「layer depth」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To reduce the non-uniformity of the depth of a crushing layer formed on the surface of a silicon wafer after polishing and depth of the crushing layer.例文帳に追加

研磨後にシリコンウェーハの表面に形成される破砕層の深さのばらつきを低減する。 - 特許庁

The fibers of the depth filter medium layer 18 are charged.例文帳に追加

デプスフィルター媒体層１８の繊維は帯電している。 - 特許庁

DEVICE FOR MEASURING DEPTH OF HARDENED LAYER AND METHOD THEREFOR例文帳に追加

焼入硬化層深さの測定装置及びその方法 - 特許庁

The depth of the common base diffusion layer 16 is formed deeper than the depth of the outer base diffusion layer 6 and not exceeding the depth of the intrinsic base diffusion layer 7.例文帳に追加

この共通ベース拡散層１６，１７の深さは、外部ベース拡散層６の深さより深く、かつ真性ベース拡散層７の深さを超えない深さに形成する。 - 特許庁

The casing is at such a depth that it passes through the contaminated soil layer and the sand layer and reaches the silt layer present under the sand layer.例文帳に追加

ケーシングは、汚染土層と砂層を貫通し、砂層の下にあるシルト層まで達する深さとされている。 - 特許庁

The etching control layer is utilized for changing the depth of contact, thus achieving the resistor polysilicon layer having the plurality of different resistance values even in the small element region.例文帳に追加

そのエッチングコントロール層を利用してコンタクトの深さを変える。 - 特許庁

The N--type layer 5 and a source 10 are nearly identical in depth and the N+-type layer 4, and the body region 9 are nearly identical in depth.例文帳に追加

Ｎ^-層５は、ソース１０とほぼ同じ深さであり、Ｎ^+型層４は、Ｐボディ領域９とほぼ同じ深さである。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR EVALUATING DEPTH OF DEPLETION LAYER OF SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体素子の空乏層深さ評価方法及び装置 - 特許庁

The depth of the base portion of the second impurity diffusion layer 206-12 is coincident with the depth of the base portion of the first impurity diffusion layer 206-10.例文帳に追加

第２不純物拡散層206-12は、その底部の深さが第１不純物拡散層206-10の底部の深さに一致する。 - 特許庁

The groove 108 penetrates the n-type layer, an active layer, and a p-type layer and has a depth reaching an etching stopper layer 109.例文帳に追加

この溝１０８は、ｎ型層、活性層、ｐ型層を貫通し、エッチングストッパ層１０９に達する深さである。 - 特許庁

The depth M of a buried gate 50 from the surface of a channel layer 60 is set 1.2 to 1.5 times as long as the depth L of the channel layer 60.例文帳に追加

埋め込みゲート５０のチャネル層６０の表面からの深さＭを、チャネル層６０の深さＬの１．２〜１．５倍にする。 - 特許庁

The hardened layer 41 includes an area R2 in which the depth B of the hardened layer is changed.例文帳に追加

硬化層４１には、硬化層深さＢが変化する領域Ｒ２が含まれている。 - 特許庁

The deep trench 6 has a depth reaching the BOX layer 4 from the surface of the SOI layer 5.例文帳に追加

ディープトレンチ６は、ＳＯＩ層５の表面からＢＯＸ層４に至る深さを有している。 - 特許庁

Since the n type impurity layer obstructs the advance of diffusion of the channel layer, the depth of the channel layer can be controlled correctly by forming the n type impurity layer in the position where the desired depth of the channel layer is obtained.例文帳に追加

ｎ型不純物層は、チャネル層の拡散の進行を阻むため、所望のチャネル層深さが得られる位置にｎ型不純物層を形成することによりチャネル層深さを正確に制御できる。 - 特許庁

The depth of the color filter layer is reduced by elimination to the extent of one-half depth of the filter so as to form a shallow color filter layer 3R1 with the most part of the foreign matter F exposed.例文帳に追加

カラーフィルタ層を１／２程度の深さまで除去し、異物Ｆの大半を露出させた深さの浅いカラーフィルタ層3R1とする。 - 特許庁

A depth B from the surface of the p-type channel layer 103 of the trench gate 2 is 1.2-1.5 times a depth A of the p-type channel layer 103.例文帳に追加

トレンチゲート２のＰ型チャネル層１０３の表面からの深さＢは、Ｐ型チャネル層１０３の深さＡの１．２〜１．５倍である。 - 特許庁

The groove 108 has a depth enough to penetrate the p-type layer 104 and an active layer 105 and reach an n-type layer 106.例文帳に追加

この溝１０８は、ｐ型層１０４、活性層１０５を貫通し、ｎ型層１０６に達する深さである。 - 特許庁

Now, a depth of he crystal defect layer 2 is set so as to be less than the depth of the trench 3.例文帳に追加

ここで、上記結晶欠陥層２の深さは上記トレンチ３の深さより小さくなるように設定される。 - 特許庁

The depth of the carbide layer on the surface layer in the cross-sectional tissue is defined as 1 μm or more.例文帳に追加

さらに、断面組織における表層部分の炭化物層の深さを１μｍ以上とする。 - 特許庁

The slit channel 91 has a depth which cuts the base layer 92 and reaches the resin layer 93.例文帳に追加

スリット溝９１は、基材層９２を切断し樹脂層９３にまで達する深さである。 - 特許庁

DEPTH VARIABLE THIN MULTI-LAYER STRUCTURED BUDDHIST ALTAR WITH SLIDE DOOR例文帳に追加

薄型・多層構造奥行き可変及びスライド開閉式扉を持つ仏壇 - 特許庁

The P^+-type layer is diffused from a substrate surface to a depth d1.例文帳に追加

Ｐ^+型層は基板表面から深さｄ１まで拡散されている。 - 特許庁

The second layer 34 has larger thickness than depth of the recessed part 30.例文帳に追加

第二層３４は、前記凹部３０の深さより大きい厚さを有する。 - 特許庁

The optical disk 30 for adjusting the optical pickup has a protective substrate 31 and an intermediate depth information recording layer 32_mid for adjusting the optical pickup formed in an intermediate depth D_mid between a depth D_max of the maximum depth information recording layer and a depth D_min of the minimum depth information recording layer, which are stipulated by an optical disk specification.例文帳に追加

光ピックアップ調整用光ディスク３０は、保護基板３１と、光ディスク規格が規定する最大深さ情報記録層の深さＤ_ｍａｘと最小深さ情報記録層の深さＤ_ｍｉｎとの中間の深さＤ_ｍｉｄに形成された、光ピックアップ調整用の中間深さ情報記録層３２_ｍｉｄとを有する。 - 特許庁

A lower layer structure layer 1 and an upper layer structure layer 2 are laminated on a substrate 11, and the sum of the thickness of the upper layer structure layer 2 and the lower layer structure layer 1 determines the depth of rugged patterns of the stamper.例文帳に追加

基体１１上に、下層構成層１と上層構成層２とが積層され、上層構成層２と下層構成層１との厚さの和によって、スタンパーの凹凸パターンの深さが規定された構成とする。 - 特許庁

EDDY CURRENT SENSOR, AND DEVICE AND METHOD FOR INSPECTING DEPTH OF HARDENED LAYER例文帳に追加

渦電流センサ、硬化層深さ検査装置及び硬化層深さ検査方法 - 特許庁

The depth of the second grooves 7a is identical to the thickness of the second layer 7.例文帳に追加

第２の溝７ａの深さを第２の層７の厚さと同一にした。 - 特許庁

In other words, the depth of the junction of the source/drain diffused layer 6 can be controlled with the depth of the crystal confused layer, and a shallow junction can be obtained easily.例文帳に追加

即ち、結晶状態が乱された領域の深さでソース／ドレイン拡散層の接合の深さを制御することができ、容易に浅い接合が得られる。 - 特許庁

The pair of grooves 13 have a depth penetrating through the diffraction grating layer 122.例文帳に追加

一対の溝１３は、回折格子層１２２を貫通する深さを有する。 - 特許庁

When the bit depth conversion processing is determined to be performed, an adjacent pixel bit depth conversion processing unit 67 performs the bit depth conversion processing for an adjacent pixel, a lower layer encoding unit 68 performs lower layer encoding, and a bit depth conversion error determination unit 72 determines a bit depth conversion error.例文帳に追加

隣接画素ビット深度変換処理部６７は、ビット深度変換処理を行うと判定された場合に、隣接画素に対してビット深度変換処理を行った後、下位階層符号化部６８で、下位階層符号化し、ビット深度変換誤差判定部７２で、ビット深度変換誤差を判定する。 - 特許庁

Depth of the curved grooves is preferably set to depth equivalent to thickness of a boundary layer growing between the opposing two wall surfaces.例文帳に追加

この曲線溝の溝深さは、望ましくは対向する２壁面間で発達する境界層の厚さ程度とする。 - 特許庁

As layers of an image displayed on a display for editing, there are a background layer 21, a human figure layer 22, a frame layer 23, a character ornament layer 24 and a pen/stamp layer 25 in order from the depth.例文帳に追加

編集用ディスプレイに表示される画像のレイヤには、奥から順に、背景レイヤ２１、人物レイヤ２２、フレームレイヤ２３、文字装飾レイヤ２４、ペン／スタンプレイヤ２５がある。 - 特許庁

This compound layer 4a is the layer that the component ratio changes gradually to the direction of a depth from a surface.例文帳に追加

この化合物層４ａは、表面から深さ方向に漸次的に成分比率が変化する層である。 - 特許庁

On a surface of the p-type layer 13, a plurality of trenches 14 having a depth reaching the n-type layer 11 are provided.例文帳に追加

ｐ型層１３表面には、ｎ型層１１に達する深さの孔１４が複数設けられている。 - 特許庁

The n^+-diffusion layer 5 is formed to have such a depth as to reach the p-type epitaxial growth layer 3.例文帳に追加

Ｎ^＋拡散層５は、Ｐ型エピタキシャル成長層３にまで到達する深さで形成されている。 - 特許庁

Depth of the grooves 23, 24 reaches the base of the lower cladding layer 2 from the surface of the upper cladding layer 6.例文帳に追加

溝２３，２４の溝深さは、上部クラッド層６の表面から下部クラッド層２の底面に達している。 - 特許庁

Water depth at the sand layer 3 where the seawater intake zone 10a is formed, is made larger than the water depth in an area where the sand in a surface layer portion of the sand layer 3 moves not less than 50 cm but is made smaller than the water depth in an area where the sand moves not less than 1 cm.例文帳に追加

取水部１０ａが形成される砂層３の水深を、当該砂層３の表層部分の砂が５０ｃｍ以上移動する水深よりも深く、かつ１ｃｍ以上移動する水深よりも浅くする。 - 特許庁

An n-type barrier layer 12 having a depth of 10 μm or more is provided between an n-type base layer 10 and a p-type base layer 22.例文帳に追加

ｎ型ベース層１０とｐ型ベース層２２との間に、１０μｍ以上の深さを有するｎ型バリア層１２を挿設する。 - 特許庁

The inner layer insulating layer 11 is removed to the depth of the rectangular copper foil 13 in the region where no inner layer printed wiring 12 exists.例文帳に追加

内層プリント配線１２がない箇所は内層絶縁層１１が矩形の銅箔１３の深さ位置まで除去される。 - 特許庁

Residual austenite quantity in a region to specified depth of a surface hardened layer (cemented layer or carbonitrided layer) is adjusted to be less than 25% at an area rate at a cross section in the depth direction.例文帳に追加

表面硬化層（浸炭層又は浸炭窒化層）の所定深さまでの領域での残留オーステナイト量は、深さ方向断面における面積率で２５％以下に調整されている。 - 特許庁

A decarburized layer generated in the heating furnace is observed as the decarburized layer depth (Dm) in the rolled steel after the rolling, and the decarburized layer depth (Dm) is approximated by the formula of estimation.例文帳に追加

加熱炉で発生した脱炭層は圧延後の圧延鋼材において脱炭層深さ（Ｄｍ）として観測され、この脱炭層深さ（Ｄｍ）を予測式により近似するものとする。 - 特許庁

The second depth is 0.4 when the thickness of the semiconductor layer 12 is defined as 1.0.例文帳に追加

第２深さは、半導体層１２の厚みを１．０としたときに０．４である。 - 特許庁

A diffused layer 11 is formed in the semiconductor substrate in a periphery of a trench depth part.例文帳に追加

拡散層１１は、トレンチ深部周囲の半導体基板内に形成される。 - 特許庁

The dual-depth buried oxide layer facilitates the formation of an asymmetrical semiconductor structure.例文帳に追加

デュアル・デプス埋め込み酸化物層は、非対称半導体構造を容易にする。 - 特許庁

The depth Dd (p-type embedded layer depth) of the p-type embedded layer 13A from the bottom of the p-type base layer 14 is larger than the distance (protruding distance) Dgp between the bottom face of the gate electrode 16 and the base layer 14.例文帳に追加

ｐ型埋め込み層１３Ａのｐ型ベース層１４底面からの深さ（ｐ型埋め込み層深さ）Ｄｄは、ゲート電極１６の底面とｐ型ベース層１４との間の距離（突出距離）Ｄｇｐよりも大きい。 - 特許庁