「intermediate gate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An intermediate gate M is provided between a lower gate L on the lower side of a slope and an upper gate H on the upper side.例文帳に追加

斜面下側の下部乗降口（Ｌ）及び上側の上部乗降口（Ｈ）間に、途中乗降口（Ｍ）が設けられる。 - 特許庁

Next, a source selection gate signal SSG and a drain selection gate signal DSG is made intermediate voltage Vleg (<(Vds+Vth)).例文帳に追加

次に、ソース選択ゲート信号SSGおよびドレイン選択ゲート信号DSGを中間電圧Ｖleg(＜(Ｖds＋Ｖth))にする。 - 特許庁

A gate driving section 10 applies an intermediate voltage to a gate of a transistor Q11, and an H-level voltage on a gate of a transistor Q12.例文帳に追加

ゲート駆動部１０がトランジスタＱ１１のゲートに中間電圧を印加するとともに、トランジスタＱ１２のゲートにＨレベルを印加する。 - 特許庁

The intermediate insulating layer is formed on the gate insulating layer, covering at least a part of the gate electrode.例文帳に追加

中間絶縁層は、ゲート絶縁層上に形成されており、ゲート電極の少なくとも一部を覆わっている。 - 特許庁

A floating gate 40, an intermediate insulating layer (second insulating layer) 50, and a control gate 60 are successively formed on the gate insulating layer 20.例文帳に追加

ゲート絶縁層２０上には、フローティングゲート４０と、中間絶縁層（第２の絶縁層）５０と、コントロールゲート６０とが順次形成されている。 - 特許庁

In this vertical MOS transistor, a polycrystal silicon gate electrode is embedded into the middle part of a trench, and an intermediate insulating film is embedded on the polycrystal silicon gate electrode.例文帳に追加

トレンチの途中までを多結晶シリコンゲート電極で埋め込み、その上に中間絶縁膜を埋め込む。 - 特許庁

To provide a gate structure which is formed of right and left gateposts and an intermediate gatepost, and allows gate bearing portions of the intermediate gatepost to bear edges of right and left gates even if an angle defined by sections between the intermediate gatepost and the right and left gatepost is varied.例文帳に追加

左右両側の門柱と中間の門柱とを結ぶ線のなす角度が変わっても中間の門柱に設ける左右の門扉の端部を支持する門門扉支持部で門扉の端部を支持できる。 - 特許庁

The intermediate column structure comprises the intermediate column installed between the gate portions pivotally mounted on the loading space for supporting the gate portions with a fastener and an installation implement for installing the intermediate column on the loading space.例文帳に追加

本中間柱構造物は，荷台に枢着された煽り部同士の間に据え付けられ，留め具により煽り部を支持する中間柱およびその中間柱を荷台に据え付ける据え付け具とからなる。 - 特許庁

The intermediate frame part 4 has bent parts 5, 5A and 5B and the pin gate 21G corresponding to the intermediate frame part 4 is provided to the fixed mold 11.例文帳に追加

中間枠部４は屈曲部５，５Ａ，５Ｂを有し、中間枠部４に対応するピンゲート21Ｇを固定型11に設ける。 - 特許庁

Gate wiring 3 and a gate electrode 5 of TFT 1 formed by using a droplet discharge device 40 have a gate intermediate layer 10 formed of Mn, a gate conductive layer 11 formed of Ag, and a gate coating layer 12 formed of Ni.例文帳に追加

液滴吐出装置４０を用いて形成するＴＦＴ１のゲート配線３およびゲート電極５は、Ｍｎからなるゲート中間層１０と、Ａｇからなるゲート導電層１１と、Ｎｉからなるゲート被覆層１２とを有する。 - 特許庁

The high-breakdown-voltage insulating film IH1 is formed as a gate insulating film of a high-breakdown-voltage MIS transistor, and the intermediate-breakdown-voltage insulating film IM1 is formed as a gate insulating film of an intermediate-breakdown-voltage MIS transistor.例文帳に追加

高耐圧絶縁膜ＩＨ１は高耐圧ＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜として、中耐圧絶縁膜ＩＭ１は中耐圧ＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜として形成する。 - 特許庁

A trench cut in a semiconductor substrate is filled up halfway with a polycrystalline silicon gate electrode, and an intermediate insulating film is deposited on the gate electrode to fill up the trench for making the surface of the semiconductor substrate flat.例文帳に追加

トレンチの途中までを多結晶シリコンゲート電極で埋め込み、その上に中間絶縁膜を埋め込み平坦化する。 - 特許庁

The insulating intermediate layer is disposed between a gate dielectric having a dielectric constant of more than 4.0 and a Si-containing gate conductor.例文帳に追加

絶縁中間層は、４．０より大きい誘電定数を有するゲート誘電体とＳｉ含有ゲート導体との間に配置される。 - 特許庁

Thereby, a resin separation pin 55 is prevented from dashing into a gate 36 of an intermediate part 12.例文帳に追加

これにより、樹脂分離用ピン５５の中間型１２のゲート３６への突入を阻止する。 - 特許庁

To provide a fish pass even in a sluice gate weir of intermediate and small rivers and an irrigation channel.例文帳に追加

中小河川やかんがい用水路の水門堰にも魚道を備えることができるようにする。 - 特許庁

The volatile memory includes: a cell transistor having a lower gate dielectric, an intermediate gate dielectric for charge trapping, and an upper gate dielectric, all laminated in order as a gate dielectric; and a transistor for logic, having a single layer of an oxide film as a gate dielectric.例文帳に追加

ゲート誘電体として順次積層された下部ゲート誘電体、電荷トラップのための中間ゲート誘電体、及び上部ゲート誘電体を備えたセルトランジスタと、ゲート誘電体として単一層の酸化膜を備えたロジック用トランジスタとで、揮発性メモリを構成する。 - 特許庁

The gate electrode structure 31 extends to on the intermediate insulation film 24 to overlap the end 21e.例文帳に追加

ゲート電極構造３１は、中間絶縁膜２４上に延在して端部２１ｅとオーバラップしている。 - 特許庁

Since the intermediate frame part 4 is directly filled with a resin J from the pin gate 21G, the intermediate frame part 4 having the bent parts 5, 5A and 5B hardly filled from the side gate 19 can be well filled with the resin J.例文帳に追加

ピンゲート21Ｇから中間枠部４に直接樹脂Ｊを充填するから、サイドゲート19側からでは充填しにくい屈曲部５，５Ａ，５Ｂを有する中間枠部４に、樹脂Ｊを良好に充填することができる。 - 特許庁

A P type transistor Tr21 is driven with the high-voltage electric power V_H and outputs intermediate-voltage electric power V_M to the transfer gate.例文帳に追加

Ｐ型トランジスタＴｒ２１は、高圧電源Ｖ_Hにより駆動し、転送ゲートに中圧電源Ｖ_Mを出力する。 - 特許庁

The intermediate voltage MVDD is input to a gate electrode of the switching circuit 5, whereby the low voltage LVDD is controlled to be ON/OFF in accordance with the intermediate voltage MVDD.例文帳に追加

スイッチング回路５のゲート電極には中間電圧ＭＶＤＤが入力されており、中間電圧ＭＶＤＤに応じて低電圧ＬＶＤＤがＯＮ／ＯＦＦ制御される。 - 特許庁

The source electrode and the drain electrode are formed on the intermediate insulating layer, passed through the gate insulating layer and the intermediate insulating layer, and electrically connected to the channel layer.例文帳に追加

ソース電極とドレイン電極は、中間絶縁層上に形成されており、ゲート絶縁層と中間絶縁層を貫通してチャネル層と電気的に接続している。 - 特許庁

The second semiconductor elements 26, 27 are formed on the substrate 1 and include a gate insulating film 15 composed of the same layer as the intermediate insulating film 15 and gate electrodes 16e, 16f that are formed on the gate insulating film 15.例文帳に追加

第２の半導体素子２６、２７は、基板１上に形成され、中間絶縁膜１５と同一層からなるゲート絶縁膜１５と、ゲート絶縁膜１５上に形成されたゲート電極１６ｅ、１６ｆとを含む。 - 特許庁

An intermediate node N13 in the cell block MCB0 is connected to a plate line PL through a plate line selection gate Q21.例文帳に追加

セルブロックＭＣＢ０内の中間ノードＮ１３は、プレート線選択ゲートＱ２１を介してプレート線ＰＬに接続される。 - 特許庁

The control gate 28 is provided with an amorphous silicon layer at least and the amorphous silicon layer contacts the intermediate insulating layer 26.例文帳に追加

コントロールゲート２８は、少なくともアモルファスシリコン層を含み、アモルファスシリコン層は、中間絶縁層２６と接触している。 - 特許庁

The slit gates 29 are disposed correspondingly to the intermediate frame parts 3, and the cross-section of the gate 29 is formed approximately linearly.例文帳に追加

スリットゲート29を中間枠部３に対応して配置すると共に、該スリットゲート29の断面を略線状に形成する。 - 特許庁

For cradle-to-gate inventories, companies shall report the amount of carbon contained in the intermediate product 例文帳に追加

揺りかごからゲートまでのインベントリの場合、事業者は中間製品に組み込まれた炭素量を報告しなければならない。 - 経済産業省

A first transistor including the lower insulating film in the first region and the intermediate insulating film as gate insulating films, and a second transistor including the lower insulating film in the second region, the intermediate insulating film, and the upper insulating film as the gate insulating films are formed.例文帳に追加

第１の領域の下部絶縁膜と中間絶縁膜とをゲート絶縁膜として含む第１のトランジスタと、第２の領域の下部絶縁膜、中間絶縁膜、及び上部絶縁膜をゲート絶縁膜として含む第２のトランジスタとを形成する。 - 特許庁

A first shift gate 40 and an advancing position (D) 52 which are arranged in series in vehicle cross direction are connected at a neutral position (N) 46 arranged at an intermediate position of a first shift gate 40 by a gate extending in a width direction.例文帳に追加

車両前後方向に直列に配置された第１のシフトゲート４０と前進ポジション（Ｄ）５２とが、第１のシフトゲート４０の中間位置に配置された中立ポジション（Ｎ）４６の位置で、幅方向に延びるゲートで連結されている。 - 特許庁

A single tread belt 40 is endlessly wound on pulleys 11, 12, and 13 near the lower gate L, pulleys 21 and 22 near the upper gate H, and pulleys 31 to 36 near the intermediate gate 30.例文帳に追加

下部乗降口（Ｌ）近傍の各プーリ１１，１２，１３，上部乗降口（Ｈ）近傍の各プーリ２１，２２，及び途中乗降口３０近傍の各プーリ３１〜３６には、単一の踏板ベルト４０が無限軌道状に巻き掛けられている。 - 特許庁

This non-volatile semiconductor storage device (memory transistor) 400 is a non-volatile semiconductor storage device with a split gate structure and has a source 16, drain 14, gate insulating layer 26, floating gate 40, intermediate insulating layer 50 functioning as a tunnel insulating layer, and control gate 36.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置（メモリトランジスタ）４００は、スプリットゲート構造の不揮発性半導体記憶装置であって、ソース１６、ドレイン１４、ゲート絶縁層２６、フローティングゲート４０、トンネル絶縁層として機能する中間絶縁層５０およびコントロールゲート３６を有する。 - 特許庁

Then, the gate voltage of the N-type transistor is turned to a high voltage and the gate voltage of the P-type transistor is turned to a low voltage when transferring voltage signals, and the gate voltage of the N-type transistor is turned to a GND level and the gate voltage of the P-type transistor is turned to an intermediate voltage when not transferring the voltage signals.例文帳に追加

そして、電圧信号の転送時にＮ型トランジスタのゲート電圧を高電圧、Ｐ型トランジスタのゲート電圧を低電圧とし、また、電圧信号の非転送時にＮ型トランジスタのゲート電圧をＧＮＤレベル、Ｐ型トランジスタのゲート電圧を中間電圧にする。 - 特許庁

A gate line GL is arranged so as to pass a row-directional intermediate part of the one pixel, and gates of switching transistors SW of the four display dots are connected to the gate line GL.例文帳に追加

この１画素の行方向の中間部分を通過するようにゲートラインＧＬを配置し、このゲートラインＧＬに４つの表示ドットのスイッチングトランジスタＳＷのゲートを接続する。 - 特許庁

A laminated structure, composed of a silicon oxide layer 14, a silicon nitride layer 15, and a silicon oxide layer 16, is formed as an intermediate insulating film between a floating gate 13a and a control gate 18a.例文帳に追加

フローティングゲート１３ａとコントロールゲート１８ａとの間の中間絶縁膜として、酸化シリコン層１４、窒化シリコン層１５及び酸化シリコン層１６の積層構造を形成する。 - 特許庁

On a first interlayer insulating film 20, an intermediate electrode 22 to be connected to the gate electrode 14 of the ferroelectrics FET, a ferroelectrics film 23 and a control gate electrode 24 are formed.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜２０の上に、強誘電体ＦＥＴのゲート電極１４に接続される中間電極２２と強誘電体膜２３と制御ゲート電極２４とを形成する。 - 特許庁

A NOR gate is also constituted by connecting the source of pMOS to an intermediate potential between the high and low levels, and also connecting the source of nMOS to the low level.例文帳に追加

ｐＭＯＳのソースをハイとロウの中間電位とし、ｎＭＯＳのソースをロウレベルに接続して、ＮＯＲゲートを構成する。 - 特許庁

A gate of the intermediate node drive transistor is connected to the same storage node (SN, /SN) as corresponding drive transistors (NQ1, NQ2).例文帳に追加

この中間ノードドライブトランジスタは、対応のドライブトランジスタ（ＮＱ１、ＮＱ２）と同一の記憶ノード（ＳＮ、／ＳＮ）にゲートが接続される。 - 特許庁

Type of inventory i.e. final product cradle-to-grave or intermediate product cradle-to-gate inventory 例文帳に追加

インベントリのタイプ、すなわち最終製品の揺りかごから墓場までのインベントリか、中間製品の揺りかごからゲートまでのインベントリか - 経済産業省

A gate of a mold is provided at an intermediate position of adjacent pillars 30 on the inner peripheral face 10A of a small diameter annular ring 10 per pocket 40.例文帳に追加

金型のゲートを、ポケット４０毎に、小径円環部１０の内周面１０Ａの隣り合う柱部３０の中間位置に設ける。 - 特許庁

Furthermore, the lengths of the gate patterns are different by the region of the central region, intermediate region and edge region.例文帳に追加

さらに前記ゲートパターンの長さは前記半導体ウェーハの中央領域、中間領域およびエッジ領域の各領域別に異なる。 - 特許庁

Since the intermediate voltage MVDD is supplied to the gate, a decrease in output voltage at the switching circuit 5 is prevented.例文帳に追加

また、ゲートに中間電圧ＭＶＤＤを供給することにより、スイッチング回路５における出力電圧の低下を防止している。 - 特許庁

In a normal direction of the base plate 11, the gate electrode 35 is pinched between the intermediate rib 33 and a base plate rib 12, and the cathode side rib 34 is pinched between the intermediate rib 33 and the cathode electrode 13.例文帳に追加

基板１１の法線方向では、ゲート電極３５は、中間リブ３３と基板リブ１２との間に挟持され、カソード側リブ３４は、中間リブ３３とカソード電極１３との間に挟持される。 - 特許庁

A gate electrode SG of the selection gate transistor is obtained by sequentially laminating a lower electrode part 5, an inter-electrode insulating film 6, an intermediate electrode part 7, an inter-electrode insulating film 8 and an upper electrode part 9.例文帳に追加

選択ゲートトランジスタのゲート電極ＳＧは、下部電極部５、電極間絶縁膜６、中間電極部７、電極間絶縁膜８、上部電極部９が順次積層された構成である。 - 特許庁

Individuals of high rank would have a mogari (room in which the dead were put or laid in state) with an area of approximately 10.8 m² while it would be about 3.6 m² for those of intermediate rank, and a windows would be opened in both the north and the south with the one in the south representing the shugyomon (gate of practice) and that in the north representing the nehanmon (gate of Nirvana). 例文帳に追加

切腹の場所は上輩であれば6間四方、中輩であれば2間四方に「もがり」を結い、南北に2口を開き、南は修行門、北は涅槃門である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Impurity concentrations in distal portions (front and back distal portions) 14a of the trench gate electrode 14 covering a wide range of the insulating film 12a adjacent to corners 10a of the trench 10 in a gate intermediately connecting portion 18 and in a partial gate pad 20 are lower than that of an intermediate portion 14c of the trench gate electrode14 or the like.例文帳に追加

トレンチ１０のコーナー部１０ａに隣接する絶縁膜１２ａを広い範囲で覆うトレンチゲート電極１４の端部（前端部、後端部）１４ａ、ゲート中継部１８、一部のゲートパッド２０の不純物濃度は、トレンチゲート電極１４の中間部１４ｃ等の不純物濃度に比べて低い。 - 特許庁

Each gate of the fourth PMOS transistor and the fifth NMOS transistor is connected to the first intermediate node, a gate of the sixth NMOS transistor is connected to the clock pulse signal, and a second intermediate node between the fourth PMOS transistor and the fifth NMOS transistor is brought into its logic level maintained by a second latch.例文帳に追加

第４ＰＭＯＳトランジスタ及び第５ＮＭＯＳトランジスタのゲートは、第１中間ノードに連結され、第６ＮＭＯＳトランジスタのゲートは、クロックパルス信号に連結され、第４ＰＭＯＳトランジスタと第５ＮＭＯＳトランジスタとの間の第２中間ノードは、第２ラッチによりそのロジックレベルが維持される。 - 特許庁