「layer depth」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In the discrimination mark forming portion MP, a recessed portion 41 with fixed depth is provided on a base insulation layer 11.例文帳に追加

判別マーク形成部ＭＰにおいては、ベース絶縁層１１に一定深さの凹部４１が設けられている。 - 特許庁

In the semiconductor layer 22, an impurity layer 23 of the second conductivity type is provided adjacently to the base region 9 from a surface of the semiconductor layer 22 to a predetermined depth smaller than the thickness of the semiconductor layer 22.例文帳に追加

半導体層２２にはベース領域９に隣接して半導体層２２の表面から半導体層２２の厚さより小さい所定深さにわたって第２導電型の不純物層２３が設けられる。 - 特許庁

Further, a hardened layer inspecting device 2 for inspecting the depth of the hardened layer Wa formed with the heat treatment of individual product W in non-destruction can be arranged.例文帳に追加

さらに個々の製品Ｗの熱処理により形成された硬化層Ｗａの深さを非破壊で検査する硬化層検査装置２を設けても良い。 - 特許庁

Therefore, the feeling of a depth is obtained by the sense of distance of the surface 12A of the body 12 to be decorated and the ink section 22 of the decoration layer 20 through the transparent layer 14.例文帳に追加

このため、透明層１４を介した被加飾体１２の表面１２Ａと加飾層２０のインク部２２との距離感により奥行き感が得られる。 - 特許庁

A depth of each opening 28A, i.e. a thickness of the resin block layer 28 is larger than a thickness (for example, tens of nm) of the n-type contact layer 27.例文帳に追加

各開口２８Ａの深さ、すなわち、樹脂ブロック層２８の厚さは、ｎ型コンタクト層２７の厚さ（例えば、数十ｎｍ）よりも厚くなっている。 - 特許庁

A buried layer 12 composed of Si-doped GaN is formed on a c-plane sapphire substrate 10 having an uneven depth of 1 to 2 μm via a buffer layer 11.例文帳に追加

凹凸の深さが１〜２μｍのｃ面サファイア基板１０上に、バッファ層１１を介してＳｉドープのＧａＮからなる埋め込み層１２を形成する。 - 特許庁

Particularly, the service life can be improved by regulating the area ratio and the depth of a white layer part in the nitrided layer to specified ranges.例文帳に追加

特に、窒化処理層における白層部の面積率や深さを特定の範囲とすることにより、マンドレル寿命を格段と向上させることができる。 - 特許庁

A mask layer 22 is formed on a substrate 21 to serve as an etching mask, and portions corresponding to grooves provided in the substrate 21 are all removed to a fixed depth from the mask layer 22.例文帳に追加

基板上にエッチングマスクとなるマスク層を形成し、そのマスク層の基板に形成させる溝に対応する箇所を全て一定の深さに除去する。 - 特許庁

The thickness of the copper plated layer is 50-200 μm, the depth of the gravure cells is 1-150 μm, and the thickness of the iron-phosphor alloy plated layer is 0.1-15 μm.例文帳に追加

前記銅メッキ層の厚さが５０〜２００μｍ、前記グラビアセルの深度が１〜１５０μｍ、及び前記鉄—リン合金メッキ層の厚さが０．１〜１５μｍである。 - 特許庁

By using a first blade 25 of which cutting depth reaches the adhesive layer 22, the semiconductor wafer 21 is cut along with one portion of the adhesive layer 22.例文帳に追加

切り込み深さが接着剤層２２に達する第１のブレード２５を用いて、半導体ウエハ２１を接着剤層２２の一部と共に切断する。 - 特許庁

To increase the potential well of an InGaAs channel layer in depth to improve a MOSFET in current density when InGaP is used for a Schottky layer.例文帳に追加

ＩｎＧａＰをショットキー層に用いる場合におけるＩｎＧａＡｓチャネル層のポテンシャル井戸深さを深くして、ＭＯＳＦＥＴの高電流密度化を図る。 - 特許庁

An upper layer encoding unit 62 performs upper layer encoding for an input image signal when the bit depth conversion processing is determined not to be performed.例文帳に追加

上位階層符号化部６２は、ビット深度変換処理を行わないと判定された場合に、入力画像信号に対して上位階層符号化する。 - 特許庁

The horizontal width of the occlusion layer is proportional to a maximum disparity value comprised in lateral boundary areas of a main depth map comprised in the foreground layer.例文帳に追加

遮蔽レイヤの水平方向の幅は、前景のレイヤに含まれる主要な深さマップの横方向の境界領域に含まれる最大の視差の値に比例する。 - 特許庁

On the upper surface of the semiconductor layer 3, upper layer resistors 7a and 7b formed by the thickness smaller than the depth of the grooves 5a, 5b and 5c are formed.例文帳に追加

半導体層３の上面に、溝５ａ，５ｂ，５ｃの深さよりも小さい厚みで形成された上層抵抗体７ａ，７ｂが形成されている。 - 特許庁

In the spline shaft formed by press working, an overall hardened layer depth of a root part m is provided deeper than overall hardened layer depths of portions other than the root part m.例文帳に追加

プレス加工により成形したスプライン軸において、根元部ｍの全硬化層深さを根元部ｍ以外の部分の全硬化層深さよりも深くする。 - 特許庁

The bottom surface of a mesa structure is positioned in the middle of the resonator space layer 103 absorbing the difference in etching depth in the reflection layer 106.例文帳に追加

そして、メサ構造体の底面は、反射層１０６におけるエッチング深さの差を吸収する共振器スペーサー層１０３の途中に位置している。 - 特許庁

The contact holes 21a, 21b have different aperture sizes corresponding to the depth from the surface of the insulating layer to the lower conductive layer 28.例文帳に追加

コンタクト孔２１ａ，２１ｂは、絶縁層の表面から下層の導電層２８までの深さに応じて異なる大きさの開口寸法Ｗａ，Ｗｂを有する。 - 特許庁

An embedded part 37 is filled with a material layer of the same material as the metal layer inside an encapsulated closed region B1 from the metal layer to the depth position of the top face of the transparent conductive layer with penetrating the organic light-emitting unit layer in the Z direction.例文帳に追加

埋め込み部３７は、封止閉領域Ｂ１の内側においてＺ方向に有機発光ユニット層を貫通して金属層から透明導電層の上面の深さ位置まで金属層と同一の材料層が充填されている。 - 特許庁

The flexible hose 10 comprises the inner layer 1, the outer layer 3 and a reinforcing layer 21 formed by braiding fibers 2 or wires for reinforcement so as to be interposed between the inner layer and the outer layer, wherein holes 5 having a depth reaching from the surface of the outer layer surface to at least the fibers or wires are drilled.例文帳に追加

内層１及び外層３と、それらの間に介在し補強用の繊維２またはワイヤを編組した補強層２１とを備えた柔軟ホース１０であって、外層表面から少なくとも前記繊維またはワイヤに到達する深さの孔５が穿設されている。 - 特許庁

The refractive index and thickness of a layer, in the depth direction from the interface with a medium of terahertz waves and the incident angle of the terahertz waves to the interface are used, to calculate the moving distance in the depth direction of the focus in the layer, and the moving distance calculated is used to make focusing performed, from one interface of the layer to the other interface of the layer.例文帳に追加

テラヘルツ波の媒質との界面よりも奥行き方向の層における屈折率及び厚みと、該界面に対するテラヘルツ波の入射角とを用いて、層における焦点の奥行き方向の移動距離を算出し、算出される移動距離を用いて層の一方の界面から他方の界面に合焦させる。 - 特許庁

More specifically, nitriding treatment is set in such a way that the hard layer is formed at depth of approximately 27-34μm from the surface of the endless metal belt, or more preferably, at depth of approximately 29-42μm.例文帳に追加

そして、より具体的には、窒化処理を、無端金属ベルトの表面から約２７〜４５μｍの深さに、より好ましくは約２９〜４２μｍの深さに硬化層を形成する。 - 特許庁

The depth distribution of the upper insulation film 14 is made to be uniform and the depth distribution of the lower insulation film 12 is made not to be uniform, and a thick portion along a predetermined passage is formed on the silicon layer 13.例文帳に追加

上層絶縁膜１４の深さ分布を均一とし、下層絶縁膜１２の深さ分布を不均一とし、シリコン層１３に、所定の経路に沿った肉厚部を形成する。 - 特許庁

On the surface side (bonding face side) of a single crystal Si substrate 10, a uniformed ion implanted layer 11 is formed in a predetermined depth (average ion implantation depth L) near the surface.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１０の表面側（接合面側）には、表面近傍の所定の深さ（平均イオン注入深さＬ）に均一なイオン注入層１１が形成される。 - 特許庁

This printed circuit board is provided with the first substrate layer, the second substrate layer laminated on the first substrate layer whose elasticity is smaller than that of the first substrate layer, and a flexible layer formed with flexibility by cutting the whole partial face at the lower side of the first substrate layer and the second substrate layer on the first substrate layer with fixed depth.例文帳に追加

第１の基板層と、この第１の基板層上に積層された第１の基板層より弾性率の小さい第２の基板層と、前記第１の基板層の下側の一部の面の全てとその上の前記第２の基板層を一定の深さで削除して屈曲性を持たせて形成されたフレキシブル層とを具備することを特徴とするプリント配線板。 - 特許庁

The hot-dip galvannealed steel sheet is immersed in oxidizing acid aqueous solution to form a plurality of pits with its average depth being ≥0.8 μm, and the ratio of the average depth from the surface of the plating layer to the film thickness of the plating layer being ≤80% on the surface of the plating layer.例文帳に追加

この合金化溶融亜鉛めっき鋼板を酸化性の酸性水溶液に浸漬して、めっき層の表面に平均深さが０.８μｍ以上で、かつ前記めっき層の膜厚に対する前記めっき層表面からの平均深さの割合が８０％以下のピットを複数形成する。 - 特許庁

The carrier for electrostatic latent image development comprises a core material, a resin layer covering the core material, and a concave portion 32 which is open on the surface of the resin layer and has a depth of 100 nm or more and not more than a depth corresponding to the thickness of the resin layer and a circle-equivalent diameter of 90 nm or more and 150 nm or less in the opening portion.例文帳に追加

芯材と、前記芯材を被覆する樹脂層と、前記樹脂層の表面で開口し、深さが１００ｎｍ以上且つ前記樹脂層の厚さ以下であり、開口部分の円相当径が９０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である凹部３２と、を有する静電潜像現像用キャリア。 - 特許庁

The guard ring region 8 is formed, extending in a depth direction from a surface of the epitaxial layer 2, the guard ring region 9 is formed, without contacting the surface of the epitaxial layer 2, and being embedded in the epitaxial layer 2 so that the depth position of a bottom surface is larger than that of the guard ring region 8.例文帳に追加

ガードリング領域８は、エピ層２の表面から深さ方向に延伸して形成され、ガードリング領域９は、エピ層２の表面に接することなく、ガードリング領域８よりも底面の深さ位置が深くなるようにエピ層２内部に埋め込まれて形成される。 - 特許庁

By this method, an oxidation barrier layer is formed on a sidewall of the DT provided in the semiconductor substrate, a photoresist layer of specific depth is provided in the trench to remove the oxidation barrier layer to specific depth and expose the trench sidewall, and the remaining photoresist is removed.例文帳に追加

本発明の方法は、半導体基板内に設けられたＤＴの側壁上に酸化障壁層を形成し、トレンチ内に所定の深さのフォトレジスト層を設け、酸化障壁層をその所定の深さまで除去して、トレンチ側壁を露出させ、残りのフォトレジストを除去する。 - 特許庁

The tempered glass substrate having a compressive stress layer is characterized by having a plate thickness of 0.7 mm or less and by that the depth DT of the compressive stress layer formed on a main surface is smaller than the depth DH of the compressive stress layer formed on an end surface.例文帳に追加

本発明の強化ガラス基板は、圧縮応力層を有する強化ガラス基板において、板厚が０．７ｍｍ以下であり、且つ主表面に形成される圧縮応力層の深さＤＴが、端面に形成される圧縮応力層の深さＤＨより小さいことを特徴とする。 - 特許庁

Thereby, a heated layer H3 with uniform depth is formed in the annular portion W1 as shown in the figure (d).例文帳に追加

この結果、図２（ｄ）に示すように環状部分Ｗ１には一様な深さの被加熱層Ｈ３が形成される。 - 特許庁

(2) The surface of the magnetic layer has 1,000 to 2,500 Kg/mm^2 (9.8 to 24.5 GPa) Young's modulus in the depth direction.例文帳に追加

（２）磁性層表面の深さ方向のヤング率が１０００〜２５００Ｋｇ／ｍｍ^2（９．８〜２４．５ＧＰａ）の範囲である。 - 特許庁

(3) The surface of the back layer has 600 to 2,000 Kg/mm^2 (5.9 to 19.6 GPa) Young's modulus in the depth direction.例文帳に追加

（３）バック層表面の深さ方向のヤング率が６００〜２０００Ｋｇ／ｍｍ^2（５．９〜１９．６ＧＰａ）の範囲である。 - 特許庁

The OH group contained in a layer of the depth of 0.5-3 mm from the surface of the dummy rod 2 is controlled to ≤150 ppm.例文帳に追加

ダミーロッド２の表面から０．５〜３ｍｍの深さの部分の層に含まれるＯＨ基を１５０ｐｐｍ以下とする。 - 特許庁

In the releasing of the wheel, the flange part is pressed by a face, cutting depth is made shallow, and the dense layer is left to improve the strength.例文帳に追加

また、ホイールの離型はフランジ部を面で押して、切削深度を浅くして緻密層を残して強度を向上する。 - 特許庁

In the ground surrounding the foundation 16, a sheet pile 18 is driven down to the depth of a surface layer 32 to surround the foundation 16.例文帳に追加

基礎１６の周囲の地盤には、基礎１６を取り囲むように矢板１８が表層３２の深さまで打設される。 - 特許庁

The area ratio occupied by the carburization abnormal layer in the cross section from the position of the maximum depth to the surface is ≥70%.例文帳に追加

最大深さ位置から表面までの断面における浸炭異常層の占める面積率７０％以上である。 - 特許庁

To easily and instantly obtain permittivity of a minute region relating to a depth direction of a photosensitive layer as it is in a device state.例文帳に追加

感光層の深さ方向に関して微小領域の誘電率を、デバイス状態のまま簡易で瞬時に得る。 - 特許庁

To control the depth of etching when a contact hole is out of low layer wiring in the case of etching when forming the contact hole.例文帳に追加

コンタクトホール形成時のエッチングにおいてコンタクトホールが下層配線を踏み外す場合のエッチング深さを制御する。 - 特許庁

An undamaged material 26 under the selected depth is composed of a first layer 15 of the single crystal semiconductor material.例文帳に追加

選択された深さの下にある未損傷材料２６は、単結晶半導体材料の第一の層１５からなる。 - 特許庁

The surface layer is the region from any depth in the range of 3 μm to 1 mm from the ball surface to the ball surface.例文帳に追加

表面層は、ボール表面から３μｍ乃至１ｍｍの範囲のいずれかの深さからボール表面までである。 - 特許庁

To provide an apparatus for efficiently burying an air pipe in a layer of waste to a desired depth without using water.例文帳に追加

水を使用せずに効率よく、所望の深度にまで廃棄物層内に通気パイプを埋設する装置を提供する。 - 特許庁

A gap depth Gd is regulated by a distance L4 from the partial insulating layer 16 to a surface opposite a recording medium.例文帳に追加

前記部分絶縁層１６から記録媒体との対向面までの距離Ｌ４によってギャップデプスＧｄが規制される。 - 特許庁

In the method for modifying fish meat of a shark or the like, the fish meat is held in ocean deep layer water with a water depth of 200 mm or more.例文帳に追加

鮫等の魚肉を水深２００ｍ以深の海洋深層水帯に保持する魚肉の改質方法。 - 特許庁

In the insulating layer 6, the top face of the end part is cut in the depth direction to expose the conductive wires 5A, 5B.例文帳に追加

絶縁層６は、導電線５Ａ，５Ｂが露出するように端部の上面が深さ方向に切削されている。 - 特許庁

To measure the actual etching depth and the residual film amount of a layer to be treated precisely in an on-line manner and to decide the end point of a process.例文帳に追加

被処理層の実際のエッチング深さや残膜量をオンラインで正確に測定しプロセスの終点を判定する。 - 特許庁