| 例文 |
halogen elementsの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 75件
The halogen elements are introduced so that Hf atoms or Si atoms on the surface of the HfSiON gate insulating film 5 are terminated, and an electrically satisfactory interface is formed between the HfSiON gate insulating film 5 and the PolySi gate electrode 6.例文帳に追加
ハロゲン元素が導入されることで、HfSiONゲート絶縁膜5表面のHf原子やSi原子は終端され、HfSiONゲート絶縁膜5とPolySiゲート電極6との間に電気的に良好な界面が形成されるようになる。 - 特許庁
In the method for producing the ZnTe-based compound semiconductor single crystal or an at least ternary ZnTe-based compound semiconductor single crystal containing ZnTe, at least one element selected from the group 3B elements in the Periodic Table, such as Al, Ga or In, or halogen elements, such as Cl, Br or I, is added as an impurity during the growth of the single crystal.例文帳に追加
ZnTeあるいはZnTeを含む三元以上のZnTe系化合物半導体単結晶の製造方法において、Al,Ga,In等の周期表3B族元素のいずれか一種類以上の元素またはCl,Br,I等のハロゲン元素のいずれか一種類以上の元素を不純物として結晶育成中に添加するようにした。 - 特許庁
In a pre-amorphous process, an amorphous region is formed in a semiconductor region by performing the ion implantation of a IV group element, or an ion implantation of at least any one of arsenic (As), phosphorous (P), halogen, and inert gas elements, or an ion implantation under the conditions of a low temperature lower than -10°C.例文帳に追加
半導体領域内に、プレアモルファス工程では、IV族元素のイオン注入、又はヒ素(As),リン(P),ハロゲン元素及び不活性ガス元素のうち少なくともいずれか1つのイオン注入、又は−10℃よりも低い低温条件でイオン注入を行なってアモルファス領域を形成する。 - 特許庁
Degreasing treatment and satin treatment are made selectively treatable by using a heating common bath built and provided to a treating tank for degreasing existing for prestage to anodic oxidation treatment, in which halogen elements are added and incorporated to a concentration of 0.5 to 30 wt.% and heated to about 30 to 50°C.例文帳に追加
陽極酸化処理の前工程用に存在する脱脂用の処理槽に建浴した,ハロゲン元素を0.5〜30wt%の濃度に添加含有し30〜50°程度に加温した加温共通浴を用いて脱脂処理と梨地処理を選択的に処理可能とする。 - 特許庁
This etching method of copper uses water solution containing Cu(NH_3)_4X_2 and NH_4X (X is halogen elements), and uses water solution in which the number of mols of contained NH_4X is more than the number of mols of Cu(NH_3)_4X_2, and pH ranges from 6.5 to 8.1 as etching liquid.例文帳に追加
Cu(NH_3)_4X_2、及び、NH_4X(ここで、Xはハロゲン元素である)を含む水溶液であって、含有されるNH_4Xのモル数がCu(NH_3)_4X_2のモル数よりも多く、且つ、pHが6.5〜8.1である水溶液をエッチング液として使用することを特徴とする銅のエッチング方法。 - 特許庁
A nonaqueous electrolyte secondary battery has a positive electrode, a negative electrode and a nonaqueous electrolyte, and the nonaqueous electrolyte contains a compound in which oxygen and halogen coordinate with an element selected from the group comprising group 4 to 15 elements in the periodic table.例文帳に追加
正極および負極と共に非水電解液を備えた非水電解液二次電池であって、前記非水電解液が、周期律表第4族〜15族からなる群より選ばれる元素に酸素およびハロゲンが配位した化合物を含むことを特徴とする非水電解液二次電池。 - 特許庁
To provide an epoxy resin composition material for encapsulation which has non-halogen and non-antimonical components and attains superior flame resistance, without causing reliability such as moldability, reflow resistance, moisture resistance, and high-temperature shelf life, to reduce, and to provide a manufacturing method for the same and an electronic component device that incorporates elements encapsulated by the same.例文帳に追加
ノンハロゲンかつノンアンチモンで、成形性、耐リフロー性、耐湿性及び高温放置特性等の信頼性を低下させずに難燃性が良好な封止用エポキシ樹脂組成物、その製造方法及びこれにより封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。 - 特許庁
The hollow fine particle such as the inorganic porous fine particle is restrained from being flocculated in the applying step, and the antistatic antireflection film of satisfactory conductivity is prepared by bringing a content of halogen elements resulting from the quaternary ammonium salt conductive monomer, into a range of 1-5 atom%.例文帳に追加
4級アンモニウム塩導電性モノマー起因であるハロゲン元素含有率を1〜5atom%の範囲にすることで、無機多孔質微粒子などの中空微粒子が塗布段階で凝集することを抑制し、かつ良好な導電性を有する帯電防止反射防止フィルムを作成した。 - 特許庁
Impurities such as hydrogen, moisture (hydrogen atoms and hydrogen containing compounds such as H_2O ) contained in an oxide semiconductor layer are removed from the oxide semiconductor layer with halogen elements represented by fluorine and chlorine to reduce the impurity concentration in the oxide semiconductor layer.例文帳に追加
フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる水素や水分(水素原子や、H_2Oなど水素原子を含む化合物)などの不純物を、酸化物半導体層より排除し、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。 - 特許庁
When a compound oxide catalyst having a predetermined component element is manufactured by a step including an integration at an aqueous system of a supply source compound of the respective component elements and heating, a compound carbonate compound of Bi containing a halogen is used as a supply source compound of Bi or the like.例文帳に追加
所定の成分元素を有する複合酸化物触媒を、各成分元素の供給源化合物の水性系での一体化及び加熱を含む工程によって製造する際に、ハロゲンを含有したBiの複合炭酸塩化合物をBi等の供給源化合物として用いて製造する。 - 特許庁
To provide a non-halogen and non-antimony epoxy resin composition for a sealant with good warpage of package and gold wire deformation, and flame resistance without declines of reliability in characteristic features such as moldability, reflow-proof and moisture resistance that can be left unattended at high temperatures, and an electronic component device equipped with elements sealed with the composition.例文帳に追加
ノンハロゲンかつノンアンチモンで、パッケージの反り、金線変形が良好であり、成形性、耐リフロー性、耐湿性及び高温放置特性等の信頼性を低下させずに難燃性が良好な封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれにより封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。 - 特許庁
A CPU 22 executes an actual heating value calculation program stored in a ROM 21 to calculate an actual heating value stored in a pressure roller 6 by using the lapse of time from the end of heating by a halogen heater 10 and the temperature of a belt 2 detected by a thermistor 11 as calculation elements.例文帳に追加
CPU22は、ROM21に格納された実熱量算出プログラムを実行して、ハロゲンヒータ10が加熱を終了した時点を起点とする時間経過およびサーミスタ11が検知したベルト2の温度を算出要素として、加圧ローラ6に蓄えられている実熱量を算出する。 - 特許庁
The fluorophosphate glass containing phosphorus, oxygen and fluorine as glass components is characterized by containing one or more halogen elements selected from among chlorine, bromine and iodine and having a molar ratio O^2-/P^5+ of the content of O^2- to the content of P^5+ of 3.5 or more.例文帳に追加
ガラス成分として、リン、酸素およびフッ素を含むフツリン酸ガラスにおいて、塩素、臭素およびヨウ素の中から選ばれる1種以上のハロゲン元素を含み、P^5+の含有量に対するO^2−の含有量のモル比O^2−/P^5+が3.5以上であることを特徴とするフツリン酸ガラスである。 - 特許庁
Consequently, the electric safety can be secured and when the solar cell module 100 and the materials constituting the solar cell module 100 are disposed of by burning, burying, etc., halogen-based elements such as chlorine serving as a generation source for harmful material and lead components bringing a risk of damaging the human body are reducible.例文帳に追加
これにより、電気的安全性を確保でき、また太陽電池モジュール100及び太陽電池モジュール100を構成する材料を焼却や埋め立て等の廃棄処理する際に、有害物質の発生源となる塩素などのハロゲン系元素や人体に害を及ぼす危険のある鉛成分が少なくできる。 - 特許庁
There are provided alkenyl-substituted decahydronaphthalene derivatives represented by general formula (I) (R is H or 1C-10C alkyl; n is 1-10; X^a, X^b and X^c are each H, F, halogen, alkyl, alkoxy, alkenyl, alkenyloxy or the like), liquid crystal compositions containing the derivative, and liquid crystal elements comprising the composition as a constituent.例文帳に追加
一般式(I)(R:H原子、C数1〜10のアルキル基、n:1〜10、X^a、X^b、X^c:H原子、F原子、Z:H原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基等)で表されるアルケニル置換デカヒドロナフタレン誘導体、これを含有する液晶組成物及びそれを構成要素とする液晶素子。 - 特許庁
The ionic metal complex represented by general formula (1) is synthesized by reacting a compound represented by general formula (2) with a halogen-containing compound represented by general formula (3) or general formula (4) in an organic solvent in the presence of cocatalysts including elements of groups I, II, III or IV in the periodic table.例文帳に追加
一般式(1)で示される化学構造式よりなるイオン性金属錯体を合成するに際し、一般式(2)で示される化合物と一般式(3)または一般式(4)で示されるハロゲン含有化合物とを、有機溶媒中において、周期律表の I族、II族、III族、またはIV族元素を含む反応助剤の存在下で反応させる。 - 特許庁
This heterogeneous polymerization catalyst comprises a radical generating substance (A), a metal halide (B) containing a metal element selected from the group consisting of elements of the group 4 to the group 12 of the periodic table and a halogen element selected from the group consisting of chlorine, bromine and iodine and a carrier (C) supporting a ligand to be coordinated with the metal halide (B).例文帳に追加
ラジカル発生物質(A)と、周期表第4〜第12族元素からなる群より選ばれる金属元素、及び、塩素、臭素、ヨウ素からなる群より選ばれるハロゲン元素を含むハロゲン化金属(B)と、該ハロゲン化金属(B)に配位可能な配位子を担持した担体(C)と、を含有することを特徴とする不均一系重合触媒である。 - 特許庁
The method of supporting the platinum nanoparticles comprises a preparation process to prepare a raw material containing at least, one kind selected from the group consisting of halogen elements, platinum and the carrier, and a reduction process to make the carrier support the platinum nanoparticles by reducing the raw material with the help of a reducing agent, in such a state that the raw material and the carrier coexist and also sodium polyacrylate is not contained.例文帳に追加
担持方法は、ハロゲン元素のうちの少なくとも1種と白金とを含む原料と、担体とを準備する準備工程と、原料と担体とが共存していると共にポリアクリル酸ナトリウムが含まれていない状態において、原料を還元剤で還元して白金ナノ粒子を前記担体に担持させる還元工程とを実施する。 - 特許庁
To provide a decomposition accelerator of volatile organic halogen compound by microorganisms which provides nutrition elements such as nitrogen, phosphorus, potassium, sulfur and so on for a long time which is necessary for proliferation and growth of microorganisms as well as hydrogen necessary for reductive dehalogenation, and which accelerates the proliferation and growth of microorganisms; and a decomposition acceleration method using the same.例文帳に追加
還元的脱ハロゲン化に必要な水素と同時に、微生物の増殖、生育に必要な窒素、リン、カリウム、硫黄等の栄養元素を長期にわたり供給し、微生物の増殖、生育を促進するための揮発性有機ハロゲン化合物の微生物による分解促進剤及びこれを使用した分解促進方法を提供すること。 - 特許庁
Halogen elements in the crude zinc oxide powder are removed by adding a carbon material and water into the steel making flue cinder to pelletize and after roasting the pellet in the reduction volatilization furnace, recovering crude zinc oxide powder, charging the crude zinc oxide powder in an alkali solution and stirring while keeping pH ≥10 and further, alkali cleaning, washing and drying.例文帳に追加
製鋼煙灰に炭素材料と水を加えてペレット化し、これを還元揮発炉で焙焼した後、粗酸化亜鉛粉末を回収し、該粗酸化亜鉛粉末をアルカリ溶液中に投入してpHを10以上に保持しながら撹拌し、さらにアルカリ洗浄、水洗、乾燥することにより、該粗酸化亜鉛粉末中のハロゲン元素を除去することを特徴とする粗酸化亜鉛粉末の処理方法。 - 特許庁
The thin film semiconductor device has an active layer 207 of a crystalline semiconductor film formed on an insulation film 202 containing oxygen, argon, halogen elements or phosphorus wherein the concentration of a metallic element accelerating crystallization of silicon contained in the crystalline semiconductor film is lower than that of a metallic element in the insulation film.例文帳に追加
絶縁膜202上の結晶性半導体膜からなる活性層207を有した薄膜半導体デバイスであって、前記絶縁膜中に酸素、アルゴン、ハロゲン元素もしくはリンを含み、前記結晶性半導体膜中に含まれる珪素の結晶化を助長する金属元素の濃度は、前記絶縁膜中の当該金属元素の濃度よりも低いことを特徴とする。 - 特許庁
To provide a hydrotalcite composition absorbing halogen and acidic substances in a resin by containing manganese or iron and sulfide base reducing agent, enhancing flame retardancy by the metal elements bonding with carbon atoms in the resin or drawing out hydrogen atoms in the resin to generate noncombustible carbon called char by combustion heat, and further preventing the coloring by the iron or the manganese.例文帳に追加
マンガンや鉄と硫化物系還元剤を含有することにより、樹脂中でハロゲンないし酸性物質を吸収し、これらの金属元素が、燃焼熱で樹脂中の炭素原子と結合あるいは樹脂中の水素原子を引き抜いてチャーと呼ばれる不燃性炭素を生成して難燃性を向上させ、更に、鉄やマンガンによる着色を防止するハイドロタルサイト組成物を提供する。 - 特許庁
This resin compound used for composing insulating interlayer of a print circuit board comprises an epoxy-based resin containing a curing agent for epoxy resin which has 5 to 25 wt.% nitrogen, a maleimide compound having thermosetting ability and free from halogen elements.例文帳に追加
プリント配線板の層間絶縁層を構成するために用いる樹脂化合物において、当該樹脂化合物は、窒素が5〜25重量%であるエポキシ樹脂硬化剤を含むエポキシ系樹脂と、熱硬化性を有するマレイミド化合物とを含み、ハロゲン元素を含有しない組成を有するものであることを特徴とするプリント配線板の層間絶縁層構成用の樹脂化合物を用いることによる。 - 特許庁
This carbon nanotube composite is obtained by the steps of producing carbide-derived carbon by reacting a carbide compound with a halogen group element-containing gas; extracting residual elements other than carbon in the carbide compound; and reacting a metal carried by the carbide-derived carbon or a metal remaining in the carbide-derived carbon with a carbon source, where the carbon nanotube composite comprises the carbide-derived carbon and carbon nanotubes grown therefrom.例文帳に追加
カーバイド化合物をハロゲン族元素含有気体と反応させて、カーバイド化合物内の炭素以外の残りの元素を抽出することによって製造されたカーバイド誘導炭素と、カーバイド誘導炭素に担持された金属またはカーバイド誘導炭素に残留する金属と、カーボンソースとの反応によって得られたカーボンナノチューブ混成体であって、カーボンナノチューブ混成体が、カーバイド誘導炭素とそれから成長したカーボンナノチューブとを含むカーボンナノチューブ混成体である。 - 特許庁
The electrophotographic photoreceptive member has a cylindrical electrically conductive substrate and a photoconductive layer comprising a silicon-base non-single crystalline material containing hydrogen, halogen and at least one of the group IIIb elements of the Periodic Table on the surface of the substrate.例文帳に追加
円筒状導電性支持体と、支持体の表面上に水素原子、ハロゲン原子及び周期律表第IIIb族元素からなる群より選択された少なくとも一つの元素を含有しシリコン原子を母体とする非単結晶材料からなる光導電層とを有し、光導電層の表面側で実質的に光を吸収する領域の膜厚A(mm)、光受容部材の直径D(mm)、光受容部材の回転速度B(mm/sec)及び帯電前露光と帯電器の間の角度C(rad)が、下記式(1)で示される関係にある電子写真用光受容部材。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|