「films」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

A PVA film 13 is put between TAC films 11, 12 and is bonded.例文帳に追加

ＰＶＡフィルム13をＴＡＣフィルム11，12間に挟み込んで接着する。 - 特許庁

Plating films 22 of a desired thickness are deposited on the semiconductor wafers 21 and thereafter plating films 25 are deposited thereon in order to annihilate the pit defects 24 arising in consequence of microbubbles 23 in the plating films 22 (at this time, the fresh pit defects 27 are generated in the plating films 25).例文帳に追加

本発明のウエハ処理は、半導体ウエハ２１に所望の厚さのメッキ膜２２を成膜し、次に、メッキ膜２２内にマイクロバブル２３が起因して発生したピット欠陥２４を消滅させるために、メッキ膜２５を成膜する（この際に、メッキ膜２５内には、新たなピット欠陥２７が発生している）。 - 特許庁

The microwave absorbers 23 are coated with protection films 24 formed of silica.例文帳に追加

マイクロ波吸収体２３は、シリカからなる保護膜２４で被覆されている。 - 特許庁

DRIVE DEVICE FOR TRANSVERSE DRAWING SYSTEM FOR FILMS OF SYNTHETIC MATERIAL例文帳に追加

合成材料のフィルムを横方向に延伸させるシステム用の駆動装置 - 特許庁

The zinc corrosion protective films are formed on the galvanized steel sheet.例文帳に追加

亜鉛系めっき鋼板に亜鉛防食用皮膜を形成する。 - 特許庁

To provide: a method of processing discarded films and photographic paper to enable efficient and reliable recovery of silver from the films and photographic paper; a processor of the films and photographic paper; and a compression molded body used for the method of processing the films and photographic paper.例文帳に追加

廃棄されたフィルム及び印画紙から効率良く、かつ、確実に銀を回収することが可能なフィルム及び印画紙の処理方法、フィルム及び印画紙の処理装置、並びに、このフィルム及び印画紙の処理方法において使用される圧縮成形体を提供する。 - 特許庁

The metal film 21 is held between the resin films 19a and 19b.例文帳に追加

金属フィルム２１は、樹脂フィルム１９ａ、１９ｂに挟み込まれる。 - 特許庁

The mounting part is perfectly arranged in the insides of the pair of films.例文帳に追加

また、取付部分は、一対の膜の内部の中に完全に配置される。 - 特許庁

MOVING MAGNET-TYPE Z-AXIS LINEAR MOTOR AND MANUFACTURING EQUIPMENT FOR FUNCTIONAL THIN FILMS例文帳に追加

可動磁石型Ｚ軸リニアモータ及び機能性薄膜用製造装置 - 特許庁

Respective electrode films 25, 26 are neighbored to both surfaces of the GMR film 30.例文帳に追加

電極膜２５、２６のそれぞれは、ＧＭＲ膜３０の両面に隣接する。 - 特許庁

The cured resin parts 5 and 15 are masked to form water-repellent films 3 and 13.例文帳に追加

硬化樹脂部５，１５をマスクとして、撥水膜３，１３を形成する。 - 特許庁

The main substrate 6 where an active element 4 is formed of laminated films of an odd number of 3 or more of insulating films 2 formed of a resin material having high heat resistance and metallic thin films 1 composed of a metal or an alloy having the coefficient of thermal expansion smaller than that of the insulating films 2.例文帳に追加

能動素子４を形成した主基板６を、高耐熱性の樹脂材料で形成される絶縁膜２と、該絶縁膜２のよりも熱膨張係数が小さい金属もしくは合金からなる金属薄膜１とを３以上の奇数からなる積層膜とした。 - 特許庁

The method further includes the steps of forming second interlayer insulation films (films 13, 14 and 15) at an upper side of the second layer wiring 11 on the substrate 1, and removing by etching an unnecessary position including a pad forming region in the second interlayer insulation films (films 13, 14 and 15) by using a mask 16.例文帳に追加

基板１上での第２層目の配線１１の上側に第２層目の層間絶縁膜（膜１３，１４，１５）を形成し、マスク１６を用いて第２層目の層間絶縁膜（膜１３，１４，１５）におけるパッド形成領域を含む不要箇所をエッチング除去する。 - 特許庁

This dry process various density image processor takes out films 15 before exposure by one sheet each, conveys the films to an exposure means 40 and heats the exposed films 15a irradiated with laser rays of image data signals during the passage through the exposure means 40 by a heating means 50 of a post process step, thereby subjecting the films to dry process development.例文帳に追加

露光前のフィルム１５を一枚ずつ取り出して露光手段４０へ搬送し、該露光手段４０を通過する際に画像データ信号のレーザー光線を照射した露光フィルム１５ａを後工程の加熱手段５０で加熱して乾式現像処理する乾式濃淡画像処理装置である。 - 特許庁

The varnish is used to form the electric insulating films to obtain the multi-layered circuit substrate.例文帳に追加

このワニスを用いて電気絶縁膜を形成し、多層回路基板を得る。 - 特許庁

AMINOVINYLSILANE FOR CVD AND ALD SiO2 FILMS例文帳に追加

ＣＶＤ及びＡＬＤのＳｉＯ２膜のためのアミノビニルシラン - 特許庁

The surfaces of the respective optical fibers 65 are formed with conductive films 66.例文帳に追加

各光ファイバ６５の表面には、導電膜６６が形成されている。 - 特許庁

Crack resistance is improved in the first and the second interlayer insulating films 13 and 14 because of the adhesiveness of the PSG films 13a and 14a, and the thermal diffusion of phosphorus out of the PSG films 13a and 14a into the semiconductor layer 1a is prevented by the NSG films 13b and 14b.例文帳に追加

これにより、ＰＳＧ膜１３ａ，１４ａの粘性によって第１，第２層間絶縁膜１３，１４のクラック耐性を向上させるとともに、ＮＳＧ膜１３ｂ，１４ｂによってＰＳＧ膜１３ａ，１４ａ中のリンが半導体層１ａに熱拡散されることを防止する。 - 特許庁

The conductive films 61 and 62 constitute from a conductive adhesive preferably.例文帳に追加

導電性膜６１，６２は、好ましくは導電性接着剤にて構成する。 - 特許庁

The films 28 and 29 for lubrication slidably contact with shoes 18A and 18B.例文帳に追加

潤滑用皮膜２８，２９は、シュー１８Ａ，１８Ｂと摺接する。 - 特許庁

The arrangement condition of films is adjusted in this manner to obtain the lens 1.例文帳に追加

また、そのように膜の配置条件を調整してレンズ１を得る。 - 特許庁

Moreover, the films left on the bottoms of the grooves 17 and the intermediate-layer section 2 are removed.例文帳に追加

さらに、溝１７の底の残膜２１と中層部２を除去する。 - 特許庁

To provide an ear warmer having a pair of films and a frame.例文帳に追加

一対の膜とフレームとを有するイヤーウォーマを提供する。 - 特許庁

To prevent peeling of thin films formed of a material containing aluminum.例文帳に追加

アルミニウムを含む材料から形成される薄膜の剥れを防止する。 - 特許庁

To inhibit the staining of polishing pads at CMP(chemical mechanical polishing) of copper metal films.例文帳に追加

銅系金属膜をＣＭＰする際の、研磨パッド汚れを抑制する。 - 特許庁

Second films 7 as floating gates are formed between the spacers 6.例文帳に追加

スペーサ６間に、浮遊ゲートとなる第２の膜７を形成する。 - 特許庁

To improve reliability of a semiconductor device comprising different gate insulating films.例文帳に追加

異なるゲート絶縁膜を有する半導体装置の信頼性を高める。 - 特許庁

The first insulating films 4 are also in contact with the columnar semiconductor 14.例文帳に追加

第１絶縁膜４は、柱状半導体１４にも接している。 - 特許庁

EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING DEVICE, AND EVALUATION METHOD OF FILMS例文帳に追加

露光方法、露光装置、デバイス製造方法、及び膜の評価方法 - 特許庁

Before forming an emitter polysilicon 15, sidewall insulating films are formed at an opening at the upper part of an emitter formation area, resist is embedded in between the sidewall insulating films, and the upper parts of the sidewall insulating films are etching-removed to lower the heights of the sidewall insulating films.例文帳に追加

エミッタポリシリコン１５を形成する前には、エミッタ形成領域上部の開口に側壁絶縁膜が形成されており、側壁絶縁膜間にレジストを埋め込んで、側壁絶縁膜の上部をエッチング除去し、側壁絶縁膜の高さを低くする。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH GATE INSULATING FILMS AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

複数のゲート絶縁膜を有する半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

To make an inspection of the quality of oxide films using a process monitor correspond to the reliability of the oxide films in a real product and to inspect the quality of the oxide films with a high accuracy by the process monitor to make it possible to raise the reliability of the oxide films.例文帳に追加

プロセスモニターによる検査を実際の製品における酸化膜の信頼性と対応させ、プロセスモニターにより酸化膜の品質を精度よく検査して、その信頼性を向上させることができる半導体装置のプロセスモニター方法を提供する。 - 特許庁

To reduce an air layer formed between one-side metallized films.例文帳に追加

片面金属化フィルム間に形成される空気層を低減させる。 - 特許庁

Plastic films 16, 20 are used as a form for placing concrete.例文帳に追加

コンクリート打設用型枠としてプラスチックフィルム１６，２０を用いる。 - 特許庁

The bit line 3 is covered with etching stopper films 4 and 5.例文帳に追加

ビット線３はエッチングストッパ膜４，５によって覆う。 - 特許庁

To provide decorative sheet films having excellent mar resistance and uniform thickness.例文帳に追加

耐傷付き性に優れ及び厚みが均一な化粧シート用フィルムの提供。 - 特許庁

By a chemical vapor deposition (CVD) process using a gaseous starting material in which components are regulated in such a manner that thin films start to grow only from growth starting points 3 formed at prescribed regions on a glass plate 1, thin films (e.g., transparent electrically conductive films such as tin oxide films) are selectively grown on the above prescribed regions.例文帳に追加

ガラス板１上の所定領域に形成された成長起点３のみから薄膜が成長を開始するように成分を調整した原料ガスを用いた化学蒸着（ＣＶＤ）法により、薄膜（例えば酸化錫膜等の透明導電膜）を上記所定領域に選択的に成長させる。 - 特許庁

A welding part 10 is thermally welded to the edge parts of the films 1 and 1'.例文帳に追加

フィルム１、１’の周縁部は溶着部１０が熱溶着されている。 - 特許庁

Furthermore, the stretched films 11 are set so as to be provided with birefringence.例文帳に追加

また、延伸フィルム１１は複屈折率を有するように設定される。 - 特許庁

A color filter layer is formed so as to cover the reflecting films.例文帳に追加

そして、反射膜を覆うように、カラーフィルタ層が形成される。 - 特許庁

To reduce variations of characteristics of two kinds of thin-film transistors having channel-length directions made orthogonal to each other which are so formed of polysilicon thin films as to change amorphous silicon films into the polysilicon films crystallized by the scanning projection of a CW laser on the amorphous silicon films, in an active-matrix type liquid crystal display.例文帳に追加

アクティブマトリクス型液晶表示装置において、アモルファスシリコン薄膜をＣＷレーザのスキャン照射により結晶化させてなるポリシリコン薄膜により形成された、チャネル長方向が互いに直交する２種類の薄膜トランジスタの特性のバラツキを小さくする。 - 特許庁

The device still further includes: Au films 14s and 14d electrically connected to the Ta films 11s and 11d without interposing the Al films 12a and 12d, respectively; and a gate electrode 13g that is located over the n-AlGaN layer 4 between the Ta films 11s and 11d.例文帳に追加

更に、夫々Ｔａ膜１１ｓ及び１１ｄにＡｌ膜１２ｓ及び１２ｄを介さずに電気的に接続されたＡｕ膜１４ｓ及び１４ｄと、ｎ−ＡｌＧａＮ層４上においてＴａ膜１１ｓ及び１１ｄの間に位置するゲート電極１３ｇと、が設けられている。 - 特許庁

The first insulation films (16, 21 and 22) cover the MOS transistor.例文帳に追加

第１絶縁膜（１６、２１、２２）はＭＯＳトランジスタを覆う。 - 特許庁

This device has a configuration combining a polarization transfer section in which ferroelectric thin films are sandwiched by a plurality of electrodes to transfer a polarization signal in the ferroelectric thin films, and a polarization detecting section consisting of a field effect transistor having ferroelectric thin films in a gate section, and continuously unifying the ferroelectric thin films.例文帳に追加

したがって、不揮発性メモリとして集積度を高める際には強誘電体薄膜も小さな形状に裁断されることとなり、その結果、充分な特性や信頼性が得られず、微細化、高集積化には限界が生ずるという課題があった。 - 特許庁

In the method of adjusting moisture content of plastic films, first, strip-shape plastic films 1 are wound with support members 2 to form a roll body 4 of the plastic films 1 such that gap layers 3 exist between the plastic films 1 due to the support bodies 2.例文帳に追加

本発明によるプラスチックフィルムの含水率調整方法は、まず、帯状のプラスチックフィルム１が、支持部材２を介して巻き取られ、この支持部材２によって空隙層３が介在されるように、プラスチックフィルム１の巻取体４が形成される。 - 特許庁