「layer depth」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A transition metal element contained in a layer of the depth of 0.5-3 mm from the surface of the dummy rod 2 is controlled to be ≤30 ppm.例文帳に追加

ダミーロッド２の表面から０．５〜３ｍｍの深さの部分の層に含まれる遷移金属元素を３０ｐｐｍ以下とする。 - 特許庁

A diffusion layer depth of an N-type high concentration source region 107 is larger than that of an N-type low concentration source region 105b.例文帳に追加

Ｎ型高濃度ソース領域１０７は、Ｎ型低濃度ソース領域１０５ｂよりも拡散層深さが深くなっている。 - 特許庁

A region from the outer surface of the palladium layer to a depth of 10 nm is equal to 99.9 wt.% or more in palladium concentration.例文帳に追加

パラジウム層の外側表面から深さ１０ｎｍまでの領域は、パラジウム濃度が９９.９質量％以上である。 - 特許庁

A property that a decarbonization concentration comes to c0, Calpha, or Cgamma in the depth ξ of the ferrite decarbonized layer is used in the calculation hereinbefore.例文帳に追加

前記計算では、フェライト脱炭層の深さξの位置で炭素濃度がｃ_0、Ｃ_alpha、又はＣ_gammaになるという性質を利用する。 - 特許庁

A water impermeable layer or an aquiclude 3 is disposed at a specific depth from the ground surface 1, and an aquifer 2 is disposed thereover.例文帳に追加

地表１から所定深さに不透水層又は難透水層３が存在し、その上側に帯水層２が存在する。 - 特許庁

Depths of the grooves of the first deep groove part 4e and the second deep groove part 4f are both deeper than the depth of the groove of the coated layer storing part.例文帳に追加

第一深溝部４ｅ及び第二深溝部４ｆの溝深さは、何れも被覆層収容部の溝深さよりも深い。 - 特許庁

Lattice-like air removal grooves 26 are formed on the whole surface of the surface of the adhesive layer 24 at a fine clearance and depth.例文帳に追加

粘着剤層２４の表面には微細な間隔および深さで格子状のエア抜き溝２６が全面に形成されている。 - 特許庁

An alkali titanate layer 21 having ≥35 atm.% in oxygen concentration is formed across a depth of 0.5 to 2 μm in the ruggedness.例文帳に追加

前記凹凸は０．５〜２μm の深さに亘って、酸素濃度３５原子％以上のアルカリチタン酸塩層２１が形成されている。 - 特許庁

The retainer 16 is made out of carburized steel, and a depth of a surface hardened-layer having a hardness of Hv653 or more, is determined to be 0.2-0.7 mm.例文帳に追加

この保持器１６を浸炭鋼により造り、硬度がＨｖ６５３以上の表面硬化層の深さを０．２〜０．７mmとする。 - 特許庁

This nitride-based light emitting element comprises: an n-clad layer disposed on a single crystal wafer; a porous layer formed by subjecting the n-clad layer from the upper surface to a predetermined depth to surface treatment in a mixed gas atmosphere of HCl and NH_3; and an activated layer and p-clad layer disposed on the porous layer in this order.例文帳に追加

単結晶ウェハ上に形成されたｎ−クラッド層と、ｎ−クラッド層の上面から所定深さまでＨＣｌとＮＨ_３との混合ガス雰囲気で表面処理して形成された多孔性層と、多孔性層上に順次に形成された活性層及びｐ−クラッド層と、を備える窒化物系発光素子である。 - 特許庁

Layer formation condition is set so that a depth of a barrier metal layer 6 may be larger than that of irregularity 11 produced on the surface of a heat sink metal layer 5, and the surface of the heat sink metal layer 5 is not exposed from the barrier metal layer 6 in the irregularity 11 area as a result.例文帳に追加

ヒートシンク用金属層５の表面に生じる凹凸１１の深さよりも、バリアメタル層６の厚さの方が厚く形成されるように層形成条件を設定し、凹凸１１部分においてヒートシンク用金属層５の表面をバリアメタル層６から露出させないようにする。 - 特許庁

This printed circuit board is provided with a first substrate layer whose elasticity is high, a second substrate layer joined on the first substrate layer whose elasticity is lower, and a flexible layer formed with flexibility by cutting a partial surface at the lower side of the first substrate layer with fixed depth.例文帳に追加

弾性の高い第１の基板層と、この第１の基板層上に接合されたより弾性の低い第２の基板層と、前記第１の基板層の下側を一部の面を一定の深さで削除して屈曲性を持たせて形成されたフレキシブル層とを具備することを特徴とするプリント配線板。 - 特許庁

In this product comprising a substrate 15 having a glass layer 12, the glass layer 12 has a rich layer 13 containing Ag in a high concentration on the surface side and the Ag concentration of the rich layer 3 is highest on the surface side and is gradually decreased in the depth direction.例文帳に追加

ガラス層１２をもつ基体１５からなる製品において、ガラス層１２は表面側にＡｇを高い濃度で含むリッチ層１３をもち、このリッチ層１３のＡｇの濃度は表面側で最も高く、深さ方向に徐々に減少している。 - 特許庁

A silicon wafer 1 includes an oxygen precipitate layer 4, the depth of the DZ layer 5 from the surface of the wafer to the oxygen precipitate layer 4 is 2 to 10 μm and the oxygen precipitation density of the oxygen precipitate layer 4 is 5×10^7precipitates/cm^3 or more.例文帳に追加

酸素析出物層４を有するシリコンウェーハ１であって、該ウェーハの表面から酸素析出物層４に至るまでのＤＺ層５の深さを２〜10μｍ、かつ該酸素析出物層４の酸素析出物密度を５×10^７個／cm^３以上とする。 - 特許庁

An aperture of a metal pattern has a sidewall formed by primary etching on the surface layer side of a metal layer and a sidewall formed by secondary etching using electrodeposited photoresist on the depth layer side of the metal layer, and the etching factor of the aperture of the metal pattern is ≥2.6.例文帳に追加

開孔部が金属層の表層側に一次エッチングによる側壁を有し、深層側に電着フォトレジストを用いた二次エッチングによる側壁を有する金属パターンであって、該金属パターンの開孔部のエッチングファクターが２．６以上である。 - 特許庁

In the LDD layer 5a, a protruding part 55 is formed, in a region which is directly underneath the p-type diffusion layer 10 so as to protrude from the bottom of the LDD layer 5a, toward a deeper region down to a depth D2.例文帳に追加

ＬＤＤ層５ａには、ｐ型拡散層１０の直下の領域においてＬＤＤ層５ａの底からさらに深い領域に向かって突出するように深さＤ２にわたり突出部５５が形成されている。 - 特許庁

A group-III nitride semiconductor layer 14 is set on the substrate for the heterojunction field-effect transistor, in such a way that a thickness T1 is equal to a recess etching depth; then a part of the group-III nitride semiconductor layer 14 exposed in an opening of a photoresist mask 27 is subjected to plasma-etching, until components of the growth inhibiting layer is detected.例文帳に追加

次にプラズマエッチングにより、フォトレジストマスク２７の開口部より露出しているＩＩＩ族窒化物半導体層１４の１部を、成長抑制層の成分を検出するまで、エッチングする。 - 特許庁

The recordable region of the recording layer 3 this side when viewed from the incident side is wider than the recordable region of the recording layer 2 so as to stabilize the light incidence strength around the outermost and innermost circumferences of the recording layer 2 at the depth.例文帳に追加

入射側から見て、手前の記録層３の記録可能領域は、記録層２の記録可能領域より広くなり、奥の記録層２の最外周や最内周付近での光入射強度が安定する。 - 特許庁

After the second process, the active layer 3 is exposed by etching the etching stopping layer 4 in the depth direction by using the mask (third process) and a gate electrode is formed on the active layer 3 by using the same mask (fourth process).例文帳に追加

しかる後、前記マスクを用いてエッチング停止層を深さ方向にエッチングして活性層を露出させ（第３の工程）、次いで前記マスクを用いて活性層上にゲート電極を形成する（第４の工程）。 - 特許庁

In a wiring board wherein a gold plating layer 10 is coated on the nickel plating layer 9 coated on the surface of a wiring conductor 2, the depth of the oxygen presence area of the surface of the gold plating layer 10 is 3 nm or less.例文帳に追加

配線導体２の表面に被着させたニッケルめっき層９上に金めっき層10を被着させて成る配線基板であって、金めっき層10表面の酸素存在領域の深さを３ｎｍ以下とした。 - 特許庁

When bit depth conversion predictive encoding is selected in intra-encoding, a bit depth conversion predictive encoding unit 60 performs bit depth conversion processing on an N-bit image signal for a designated encoding unit to convert the image signal to a low bit depth image of N-Δ bits, performs encoding/decoding processing on the lower layer signal, and performs inverse bit depth conversion processing on the decoded image.例文帳に追加

イントラ符号化で、ビット深度変換予測符号化が選択された場合、ビット深度変換予測符号化部６０は、指定された符号化ユニットに対して、Ｎビットの画像信号に対してビット深度変換処理を行うことでＮ−Δビットの低ビット深度画像に変換し、該下位階層信号に対して、符号化・復号処理を行い、その復号画像に対して、逆ビット深度変換処理を行う。 - 特許庁

As the colored pattern layer 2 formed of the permeating sublimable dye is so amply thick as to correspond with the permeation depth of the sublimable dye, the carving of the molded form to the depth beyond the colored pattern layer 2 is not necessarily excessive, when the molded form is casually carved somewhat deeply to some extent.例文帳に追加

昇華性染料を浸透させて形成した色付き模様層２が昇華性染料の浸透深さに対応する大きい厚みを有するので、彫刻の際に多少深く削っても、色付き模様層２を越えて下側まで深く削り過ぎることはない。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing nozzles for an inkjet head wherein the uniformity and reproducibility of the nozzles subjected to water-repellency processing are improved because a depth of a water-repellent layer is easy to control uniformly, and a depth whereby the water-repellent layer is vapor deposited is controllable even when a shape of the rear face of the nozzle is complicate.例文帳に追加

撥水層の深みを均一に制御することが容易くて、ノズルの後面の形状が複雑であっても撥水層の蒸着される深みを制御することができるので、撥水処理されたノズルの均一性及び再現性が向上する。 - 特許庁

Since the channel length of the transistor depends on the length of the P type channel diffusion layer 15 under the gate electrode 13, that is, the diffusion depth of the P type channel diffusion layer 15 and the diffusion depth of the P type channel diffusion layer 15 has excellent controllability, the manufacturing method can stably manufacture the MOS transistor according to the fine rule technique.例文帳に追加

トランジスタのチャネル長は、ゲート電極１３下のＰ型チャネル拡散層１５の長さ、すなわちＰ型チャネル拡散層１５の拡散深さにより決定され、Ｐ型チャネル拡散層１５の拡散深さは制御性がよいので、微細ルールのＭＯＳトランジスタを安定的に作ることができる。 - 特許庁

The hot-dip Al-Si alloy plated steel sheet is immersed in an oxidative acidic aqueous solution to form a plurality of pits on the surface of the plating layer, the pits having an average depth of 0.2 μm or more and the average depth from the plating layer surface in a proportion of 80% or less with respect to the film thickness of the plating layer.例文帳に追加

この溶融Ａｌ−Ｓｉ合金めっき鋼板を酸化性の酸性水溶液に浸漬して、めっき層の表面に平均深さが０.２μｍ以上で、かつ前記めっき層の膜厚に対する前記めっき層表面からの平均深さの割合が８０％以下のピットを複数形成する。 - 特許庁

Thus when a p-type impurity is diffusion-doped in the semiconductor layer 104 via the contact layer 105, the element isolation regions 106 at a diffusion depth Xj2 reaching the substrate 102 and light emitting parts 110 at a diffusion depth Xj1 which does not reach the substrate 102 are formed at the same time, in the semiconductor layer 104.例文帳に追加

したがって，コンタクト層１０５を介して半導体層１０４にｐ型不純物を拡散ドープすると，半導体層１０４には，高抵抗基板１０２に達する拡散深さＸｊ２の素子分離領域１０６と高抵抗基板１０２に達しない拡散深さＸｊ１の発光部１１０とが同時形成される。 - 特許庁

The method for sterilizing the red tide comprises a process for measuring the in-depth concentration distribution of phytoplankton in water, a process for evaluating the thickness and depth of a generated red tide layer from the in-depth concentration distribution of the phytoplankton, and a process for injecting a red tide sterilizing material to the generated red tide layer.例文帳に追加

本発明は水中おける植物プランクトンの深さ方向濃度分布を測定する工程と、前記植物プランクトンの深さ方向濃度分布から、赤潮発生層の厚さと深さとを評価する工程と、前記赤潮発生層に対して、赤潮殺滅物質を注入する工程と、を含んだ赤潮殺滅方法を提供する。 - 特許庁

The covering layer 20 is formed thinner than the depth of the recess 12 and formed of a material having a smaller specific gravity than that of the base plate 10.例文帳に追加

被覆層２０は、凹部１２の深さよりも薄く形成され、基板１０よりも比重が小さい材料から形成されてなる。 - 特許庁

The impurity concentration of the n+ layer 16 has a stepped profile and is almost constant from a second main surface down to a predetermined depth.例文帳に追加

ｎ+層１６の不純物濃度は、階段状のプロファイルを有し、第２主表面から所定の深さにわたりほぼ一定とされる。 - 特許庁

The p-optical clad layer 9 of a ridge part is removed from the surface to a specified depth, so that a stripe-like recessed part is formed.例文帳に追加

リッジ部のｐ−光クラッド層９においては、表面から一定深さまでが除去され、ストライプ状凹部が形成されている。 - 特許庁

A curve calculation unit 234 obtains a reference curve protruding in the direction of the depth of the fundus Ef on the basis of the shape of the layer region.例文帳に追加

曲線演算部２３４は、この層領域の形状に基づいて、眼底Ｅｆの奥行方向に凸な基準曲線を求める。 - 特許庁

In a second rugged structure formed by the layer of the dielectric material 30, second recesses 32 have the width W and the depth H, while second projections 33 have the width d.例文帳に追加

誘電体３０の層が形成している第２の凹凸構造のうち第２の凹部３２の幅はＷであり、深さはＨである。 - 特許庁

The MR element layer 5 is accompanied by a soft magnetic film (SAL film) for giving a bias magnetic field in the vertical direction (the depth direction of the drawing).例文帳に追加

なおＭＲ素子層５には、縦方向（図面の奥行き方向）にバイアス磁界を与えるための軟磁性膜（ＳＡＬ膜）を伴う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, wherein an air gap is selectively formed on a predetermined wiring layer by correctly controlling the depth of a through-hole.例文帳に追加

スルーホールの深さを正確に制御して、特定の配線層に選択的にエアギャップを形成した半導体装置を提供する。 - 特許庁

A diamond layer 13 with a thickness of the depth of the recessed part 11a1 or more is developed on the first main face 11a by gas phase method.例文帳に追加

そして、気相法により第１の主面１１ａ上に、凹部１１ａ１の深さ以上の厚みのダイヤモンド層１３が成長される。 - 特許庁

The trench 20 is so formed as to reach the drain layer 10, to suppress variation of depth of the resurf structure.例文帳に追加

そして、トレンチ２０をドレイン層１０に達するように形成することでリサーフ構造の深さバラツキを抑制することを特徴としている。 - 特許庁

Next, limestone of the diameter substantially equal to the slag depth is thrown for cooling and solidification to deposit a slag coating layer on an inner wall of the furnace.例文帳に追加

次にスラグ深さとほぼ等しい直径の石灰石を投入して冷却固化させ、炉内壁にスラグコーティング層を形成する。 - 特許庁

The collector region 215 and the top semiconductor layer 205 have substantially the same impurity concentration and are disposed at substantially the same depth.例文帳に追加

コレクタ領域２１５及び頂上半導体層２０５は実質的に同じ濃度を有すると共に実質的に同じ深さに位置する。 - 特許庁

To provide an etching method for a GaAs layer with good selectivity, and a manufacturing method for a semiconductor element with an accurately controlled recess depth.例文帳に追加

より選択的なＧａＡｓ層のエッチング方法およびリセス深さを正確に制御することのできる半導体素子の製造方法。 - 特許庁

To obtain a method for distinctively detecting only a depth of damaged layer of a semiconductor substrate which will have characteristic problems, on a semiconductor device.例文帳に追加

半導体基板ダメージ層の深さを、半導体装置の特性上問題となるものだけを区別して検出する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a heat storage apparatus which can form a uniform temperature layer even when a water depth is shallow and which has a high heat storage tank efficiency.例文帳に追加

水深が浅い場合でも均一な温度成層を形成することができ、蓄熱槽効率の高い蓄熱装置を提供する。 - 特許庁

The depth of the incision is almost equal to that of a middle layer, and the small part of the bottom remains uncut without completely cutting.例文帳に追加

前記切り込みの深さは、中間層の厚みにほぼ等しいが、完全に切断するのではなく、底の部分をわずかに切り残している。 - 特許庁

Consequently, the thickness of the color filters 4R, 4G, 4B is regulated by the depth of the recessed parts 41, 42, 43 of the partition forming layer 40.例文帳に追加

このため、カラーフィルタ４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの厚さは、隔壁形成層４０に形成した凹部４１、４２、４３の深さに規定される。 - 特許庁

When the polygon layers reach a prescribed depth, the polygon layer moving portion moves the polygon layers to a starting point where the movement is started.例文帳に追加

ポリゴン層移動部は、これらのポリゴン層を所定の深さまで到達させると、引き続き、移動を開始した開始点まで移動させる。 - 特許庁

In order to determine the depth of the hardened layer of the steel product, a phase of impedance of the coil 2 may be measured instead of the inductance value.例文帳に追加

インダクタンス値の代わりに、コイル２のインピーダンスの位相を測定することによって、鋼材の硬化層深さを測定しても良い。 - 特許庁