダーカットが生ずるような条件でドライエッチングを行なった後、レジスト層の下にアンダーカットが生じないような条件でドライエッチングを行なうことにより孔１２ａを開口部で外方にいくにつれて直径が増大するように形成する。 - 特許庁

The second well 109 is formed after a process for effecting wet etching of the surface of the semiconductor substrate 101 including the first well 104 or divided into before and after the etching process whereby a condition that the first well 104 is electrically conducted with the semiconductor substrate 101 upon the wet etching is obtained.例文帳に追加

第１ウェル１０４を含む半導体基板１０１の表面をウェットエッチングする工程の後に、または、その前後に分けて、第２ウェル１０９を形成することにより、ウェットエッチング時において、第１ウェル１０４と半導体基板１０１が電気的に導通している状態にする。 - 特許庁

An oxide film is formed on the etched layer 23 of polysilicon, and even if a starting time of etching is delayed by the presence of the oxide film, the condition of etching can be visually grasped, so that a starting time and an end point of etching can be accurately detected.例文帳に追加

ポリシリコンよりなる被エッチング層２３に酸化被膜が生じ、この酸化皮膜の存在に起因してエッチング処理の開始時期が遅れたとしても、そのエッチング処理の進行状況が視覚的に把握されるため、エッチング処理の開始時期や終点を正確に検出可能になる。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, in which wiring patterns 20 and 21 and gate electrode patterns 36 and 37 having various pattern densities coexist mixedly, the wiring patterns 20 and 21 and gate electrode patterns 36 and 37 are formed, by dry etching performed under an etching condition such that the etching rate becomes faster as the pattern densities become higher.例文帳に追加

様々なパターン密度を有する配線パターン２０、２１やゲート電極パターン３６、３７が混在する半導体装置の製造方法において、パターン密度が高いほど、エッチング速度が速くなるエッチング条件によるドライエッチングで配線パターンやゲート電極パターンのパターニングを行なう。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin film pattern which is capable of preventing a thin film that is not an object of etching from being etched even when thin films is subjected to etching under the condition that etching selectivity is set low, and to provide an electro-optical device, its manufacturing method, and an electronic apparatus.例文帳に追加

同一基板上に形成された薄膜をエッチング選択性の低い条件でエッチングする場合でも、エッチング対象とされない薄膜がエッチングされることを防止可能な薄膜パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供すること。 - 特許庁

In the method for dry etching wherein a wafer to be etched is set onto the wafer chuck, an etching gas suitable for the wafer is introduced, and the surface of the wafer is etched; the adhesion of the wafer to the wafer chuck is evaluated beforehand, and the etching condition is adjusted according to the evaluated adhesion.例文帳に追加

ウエーハチャックにエッチングすべきウエーハをセットし、前記ウエーハに合わせたエッチングガスを導入し、前記ウエーハ表面をエッチングするドライエッチング方法において、前記ウエーハの前記ウエーハチャックへの密着度を予め評価し、この評価した密着度によってエッチング条件を調整するようにした。 - 特許庁

To provide an etching method for a dielectric thin film of material containing porous silica being made on a semiconductor substrate capable of preventing or reducing the formation of a microtrench at etching on condition that it keeps high etching speed and seiectivity, and besides capable of controlling the taper angle accurately.例文帳に追加

高いエッチング速度及び選択性を維持させた状態でエッチング時のマイクロトレンチの形成を防止又は低減できしかもテーパー角を精度良くコントロールすることができる半導体基板上に形成されるポーラスシリカを含有する材料の誘電体薄膜のエッチング法を提供する。 - 特許庁

The resist film and the interlayer insulating film under the opening of the resist film are etched on condition that an etching velocity of the etching stop layer is faster than the etching velocity of the resist film and the interlayer insulating film, and a contact hole passing through the interlayer insulating film is formed and the resist film is removed.例文帳に追加

エッチング停止層のエッチング速度よりもレジスト膜及び層間絶縁膜のエッチング速度の方が速い条件で、レジスト膜及びレジスト膜の開口下の層間絶縁膜をエッチングし、層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成するとともにレジスト膜を除去する。 - 特許庁

Additionally, etching depth dispersion on a wafer surface is reduced while maintaining verticality for etching depth in forming a nozzle hole 2a or the groove part of a supply port 7a, etc. on a nozzle wafer 3 an original material of which is a silicon monocrystal by carrying out the etching process within a working condition range on the inductively coupled plasma etching device.例文帳に追加

また、誘導結合型プラズマエッチング装置において加工条件範囲内でエッチング加工を行なうことで、原材料がシリコン単結晶であるノズルウェハ３上にノズル穴２ａまたは供給口７ａ等の溝部を形成する際にエッチング深さに対する垂直性を維持しつつ且つウェハ面内のエッチング深さバラツキを低減できる。 - 特許庁

Thus, the covering film is removed every time when etching is completed for one work piece, so that the inside of the chamber can be always kept under the same condition for every etching treatment.例文帳に追加

これにより、例えば、上記被覆膜の除去を、１つの被加工体のエッチング処理が終了する度に行うことで、チャンバ内が常に同一の状態で、被加工体のエッチング処理を行うことが可能となる。 - 特許庁