「good coverage」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An electrode 17 having a good step coverage is formed at a contact opening 16 defined by the funnelform hole 14a and the second hole 15.例文帳に追加

漏斗状孔１４aと第２の孔１５とから成るコンタクト開口１６にスッテプカバレージの良い電極１７を形成する。 - 特許庁

Consequently, a protective insulating film covering the capacitor upper electrode and the dielectric film therebelow is formed with a good coverage.例文帳に追加

これにより、キャパシタ上部電極とその下の誘電体膜を覆う保護絶縁膜をカバレッジ良く形成することができる。 - 特許庁

Since the shapes of the interlayer insulation films 2 and 3 are improved by the isotropic etching, the metal interconnection layer can be formed with a good step coverage.例文帳に追加

等方性エッチングにより層間絶縁膜２，３の形状が改善され、金属配線層がステップカバレージ良く成膜される。 - 特許庁

To form a conductor film with good coverage and contact inside the wiring groove formed on a porous low dielectric material film.例文帳に追加

多孔性の低誘電率膜に形成された配線溝内に、カバレージ良く且つ高い密着性で導電体膜を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a memory device having concave BST capacitors of which the step coverage is good and reliability in electrical characteristics is high.例文帳に追加

ステップカバレッジに優れ、電気的特性の信頼性の高い、凹状構造のＢＳＴキャパシタを有するメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a two-component developer including a carrier which imparts good coverage and chargeability to an earth-conscious polylactic acid toner.例文帳に追加

地球環境に優しいポリ乳酸トナーに対し良好な被覆率と帯電性を付与するキャリアを有する二成分現像剤を提供する。 - 特許庁

To provide depositing method of a barrier film of AsSiN capable of preventing the diffusion of Cu atom into an insulating film on the insulating film with good coverage.例文帳に追加

Ｃｕ原子の絶縁膜への拡散を防止できるＴａＳｉＮのバリア膜を、絶縁膜上にカバレッジ良く成膜する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dielectric layer of good performance which is shorten in processing time by transferring to a substrate a green sheet which is good in step coverage, and tolerant of high temperature and high pressure to form the dielectric layer.例文帳に追加

ステップカバレッジが良く、高温、高圧に耐えられるグリーンシートを基板に転写して誘電体層を形成することによって工程時間を短縮し、且つ性能に優れた誘電体層を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which forms a lining layer with good coverage in a trench and a via of a porous low-dielectric constant insulator film.例文帳に追加

多孔性低誘電率絶縁膜のトレンチおよびビア内にカバレージ良くライニング層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state electrolytic capacitor having good ESR characteristics in which the coverage of conductive polymer is high on the surface of a capacitor anode body.例文帳に追加

コンデンサ陽極体の表面における導電性高分子被覆率が高く、ＥＳＲ特性の良好な固体電解コンデンサを提供すること。 - 特許庁

Thereby, the process number can be reduced, the good step coverage is realized, and the increasing resistance value of the interface portion between the Ti film and the silicon layer is also suppressed.例文帳に追加

これにより、工程数を少なくでき、ステップカバレジも良好にし、しかも、Ｔｉ膜とシリコン層との界面部分の抵抗値の増加も抑制する。 - 特許庁

To form Al alloy films in microscopic form parts as well, such as contact holes and via holes, with a good coverage, while generation of a whisker is suppressed in the alloy films.例文帳に追加

ウイスカ発生を抑制しながら、コンタクト孔やビア孔などの微細形状部分にも良好な被覆性でＡｌ系合金膜を成膜する。 - 特許庁

To form a contact hole in a good shape without damaging an Si substrate, and to improve the step coverage of a metal interconnection layer without adding extra processes.例文帳に追加

Ｓｉ基板にダメージを与えることなく良好な形状のコンタクトホールの形成を可能とし、余分な付加工程を加えることなく金属配線層のステップカバレージを改善する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition having good pitch dependence and coverage dependence of CD and a resist pattern forming method using the same.例文帳に追加

ＣＤのピッチ依存性、被覆率依存性が良好な、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにこれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a photoelectric conversion device, achieving both high productivity and a high conversion efficiency by forming an n-layer having good coverage at high rate.例文帳に追加

カバレージが良好なｎ層を高速で製膜することにより、高生産性と高変換効率とを両立させた光電変換装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The protective insulating film formed with the good coverage has a high capacitor protecting function and then prevent the capacitor from deteriorating owing to a reduced element to improve the capacitor characteristics.例文帳に追加

カバレッジ良く形成された保護絶縁膜は、キャパシタ保護機能が高くなるので、キャパシタの還元元素による劣化を防止して、キャパシタ特性を向上することができる。 - 特許庁

Since the high melting metal layer has good step coverage, the high melting metal layer does not break by the level difference of the opening on the upper face of the forming region of the photodiode.例文帳に追加

その結果、高融点金属層はステップカバレッジが良いので、フォトダイオードの形成領域上面にある開口部の段差で高融点金属層は破断しない。 - 特許庁

To provide sputtering system and method which can form a thin film with good coverage even in a through-hole having a high aspect ratio without reducing the deposition rate.例文帳に追加

高アスペクト比の貫通穴であっても、貫通穴内部に薄膜をカバレッジ良く形成することができ、かつ成膜レートを低下させないスパッタリング装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which enables easy formation of an Ru-containing film whose step coverage is good, deposition delay time is short and furthermore in-plane uniformity is good, and to provide a substrate treatment method.例文帳に追加

ステップカバレッジが良好であり、堆積遅れ時間の短い、ひいては面内均一性のよいＲｕを含む膜を容易に製造することのできる半導体装置の製造方法および基板処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a building with well-lighted interior suitable for any small lot, in which good lighting is available to its interior even if it is enlarged to the very limits of building coverage ratio for small lots under the law.例文帳に追加

狭小敷地において、建ぺい率等をクリアできる限界まで建物本体を大型化しても、採光性に優れた狭小敷地対応型の建物を提供する。 - 特許庁

To provide a forming method of a barrier layer capable of reducing the process number, realizing good step coverage, and suppressing the increasing resistance value of the interface portion between a Ti film and a silicon layer.例文帳に追加

工程数を少なくし、ステップカバレジも良好にし、しかも、Ｔｉ膜とシリコン層との界面部分の抵抗値の増加を抑制することが可能なバリヤ層の形成方法を提供する。 - 特許庁

After that, the plasma beam PB is fed to the hearth 51 to evaporate a film material in the hearth 51, so that a metallic wiring material film good in step coverage, in which voids or the like are hard to be formed and also good in crystal orientation properties can be deposited on the substrate W.例文帳に追加

その後、プラズマビームＰＢをハース５１に供給すると、ハース５１中の膜材料が蒸発し、ステップカバレージが良好でボイド等が形成されにくく、かつ、結晶配向性の良い金属配線材料膜が基板Ｗ上に形成される。 - 特許庁

To provide a method of producing a TFT-LCD having a tapered cross section of a Mo alloy/Al alloy laminated line and having good coverage for an insulating film by using a wet etching method to process a laminated line of a molybdenum alloy upper layer and an aluminum alloy lower layer into a tapered cross section and then by using a shower type batch etching method to obtain good coverage for an insulating film.例文帳に追加

湿式エッチングを用いて、上層がモリブデン合金，下層がアルミニウム合金の積層配線の断面をテーパ状に加工し、絶縁膜のカバレッジを良好にするシャワー方式による一括エッチングで、Ｍｏ合金／Ａｌ合金積層配線の断面形状をテーパ状に加工し、良好な絶縁膜カバレッジを有するＴＦＴ−ＬＣＤの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a toner having good charging performance and a good yield by regulating a coverage of fine silica particles as an external additive to fine base particles having unevenness in particle size according to the particle size range, and to provide a method for manufacturing the toner.例文帳に追加

本発明は、粒径にバラツキのある母体微粒子に対して外添剤であるケイ酸微粒子の被覆率をその粒径範囲ごとに調整して帯電性能が良好で歩留まりの良いトナー及びその製造方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a film forming method by which a Co film can be deposited with good step coverage and with high reproducibility when depositing the Co film using Co_2(CO)_8 as a film forming material.例文帳に追加

成膜原料としてＣｏ_２（ＣＯ）_８を用いてＣｏ膜を成膜する場合に、段差被覆性が良好でかつ再現性高くＣｏ膜を成膜することができる成膜方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a film forming method by which a Co film can be deposited with good step coverage and with high reproducibility when depositing the Co film using cobalt carbonyl as a film forming material.例文帳に追加

成膜原料としてコバルトカルボニルを用いてＣｏ膜を成膜する場合に、段差被覆性が良好でかつ再現性高くＣｏ膜を成膜することができる成膜方法を提供すること。 - 特許庁

To realize a method for manufacturing a semiconductor having suitable conditions of film forming a ruthenium on a wafer according to an MOCVD method by obtaining a good coverage without reducing a film forming speed.例文帳に追加

良好なカバレッジを得ることができるとともに、成膜速度を低下させることなく、ＭＯＣＶＤ法によりルテニウムをウエハ上に成膜する適切な条件を有する半導体製造方法を実現する。 - 特許庁

To make coverage and padding characteristics to a fine pattern good as compared with a conventional art in a method of depositing to the fine pattern using the medium of a super-critical state and further to enable to deposit to the still more fine pattern.例文帳に追加

超臨界状態の媒体を用いた、微細パターンへの成膜方法において、従来に比べて微細パターンへのカバレッジと埋め込み特性を良好とし、さらに微細なパターンへの成膜を可能とする。 - 特許庁

The negotiations on government procurement provided a good starting point for further progress. Importantly, the negotiations expanded the coverage of the 1979 Agreement. In addition, the negotiations produced a much-improved 1994 Agreement, most notably by breaking it down into 24 articles instead of the nine articles contained in the 1979 Agreement and adopting stronger disciplines.例文帳に追加

改訂交渉においては、適用範囲の拡大だけでなく、９条からなる旧政府調達協定を24条に細分化して規律の強化を図るなど、条文の改善・見直しも行われた。 - 経済産業省

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which low cost is realized, an interconnect line can be formed with good coverage in a contact hole of high aspect ratio, capacity of the interconnect line can be reduced, and multilevel metallization can be formed.例文帳に追加

本発明は、低コストを実現し、アスペクト比が高いコンタクトホールにカバレッジが良好な配線の形成や配線容量の低減、多層配線の形成が可能な半導体装置の作製方法の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide an active ray sensitive or radiation sensitive resin composition which allows formation of a pattern having good properties of PEBS (post exposure bake sensitivity), MEEF (mask error enhancement factor), coverage dependence and bridge defects, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

ＰＥＢＳ、ＭＥＥＦ、被覆率依存性、ブリッジ欠陥のいずれもが良好なパターンを形成することが可能な感活性光線又は感放射線樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To realize microfabrication of copper trench interconnect lines subsequent to 0.1 μm generation by preventing crevice corrosion of copper between a copper line and a barrier layer thereby employing a tungsten based barrier layer or a titanium based barrier layer which can be deposited with good coverage by CVD.例文帳に追加

銅配線／バリア層間の銅の隙間腐食を防止することにより、ＣＶＤ法によりカバリッジ良く成膜できるタングステン系バリア層もしくはチタン系バリア層を採用して、０．１μｍ世代以降の銅溝配線の微細化を図る。 - 特許庁

We welcome the ongoing work to expand the product coverage and membership of the WTO Information Technology Agreement (ITA) and instruct our officials to work in earnest in order to swiftly achieve a good outcome of the negotiations.例文帳に追加

我々は， WTO 情報技術協定（ITA）の適用製品の範囲及びメンバーの拡大に関し現在行われている作業を歓迎し，よい交渉成果を迅速に達成するために，本格的な作業を行うよう実務者に指示する。 - 経済産業省

To provide an actinic ray- or radiation-sensitive resin composition having good conformability to a liquid for liquid immersion during liquid immersion exposure and having good coverage dependence, from which a pattern reduced in the occurrence of watermark defects, bubble defects and development scum defects can be formed, and to provide a method for forming a pattern using the composition.例文帳に追加

本発明の目的は、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であり、ウォーターマーク欠陥、バブル欠陥、現像残渣欠陥の各々が少ないパターンを形成することが可能、且つ、被覆率依存性が良好な感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a method of forming an NiSi film capable of forming a silicide film of good coverage on the bottom face or the side surface of a trench and a hole pattern, and to provide a method of forming a silicide film, a method of forming a metal film for silicide anneal, a vacuum processing apparatus, and a deposition apparatus.例文帳に追加

トレンチ及びホールパターンの底面や、側面に被覆カバレッジ性の良好なシリサイド膜を形成できるＮｉＳｉ膜の形成方法及びシリサイド膜の形成方法、シリサイドアニール用金属膜の形成方法、真空処理装置、並びに成膜装置の提供。 - 特許庁

Furthermore, a uniform film exhibiting good step coverage can be deposited by forming the carbon layer 5 for reducing a reverse bias current by sputtering, and since an upper heterojunction layer (mixture layer 3) can be formed easily, the diode can be formed stably.例文帳に追加

さらに、逆バイアス電流低減のためのカーボン層５をスパッタリング法によって形成することでステップカバレッジの良い均一な膜を形成することができ、上部へのヘテロ接合層（混合層３）の形成が容易になることから安定したダイオード形成が可能になる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a tapered through hole formed without wet etching the through hole having a taper shape in which a sidewall face has a suitable slope and good coverage of a wiring material and without using a polysilicon.例文帳に追加

側壁面が適正な傾斜をもつテーパ形状を有し、配線材料のカバレッジが良好なスルーホールを、ウェットエッチングを行うことなく、また、ポリシリコンを使用することなく形成するテーパ状スルーホールを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a laminate with a good coverage of an upper layer in the method of manufacturing the laminate in which a lower layer with a coating film containing a radiation curable monomer or oligomer cured by radiation is formed, and an inorganic film is formed on the lower layer by a vacuum film forming method.例文帳に追加

放射線硬化性のモノマー又はオリゴマーが含有された塗布膜を放射線により硬化させた下層を設け、その下層上に真空成膜法により無機膜を設けた積層体の製造方法おいて、上層の被覆率の良い積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of wiring including an evaluation method in which oxidation dissolution of a metal does not occur and to easily manufacture a large screen high definition display device with a good yield in a wiring formation method having a process of evaluating a coverage of the protection layer of a layer structure.例文帳に追加

積層構造体の保護層の被覆率を評価する工程を有する配線形成方法において、金属の酸化溶解が発生しない評価法含む配線の製造方法の提供と大画面、高精細な画像表示装置を歩留まりよく容易に製造すること。 - 特許庁

As a result, direct mixing of the first gas containing silicon compound, and the second gas containing a metal in the silicificated nitrided metal in gas phase can be prevented whereby the generation of particles can be prevented, and the barrier film 7 consisting of TaSiN with good coverage can be formed.例文帳に追加

その結果、シリコン化合物を含む第１のガスとケイ化窒化金属膜中の金属を含む第２のガスとが気相中で直接混合されるのを防ぐことが出来るため、パーティクルの発生を防ぎ、カバレッジのＴａＳｉＮからなるバリア膜７を形成することが出来る。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device provided with a memory cell and a peripheral circuit having openings of different aspect ratio on the same substrate wherein a barrier metal is formed with good coverage in the opening and contact resistance of a plug and a bit line provided in the opening and a polysilicon plug is stabilized and reduced.例文帳に追加

メモリセル部と周辺回路部とを同一基板上に設けた半導体装置が異なるアスペクト比の開口を有し、この開口にカバレッジ性の良い開口内バリアメタルを形成するとともに、開口に設けたプラグとビット線およびポリシリコンプラグとのコンタクト抵抗の安定化、低減化をはかる。 - 特許庁

To provide an oxide semiconductor thin-film transistor whose reliability is improved by alleviating steep incline of the peripheral portion of a first insulation film pattern on an oxide semiconductor pattern so that a source/drain electrode formed on a thin-film transistor has a uniform and good step coverage, and a method for forming the same.例文帳に追加

本発明は、その上に形成されるソース・ドレイン電極が均一で良好なステップカバレッジを有するように、酸化物半導体パターン上の第１絶縁膜パターンの周縁部の急傾斜を緩和して信頼性が向上した酸化物半導体薄膜トランジスター及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition that has excellent reactivity to alkali developer while securing hydrophobicity in immersion exposure to suppress a development defect and also has good coverage dependence; a polymer usable for the same; and a compound to be a monomer of the polymer.例文帳に追加

液浸露光時における疎水性を確保しつつ、アルカリ現像液に対する反応性に優れ、現像欠陥を抑制することができ、さらに被覆率依存性が良好な感放射線性樹脂組成物、これに用いることができる重合体及びこの重合体のモノマーとなる化合物を提供することである。 - 特許庁

That is, in the material, a tensile stress is low, a step coverage is good, the integrity is maintained when a subsequent processing is applied, the material does not significantly and/or adversely impact the performance characteristics of the mechanical structures in a chamber (in the case of not being coated with the material during attaching) and/or facilitates the integration with the high performance integrated circuits.例文帳に追加

即ち、引張応力が低く、ステップカバレッジが良好であり、続くプロセスが加えられたときにその一体性を維持し、チャンバ内の機械構造の性能特性に大きな影響及び／又は悪影響を及ぼさず（付着中に材料でコーティングされていない場合）、及び／又は高性能集積回路との一体性を容易にする。 - 特許庁

As a result, a palladium film 109 is formed on area having dense wiring, through the first cobalt-tungsten-phosphor film 107, so that metal alloy containing copper is not formed, thereby being capable of suppressing increase in wiring resistance; and the metal alloy layer can be formed on the wiring groove with coverage being good, so that low resistance and high reliable wring can be formed.例文帳に追加

これにより、配線が密な領域では、第一のコバルトタングステンリン膜１０７を介してパラジウム膜１０９が形成されるため、銅との合金が形成されず配線抵抗の上昇を抑制することができ、かつ、配線溝の上に被覆性良く合金層を形成できるため、低抵抗で信頼性の高い配線を形成することが出来る。 - 特許庁