「impurity doping」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Then, an emitter area is formed by doping impurity to the formed base area.例文帳に追加

形成されたベース領域に不純物を添加してエミッタ領域を形成する。 - 特許庁

IMPURITY DOPING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

不純物のドーピング方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁

DUAL-GATE IMPURITY DOPING METHOD AND DUAL GATE FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

デュアルゲート不純物ドーピング方法及びこれを用いたデュアルゲート形成方法 - 特許庁

To control a concentration of a donor impurity or an acceptor impurity in a processing object in which a doping is carried out by using an ion doping system, and to reduce a dispersion of the concentration.例文帳に追加

イオンドーピング装置を用いてドーピングをおこなった被処理体中のドナー不純物又はアクセプタ不純物の濃度を制御し、その濃度のばらつきを小さくする。 - 特許庁

To provide a method of doping an impurity into a semiconductor which allows an easy doping of an impurity into a semiconductor, and to provide a semiconductor substrate manufactured thereby.例文帳に追加

不純物を半導体へ容易にドーピングすることができる半導体への不純物ドーピング方法及びそれによって製造される半導体基板を提供する。 - 特許庁

The plasma doping is performed using a plasma made of a gas containing an impurity which will serve as a dopant.例文帳に追加

ドーパントとなる不純物を含むガスからなるプラズマを用いてプラズマドーピングを行う。 - 特許庁

The GaN layer 2 is transparent to visible light and has no pn junction made by impurity doping.例文帳に追加

ＧａＮは可視光に対し透明で、不純物ドーピングによるｐｎ接合を持たない。 - 特許庁

METHOD OF DOPING IMPURITY INTO SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURED THEREBY例文帳に追加

半導体への不純物ドーピング方法及びそれによって製造される半導体基板 - 特許庁

An upper impurity region formed between the substrate surface and the first impurity doping region may be further contained.例文帳に追加

また、基板表面と第１不純物ドーピング領域との間に形成される上部不純物領域をさらに含んでもよい。 - 特許庁

In this case, the doping of the p-type impurity to a gate electrode 108b is conducted in the same process as the doping of the p-type impurity to a gate electrode 108c of a p-type MOS transistor 109c.例文帳に追加

その際、Ｐ型不純物のゲート電極１０８ｂへの導入は、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１０９ｃのゲート電極１０８ｃへの導入と同一の工程において行う。 - 特許庁

When the doping quantity of an n-type buffer layer 4 is set to be Ce and the doping quantity of a p^+-type emitter layer 5 to be Cb, the ratio Ce/Cb of impurity doping quantity is set to be 2.5 to 8.2.例文帳に追加

ｎ型バッファ層４のドーピング量Ｃｅとｐ＋型エミッタ層５のドーピング量Ｃｂとしたとき、不純物ドーピング量の比Ｃｅ／Ｃｂを２．５以上、且つ８．２以下とする。 - 特許庁

This method provides the conditions with which the first impurity region 104 and the second impurity region 105 can be formed at the same time, in the step of impurity doping.例文帳に追加

不純物添加一工程において、第一の不純物領域１０４および第二の不純物領域１０５を同時に形成できる条件を提供する。 - 特許庁

Consequently, the mixing of an undesired doping material as an impurity is suppressed.例文帳に追加

そのため、不所望のドーピング材料が不純物として薄膜に混入することが抑えられる。 - 特許庁

To provide a dual-gate impurity doping method, and a dual-gate forming method using this.例文帳に追加

デュアルゲート不純物ドーピング方法及びこれを用いたデュアルゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

The Mg_XZnO is transparent against visible light and does not have pn junction by impurity doping.例文帳に追加

Ｍｇ_ＸＺｎＯは可視光に対し透明で、不純物ドーピングによるｐｎ接合を持たない。 - 特許庁

A p-type impurity doping region 11a is formed to an n-type silicon (Si) board 11.例文帳に追加

ｎ型シリコン（Ｓｉ）基板１１に、ｐ型不純物ドープ領域１１ａが形成されている。 - 特許庁

The floating gate 15 comprises an impurity distribution structure provided with three doping layers 16, 17, and 18 which are high in impurity concentration.例文帳に追加

上記浮遊ゲート１５は、不純物濃度の高い３層のドーピング層１６，１７，１８を有する不純物分布構造を持っている。 - 特許庁

Preferably, part of the impurity doped region other than a neighbourhood of the gate electrode is subjected to the counter doping.例文帳に追加

好ましくは、不純物注入領域のうち、ゲート電極の近傍部以外をカウンタードーピングする。 - 特許庁

In another example, n-type impurity doping regions 111a are formed to the p-type silicon board 111.例文帳に追加

他の例では、ｐ型シリコン基板１１１に、ｎ型不純物ドープ領域１１１ａが形成されている。 - 特許庁

Accordingly, impurity doping concentration to an n-AlGaN barrier layer 2 is set high to realize low on-resistance.例文帳に追加

これにともない、ｎ−ＡｌＧａＮバリア層２への不純物ドーピング濃度を高くして、低オン抵抗化を図る。 - 特許庁

In addition, the damage given to the element by charged particles in a high-concentration impurity adding (doping) step is also reduced to the utmost.例文帳に追加

また高濃度の不純物添加（ドーピング）工程における荷電粒子による損傷も極力低減する。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING SEMICONDUCTOR CRYSTAL, METHOD AND APPARATUS FOR DOPING IMPURITY IN SEMICONDUCTOR, AND SEMICONDUCTOR MATERIAL例文帳に追加

半導体の結晶成長方法、半導体の不純物ドーピング方法およびその装置ならびに半導体材料 - 特許庁

A doping impurity is dissolved 20 in 2-methoxyethanol to form a doped source solution.例文帳に追加

２−メトキシエタノールにドーピング不純物を溶解２０させて、不純物が添加された原料溶液を調製する。 - 特許庁

Essentially uniform n-type impurity doping is executed into the polysilicon film by the ion implantation mask pattern.例文帳に追加

イオン注入マスクパターンを用いて前記ポリシリコン膜内に実質的に均一なｎ型不純物ドーピングを実施する。 - 特許庁

The reconnection region 7 is formed at the surface side of the base region 4, by doping impurity through thermal diffusion of the impurity or the ion asymmetric implantation of the impurity and annealing, after ion implantation.例文帳に追加

再結合領域７は、ベース領域４の表面側に、不純物の熱拡散、もしくは、不純物のイオン注入とイオン注入後のアニールとにより不純物をドーピングすることで形成してある。 - 特許庁

Moreover, the low-concentration drain region is formed by simultaneously doping the separating area of each transistor and the low-concentration drain region with an impurity element for separation and, at the same time, doping the low-concentration drain region with an opposite impurity element.例文帳に追加

さらに、各々のトランジスタの分離領域と低濃度ドレイン領域とに同時に分離用不純物元素をドーピングするとともに、低濃度ドレイン領域に逆の不純物元素をドーピングして低濃度ドレイン領域を形成した。 - 特許庁

When performing impurity doping, the underlaid region of the gate electrode is not doped, and the regions approximating to the gate electrode become high-resistance regions 111, 112 having low impurity concentrations.例文帳に追加

不純物ドーピングをおこなうと、ゲイト電極の下部にはドーピングされず、ゲイト電極に近い領域では、不純物濃度の低い高抵抗領域１１１，１１２となる。 - 特許庁

To provide a plasma doping method which can form a part to be doped so as to be very thin and permits improvement of a through put by doping quickly under the status of high concentration, upon doping an impurity element into a workpiece by using plasma.例文帳に追加

被処理体に不純物元素をドープする時、このドープする部分を非常に薄く形成でき且つ高濃度な状態で迅速にドープしてスループットを向上させることが可能なプラズマドーピング方法を提供することにある。 - 特許庁

Further, the image sensor having the transfer gate electrode with essentially uniform impurity doping distribution is provided.例文帳に追加

さらに、実質的に均一な不純物ドーピング分布を有する転送ゲート電極を具備するイメージセンサが提供される。 - 特許庁

This can suppress impurity diffusion into deep region caused by ion channeling generated in doping by ion implantation.例文帳に追加

この結果、イオン注入によるドーピング時に発生するイオンのチャネリングによる深い領域までの不純物拡散を抑止できる。 - 特許庁

Furthermore, the light emitting diode is provided with enhanced luminous efficiency using a bandgap engineering or impurity doping technique.例文帳に追加

さらに、バンドギャップエンジニアリングまたは不純物ドープ技術を利用して発光効率を向上させた発光ダイオードが提供される。 - 特許庁

By this setup, a low-energy ion doping process is carried out by the use of the ion implantation unit 31 with high impurity and high efficiency.例文帳に追加

これにより、イオン注入ユニット３１を用いて、低エネルギーのイオンドーピングを高純度かつ高効率で行うことができる。 - 特許庁

To obtain a sharp p type impurity profile with low resistance by increasing p type impurity concentration of a nitride semiconductor without increasing the doping quantity.例文帳に追加

窒化物半導体のｐ型不純物濃度をドーピング量を増大させることなく高めることにより低抵抗化を図ると共に急峻なｐ型不純物プロファイルを得られるようにする。 - 特許庁

The p-type InGaAlP cladding layer 34 is provided with a high density layer 41 having a relatively high doping density of a p-type impurity, and a low density layer 42 formed on the high density layer 41 and having a relatively low doping density of a p-type impurity.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ下クラッド層３４は、ｐ型不純物のドーピング濃度の相対的に高い高濃度層４１と、その高濃度層４１上に形成され、ｐ型不純物のドーピング濃度の相対的に低い低濃度層４２とを備えている。 - 特許庁

To provide an electronic device capable of controlling conduction characteristics without using a low work function metal or impurity doping.例文帳に追加

低仕事関数金属の使用や不純物ドーピングなしで伝導特性を制御し得る電子デバイスを提供することを目的とする。 - 特許庁

The threshold voltages of the MISFETs are controlled to the same value of ≥0.7 V by doping channels with a p-type impurity.例文帳に追加

各々のトランジスタの閾値電圧はＰ型不純物のチャネルドープにより０．７Ｖ以上に制御され互いに等しい値に制御される。 - 特許庁

IMPURITY DOPING METHOD AND FABRICATION METHOD FOR MEMORY DEVICE, INSULATED GATE TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

不純物ドープ方法、メモリ装置の作製方法、および絶縁ゲート型半導体装置の作製方法、並びに半導体装置の作製方法 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can stably reduce harmonic distortion without injecting an impurity into a silicon layer or a silicon substrate for compensation doping.例文帳に追加

シリコン層又はシリコン基板に補償ドープのために不純物を注入する必要がなく、安定的に高調波歪を低減する。 - 特許庁

Eventually, a collector 13 of the transistor 20 is constituted of one or several carbon nanotubes 10 having a large energy gap and semiconductive properties, and formed by doping a P-type impurity in a lower concentration than that of the emitter 15.例文帳に追加

炭素ナノチューブ１０の熱伝導度はシリコンよりも遥かに高いので、トランジスタ２０の動作速度が向上する。 - 特許庁

In addition, the particles are allowed to pass through the gas phase of a diffusion source in order to form a surface layer by doping the impurity into the surface of the particles.例文帳に追加

さらにその粒子の表面に、不純物をドープして表面層を形成するために、拡散源の気相中を通過させる。 - 特許庁

A TCNQ layer 12 is formed to coat the upper section of the n-type silicon board 11 and the p-type impurity doping region 11a.例文帳に追加

ｎ型シリコン基板１１上及びｐ型不純物ドープ領域１１ａを覆うように、ＴＣＮＱ層１２が形成されている。 - 特許庁

Only the regions of the active layer 5 that are to be the LDD regions are doped by ion-doping an impurity at a low concentration with a high acceleration voltage.例文帳に追加

不純物を高い加速電圧で低濃度にイオンドーピングして、活性層５のＬＤＤ領域14,15となる部分のみをドーピングする。 - 特許庁

Conversely, by using a solution containing a doping element, a desired amount of an impurity element can be contained in a single crystal.例文帳に追加

逆に、ドーピング元素を含む溶液を用いることにより、単結晶に所望量の不純物元素を含有させることも可能である。 - 特許庁

The infrared light block layer 3c includes a high density impurity doping layer which is doped with a high density impurity (for example, boron, etc.) (i.e. the infrared light block layer 3c is formed in the base portion 3b).例文帳に追加

赤外線阻止層３ｃは、不純物（例えば、ボロンなど）が高濃度ドーピングされた高濃度不純物ドーピング層により構成してある（つまり、赤外線阻止層３ｃをベース部３ｂ内に形成してある）。 - 特許庁

By doping impurity to the top area of the first single-crystal silicon film 107 and the whole area of the second single-crystal silicon film 108, an impurity diffusion layer 109 being a source or drain is formed.例文帳に追加

第１の単結晶シリコン膜１０７の上部領域及び第２の単結晶シリコン膜１０８の全領域に不純物をドープして、ソース又はドレインとなる不純物拡散層１０９を形成する。 - 特許庁