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interface characteristicsの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 345件
To improve the characteristics of a TFT(thin film transistor) by forming the interface between a region constituting an active layer, specially a channel formation region, and an insulating film into a satisfactory interface and also provide a semiconductor device provided with a semiconductor circuit, consisting of a semiconductor element having uniform characteristics, and the manufacturing method of the device.例文帳に追加
本発明は、活性層、特にチャネル形成領域を構成する領域と絶縁膜との界面を良好なものとすることにより、TFTの特性を向上させるとともに均一な特性を有する半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法を提供するものである。 - 特許庁
To improve the characteristics of a TFT(thin-film transistor) by forming the interface between a region constituting an active layer, especially a channel formation region, and to make an insulating film into a satisfactory interface and also provide a semiconductor device provided with a semiconductor circuit consisting of a semiconductor element, having uniform characteristics and the manufacturing method of the device.例文帳に追加
本発明は、活性層、特にチャネル形成領域を構成する領域と絶縁膜との界面を良好なものとすることにより、TFTの特性を向上させるとともに均一な特性を有する半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法を提供するものである。 - 特許庁
To provide a semiconductor having a thin film capacitor where the worsening of the morphology caused by the oxidation of an electrode/dielectric interface, the deterioration of the capacitor characteristics caused by the electrode material and the deterioration of the characteristics of the electrode material per se are prevented.例文帳に追加
電極/誘電体界面の酸化によるモフォロジーの悪化、電極材料によるキャパシタ特性の低下、電極材料自体の特性低下などを防止した薄膜キャパシタを有する半導体装置が求められている。 - 特許庁
A substance 4 with a heat conductivity of ≥0.024 W/mK is provided to the interface 3 of the thermoplastic resin 1 having transmission characteristics and the thermoplastic resin 2 having absorbing characteristics to perform the irradiation with the laser beam L.例文帳に追加
透過特性を有する熱可塑性樹脂1と吸収特性を有する熱可塑性樹脂2との界面3に、熱伝導率が0.024W/mK以上の物質4を介在させた状態でレーザー光Lの照射を行う。 - 特許庁
To provide an EL electrode easily controlling interface electric characteristics such as a work function used for an electronic device such as an organic EL device, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
有機EL素子をはじめとする電子デバイスに用いられる仕事関数等の界面電気特性を簡便に制御できるEL電極とその製造方法の提供。 - 特許庁
To provide a voltage amplifier circuit that ensures the linearity of input output characteristics even when receiving a very low input voltage or an interface voltage nearly equal to a power supply voltage.例文帳に追加
微小な入力電圧あるいは、電源電圧に近い入力電圧に対しても、入出力特性のリニアリティを確保した電圧増幅回路を提供する。 - 特許庁
To provide an efficient method for extracting light from a semiconductor device by changing reflection and transmission characteristics of a semiconductor interface in a semiconductor light-emitting device.例文帳に追加
半導体発光素子において、半導体界面の反射及び透過特性を有利に変更して、半導体から光を抽出する効率のよい方法を提供する。 - 特許庁
To provide a thin-film photoelectric conversion device of improved photoelectric conversion characteristics by lowering interface resistance between a thin-film photoelectric conversion unit and a backside translucent conductive film.例文帳に追加
薄膜光電変換ユニットと裏面透明導電膜との界面抵抗を下げることにより、光電変換特性が改善された薄膜光電変換装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing an organic transistor, capable of improving the smoothness of the interface of a gate insulating layer and an organic semiconductor layer and obtaining satisfactory transistor characteristics.例文帳に追加
ゲート絶縁層および有機半導体層の界面の平滑性を改善し、良好なトランジスタ特性を得ることが可能な有機トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁
The method is useful as the method of producing the optical anisotropic body having various optical characteristics because the tilt angle in the air interface is optionally controllable.例文帳に追加
本願発明の製造方法は、空気界面におけるチルト角を制御できることから様々な光学特性を有する光学異方体の製造方法として有用である。 - 特許庁
Conduction band discontinuity at the interface of an emitter and a base becomes small, an offset voltage that is seen in the collector current and voltage characteristics becomes small, and a base leak current is reduced.例文帳に追加
エミッタ/ベース界面の伝導帯不連続が小さくなって、コレクタ電流・電圧特性に見られるオフセット電圧が小さく、ベースリーク電流が低減される。 - 特許庁
To provide a method for forming a thin film in which a thin film having good film characteristics can be formed while suppressing defects on the film interface by atomic layer deposition (ALD method).例文帳に追加
原子層蒸着法(ALD法)において、膜界面の欠陥が少なく、膜特性の良好な薄膜を形成することができる薄膜形成方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and a method for manufacturing it, wherein the carrier mobility of a semiconductor layer which is the interface characteristics between a semiconductor layer and an insulating layer is prevented from falling.例文帳に追加
半導体層12と絶縁層6との間の界面特性である半導体層のキャリヤ移動度の低下を防止した半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a carbon fiber usable when producing a composite by compounding a matrix material with the carbon fiber, and having excellent surface/interface characteristics; and to provide a method for producing the carbon fiber.例文帳に追加
マトリックス材料と炭素繊維を複合化してコンポジットを作製する際に用いる、表面・界面特性に優れた炭素繊維及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for growing a semiconductor thin film having a flat interface and an upper surface, and to provide a semiconductor element that exhibits superior characteristics using the same.例文帳に追加
平坦な界面及び上面を有する半導体薄膜の成長方法を提供し、これを用いて優れた特性を発揮する半導体素子を提供する。 - 特許庁
To provide a high reliable semiconductor device in which a protecting insulation film with excellent characteristics in an interface with a GaN group semiconductor layer is formed and thereby electric properties become stable.例文帳に追加
GaN系半導体層との界面の特性が優れた保護絶縁膜を形成し、それにより、電気的特性が安定した、信頼性が高い半導体装置を実現する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device, improved in interface between a capacitive insulation film and an upper electrode, and also improved in characteristics and life.例文帳に追加
容量絶縁膜と上部電極との界面が良好であり、特性及び寿命を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for fabricating a semiconductor device having excellent characteristics in which a semiconductor region having a smooth interface can be formed along with an overlying uninsulating film.例文帳に追加
界面の滑らかな半導体領域とその上の非絶縁膜とを形成することができて、特性の優れた半導体装置を製造することができる方法を提供する。 - 特許庁
The inspection device 1 for substrate connection includes a probe unit 7 equipped with probes 8, an interface substrate 5, a TDR measuring device 10 for measuring electric characteristics, and a personal computer 15.例文帳に追加
基板接続検査装置1は、プローブ8を配設したプローブ部7、インターフェース基板5、電気的特性を測定するTDR測定器10、パーソナルコンピュータ15を備えている。 - 特許庁
To provide a high-speed interface circuit capable of achieving switching of a mapping mode, while suppressing the increase in the layout area to a minimum and the deterioration in circuit characteristics, and to provide an electronic apparatus.例文帳に追加
レイアウト面積の増加や回路特性の悪化を最小限に抑えながらマッピングモードの切り替えを実現できる高速シリアルインターフェース回路、電子機器の提供。 - 特許庁
To provide a method for predicting characteristics of a thin film transistor by utilizing strength reduction caused by charging a layered film interface when measuring a depth direction of a layered film in SIMS.例文帳に追加
SIMSにおける積層膜の深さ方向測定時に積層膜界面の帯電による強度低下を利用し薄膜トランジスタの特性を予測する方法を提供。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having a high quality level in which the deterioration of transistor characteristics due to a gate insulating film and an increase of any interface layer are suppressed, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加
ゲート絶縁膜に起因するトランジスタ特性の劣化や界面層の増加を抑制した高品位の半導体装置とその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a thin film transistor capable of suppressing variation in electric characteristics which may be generated due to trapping of carriers in interface levels during a reliability test.例文帳に追加
信頼性試験中に、キャリアが界面準位にトラップされることによって生じる電気的特性の変動を抑制することができる薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁
To provide a compact connecting device for electrical equipment of superior long-term reliability by improving the withstand voltage characteristics of an interface, formed at a connection part between electrical equipment.例文帳に追加
電気機器間の接続部に形成される界面の耐電圧特性を向上させ、長期信頼性に優れ且つコンパクト化した電気機器の接続装置を提供する。 - 特許庁
To detect an abnormal variation of concentration caused by so called N contamination in the vicinity of an interface at the time of epitaxial growth and to make it useful in the subsequent processing or in the sorting of characteristics.例文帳に追加
いわゆるN化汚染に起因した結晶成長時の界面近傍での濃度異常変化を有効に検出し、以後の処理または特性選別に役立てる。 - 特許庁
To offer the manufacturing method of semiconductor devices which can maintain film quality of a thick gate oxide film adjacent to an interface of a silicon substrate and which can prevent the deterioration of the device characteristics.例文帳に追加
シリコン基板界面近傍の厚ゲート酸化膜の膜質を良好に維持し、デバイス特性の低下を防いだ有効な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of avoiding deterioration in interface characteristics while sustaining the dielectric constant of a gate insulating film, and to provide its fabrication process.例文帳に追加
本発明は、ゲート絶縁膜の誘電率を維持しつつ、界面特性の劣化を回避することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having a good hetero structure that a crystal defect or the roughness of an interface is improved and having stable characteristics, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
結晶欠陥や界面の荒れが改善された良好なヘテロ構造を有し、安定した特性を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
The coding means 21-2N use an interface coding mode or a noninterlace coding mode adaptively on the basis of the characteristics of the objects as the coding mode and encode the objects.例文帳に追加
特に、符号化手段2_1〜2_Nは、対象オブジェクトの特徴に基づき、符号化モードとして、インタレース符号化モードとノンインタレース符号化モードを適応的に用いて符号化する。 - 特許庁
To provide a fuel cell improved in output characteristics and its maintenance performance by increasing adhesion in the interface of an electrolyte membrane and electrodes (catalyst layers).例文帳に追加
電解質膜と電極(触媒層)との界面における密着性を高めることによって、出力特性やその維持性を向上させた燃料電池を提供する。 - 特許庁
To provide a method of forming an isolation film of a semiconductor device wherein threshold voltage characteristics of cells can be improved by prohibiting the moat phenomenon that can be generated at the interface between an inactive region and an active region, and wherein the reliability of the resulting semiconductor devices can be improved through secured characteristics of a stabilized transistor by improving threshold voltage characteristics of cells.例文帳に追加
非活性領域と活性領域間の界面に発生するおそれのあるモウト現象を改善してセルのしきい値電圧特性を向上させ、これにより安定したトランジスタの特性を確保して半導体素子の信頼性を増大させる半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁
A semiconductor surface layer, surface characteristics, or interface characteristics are measured and evaluated, by selectively having an electron energy irradiated to a semiconductor so that carriers are excited in the surface layer of the semiconductor and detecting the carrier behavior of the surface layer.例文帳に追加
半導体の表面層にキャリアを励起するように電子エネルギーを選択的に前記半導体に照射し、前記表面層のキャリア挙動を検知することにより半導体表面層、表面特性又は界面特性を測定評価する。 - 特許庁
To provide a user interface device for improving convenience by providing information appealing to vision whose visibility is satisfactory for a user or information appealing to hearing whose audibility is satisfactory according to the visual characteristics or audible characteristics of the user.例文帳に追加
使用者の視覚特性や聴覚特性に応じ、使用者にとって視認性の良い視覚に訴える情報や、視聴性の良い聴覚に訴える情報を提供でき、使い勝手を向上させることができるユーザインタフェース装置の提供。 - 特許庁
To prevent that as the interface of the polymer electrolyte layer and the electrode is formed by contact of a solid-solid, contact of the interface of an active substance and an electrolyte is likely to become unstable and the battery property deteriorates such as deterioration of charge and discharge characteristics and increase of internal resistance.例文帳に追加
ポリマー電解質層と電極の界面は固体−固体間の接触により形成されるため、活物質と電解質の界面接触が不安定になりやすく、充放電特性の劣化や内部抵抗の上昇などの電池特性が悪くなる。 - 特許庁
The system for monitoring the characteristics of the biological fluid extracted from an organism includes: a tissue interface device 100 suitable for positioning on or about a surface of a biological membrane of the organism; and a monitor and control unit 200 coupled to the tissue interface device 100.例文帳に追加
生物から抽出される生体液の特性を監視するためのシステムは、生物体の生物学的膜の表面またはその近傍に位置させるに適合する組織界面装置100および組織界面装置100に結合される監視および制御ユニット200を具備する。 - 特許庁
An in-vehicle terminal 10 of an automobile is provided with a user interface 11 for recognizing a traveling environment ahead of an own vehicle according to map information or the like, and for identifying characteristics of an operator.例文帳に追加
自動車の車載端末10に、地図情報等に応じて自車前方の走行環境を認識し、運転者の特性を識別するユーザーインターフェース11を備える。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which is less deteriorated in characteristics over aging and where dislocation is prevented from occurring in an interface between a substrate and a selectively grown multi-quantum well layer.例文帳に追加
基板と選択成長した多重量子井戸層の界面における転位の発生が防止され,経時変化に対する特性劣化が低減された半導体装置を提供する。 - 特許庁
Consequently, the shape of the interface between the conductive liquid 4 and insulating liquid 5 varies to compensate the variation in characteristic of the lens system, so that the optical system has its original characteristics.例文帳に追加
これにより、導電性液体4と絶縁性液体5の界面の形状が変化し、レンズ系の特性の変化分が補償されて、光学系の特性は元のままに保たれる。 - 特許庁
To provide a process for depositing a multilayer film exhibiting good inter-film adhesion and interface characteristics, and to provide a process for fabricating a device using that film deposition process.例文帳に追加
膜相互の密着性及び界面特性が良好な多層膜の成膜方法及び当該成膜方法を使用したデバイスの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a sputtering target which makes a crystallization promoting function and optical characteristics of an interface layer film of a phase change recording medium compatible with each other, and which allows deposition etc. of a metal compound film.例文帳に追加
相変化記録媒体の界面層膜の結晶化促進機能と光学的特性とを両立させた金属化合物膜の成膜等を可能にするスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁
To suppress effects on response characteristics to an external magnetic filed caused by a variation in the roughness of an interface between a fixing layer and a tunnel insulating layer in a tunnel magneto-resistance effect element.例文帳に追加
トンネル磁気抵抗効果素子における固着層とトンネル絶縁層との界面の粗さのばらつきに起因する外部磁界に対する応答特性への影響を抑制する。 - 特許庁
To provide a compound semiconductor device capable of reducing an interface state between a GaN layer and an insulating layer, and realizing good electric characteristics by improving a mobility, and a method for manufacturing the device.例文帳に追加
GaN層と絶縁層との間の界面準位を低減し、移動度を向上させて優れた電気特性を実現する化合物半導体装置、その製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a highly efficient semiconductor element by eliminating damages due to plasma and appropriately maintaining the interface characteristics between an amorphous semiconductor layer and a transparent electrode.例文帳に追加
この発明は、プラズマによるダメージを解消し、非晶質半導体層と透明電極との界面特性を良好に保ち、高効率な半導体素子を提供することを課題とする。 - 特許庁
To improve image quality by enhancing characteristics of a transistor which is formed adjacently to a photo-electric transducer, by avoiding the influence of a crystal defect which occurs on the interface of the drain region of the transistor.例文帳に追加
光電変換素子に隣接して形成されたトランジスタのドレイン領域の界面に発生する結晶欠陥の影響を回避してトランジスタの特性を改善し、高画質化を図る。 - 特許庁
To improve interface adhesion between a low dielectric constant film and a protection film without damaging excellent dielectric properties of an organic low dielectric constant material, flatness and gap filling characteristics.例文帳に追加
有機低誘電率材料の持つ優れた誘電特性、平坦性およびギャップフィル特性を損なうことなく、低誘電率膜と保護膜との界面密着性を改善すること。 - 特許庁
To improve high-power characteristics by reducing interface strain, related to a semiconductor laser device provided with an active region comprising a quantum well layer of compression strain and a barrier layer of tensile strain.例文帳に追加
圧縮歪の量子井戸層と引張歪の障壁層からなる活性領域を備えた半導体レーザ装置において、界面歪を低減させ高出力特性を改善する。 - 特許庁
To materialize a device for constituting a forward error correction (FEC) frame, capable of supporting an optical interface comprising a plurality of lanes, and avoiding an unnecessary rate enhancement being a factor for degradation in transmission characteristics.例文帳に追加
複数のレーンからなる光インタフェースに対応可能で、伝送特性劣化の要因となる不要な速度上昇を回避したFECフレーム構成装置を実現することを目的とする。 - 特許庁
To enable a user to specify a separate handling characteristics (e.g., a source tray and/or an output tray) for each copy of one electronic document through a composed users interface (UIF).例文帳に追加
合成されたユーザインターフェース(UIF)を介して、同じ電子書類の別々のコピーに備えて処理属性(例えば、ソーストレイ及び/又は出力トレイ)を別々にユーザが指定できるようにすること。 - 特許庁
The interface of the sealing resin 3 is formed in an uneven pattern such as the light intensity distribution (c) being inverted and transferred upside down, for providing characteristics of the light intensity distribution (a).例文帳に追加
光強度分布(a)の分布特性を得るために、封止樹脂3の境界面は光強度分布(c)を上下反転させて略転写した形状の凹凸パターンに形成されている。 - 特許庁
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