「layer depth」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The prescribed depth at the time is the middle of an electrode layer 12 positioned at the bottom and an electrode layer 22 positioned on it.例文帳に追加

このときの所定の深さは、最も下に位置する電極層１２とその上に位置する電極層２２との中間とする。 - 特許庁

(3) The depth of the groove 31 is not less than an amount of a diffusion layer crushed when the diffusion layer is pushed by the collecting part 30.例文帳に追加

（３）溝３１の深さは、拡散層が集電部３０によって押された時に拡散層がつぶれる量以上である。 - 特許庁

A pn junction formation of the n-type layer is diffused from the depth d1 to a depth d2 deeper than the depth d1, and forms a pn junction of a photodiode together with the p-type well in the depth d2.例文帳に追加

Ｎ型層のＰＮ接合形成部分は深さｄ１から当該深さｄ１よりも深いｄ２まで拡散されており、当該ＰＮ接合形成部分は深さｄ２においてＰ型ウェルとともにフォトダイオードのＰＮ接合を形成している。 - 特許庁

Further, preferably, the trimming depth of the lower magnetic pole end layer is set to 0.2±0.1 μm, and an etching taper angle is set to 5° to 20°.例文帳に追加

さらに、下部磁極端層のトリミング深さは0.2±0.1μmで、エッチングテ−パ角は5°〜20°が好ましい。 - 特許庁

A surface layer is removed by at least 5 nm in depth from the surface of the wiring, for thinning.例文帳に追加

配線の上面からの深さが少なくとも５ｎｍまでの表層部を除去し、薄層化する。 - 特許庁

An earth retaining wall reaching up to the depth of a low water permeable layer is constructed around the existing building.例文帳に追加

既存建物の周囲に低透水層の深さまで到達する山留め壁を構築する。 - 特許庁

The GaN layer 13 is removed for the depth of about 2 μm by dry etching and trapezoidal groove stripes are formed.例文帳に追加

GaN層13をドライエッチングにより深さ2μm程度除去し、台形状の溝ストライプを形成する。 - 特許庁

The silicon is approximately uniformly implanted from the front surface of an AlN layer to the depth of 0.2μm.例文帳に追加

シリコンはＡｌＮ層の表面から０．２μｍの深さに渡ってほぼ均一に注入された。 - 特許庁

Successively, an induction-hardening is performed, and then a low temperature tempering is performed so that the depth (d) of the hardened layer becomes 3.0 to 15% of the diameter (D) of the shaft.例文帳に追加

硬化層の深さ（ｄ）が軸の直径（Ｄ）の３．０〜１５％となるようにする。 - 特許庁

A part of the first nitride gallium layer 6 is etched down to such a depth as not to reach the alignment mark 4.例文帳に追加

次に、第１の窒化ガリウム層６の一部をアライメントマーク４に達しない深さまでエッチングする。 - 特許庁

Trenches extending in the depth direction of the structure reach the silicon substrate 1 from the n--type silicon layer 4.例文帳に追加

深さ方向に延びるトレンチ５は、ｎ^- 型シリコン層４からｐ型シリコン基板１に達している。 - 特許庁

The cathode region is formed from the surface of the epitaxial layer down to the depth reaching the semiconductor substrate.例文帳に追加

カソード領域はエピタキシャル層の表面から半導体基板に達する深さまで形成される。 - 特許庁

GROUND IMPROVEMENT METHOD BY VACUUM CONSOLIDATION OF SOFT GROUND HAVING SAND LAYER IN INTERMEDIATE DEPTH POSITION例文帳に追加

中間深さ位置に砂層を有する軟弱地盤の真空圧密による地盤改良工法 - 特許庁

Then, holes 18a of 1.0μm in depth and of 1.0 to 2.5μm in diameter is formed in the GaN layer 18.例文帳に追加

次に、ＧａＮ層１８に深さ１．０μｍ、１．０〜２．５μｍ径の穴１８ａを形成する。 - 特許庁

A side surface of the flange portion 14 is provided with a concave portion 16 having a depth corresponding to a thickness of the elastic layer 17.例文帳に追加

フランジ部14の側面に、弾性層17の厚みに相当する深さの凹所16が設けられている。 - 特許庁

Here, the first pattern is formed at the inter-layer film with a depth different from the second pattern.例文帳に追加

前記第１パターンは、前記第２パターンとは異なる深さで前記層間膜に形成される。 - 特許庁

The depth of the reforming layer 3 can be made a desired depth by changing the length of the probe 2 projectingly arranged on the rotating tool T.例文帳に追加

この回転工具Ｔに突出して設けられたプローブ２の長さを変えることで、改質層３の深さを所望の深さにすることができる。 - 特許庁

A depth position d2 of a channel ch relative to the surface of the semiconductor substrate 3 is shallower than the depth position d1 of the silicide films (stress application layer) 13.例文帳に追加

半導体基板３の表面に対するチャネル部ｃｈの深さ位置ｄ２は、シリサイド膜（応力印加層）１３の深さｄ１位置よりも浅い。 - 特許庁

The polyimide resin layer 22 has, below the pad electrode 14, a thickness formed by the depth of the lower part 42, the height of a terrace part 48 and the depth of the recess 46.例文帳に追加

ポリイミド樹脂層２２は、パッド電極１４の下において、低地部４２の深さ、及び台地部４８の高さに、陥凹部４６の深さを加えた厚さとなる。 - 特許庁

To provide a device capable of efficiently burying a venting pipe in a waste layer to a desired depth and further to the depth deeper than before without using water.例文帳に追加

水を使用せずに効率よく、所望の深度に、さらに、従来よりもより深い深度まで廃棄物層内に通気パイプを埋設する装置を提供する。 - 特許庁

This current will flow into the internal circuit 12 from the inside of the substrate 11 whose depth is deeper than a predetermined depth from a lower layer of the protective circuit 13 of the substrate 11.例文帳に追加

この電流は、基板１１の保護回路１３の下層から一定の深さよりも深い該基板１１の内部から、内部回路１２へ流れ込もうとする。 - 特許庁

The surface of the concrete floor slab 2 is cut up to a specified depth, and the first resin mortar layer 6a is placed up to approximately the half of the depth.例文帳に追加

コンクリート床版２の表面を所定の深さまで切削した後、その深さの半分程度まで、第１樹脂モルタル層６ａが打設されている。 - 特許庁

The depth position d2 of the channel portion ch from the surface of the semiconductor substrate 3 is shallower than the depth position d1 of the silicide film (stress application layer) 13.例文帳に追加

半導体基板３の表面に対するチャネル部ｃｈの深さ位置ｄ２は、シリサイド膜（応力印加層）１３の深さｄ１位置よりも浅い。 - 特許庁

The second source/drain region includes a third n-type impurity layer having an impurity concentration lower and a depth shallower than those of the first n-type impurity layer, and a fourth n-type impurity layer having an impurity concentration higher and a depth deeper than those of the third n-type impurity layer.例文帳に追加

さらに、第２のソース・ドレイン領域が、第１のｎ型不純物層よりも不純物濃度が低く深さの浅い第３のｎ型不純物層と、第３のｎ型不純物層よりも不純物濃度が高く深さの深い第４のｎ型不純物層を備える。 - 特許庁

Further, the sum of the depth-directional thickness of the N^- drift layer 1 and the depth-directional thickness of the field stop layer 3 is smaller than the diffusion length of electrons and holes when the Frenkel defect density of the N^- drift layer 1 is the heat balancing density.例文帳に追加

また、Ｎ^-ドリフト層１の深さ方向の厚さとフィールドストップ層３の深さ方向の厚さとの和は、Ｎ^-ドリフト層１のフレンケル欠陥密度が熱平衡密度である場合の電子および正孔の拡散長よりも小さい。 - 特許庁

To make measurable reliably a hardening depth and to make it possible to display a hardening depth pattern, even in a work wherein no boundary layer exists between a thermally affected layer and a base layer, or a work having a complicated shape portion on its surface.例文帳に追加

熱影響層と母層の境界層が存在しないワークや表面に複雑な形状部分を有するワークについても、信頼性のある焼入れ深さの測定を可能とし、焼入れ深さパターンの表示も可能とする。 - 特許庁

A positive electrode layer 12 and an insulating layer 15 are laminated on a substrate 11, and a penetrating part 15A is formed in the stripe state to be orthogonal to the positive electrode layer 12 of the depth not reaching the positive electrode layer 12 in this insulating layer 15.例文帳に追加

基板１１上に陽極層１２、絶縁層１５を積層し、この絶縁層１５に陽極層１２に達しない深さの貫通部１５Ａを陽極層１２と直交するストライプ状に形成する。 - 特許庁

The depth of an effective hardening layer of a quenching depth from the surface of the work which is specified by the hardness of a hardening layer of quenching, is determined by a predetermined estimation process from the specified ultrasonic wave position.例文帳に追加

定められた超音波深さ位置から所定の推定処理により、焼入れ硬化層の硬度により定められるワーク表面からの焼入れ深さである有効硬化層深さを求める。 - 特許庁

The trenches 29 are formed in a depth of (b), which is shallower than the deepest junction depth (a) of the channel layer 26, and the trenches 29 are formed so as to be in contact with a p-n junction of the channel layer 26.例文帳に追加

チャネル層２６の最も深い接合深さａよりもトレンチ２９の深さ寸法ｂを浅く形成し、トレンチ２９は側面でチャネル層２６のｐｎ接合と接するように形成する。 - 特許庁

To form uniform quench-hardened layers of a tripod with desired depth for a short time without generating an abnormal layer (internal oxidation layer).例文帳に追加

トリポードの硬化層を所望深さでバラツキなく均一にしかも短時間で異常層（粒界酸化層）を発生させずに形成すること。 - 特許庁

The second portion 13 intrudes deeper into the first layer 8 in comparison with the depth of the first portion 1 intruding into the first layer 8.例文帳に追加

第１の部分１が第１の層８に侵入する深さに比して、第２の部分１３が第１の層８に深く侵入している。 - 特許庁

P^+ diffusion areas 23, 24 and 25 of 14-20 μm in depth (design value) are selectively formed on the surface layer of an n^- semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ^-半導体層２２の表面層に、１４〜２０μｍ（設計値）の深さのｐ^+拡散領域２３，２４，２５を選択的に形成する。 - 特許庁

An element isolation layer 3a is formed thinner than the depth of a recess 2, so that a recess may still be left over in the recess 2, after the element isolation layer 3a is formed.例文帳に追加

素子分離層３ａを凹部２の深さよりも浅くなるように形成し、凹部２に凹みが残されるように構成する。 - 特許庁

The junction depth between a source layer and drain regions 106, 107 is set not to exceed the face where the Si_1-xGe_x layer 103 and a silicon layer are brought into contact with each other.例文帳に追加

ソース層及びドレイン領域１０６，１０７の接合深さを、前記Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層１０３とシリコン層とが接する面を越えないようにする。 - 特許庁

To provide a methacrylic resin sheet of a multi-layer structure which has a high-grade feel with depth of the light-diffusive layer through a transparent layer and excellent light-diffusive performance and light transmissivity.例文帳に追加

透明層により光拡散層に深みが出て高級感があり、光拡散性に優れ、光透過性にも優れる多層構造のメタクリル樹脂板を提供する。 - 特許庁

In the light emitting diode, a groove with a depth of 7-15 nm is formed on the surface of an AlGaN layer, and hence a surface morphology of the InGaN layer grown on the AlGaN layer is improved.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ層の表面には、深さ７〜１５ｎｍの溝が形成されているので、この上に成長するＩｎＧａＮ層の表面モフォロジーが改善された。 - 特許庁

By applying anodic oxidation processing to the Al layer 5 (alumite treatment), a part from a surface of the Al layer 5 to designated depth is changed to an alumite layer 6 in which pore 6a exists.例文帳に追加

Ａｌ層５の陽極酸化処理（アルマイト処理）を行うことにより、Ａｌ層５の表面から所定の深さまでを、ポア６ａが存在するアルマイト層６に変化させる。 - 特許庁

When diffusion coefficients are almost equal in the diffusion control layer and window layer, thickness corresponding to the thickness of diffusion control layer simply becomes equal to the difference in depth at the diffusion front.例文帳に追加

拡散制御層と窓層とで拡散係数がほぼ等しい場合、単純に拡散制御層の厚さに相当する厚みが拡散フロントでの深さの差となる。 - 特許庁

To enlarge the control region of defect-free layer depth and fine defect density of the inside in a CZ silicon wafer.例文帳に追加

ＣＺシリコンウエーハにおいて、無欠陥層深さと内部微小欠陥密度の制御範囲を拡大する。 - 特許庁

The spiral slit 15 may have a depth that will not penetrate the inside diameter face of the hard resin layer 13.例文帳に追加

また、螺旋状のスリット１５は、硬質樹脂層１３の内径面を貫通しない深さであってもよい。 - 特許庁

The method for the measurement of the thickness of the horny layer measures spectrum by the Raman spectroscopy while varying a measurement depth toward the depth of the skin from the surface of the skin, and determines a spectrum measurement depth when the peak peculiar to the horny layer in the spectrum disappears as the thickness of the horny layer with the peak as an index.例文帳に追加

角層厚の計測方法であって、皮膚表面から皮膚深部方向に向けて、測定深度を変えながら、ラマン分光によりスペクトルを測定し、該スペクトル中の角層に特異的なピークを指標とし、該ピークが消失するときのスペクトル測定深度を角層厚として決定する、角層厚の計測方法。 - 特許庁

To increase the parastic resistance of an impurity diffusion layer and reduce the depth thereof.例文帳に追加

不純物拡散層の寄生抵抗の増大を抑制しつつ不純物拡散層の深さを浅くする。 - 特許庁

A groove 15, whose depth is greater in dimension than the thickness of the printed layer 7, is cut in the outer surface of the card body 1.例文帳に追加

カード本体１の外表面には、印刷層７の厚みを越える深さの溝１５を切削する。 - 特許庁

Thus, the semiconductor layer 20, having a predetermined thickness corresponding to the depth of the groove 29, is obtained.例文帳に追加

これにより、溝２９の深さに対応した所定の厚さを有する半導体層２０が得られる。 - 特許庁

The photodiodes 10 are formed by using a diffusion layer, having a profile whose concentration and depth are each different.例文帳に追加

フォトダイオード１０は、それぞれ異なる濃度、深さのプロファイルを有する拡散層を用いて形成される。 - 特許庁