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interface characteristicsの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 345件
To solve a problem that good cycle characteristics can not be obtained in a solid electrolyte battery since the interface of the solid electrolyte and the electrode are separated and the internal resistance increases due to the repetition of charge and discharge.例文帳に追加
固体電解質電池では、充放電を繰り返すことにより固体電解質と電極の界面が剥離してしまい、内部抵抗が増大し良好なサイクル特性が得られない。 - 特許庁
An active area of the 2nd element can be formed avoiding the interface between the base substrate and 2nd semiconductor layer, so leak current can be suppressed and characteristics of a device can be improved.例文帳に追加
上記第2の素子の活性領域を、上記支持基板と第2の半導体層との界面を避けて形成できるので、リーク電流を抑制でき、デバイスの特性を向上できる。 - 特許庁
However, the zirconium oxynitride silicon gate dielectric may be designed so as to have advantages in the silicon dioxide, such as high insulation breakdown characteristics, a low interface state density and high stability.例文帳に追加
しかし、オキシ窒化ジルコニウム・シリコン・ゲート誘電体は、二酸化シリコンの利点、例えば高い絶縁降伏特性、低い界面状態密度及び高い安定性を持つように設計することも出来る。 - 特許庁
To provide an antireflection method and an antireflection structure, with which antireflection characteristics that almost equal those obtained by forming a periodic two-dimensional grating in a interface can be realized at lower cost.例文帳に追加
反射防止方法及び反射防止構造に関し、周期的な二次元格子を境界面に形成した場合と同等の反射防止特性をより低コストで実現できるようにする。 - 特許庁
To improve characteristics of an electrostatic voltage resistance etc., by inserting an intermediate layer between n-type nitride semiconductor layers and reducing threading dislocation generated on an interface between a sapphire substrate and GaN.例文帳に追加
n型窒化物半導体層間に中間層を挿入し、サファイア基板とGaNとの界面で発生する貫通転位を減少させ、耐静電圧の向上等の特性を改善すること。 - 特許庁
To provide a photoelectric element comprising an electron transport layer having excellent electron transport characteristics and a sufficiently large reaction interface, achieving low resistance loss, and excellent in photoelectric conversion efficiency.例文帳に追加
優れた電子輸送特性と十分広い反応界面を有する電子輸送層を備え、低抵抗損失を有し、光と電気の変換効率に優れた光電気素子を提供する。 - 特許庁
To measure X-ray magnetic circular dichroism without disturbing the magnetic characteristic of a magnetic multilayer film, and to observe the magnetic characteristics near a layer interface or a magnetic characteristic distribution in the film thickness direction.例文帳に追加
磁性多層膜中の磁気特性を乱すことなくX線磁気円2色性を測定し、層界面近傍の磁気特性又は膜厚方向の磁気特性分布を観測する。 - 特許庁
The system includes a selection of predefined default radio flows having different quality of service characteristics and means (4, 52) for selecting a radio flow having appropriate quality of service characteristics for the packet to be transmitted over the air interface from the selection.例文帳に追加
このシステムは、異なるサービスクオリティ特性を有する所定のデフォールト無線流の選択体と、この選択体から、エアインターフェイスを経て送信されるべきパケットに対して適当なサービスクオリティ特性を有する無線流を選択するための手段(4,52)とを備えている。 - 特許庁
To provide a semiconductor device that is improved in TFT characteristics and having uniform characteristics by making the interface between an active layer proper, especially a region constituting a channel forming region, and a gate insulating film, and to provide a manufacturing method for the semiconductor device.例文帳に追加
活性層、特にチャネル形成領域を構成する領域とゲート絶縁膜との界面を良好なものとすることにより、TFTの特性を向上させるとともに均一な特性を有する半導体装置およびその作製方法を提供するものである。 - 特許庁
To provide a process for fabricating a photoelectric conversion element exhibiting good interface characteristics to both an oxide based transparent conductive film and a photoelectric conversion layer in which a high conductivity is ensured while suppressing the quantity of light absorption by preventing the film quality of a p-layer from deteriorating due to the discomposition effect of hydrogen from a semiconductor layer of impurities while securing good interface characteristics.例文帳に追加
良好な界面特性を確保しながら不純物の半導体層からの水素の引き抜き効果によるp層の膜質低下を防止して高導電率を確保し、かつ光吸収量を抑制し、しかも酸化物系透明導電膜や光電変換層の双方に対して良好な界面特性をもつ光電変換素子を製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
The memory element comprises a lower electrode, an n+ interface layer formed on the lower electrode, a buffer layer formed on the n+ interface layer, an oxide layer which has a variable resistance characteristics and is formed on the buffer layer, and an upper electrode formed on the oxide layer.例文帳に追加
下部電極と、下部電極上に形成されたn+界面層と、n+界面層上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成されて可変抵抗特性を有する酸化物層と、酸化物層上に形成された上部電極とを備えるメモリ素子である。 - 特許庁
The medium is produced by successively laminating a protective layer 2, an interface layer 3, a recording layer 4 in which optical characteristics are reversibly changed by irradiation of laser light, an interface layer 5, a light-transmitting reflection layer 6 which transmits the laser light at the wavelength 1, and a thermal diffusion layer 7 on a substrate 1.例文帳に追加
基板1の上に、保護層2と、界面層3と、レーザー光の照射によって光学特性が可逆的に変化する記録層4と、界面層5と、波長λの前記レーザー光を透過する光透過形反射層6と、熱拡散層7とを順次積層する。 - 特許庁
To improve both interface level density of a semiconductor board and an initial value of various characteristics caused thereby, and stability with time, by terminating dangling bond of a crystal interface of semiconductor board effectively by deuterium.例文帳に追加
半導体基板の結晶界面のダングリングボンドを重水素で効率よく終端することによって、半導体基板の界面準位密度とそれに起因する諸特性の初期値ならびに経時安定性の両方が改善する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a suitable open drain output circuit used for an I^2C bus interface capable of outputting an output signal aligned in a delay for the transition of an input signal, while having rising and falling characteristics of the output signal adhering to the I^2C bus interface.例文帳に追加
I^2Cバスインターフェース規格に対応した出力信号の立ち下がり特性及び立ち上がり特性を備えながら、入力信号の遷移に対する遅延を揃えた出力信号を出力可能とするI^2Cバスインターフェースに使用して好適なオープンドレイン出力回路を提供する。 - 特許庁
To solve the problem, where in order to maintain/improve performance while promoting micronization for a high integration of LSI, a gate insulating film of high dielectric constant, with proper interface characteristics, is required.例文帳に追加
LSIの高集積化を目指し、性能を維持、向上させながら微細化を進めるには、ゲート絶縁膜として高誘電率で、かつ界面特性を良好に保持できるものが要求されている。 - 特許庁
To provide a manufacturing method or the like of a sheath material of a nonaqueous electrolytic solution battery in which there is no possibility that an adhesive invades interface of an aluminum foil and a sealant, or that peeling-off (delamination) occurs, and which has molding characteristics.例文帳に追加
アルミ箔とシーラントとの接着界面を侵し、剥離(デラミ)がなく、しかも成型性を有する非水電解液電池外装材の製造方法などを提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having a TFT including stable characteristics by cleaning an interface between a semiconductor film and a gate insulating film, an electrooptic device and a method for manufacturing them.例文帳に追加
半導体膜とゲート絶縁膜との界面を清浄化することにより特性の安定したTFTを備えた半導体装置、電気光学装置、およびそれらの製造方法を提供すること。 - 特許庁
Holding characteristics under a polarized state are enhanced by the improvement of the crystallizability of the first ferroelectric layer 6 and the elimination of an electric field in the vicinity of an interface between each ferroelectric layer 5, 6.例文帳に追加
第1の強誘電体層6の結晶性の向上と各強誘電体層5,6間の界面付近における電界の解消とにより、分極状態の保持特性が向上する。 - 特許庁
To provide a field effect transistor for improving the flatness of gm and achieving lower distortion characteristics by minimizing a band gap difference on the interface between n-InGaAs and n-GaAs.例文帳に追加
n−InGaAsとn−GaAs界面でのバンドギャップ差を最小化させることで、gmの平坦性を改善させ、より低歪みな特性を実現させることの出来る電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁
To provide a contact structure of semiconductor/electrode in which recombination amount of carriers is reduced on the contact interface, and to provide a semiconductor element in which the characteristics are enhanced by employing that contact structure.例文帳に追加
コンタクト界面でのキャリア再結合量を低減した半導体/電極のコンタクト構造を提供すると共に、これを使用することにより特性を向上させた半導体素子を提供する - 特許庁
A novel inclined band gap interface layer of p-i and i-n is formed by continuous growth method, and electrical contact resistance is decreased by improving the characteristics of a composition surface.例文帳に追加
本発明では連続成長の方法で新規の傾斜バンドギャップのp−iとi−n界面層を製造しており、接合面の特性を改善することで接触電気抵抗を減少させる。 - 特許庁
To stabilize electrical characteristics of an interface between an electrode and an insulating film, and to prevent gate leakage current from generating, in a semiconductor device having a gate insulating film made by oxidizing a nitride semiconductor.例文帳に追加
窒化物半導体が酸化されてなるゲート絶縁膜を有する半導体装置において、電極・絶縁膜界面の電気的特性を安定化させると共にゲートリーク電流の発生を防止する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a film transistor in which an etch stop material remains in a source/drain isolation etching process, and which solves a problem of deterioration of source/drain interface characteristics, and decreases the required number of optical masks.例文帳に追加
ソース/ドレーン分離エッチングプロセスでエッチストップ材質が残留し、ソース/ドレーンインターフェース特性が悪くなる問題を解消し、必要な光マスク数を減少するフィルムトランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a thermoelectric conversion element which has uniform and stable characteristics in the junction state of junction interface, by absorbing and mitigating the variation in the height of an electrode and a thermoelectric conversion material (chip).例文帳に追加
電極および熱電変換材料(チップ)の高さバラツキを吸収、緩和して、接合界面の接合状態が均一で安定した熱電特性を有する熱電変換素子を提供する。 - 特許庁
To provide an organic EL element which is excellent in adhesiveness of an interface between a high molecular layer and a low molecular layer forming an organic EL layer and has superior life characteristics.例文帳に追加
本発明は、有機EL層を構成する高分子層および低分子層間の界面の密着性が良好であり、寿命特性に優れる有機EL素子を提供することを主目的とする。 - 特許庁
To solve the problem, where in order to maintain/improve performance while promoting micronization for a high integration of LSI, a gate insulating film of high dielectricity, with proper interface characteristics, is required.例文帳に追加
LSIの高集積化を目指し、性能を維持、向上させながら微細化を進めるには、ゲート絶縁膜として高誘電率で、かつ界面特性を良好に保持できるものが要求されている。 - 特許庁
To manufacture a composite optical element, which is composed of a glass substrate and a resin layer, by one-time molding, and to impart characteristics wherein a loss of light on an interface between the glass substrate and the resin layer is reduced to a low level.例文帳に追加
ガラス基材と樹脂層からなる複合型光学素子を1回の成形により製造すると共に、ガラス基材と樹脂層との界面での光の損失を小さく抑えた特性を付与する。 - 特許庁
To provide a method which enables the simple evaluation of the characteristics of the inner surface of a tubular sample, a contact angle measuring system directly used therein, and a gas-liquid interface observing device.例文帳に追加
簡便にチューブ状試料の内表面の特性を評価することが可能な方法、ならびにそれに直接使用する接触角測定システムおよび気液界面観測装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device, together with an optoelectronic device as well as a manufacturing method thereof, which comprises a TFT whose characteristics is stabilized by cleaning the interface between a semiconductor film and a gate insulating film.例文帳に追加
半導体膜とゲート絶縁膜との界面を清浄化することにより特性の安定したTFTを備えた半導体装置、電気光学装置、およびそれらの製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a process for fabricating a group III nitride based compound semiconductor laser in which the ohmic characteristics of an electrode are improved by suppressing damage on the interface between a p-electrode and a p-type contact layer, and residue of mask material.例文帳に追加
p電極とp型コンタクト層との界面のダメージ、マスク材料の残存を抑制して、電極のオーミック特性を改善したIII族窒化物系化合物半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁
PEC etching is carried out with this configuration to make a secure etching stop nearby an interface between the current constriction layer (nitride semiconductor layer 3) and nitride semiconductor layer 2, thereby stabilizing device characteristics.例文帳に追加
この構成に対して、PECエッチングを行うと、電流狭窄層(窒化物半導体層3)と窒化物半導体層2の界面近傍で確実なエッチストップが得られ、デバイス特性の安定化が可能である。 - 特許庁
In the solar cell 1, a rectification barrier wall exhibiting diode characteristics is preferably formed on the interface between the semiconductor 4 and at least one of the first electrode 3 and the second electrode 5.例文帳に追加
太陽電池1では、第1の電極3または第2の電極5の少なくとも一方と半導体4との界面に、ダイオード特性を有する整流障壁が形成されているのが好ましい。 - 特許庁
The CPU of the image input device 1 controls the image input device 2 through an input/output interface so that output characteristics of the CCD of the image input device 2 are measured with a specific exposure value.例文帳に追加
画像入力制御装置1のCPUは、入出力インタフェースを介して、画像入力装置2を制御し、画像入力装置2のCCDの出力特性を、所定の値の露出値で測定させる。 - 特許庁
The semiconductor memory device has therein a device information storage part for storing information on the characteristics of the semiconductor memory device, and an interface controller for performing file access suitable for the characteristics of the semiconductor memory device on the basis of the information, and thus, the access device can achieve optimum file access without awareness of the characteristics of the semiconductor memory device.例文帳に追加
本発明に関わる半導体メモリ装置は、半導体メモリ装置の特性に関する情報を格納する装置情報格納部と、その情報を基に半導体メモリ装置の特性に適したファイルアクセスを行うインターフェース制御部を半導体メモリ装置内に備えることにより、アクセス装置が半導体メモリ装置の特性を意識することなく、最適なファイルアクセスを実現することができる。 - 特許庁
To solve the problem that, when a hetero interface is formed between materials having different lattice constants or large physical properties, various kinds of defects typified by the misfit dislocation, lattice vacancy, etc., are formed in the interface and the sheet resistivity is raised by electron scattering, resulting in the sensitivity drop and deterioration in characteristics of a Hall element.例文帳に追加
格子定数差を持つ材料間で、または物性が大きく異なる材料間でヘテロ界面を形成した場合、界面にはミスフィット転移や格子空孔などに代表される種々の欠陥が形成され、電子散乱によりシート抵抗値は上昇し、ホール素子の感度の低下を導き、特性の劣化を引き起こす。 - 特許庁
In the method and a structure, the set of the device characteristics of a device to be emulated and the formal description of one or more applications to be emulated are supplied, and when the user interface of the application appears on many respective target devices, the user interface is emulated on a single display platform.例文帳に追加
エミュレートされる装置の装置特性のセットと、エミュレートされる1つ以上のアプリケーションの形式的記述とが与えられ、アプリケーションのユーザ・インターフェースが多数の各ターゲット装置上に現れるとき、単一の表示プラットフォーム上で、当該ユーザ・インターフェースをエミュレートする方法及び構造が提供される。 - 特許庁
When the flaw 16 generated at the interface of the metal pipe and a different kind of the metal 12 is inspected, it is preferable to use vertical ultrasonic waves having wide band characteristics with a frequency of 10-30 MHz as ultrasonic waves.例文帳に追加
金属管10と異種金属12の界面に発生した欠陥16を検査する場合には、超音波として、周波数10〜30MHzの広帯域特性を有する縦波超音波を用いるのが好ましい。 - 特許庁
To provide a method for modeling a semiconductor in which impurity pile up on the Si/SiO2 interface can be simulated and electric characteristics dependent on the impurity concentration (e.g. substrate bias dependence) can be analyzed through high speed calculation.例文帳に追加
Si/SiO_2界面での不純物パイルアップをシミュレーション可能であり,不純物濃度に依存する電気特性(例えば,基板バイアス依存性)を高速計算のもとに解析可能な半導体モデリング方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which enables evaluation of individual factors delay time causing a fault in operation characteristics, in regard to the semiconductor device of an SIP constitution which has a high-speed memory interface in a package.例文帳に追加
パッケージ内に高速メモリインターフェースを有するSIP構成の半導体装置において、動作特性に不良が生ずる原因となる個々の遅延時間要因の評価が可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁
Such a negative active material for the lithium secondary battery is capable of enhancing the interface stability between the negative electrode and the electrolyte, by using both of an aqueous binder and a nonaqueous binder, and having superior charge discharge efficiency and long lifetime characteristics.例文帳に追加
かかる前記リチウム2次電池用負極活物質は、負極と電解質間界面安定性を向上させ、水系及び非水系バインダーの使用が可能であり、充放電効率と寿命特性に優れている。 - 特許庁
As for the electrode for the solid polymer fuel cell, since three-phase interface amount increases in which electrochemical reaction proceeds by increase of a reaction surface, the fuel cell having high cell characteristics is formed.例文帳に追加
本発明の固体高分子型燃料電池用電極は、反応表面の増加により電気化学反応が進行する三相界面量が増加しているため、高い電池特性を有する燃料電池を形成できる。 - 特許庁
To provide a data processor capable of efficiently executing real time transfer by inexpensive structure using a general-purpose bus without especially considering data transfer having real time characteristics without using a special bus interface.例文帳に追加
特別なバスインタフェースを用いることなく、リアルタイム性を有するデータ転送を特に考慮していない汎用バスを用いた安価な構成で、リアルタイム転送を効率的に実行できるデータ処理装置を提供すること。 - 特許庁
To obtain a capacitor which is restrained from varying in capacity and enhanced in leakage current characteristics, and where an oxide is hardly formed on a metal nitride-dielectric interface, wherein the capacitor is manufactured in a manner where a dielectric is formed on a metal nitride.例文帳に追加
窒化金属に誘電体を形成して得る容量素子について、窒化金属−誘電体界面に酸化物が形成されにく、容量ばらつきが抑えられ、リーク電流特性も良好にした容量素子を得る。 - 特許庁
To improve cell characteristics, such as a cell voltage, by preventing stay of water in an electrode layer, especially stay of water near an interface of a gas diffusion layer and a catalyst layer in a fuel cell.例文帳に追加
燃料電池において、電極層内における水の滞留、特にガス拡散層と触媒層との界面付近における水の滞留を防止することによって、セル電圧などの電池特性を向上させる。 - 特許庁
To improve data maintenance characteristics of a nonvolatile memory element of variable resistance type, having a laminate structure comprising a lower electrode, metal oxide and an upper electrode by reducing the probability of detrapping of electric charges from interface trap.例文帳に追加
下部電極と金属酸化物と上部電極の積層構造を有する可変抵抗型の不揮発性記憶素子において、電荷が界面トラップからデトラップする確率を低減してデータ保持特性の改善を図る。 - 特許庁
To manage the characteristics of a semiconductor substrate in the fabrication process using a fabrication apparatus clustered in an environment isolated from the atmosphere and the thickness of a film formed thereon on the interface, in the film and on the surface.例文帳に追加
大気と絶縁された雰囲気でクラスタリングされた製造装置を用いた製造工程中における半導体基板と、その上に形成された膜の界面、膜中、表面及び膜厚の特性管理に関する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a capacitor which can improve electrical characteristics by minimizing interface defect between a lower electrode and a dielectric film caused by invagination of impurities such as polymer during electrochemical deposition.例文帳に追加
電気化学蒸着の時、ポリマーなどの不純物の陷入による下部電極と誘電体膜との間の界面欠陥を最小化して電気的特性を向上させることのできるキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁
Imprecisely located defects are imaged by milling a series of slices and performing a light, preferential etching to provide a topographical interface between materials having similar secondary electron emission characteristics.例文帳に追加
不正確に発見された欠陥が、一連のスライスをミリングし、軽い優先的エッチングを行って、類似する二次電子放出特性を有する材料間の形状的界面を提供することによって画像化される。 - 特許庁
To provide a portable telephone set that has a call mode for conducting calls and a data mode for data communication as a communication mode and fully utilizes the characteristics of both the modes to provide superior user interface.例文帳に追加
通信モードとして通話を行うための通話モードとデータ通信を行うためのデータモードとを有し、両モードの特性を十分に活かして優れたユーザインタフェースを提供する携帯電話機を提供する。 - 特許庁
To improve sensitivity of a photodetector and prevent degradation of characteristics in an optical system of light pick-up by reducing reflection of incident light from an outside in an interface between a package surface in a light receiving side and an air layer.例文帳に追加
受光側のパッケージ表面と空気層との界面において、外部からの入射光の反射を低減して、受光素子の高感度化を図り、さらに、光ピックアップの光学系における特性劣化を防ぐ。 - 特許庁
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