「growing surface」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To achieve a growing size of the apparatus and an increase in the number of parts by arranging a photo timer on the periphery of imaging effective surface and on the backside of an imaging surface.例文帳に追加

フォトタイマーを撮影有効面の周辺や撮影面の裏面に配置しているので、装置が大型化、部品点数が増加する。 - 特許庁

The device 10 for growing a crystal has a first solid surface 11a and a second solid surface 12a provided on an island 12.例文帳に追加

結晶成長用装置１０は、第１の固体表面１１ａと、アイランド１２上に与えられる第２の固体表面１２ａとを備える。 - 特許庁

To provide a weeder with which weeds growing on the ground surface, having various lengths, can efficiently be removed from the ground surface by one machine.例文帳に追加

地面に生えている丈の長さが様々な草を、１台の機械で効率よく地面から取り去ることが可能な草取り機を提供する。 - 特許庁

The silicon oxide 31 easily grows on the silicon 11a' of the bottom surface of the trench, and has difficulty in growing on the thermal oxidation film 12b of the wall surface.例文帳に追加

この酸化シリコン３１は、トレンチ底面のシリコン１１ａ’上には成長しやすく、壁面の熱酸化膜１２ｂ上には成長しにくい。 - 特許庁

The nitride semiconductor crystal 2 is formed by an MOCVD method etc., and its growing surface grows on the non- or semi-polar surface.例文帳に追加

窒化物半導体結晶２は、ＭＯＣＶＤ法等によって形成され、その成長表面が非極性面又は半極性面で成長する。 - 特許庁

Layers which will be a top cell T are formed on a surface of a GaAs substrate 1 by the epitaxy growing method.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１の表面に、エピタキシャル成長法によってトップセルＴとなる各層が形成される。 - 特許庁

To perform vapor growing of a single crystalline thin film on the main surface of a semiconductor substrate while suppressing the generation of a flaw.例文帳に追加

傷の発生を抑制しながら単結晶薄膜を半導体基板の主表面に気相成長させる。 - 特許庁

In epitaxially growing the semiconductor layer, the substrate main surface and the material gas are irradiated with ultraviolet rays.例文帳に追加

そして、半導体層を気相成長する際に、基板主表面と原料ガスとに紫外線を照射する。 - 特許庁

Further, a plant growing mud-like base material 3 with the flow value of approximately 10 seconds is injected into the clearances 2a through pores 5a in the upper surface of the lawn growing mat 5, so that nearly a half of the clearances 2a are filled up with the plant growing mud material 3.例文帳に追加

さらに、芝生養生マット５の上面から孔部５ａを通して、フロー値が１０秒前後の泥状の植物生育基盤材３が、空隙部２ａの容積のほぼ半分を充填するように、空隙部２ａに注入される。 - 特許庁

To grow an SiC single crystal uniform in the longitudinal and radial directions by preventing the deterioration of the side surface of a growing crystal, which deterioration is caused by relative movement of the growing crystal.例文帳に追加

成長結晶の相対移動に伴なう成長結晶側面の劣化を防止し、長尺方向及び径方向共に均一なＳｉＣ単結晶を成長させられるようにする。 - 特許庁

Thereby unevenness of the surface of the seed crystal 5 to be a starting point of dislocation in the growing layer of the silicon carbide single crystal is extremely minimized so that the occurrence of dislocation in the growing layer is suppressed.例文帳に追加

これにより、炭化硅素単結晶成長層の転位の起点となる、種結晶５表面の凹凸が極めて小さくなり、成長層の転位の発生を抑制する。 - 特許庁

To provide a technology for growing a thick single-crystal layer on a semiconductor wafer without growing a crystal layer in an angulated shape on an end surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハの端面に角張った形状の結晶層を成長させることなく、半導体ウエハ上に厚い単結晶層を成長させることができる技術を提供する。 - 特許庁

The substrate 2 is obtained by a manufacturing method including a step of nitriding the semiconductor growing surface of the substrate 2 in a device which is different from the device used for growing a nitride semiconductor.例文帳に追加

また、このサファイア基板2は、窒化物半導体を成長させる装置とは別の装置内で前記半導体成長面の表面部を窒化する工程を含む製造方法により得られる。 - 特許庁

The wall-surface greening apparatus includes a corridor formed around the wall surface of a building, and plant-growing planters provided at the corridor, wherein the corridor functions as a foothold for maintaining the plant-growing planters.例文帳に追加

本発明は、壁面緑化用の緑化具において、建物の壁面の周囲に設けた回廊と、回廊に設けた植物育成用のプランターからなり、回廊を植物育成用のプランターの管理用足場とした壁面緑化具である。 - 特許庁

To provide a clamping device capable of reducing cracks growing on a recording surface of a glass substrate at the time of polishing a peripheral end surface of the disc type glass substrate as much as possible.例文帳に追加

円盤状ガラス基板の周端面を研磨する際にガラス基板の記録面に生じるクラックを可及的に小さくできるクランプ装置を提供する。 - 特許庁

By changing the speed distribution of the flux on a seed crystal substrate surface, the semiconductor crystal growing on the surface is made into uniform thickness.例文帳に追加

また、フラックスの種結晶基板面上の速度分布が変化するために、面上に成長する半導体結晶の厚さが均一一様となる。 - 特許庁

With the emission of the light from the running surface 1570bxa, the running surface 1570bxa can be highlighted growing delicately.例文帳に追加

走行面１５７０ｂｘａから光が出射されることによって、この走行面１５７０ｂｘａを、ほんのり発光させた状態で際立たせることができる。 - 特許庁

An epitaxial layer 12 having an (000-1) off-face as a major surface is obtained by growing a silicon carbide layer epitaxially on the major surface of a silicon carbide substrate 11 having the (000-1) off face as the major surface (upper surface) and an (000-1) off face as a rear surface (lower surface).例文帳に追加

（ ０ ０ ０ −１ ）オフ面を主面（上面）として（ ０ ０ ０ １ ）オフ面を裏面（下面）とする炭化珪素基板１１の主面上に炭化珪素層をエピタキシャル成長させることにより、（ ０ ０ ０ −１ ）オフ面を主面とするエピタキシャル層１２を得る。 - 特許庁

In the ground board that is used for the method of manufacturing a semiconductor by immersing the ground board with a growing surface in the melt solution and growing the semiconductor on the ground board, a crystal growing surface S1 of the ground board includes a groove extending from a forward portion in an immersing direction to a rear direction.例文帳に追加

成長面を有する下地板を半導体融液に浸漬させて、下地板に半導体を成長させる半導体の製造方法に使用する半導体製造用下地板において、半導体製造用下地板の結晶成長面Ｓ１が浸漬方向前方部から後方部に延びる溝を有する。 - 特許庁

While growing the group 3B nitride single crystal, a flow in a direction along the major surface is induced in the mixture melt.例文帳に追加

また、３Ｂ族窒化物単結晶を成長させる際、主面に沿った方向の流れを混合融液に発生させる。 - 特許庁

To provide a greening slope face-frame structure unforcedly growing trees by seeds hiding in surface soil at a site.例文帳に追加

現地表土に潜在の種子による樹木を無理なく成長させることができる緑化法枠構造を提供する。 - 特許庁

To provide vapor-growing in a thin film having the higher uniformity in film thickness than in the prior art on a principal surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

従来と比較して膜厚均一性の高い薄膜を半導体基板の主表面に気相成長させる。 - 特許庁

The sapphire substrate 2 has a nitride layer 2a composed of amorphous or polycrystalline AlN on its semiconductor growing surface.例文帳に追加

半導体成長面の表面部に、非晶質または多結晶のAlNからなる窒化層2aを有するサファイア基板2である。 - 特許庁

The method of producing the epitaxial film is comprised of epitaxially growing a film on an oxide substrate having such a nonmirror surface.例文帳に追加

エピタキシャル膜の製造方法は、そのような非鏡面の酸化物基板上にエピタキシャル膜を製造する方法である。 - 特許庁

The surface of the intermediate treatment layer 2 has a hydroxyapatite layer 3 growing thickly by immersing it in Hanks solution.例文帳に追加

中間処理層２の表面に、Hanks溶液に浸漬させることにより、密に成長したハイドロキシアパタイト層３を有している。 - 特許庁

To provide a method for growing a high-quality cubic nitride crystal good in reproducibility and surface flatness.例文帳に追加

再現性良く高品質であり表面平坦性のよい立方晶窒化物結晶の成長方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for growing group III nitride semiconductor capable of reducing the number of surface defects of the group III nitride semiconductor.例文帳に追加

III族窒化物の表面欠陥の数を低減可能な、III族窒化物半導体を成長する方法を提供する。 - 特許庁

The alga-growing bank comprises units produced by covering the surface of a concrete block 2 with a ceramic layer 3 formed by sintering an argillaceous material.例文帳に追加

コンクリート塊２の表面を、粘土質材料の焼結により形成されたセラミック層３で被覆したものとする。 - 特許庁

To provide a wall surface greening structure capable of easily and beautifully greening a wall surface with a wide area and efficiently maintaining by cooperating with a plant growing box and a wall surface greening net by a simple method arranging a limited number of plant growing box cages along the upper side of a wall surface necessary for greening and suspending the wall surface net so as to cover the wall surface.例文帳に追加

本発明によれば、限定された数の植物育成箱籠を、緑化を必要とする壁面の上辺に沿い並設し、同壁面を覆うように壁面緑化ネットを吊り下げる簡便なる工法にて、植物育成箱籠と壁面緑化ネットの協働により、容易且つ美麗に広面積の壁面緑化が図れ、有効に維持する壁面緑化構造を提供する。 - 特許庁

The SiC mold comprises a substrate which consists of an SiC (silicon carbide) sintered body and a polycrystalline SiC film which is formed by vapor phase growing or liquid phase growing on the substrate, of which the surface is polished into a mirror surface, and uneven patterns are formed on the surface of the polycrystalline SiC film.例文帳に追加

ＳｉＣ（炭化珪素）焼結体からなる基板と、該基板上に気相成長或いは液相成長によって形成され、表面が鏡面状に研磨された多結晶ＳｉＣ膜とからなり、該多結晶ＳｉＣ膜の表面に凹凸のパターンが形成されている。 - 特許庁

For example, by epitaxially growing the piezoelectric film on a single crystal silicon substrate as the growing surface, an improved piezoelectric film completely or nearly free from a grain boundary is manufactured.例文帳に追加

例えば、成長表面としての単結晶シリコン基板上にピエゾ電気膜をエピタキシャル成長させることにより、粒界がほとんどないまたは全くない改良されたピエゾ電気膜が製造される。 - 特許庁

To provide a susceptor capable of improving uniformity in film thickness of a thin film to be formed on a wafer surface when the thin film is grown by vapor phase growing using a vapor phase growing apparatus.例文帳に追加

気相成長装置を使用してウェーハに薄膜を気相成長させる際、形成する薄膜のウェーハ面内における膜厚の均一性を改善することができるサセプタを提供する。 - 特許庁

To provide a variable prize winning device for game machines which allows growing size of a center accessory to accommodate a growing size of a liquid crystal display part placed at the center of the surface of the board and a game machine using it.例文帳に追加

盤面の中央に搭載される液晶表示部の大型化に対応させてセンター役物を大型化し得る遊技機用可変入賞装置及びそれを用いた遊技機を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a germanium single crystal, capable of preventing germanium oxide from depositing on the surface of a growing crystal and growing the germanium single crystal with a low dislocation density or free of dislocation.例文帳に追加

成長結晶表面に酸化ゲルマニウムが付着するのを防ぎ、低転位密度または無転位でゲルマニウムの単結晶を成長させることができるゲルマニウム単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting device in which a semiconductor growing layer is formed on a substrate, the side face of the substrate is formed in a roughened surface and the side face of the semiconductor growing layer is formed in a flat mirror-finished surface.例文帳に追加

基板上に半導体成長層が形成された半導体発光素子において、該基板の側面は粗面状であり、該半導体成長層の側面は平坦な鏡面状であることを特徴とする半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

An upward flow is generated from near the high-temperature part 10b along the growing surface 5a (or 5b) of the seed crystal substrate as is shown by arrow 6, then it flows near the gas/liquid interface toward the outside of the growing vessel, then a downward flow is generated along the inner wall of the growing vessel as shown by arrow 8.例文帳に追加

高温部１０ｂ付近から矢印６のように種結晶基板の育成面５ａ（あるいは５ｂ）に添って上昇流が生じ、次いで気液界面の近くでは育成容器の外側へと向かって流れ、次いで矢印８のように育成容器の内壁面に添って下降流が生じる。 - 特許庁

The method comprises disposing inorganic particles 2 on a surface 1A of a substrate 1 for growing by using a slurry obtained by dispersing the inorganic particles 2 in a medium, and by dipping the substrate 1 for growing into the slurry or by coating or spraying the slurry onto the substrate 1 for growing and drying it.例文帳に追加

無機粒子２を媒体に分散させたスラリーを用いて、該スラリー中へ成長用基板１を浸漬させるか、または該スラリーを成長用基板１上に塗布や噴霧した後、乾燥させることにより、成長用基板１の表面１Ａ上に無機粒子２を配置する。 - 特許庁

A frame 2 is fitted to a surface of an existing concrete revetment, and the hollow board 1 for growing the ecosystem with a porous material 12 such as lava stuck to a surface thereof is fallen in to cover the surface of the revetment by the board.例文帳に追加

既存のコンクリート護岸表面にフレーム２を取り付け、表面に溶岩等の多孔質材１２を貼り付けた中空の生態系育成用ボード１を落とし込み護岸表面をボードで被覆する。 - 特許庁

To provide a method for growing a group III nitride crystal which is large in size and has high crystallinity with a flat crystal growth surface.例文帳に追加

大型で結晶性が高く結晶成長表面が平坦なＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

The seeding on the upper surface of the light-weight growing material, the fixation of a seed sheet and the planting of a ground-covering plant can be carried out at need.例文帳に追加

必要に応じて、軽量育成材の上部表面に播種、種子シートの固定、地被植物の植栽が可能である。 - 特許庁

The growing degree of the dew is determined based on a changing rate of a particle size of the dew on the sample surface measured at each prescribed time.例文帳に追加

露の成長度合いは、所定時間ごとに測定された試料表面上の露の粒径の変化割合に基づいている。 - 特許庁

METHOD OF FLATTENING/CLEANING SURFACE OF CRYSTALLINE InP SUBSTRATE AND METHOD OF GROWING SEMICONDUCTOR DEVICE BY MOLECULAR BEAM EPITAXY USING IT例文帳に追加

ＩｎＰ結晶基板表面の平坦・清浄化方法及びそれを用いた半導体デバイスの分子線エピタキシャル成長方法 - 特許庁

The reproducing method of the first substrate includes a process for homoepitaxially growing the first substrate whose surface is processed.例文帳に追加

また、さらに、表面処理がされた第１の基板をホモエピタキシャル成長させる工程とを含む第１の基板の再生方法。 - 特許庁

To suppress attachment-growing of dust included in an exhaust gas discharged from an ash melting furnace to a wall surface of a combustion chamber.例文帳に追加

灰溶融炉から排出される排ガス中に含まれたダストが燃焼室の壁面に付着・成長するのを抑制する。 - 特許庁

A zeolite film 3 is formed by growing zeolite crystals on the surface of a catalyst layer 2 having hydrogen generating activity.例文帳に追加

水素生成活性を有する触媒本体層２の表面に、ゼオライトの結晶が成長してなるゼオライト膜３を形成した。 - 特許庁