「hydrofluoric acid」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A silicon oxide film 102 on a semiconductor substrate 101 is etched in the surface direction thereof using hydrofluoric acid.例文帳に追加

フッ酸により、半導体装置１０１上のシリコン酸化膜１０２をシリコン基板１０１表面方向にエッチングする。 - 特許庁

Further, after the open surface H is formed; the resist pattern 9 is removed from the Si substrate 1, and the Si substrate 1 is cleaned by dilute hydrofluoric acid.例文帳に追加

開口面Ｈを形成後、レジストパターン９をＳｉ基板１上から除去し、その後、希フッ酸を用いてＳｉ基板１を洗浄処理する。 - 特許庁

While the hydrofluoric acid vapor is being supplied to the surface of the substrate W, the temperature of the substrate W is adjusted appropriately as in the following.例文帳に追加

基板Ｗの表面にフッ酸蒸気が供給されている間、以下のようにして基板Ｗの温度を適切に調節する。 - 特許庁

Then the natural oxide film 2 is removed in a wet process, which uses a buffered hydrofluoric acid, etc., while the metal oxide is removed at the same time.例文帳に追加

次いで自然酸化膜２をバッファードフッ酸等を用いたウエット処理により除去し、このとき同時に上記金属酸化物を除去する。 - 特許庁

RECOVERY APPARATUS OF FLUORINE AQUEOUS SOLUTION OR HYDROFLUORIC ACID AQUEOUS SOLUTION, ITS RECOVERY METHOD, AND CIRCULATING AND USING SYSTEM OF THE SAME例文帳に追加

フッ素水溶液又はフッ酸水溶液の回収装置、その回収方法、及びその循環利用システム - 特許庁

That is, the supply of the hydrofluoric acid L2 is stopped intermittently during the etching processing, the film thickness measuring process is performed and the end point of etching is detected.例文帳に追加

すなわち、エッチング処理の間、断続的にフッ酸Ｌ２の供給を停止して膜厚測定工程を行いエッチングの終点を検出する。 - 特許庁

Thereby, the amount of the consumption of the fluorine-based inert liquid and hydrofluoric acid aqueous solution are suppressed, and the running cost is reduced.例文帳に追加

これによりフッ素系不活性液体およびフッ酸水溶液の消費量が抑制され、ランニングコストが低減される。 - 特許庁

A naturally oxidized film on an exposed surface in a source region and a drain region is removed using a cleaning liquid A containing hydrofluoric acid.例文帳に追加

ソース領域およびドレイン領域の露出した表面上の自然酸化膜を、フッ酸を含有する洗浄液Ａで洗浄除去する。 - 特許庁

Hydrofluoric acid obtained from the gaseous hydrogen fluoride can be reutilized as the one for cleaning, e.g. in a semiconductor fabrication process as the source of producing a waste liquid.例文帳に追加

フッ化水素ガスから得られるフッ化水素酸を前記、排液発生源の半導体製造工程等の洗浄用としての再利用を可能とする。 - 特許庁

A second step S2 removes a natural oxide film formed on a substrate surface by being processed by a buffered hydrofluoric acid (BHF).例文帳に追加

第２ステップＳ２では、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）で処理して基板表面に形成された自然酸化膜を除去する。 - 特許庁

After that, the resin is dipped in a 1% aqueous hydrofluoric acid solution to remove fiber fine particles, and then washed and dried.例文帳に追加

その後、樹脂を１％フッ酸水溶液に浸漬し、ファイバー微粒子を除去した後、水洗、乾燥する。 - 特許庁

Then, the fluorine-based inert liquid and hydrofluoric acid aqueous solution are respectively separated, and are supplied to nozzles 25, 16 and are re-used.例文帳に追加

そこで、フッ素系不活性液体およびフッ酸水溶液をそれぞれ分離してノズル２５、１６に供給して再利用する。 - 特許庁

Furthermore, it is dipped in a chemical liquid tank filled with hydrofluoric acid, thereby etching the oxidized film 1 while using the resist pattern 2 as a mask.例文帳に追加

その後、フッ酸で満たされた薬液槽に浸すことにより、レジストパターン２をマスクとして酸化膜１をエッチングする。 - 特許庁

Then the silicon oxide interlayer film sections 62 and 68 are removed by dipping the substrate 2, having the formed opening 74 in an etchant containing at least aqueous hydrofluoric acid.例文帳に追加

この開口部74が形成された基板を少なくともフッ化水素酸を含むエッチング溶液に浸し、シリコン酸化物層間膜部62、68を除去する。 - 特許庁

Then, a receiving electrode 6 is formed on an upper layer of the insulating layer, and after the receiving electrode 6 is formed, the insulating layer is surface processed with a solution containing hydrofluoric acid .例文帳に追加

次に、絶縁層の上層に受け電極６を形成し、受け電極の形成後、絶縁層をフッ酸が含まれる溶液で表面処理する。 - 特許庁

Total concentration of water (H2O) and hydrofluoric acid (HF) included in nonaqueous solution within cell is set to less than 10,000 ppm.例文帳に追加

電池内非水電解液中に含まれる水（Ｈ_2Ｏ）とフッ化水素酸（ＨＦ）の合計濃度を１００００ｐｐｍ以下とした。 - 特許庁

The hydrofluoric acid is contained in the introduced vapor to dissolve the silicon oxide film 12 on a surface of the semiconductor wafer 11.例文帳に追加

導入された蒸気には、フッ化水素酸が含れており、これが半導体ウェーハ１１の表面のシリコン酸化膜１２を溶解する。 - 特許庁

A spontaneous oxide film, formed on the surface of the electrode 17A, is removed by a cleaning process using a mixed solution of hydrofluoric acid and water.例文帳に追加

下部電極１７Ａの表面に形成される自然酸化膜を、フッ酸と水の混合液を用いた洗浄処理により除去する。 - 特許庁

To prevent a thick gate oxide film from being damaged by a washing and hydrofluoric acid pretreatment process that is made before forming a thin gate oxide film.例文帳に追加

厚いゲート酸化膜が、薄いゲート酸化膜の形成前に行われる洗浄、フッ酸前処理工程によってダメージを受けないようにする。 - 特許庁

Finally, the oxide film is removed from the etching stop face using a hydrofluoric acid based etching liquid, thus obtaining a diaphragm 21.例文帳に追加

その後、フッ酸系エッチング液によってエッチングストップした面の酸化膜を除去し、振動板２１を得る。 - 特許庁

Aluminum or aluminum alloy is plated with zinc by using the plating solution which contains hydrofluoric acid and/or a salt thereof, a zinc salt and water.例文帳に追加

フッ化水素酸及び／又はその塩、亜鉛塩並びに水を含有するメッキ液を用いて、アルミニウム又はアルミニウム合金を亜鉛メッキする。 - 特許庁

A porous silicon substrate 210 can be formed by anodic etching in a dilute hydrofluoric acid.例文帳に追加

希フッ化水素酸中での陽極エッチングによって、多孔質シリコン基体２１０を形成することができる。 - 特許庁

The amount of the hydrofluoric acid added is 0.05-5% of the total metal ion concentration.例文帳に追加

総金属イオン濃度に対する前記フッ酸の添加量が、０．０５％〜５％である酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液。 - 特許庁

By removing the coating 30 composed of SiO_2 ny using hydrofluoric acid, a clean nitride polarity plane 10_N is exposed (1.E).例文帳に追加

ＳｉＯ_2から成る被膜３０をフッ酸で除去すると、清浄な窒素極性面１０_Nが露出する（１．Ｅ）。 - 特許庁

The hydrofluoric acid vapor is supplied to the plurality of substrates W in the basket 5 with such an air flow and etching processing is carried on.例文帳に追加

このような気流によってフッ酸蒸気がバスケット５内部の複数の基板Ｗに供給され、エッチング処理が進行する。 - 特許庁

To provide a packing material for a battery exterior which has excellent electrolytic solution resistance, hydrofluoric acid resistance and adhesion, to provide a method for producing the same, and to provide a secondary battery.例文帳に追加

耐電解液性、耐フッ酸性、密着性に優れた電池外装用包材及びその製造方法、並びに二次電池の提供を目的とする。 - 特許庁

Then, in order to adjust height of the upper surface of the embedded insulating film 109, plasma etching back or hydrofluoric acid is applied.例文帳に追加

その後、埋め込み絶縁膜１０９の上面の高さ位置を調整するために、プラズマエッチバックまたはフッ酸が実行される。 - 特許庁

And the cleaning effect can be much more improved by the cleaning using the low-concentration hydrofluoric acid after carrying out a scrub cleaning beforehand.例文帳に追加

また、スクラブ洗浄を予め行った後、上記低濃度フッ酸を用いた洗浄を行うことで洗浄効果を一層高めることもできる。 - 特許庁

To obtain a simple method for producing niobium oxide and/or tantalum oxide at a low cost in a state that hydrofluoric acid is used in a small amount.例文帳に追加

フッ酸使用量の少ない、簡便かつ低コストな酸化ニオブ及び／又は酸化タンタルの製造法を得る。 - 特許庁

To provide a cleaning liquid which has excellent solubility without using hydrofluoric acid and which makes a process of the waste cleaning liquid easy.例文帳に追加

フッ化水素酸を使用することなく、溶解性に優れ且つ洗浄廃液の処理も容易な洗浄液を提供する。 - 特許庁

Hydrofluoric acid is injected and stored into the storage space to keep a contact state for a fixed time, to thereby dissolve as deep as 1 μm.例文帳に追加

この貯留空間にフッ化水素酸を注いで貯留して一定時間接触させて深さ１μｍ相当を溶解した。 - 特許庁

In a first process, the natural oxide film is removed with a 10% hydrofluoric(HF) acid which is diluted with pure water (process (1)).例文帳に追加

最初の工程では、これを１０％に純水で希釈したフッ酸（ＨＦ）を用いて除去した（工程（１））。 - 特許庁

It is no longer required to remove the naturally oxidized film on the surface by cleaning the amorphous silicon oxide film with hydrofluoric acid.例文帳に追加

アモルファス酸化シリコン層をフッ酸洗浄して表面の自然酸化膜を除去する必要がない。 - 特許庁

The semiconductor device is dipped in a solution, containing hydrofluoric acid, to completely remove a natural oxide film on a surface of the base diffused layer 6.例文帳に追加

その後、弗酸を含有する溶液に半導体基板１を浸漬して、ベース拡散層６の表面に形成された自然酸化膜を完全に除去する。 - 特許庁

After the start of a hydrofluoric-nitric acid processing, a motor 20 for lifting a base is controlled and a suction base 10 is lifted according to a lapse of the processing time.例文帳に追加

ふっ硝酸処理開始後、処理時間の経過に従って、ベース昇降用モータ２０が制御されて、吸着ベース１０が上昇される。 - 特許庁

To provide a method of forming pattern by which the deformation of a silicon pattern treated with a hydrofluoric acid is suppressed at the time of drying the pattern.例文帳に追加

フッ酸による処理を行ったシリコンのパターンにおける乾燥時の変形が抑制できるようにする。 - 特許庁

The surface of the optical element is covered with the protective film, consisting mainly of CeO_2 that has no solubility with respect to hydrofluoric acid.例文帳に追加

フッ酸に対する溶解性のないCeO_2を主成分とする保護膜によって光学素子の表面を被覆する。 - 特許庁

The SiO_2 layers of the first and the second multilayer films are bonded together with a chemical binding reacted by using a chemical including hydrofluoric acid.例文帳に追加

そして、前記第１及び第２の多層膜のＳｉＯ２層同士を、フッ化水素酸を含む薬液で反応させ、化学接合により貼り合わせている。 - 特許庁

The oxide film removal cleaning is a cleaning process for removing the oxide film 3 formed on the silicon wafer 1 using a hydrofluoric acid.例文帳に追加

酸化膜除去洗浄は、前記酸化膜形成洗浄後のシリコンウェーハ１の酸化膜３をフッ酸を用いて除去する洗浄である。 - 特許庁

Then, the barrier metal layer 4 at the needless section is removed, using inverse aqua regia dilute solution and dilute hydrofluoric acid solution.例文帳に追加

その後、逆王水系の希釈溶液と希フッ酸溶液を用いて不要な部分のバリアメタル層４を除去する。 - 特許庁

Then, a pre-cleaning liquid D1 (low-density hydrofluoric acid water solution) is discharged out on both the higher and lower surfaces of the wafer W (shown in Fig. (c)) for a certain time.例文帳に追加

次に、ウエハＷの下面および上面に向けて、一定時間予備洗浄液Ｄ１（低濃度のフッ酸水溶液）が吐出される（図２（ｃ））。 - 特許庁

Alumina is heat-treated at 500-2,000°C, then treated with hydrofluoric acid and furthermore fired at 1,000-2,000°C to obtain the carrier.例文帳に追加

アルミナを５００℃〜２０００℃で熱処理した後、フッ酸で処理し、さらに１０００〜２０００℃で焼成して得られる。 - 特許庁

The hydrofluoric acid recovery system 100 has mainly a first low-pressure distillation column 31, and a second low-pressure distillation column 32.例文帳に追加

フッ酸回収装置１００は、主に第１低圧蒸留塔３１、第２低圧蒸留塔３２を有する。 - 特許庁

The resistance to hydrofluoric acid is drastically improved by incorporating, by molar percentage, 55-70% P_2O_5, 5-15% Al_2O_3, and 20-35% ZnO.例文帳に追加

Ｐ_２Ｏ_５を５５〜７０ｍｏｌ％、Ａｌ_２Ｏ_３を５〜１５ｍｏｌ％、ＺｎＯを２０〜３５ｍｏｌ％含有するものとすることで、耐フッ酸性が格段に向上する。 - 特許庁

The hydrofluoric acid liquid mixture 105 is introduced into the second low-pressure distillation column 32 via a flow control path 40.例文帳に追加

フッ酸混合液１０５は、流通制御路４０を介して第２低圧蒸留塔３２に導入される。 - 特許庁