「layer depth」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The depth of the slit 2 is formed of not more than 60% and not less than 90% of the height of the abrasive layer material 1.例文帳に追加

スリット２の深さは、砥材層１の高さの６０％以上９０％以下となるように形成されている。 - 特許庁

In the first process, an initial crack having a depth of 1.14-1.67 times of the thickness of the strengthening layer is formed on the surface of the tempered glass.例文帳に追加

第１工程は、強化ガラスの表面に、強化層の厚みの1.14倍〜1.67倍の深さの初期亀裂を形成する。 - 特許庁

The revetment 1 consisting of a layer of fine sand 5 provided in the direction of the depth of water, layers of gravel 3 provided to the outside of the layer of fine sand 5 and a cut-off wall 7 provided between the layer of fine sand 5 and the layer of gravel 3 is constructed.例文帳に追加

水の深さ方向に設けられた細砂５の層と、細砂５の層の両外側に設けられた礫３の層と、細砂５の層と礫３の層との間に設けられた止水壁７とからなる護岸１を構築する。 - 特許庁

A first diffusion layer 8 having P type conductivity, a second diffusion layer 9 having N^+ type conductivity, and a third diffusion layer 10 having N^+ type conductivity are formed from the surface of the epitaxial layer 7 down to a specified depth.例文帳に追加

エピタキシャル層７の表面から一定の深さにかけて、導電型がＰ型である第１拡散層８、導電型がＮ^＋型である第２拡散層９、および導電型がＮ^＋型である第３拡散層１０が形成されている。 - 特許庁

In the magnetic recording medium having a base layer, a magnetic layer and a protective layer on a substrate, the protective layer consists of a DLC film and CN bonds are formed in the region between the surface of the DLC film and 13 Å depth from the surface of the DLC film.例文帳に追加

基体上に下地層、磁性層、保護層を有する磁気記録媒体において、該保護層がDLC膜からなり、該DLC膜の表面からの深さ13Å以下の領域にＣＮ結合が形成された磁気記録媒体を用いる。 - 特許庁

A CMOS image sensor includes: a silicon substrate; a silicon germanium epitaxial layer formed over the substrate; an undoped silicon epitaxial layer formed over the silicon germanium epitaxial layer; and a photodiode region formed in a predetermined depth from a top surface of the undoped silicon epitaxial layer to a part of the silicon germanium epitaxial layer.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサは、シリコン基板と、この基板上のシリコンゲルマニウムエピタキシャル層と、この層上のアンドープのシリコンエピタキシャル層と、この層の表面からシリコンゲルマニウムエピタキシャル層の一部に至るまでの所定の深さに形成されたフォトダイオード領域とを備える。 - 特許庁

A groove of depth larger than that of the bottom surface of a first semiconductor layer 11 is formed, at a location where a first semiconductor layer (SiGe) 11 and a second semiconductor layer (Si) 12 are formed by epitaxial growth on the substrate of bulk.例文帳に追加

バルクの基板上に第１半導体層（ＳｉＧｅ）１１、第２半導体層（Ｓｉ）１２をエピ成長させ、そこに第１半導体層１１の底面以上の深さの溝を形成する。 - 特許庁

The solid-oxide fuel cell 1 is formed so that cerium exists only in a region the depth of which from the interface between the ceria-based solid solution layer 2a and the stabilized zirconia layer 2b is less than 0.3 μm within the stabilized zirconia layer 2b.例文帳に追加

安定化ジルコニア層２ｂ内において、セリア系固溶体層２ａと安定化ジルコニア層２ｂとの界面から深さが０．３μｍ未満の領域にのみセリウムが存在するように形成する。 - 特許庁

A p-type base layer 3 is formed at a specified depth under the surface of an epitaxial layer 2, at the center part of the n-type epitaxial layer 2 formed on an n-type semiconductor board 1.例文帳に追加

ｎ型の半導体基板１上に形成されたｎ型のエピタキシャル層２の中央部には、エピタキシャル層２の表面から一定の深さにかけてｐ型のベース層３が形成されている。 - 特許庁

An upper magnetic layer 13 has a rear end part to be placed on the Gd deciding insulating layer, and the volume of the upper magnetic layer 13 is increased while a gap depth is kept at a specified length.例文帳に追加

上部磁極層１３は、後端部をＧｄ決め絶縁層上に載せることができ、ギャップデプスを所定の長さに維持したまま上部磁極層１３の体積を増加させることができる。 - 特許庁

The first source/drain region includes a first n-type impurity layer and a second n-type impurity layer having an impurity concentration higher and a depth shallower than those of the first n-type impurity layer.例文帳に追加

そして、第１のソース・ドレイン領域が、第１のｎ型不純物層と、第１のｎ型不純物層よりも不純物濃度が高く深さの浅い第２のｎ型不純物層を備えている。 - 特許庁

A base layer constituted of a GeSi layer having a profile in which the composition rate of Ge changes logarithmically on the depth is formed by paraxial growth on a silicon semiconductor layer functioning as a collector.例文帳に追加

コレクタとして機能するシリコン半導体層上に、Ｇｅの組成比が、深さに対して対数関数的に変化するプロファイルを有するＧｅＳｉ層からなるベース層をエピタキシャル成長により形成する。 - 特許庁

The rolling tool is provided with a nitrided diffused layer formed by diffusion treatment of heating a nitriding treatment layer in a nitrogen atmosphere and whose hardness is gradually reduced to the depth direction at the surface layer part.例文帳に追加

窒化処理層を窒素雰囲気中で加熱する拡散処理により形成された、深さ方向に硬度がなだらかに低下している窒化拡散層を表層部に具えてなる圧延工具である。 - 特許庁

A double refraction layer is formed on a substrate and reactive ion etching is performed after a desired patterning is performed onto the double refraction layer to form a plurality of pits having different depth in the surface of the double refraction layer.例文帳に追加

基板上に複屈折層を形成し、当該複屈折層に所望のパターニングをした後に反応性イオンエッチングを施すことによって複屈折層に深さの異なる複数のピットを形成する。 - 特許庁

An oxygen-rich layer (4) having an oxygen concentration higher than the other depth regions (16 and 17) of a semiconductor substrate (1) is formed to the specified depth region (15) of the semiconductor substrate (1), and the semiconductor substrate (1) is irradiated with a radiation and a recombination region (5) is formed to the oxygen-rich layer (4).例文帳に追加

半導体基板(1)の所定の深さ領域(15)に半導体基板(1)の他の深さ領域(16,17)より酸素濃度の高い酸素富裕層(4)を形成し、半導体基板(1)に放射線を照射して、酸素富裕層(4)に再結合領域(5)を形成する。 - 特許庁

Even if the thickness of the interlayer insulating layer 4 is thickened by incorporating the mounting component 2 in the interlayer insulating layer 4, the depth of the via hole 3 is formed shallow.例文帳に追加

実装部品２を層間絶縁層４内に内蔵することによって層間絶縁層４の厚みが厚くなっても、ビアホール３の深さは浅く形成されている。 - 特許庁

The restraining material 4 is installed in such a manner as to pass through a liquefied layer E1 and make a lower end thereof reach a predetermined depth of firm bearing ground of an unliquefied layer E2.例文帳に追加

拘束材４は、液状化層Ｅ１を貫通して、その下端が非液状化層Ｅ２の強固な支持地盤の所定の深度に到達するように設置されている。 - 特許庁

A state in which the magnetization direction of the pinned layer 34 is tilted by a disturbance can be suppressed by setting the length in terms of the depth for the pinned layer 34 longer.例文帳に追加

このようにピンド層３４の奥行き方向の長さを長く設定しておくことで、外乱によってピンド層３４の磁化方向が傾く事態を抑制することができる。 - 特許庁

Alternatively, the mean number of the crystal grains 7 from the surface of the brass layer 6 up to 25% of the depth of the brass layer 6 is 1.5 piece/μm or larger.例文帳に追加

若しくは、このブラス層６の表面からブラス層６の厚みに対する深さ２５％までの間における、結晶粒７の平均個数が１．５個／μｍ以上である。 - 特許庁

The mean number of crystal grains 7 from a surface of the brass layer 6 up to 50% of the depth of the brass layer 6 is 1.5 piece/μm or larger.例文帳に追加

このブラス層６の表面からブラス層６の厚みに対する深さ５０％までの間における、結晶粒７の平均個数が１．５個／μｍ以上である。 - 特許庁

An n-type drain layer 6 is formed in a depth which reaches insulator 2 from the surface of a p-type active layer 3 of low impurity concentration formed on an SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に形成された低不純物濃度のｐ型活性層３の表面から絶縁層２に到達する深さでｎ型ドレイン層６が形成されている。 - 特許庁

A groove is formed at a position in a lower magnetic pole 14 which corresponds to a magnetic gap depth and, after the groove is covered with gap layer material, the material is processed by a CMP method to form a required gap layer 13.例文帳に追加

下部磁極の磁気ギャップ深さに相当する位置に溝を設置し、ギャップ層材で覆って終った後、所要のギャップ層になるようにＣＭＰ法で加工する。 - 特許庁

In a base layer 31 of an IGBT cell 10, a floating layer 40 deeper than an emitter region 38 and a first contact region 39 is provided in the depth direction of a trench 35.例文帳に追加

ＩＧＢＴセル１０のベース層３１に、トレンチ３５の深さ方向にエミッタ領域３８および第１コンタクト領域３９よりも深いフローティング層４０を設けている。 - 特許庁

To provide a surface layer evaluating method for a semiconductor wafer, wherein the method can evaluate distribution of electrically active defects and contaminations in the depth direction of a surface layer of a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェーハの表層の深さ方向における電気的に活性な欠陥や汚染の分布を評価可能な半導体ウェーハの表層評価方法を提供する。 - 特許庁

In the same manner as in the case of eliminating the color filter layer, the laser beam is radiated on the foreign matter F existing on the surface of the color filter layer 3R1 remaining after the filter elimination to the extent of one-half depth.例文帳に追加

１／２程度の深さまで除去したカラーフィルタ層3R1の表面にある異物Ｆに対し、カラーフィルタ層を除去する場合と同様に、レーザ光を照射する。 - 特許庁

A layer data generation section 7 superimposes the images with the plurality of target distances output from the data line extraction section 4 to generate layer data hierarchized in the direction of depth.例文帳に追加

レイヤデータ生成部７は、データライン抽出部４から出力される複数の対象距離毎の画像を重畳し、奥行き方向に階層化されたレイヤデータを生成する。 - 特許庁

In this state, a part from a top face of the carbon nanotube layer 6 to a given depth of the first insulating layer 3a is removed by a wet type belt polishing machine.例文帳に追加

この状態で、湿式ベルト研磨機の研磨によって、カーボンナノチューブ層６の上面から第１絶縁層３ａの所定の深さ位置までの部分が除去される。 - 特許庁

The prescribed depth at the time is the middle of the electrode layer 22 positioned second from the bottom and the electrode layer 12 positioned on it of the electrode layers 12 and 22.例文帳に追加

このときの所定の深さは、電極層１２及び２２のうちで、下から２番目に位置する電極層２２とその上に位置する電極層１２との中間とする。 - 特許庁

The prescribed depth at the time is the middle of the electrode layer 12 positioned third from the bottom and the electrode layer 22 positioned on it of the electrode layers 12 and 22.例文帳に追加

このときの所定の深さは、電極層１２及び２２のうちで、下から３番目に位置する電極層１２とその上に位置する電極層２２との中間とする。 - 特許庁

The other layer is a boundary layer made up of pixels exhibiting foreground colors, foreground disparities and alpha values associated with the correspondingly located pixels of the depth discontinuity areas.例文帳に追加

他方のレイヤは、深さ不連続領域の対応する位置のピクセルに関連するフォアグラウンドカラー、フォアグラウンド視差、およびアルファ値を示すピクセルから構成される境界レイヤである。 - 特許庁

To provide a grinding method of the outer layer of a roll with an on-line roll grinder in which the prime object is put to the performance of grinding at a certain depth without depending on cumulative rolling load in the depth direction from the roll surface.例文帳に追加

ロール表面からの深さ方向の累積圧延負荷によらず、一定の深さで研削を行うことに主眼を置いたオンラインロールグラインダによるロール表層の研削方法を提供する。 - 特許庁

Timber pieces G generated from timber having the same depth dimension are aligned and arranged in a form box 50 in a single layer with their depth dimensions vertically orientated from a bottom plate 51.例文帳に追加

型枠箱５０内に、同一の見込寸法の材木から生じた材木片Ｇを、その見込寸法の方向が底板５１からの高さ方向となるように、型枠箱５０内に１層に揃えて並べる。 - 特許庁

To sufficiently suppress a dark current by sharply forming the impurity concentration distribution on a pinning layer in a depth direction.例文帳に追加

ピニング層の不純物濃度分布を深さ方向に急峻に形成して、暗電流を十分に抑制することを可能にする。 - 特許庁

The depth D of the terminal end of the carved part 6 is set to be approximately equal to the thickness of the adhesion layer 5 or larger.例文帳に追加

また、堀込部６の終端の深さＤを、粘着層５の肉厚とほぼ等しく、または、それより大きく設定する。 - 特許庁

To obtain a laminated molded article having a transparent or almost transparent resin layer formed thereon and having depth and a high grade feeling in its appearance.例文帳に追加

外観に透明もしくは略透明の樹脂層を形成し深みがあり高級感のある貼り合わせ成形品を得る。 - 特許庁

The film thickness of a color filter layer 13 in the transmission area 10c controlled by adjusting the depth of the recess 16a.例文帳に追加

凹部１６ａの深さを調整することによって、透過領域１０ｃにおけるカラーフィルタ層１３の膜厚を制御する。 - 特許庁

Thereby, since the channel layer and a trench can be formed so as to be required and sufficient depth, low capacitance, low on-resistance can be attained.例文帳に追加

これによりチャネル層、トレンチは必要かつ十分な深さに形成できるので、低容量化、低オン抵抗化が図れる。 - 特許庁

In the anchor portion 6c, two slits 12 for stress cutting having depth enough for removing the whole single-crystal silicon layer 4 are formed.例文帳に追加

アンカ部６ｃに、応力遮断用の２本のスリット１２を単結晶シリコン層４全体が除去される深さで形成する。 - 特許庁

As the depth of a p-type contact layer 4 is 0.2 μm or less, sufficiently shallow, it does not affect the carrier implantation efficiency.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層４の深さは、０．２μｍ以下と十分に浅いため、キャリア注入効率に影響を与えることがない。 - 特許庁

To form a reforming layer to a desired depth from the surface of a steel material and to simply perform this formation at a low cost.例文帳に追加

鉄鋼材料の表面から所望の深さまで改質層を形成し、しかも、その形成を安価かつ簡便に行う。 - 特許庁

The artificial ground 1 is provided with a resin block layer 3 arranged by occupying a prescribed depth area which is lower than the ground surface.例文帳に追加

人工地盤１は、地表面より下の所定の深さの領域を占めるよう設けられた樹脂ブロック層３を備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device suppressing dispersion of depth and concentration of an impurity layer.例文帳に追加

不純物層の深さおよび濃度のばらつきを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In addition, as a black layer 30 absorbs the light, the jet-black having a depth and exhibiting a high class feeling can be obtained.例文帳に追加

また、黒色層３０が光を吸収することにより深みがあり高級感を呈する漆黒を得ることができる。 - 特許庁

Width in a cross section in the in-plane direction of the resistive layer 12 is two times longer than surface depth of electromagnetic waves.例文帳に追加

さらに、前記抵抗層１２の面内方向の断面積における幅は、前記電磁波の表皮深さの２倍よりも長い。 - 特許庁

The impurity concentration of the n- drift layer 6 reflects the impurity concentration of a semiconductor substrate and is almost constant in a depth direction.例文帳に追加

ｎ-ドリフト層６の不純物濃度は、半導体基板の不純物濃度を反映して、深さ方向に対してほぼ一定となる。 - 特許庁