「layer depth」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Through the speed analysis, inflection points of the curved in the object bedrock, i.e., the layer border speed and layer border depth at the border part of respective speed layers are analyzed and extracted.例文帳に追加

速度解析では、対象地盤における曲線の変曲点、即ち各速度層の境界部分おける層境界速度と層境界深度とが解析されて抽出される。 - 特許庁

A protruding region identifying unit 235 identifies, on the basis of the layer region and the reference curve, protruding regions wherein the layer region protrudes opposite to the direction of the depth of the fundus Ef.例文帳に追加

突出領域特定部２３５は、層領域と基準曲線とに基づいて、眼底Ｅｆの奥行方向の逆方向に向かって層領域が突出する突出領域を特定する。 - 特許庁

At the runway 5 of approach run course 4 for the broad jump leading to a sandbox 3, the clay layer below the scallop shell layer is plowed up to a depth of about 2 cm to evenly mix the two layers and smooth them.例文帳に追加

又は走り幅跳びの砂場３に至る助走コース４の走路５に、ホタテ貝粒子層の下層のクレー層を２ｃｍ程度掻き起こして均一に混ぜ合わせ、平坦にならす。 - 特許庁

The liquefaction preventing structure 1 is constructed by driving shallow drains 7 that reach a shallow depth 6 in sand layer ground 2 at suitable intervals between deep drains 5 which are driven in the sand layer ground 2 at suitable intervals.例文帳に追加

液状化防止構造１は、砂層地盤２に適宜間隔ごとに打設された深部ドレーン５間に浅部６に位置する浅部ドレーン７が適宜間隔ごとに打設されたことである。 - 特許庁

A gate electrode 14 is formed on the upper surface of a p-form layer 12 through a gate insulation film 13, and a drain and source diffusion areas 15 and 16 are formed in the depth to the n-type layer 11.例文帳に追加

ｐ型層１２の上面にゲート絶縁膜１３を介してゲート電極１４が形成され、ｎ型層１１に達する深さにドレイン、ソース拡散層１５，１６が形成される。 - 特許庁

By viewing the texture of the base member 2 at the groove 4 of the marking layer 3 and the bottom surface of the groove 4 from the front side of the coating layer 5, the clear pattern having the stereoscopic sensation and the depth is obtained.例文帳に追加

被覆層５の表面側からマーキング層３の溝４及び溝４の底面の基材２の地肌を目視することにより、立体感、深みのある鮮やかな模様が得られる。 - 特許庁

The reinforcing canvas 5 is inserted into the depth corresponding to a range of 40 to 65% of the thickness of the reverse cover rubber layer 4 from a surface of the reverse cover rubber layer 4 in the belt thickness direction.例文帳に追加

補強帆布５は、前記ベルト厚み方向において、裏カバーゴム層４の表面から裏カバーゴム層４の厚みの４０％〜６５％の範囲に相当する深さに挿入されている。 - 特許庁

The head model consists of a skin part including facial skin and head skin (a) and a hair layer defined as a thin layer having unevenness in a depth direction, overlapped on the skin part (b) (2).例文帳に追加

頭部モデルは、ａ）顔の肌および頭皮を含む皮膚部と、ｂ）皮膚部の上に重ねられた、奥行き方向に凹凸を持った薄い層として定義される頭髪層とから構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that suppresses variance in contact resistance between a conductive layer and a contact electrode with a depth by which the conductive layer is formed, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

導電層とコンタクト電極との接触抵抗が導電層の形成された深さによってばらつくのを抑制する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with two drain islands 3a, 3b separated by a p+ type well region 5 formed from the surface of an n-type semiconductor layer 3 into a depth reaching an insulation layer 2.例文帳に追加

ｎ形半導体層３の表面から絶縁層２に達する深さまで形成されたｐ^+形ウェル領域５によって分割された２つのドレイン島３ａ，３ｂを備える。 - 特許庁

Because there is the trench, a short channel effect can be inhibited by properly setting a depth of the trench though a distance between a source electrode layer and a drain electrode layer is short.例文帳に追加

また、トレンチを有することで、ソース電極層とドレイン電極層との距離を狭くしても該トレンチの深さを適宜設定することで、短チャネル効果を抑制することができる。 - 特許庁

Hydrogen ions are injected in a layer from the uneven surface of an N-type single-crystal silicon to a depth of 100 nm, then the uneven surface is stuck to an electrode layer 3 on a glass substrate 2.例文帳に追加

Ｎ型単結晶シリコンの凹凸面から１００nmの深さまで水素イオンを層状にイオン注入した後、ガラス基板(2) 上の電極層(3) に前記凹凸面を固着する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor layer, formed on a semiconductor substrate of a first conductivity type and a trench, extended in the depth direction into the semiconductor substrate from the surface of the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体装置は、第１導電型の半導体基板板上に配設された半導体層と、半導体層の表面から半導体基板に向かって深さ方向に延びる溝を具備する。 - 特許庁

Consequently, aggregation or association of pigments together is hard to occur at a surface layer part of the porous semiconductor layer on the surface of the substrate, allowing the pigments to efficiently infiltrate into the depth of the porous semiconductor layer, for high speed progression of pigment adsorption in the porous semiconductor layer.例文帳に追加

これによって、基板被処理面の多孔質半導体層の表層部で色素同士の凝集または会合が起り難く、多孔質半導体層の内奥へ色素が効率よく浸透し、多孔質半導体層への色素吸着が高速に進行する。 - 特許庁

The foundation body 7 has an outer shape having substantially the same building area of a structure 5 in a plan view, and its depth reaches the lower layer of a liquefied layer 3 from the ground surface of a surface layer 4 to the extent of leaving an unimproved layer L_1.例文帳に追加

基礎本体７は、その平面視の外形形状が、構造物５の建築物面積とほぼ同様の形状を有するとともに、その深さは、表層４の地表面から液状化層３の下位層に未改良層Ｌ_１を残す程度にまで達している。 - 特許庁

The semiconductor laser element 100 includes an active layer 5 made of a nitride-based semiconductor, an upper clad layer 8 formed on the active layer 5, and a ridge portion 11 formed by dry-etching the upper clad layer 8 up to a halfway depth.例文帳に追加

この半導体レーザ素子１００は、窒化物系半導体からなる活性層５と、活性層５上に形成された上部クラッド層８と、上部クラッド層８の途中の深さまでドライエッチングされることによって形成されたリッジ部１１とを備えている。 - 特許庁

A peelable metal layer 12 is formed on a metal basic material 11, and then the metal layer 12 and the metal basic material 11 are etched, down to a specified depth of the metal basic material 11 from the metal layer 12 side, thus forming a specified pattern of the metal layer 12.例文帳に追加

金属基材１１の上に、剥離可能な金属層１２を形成して、金属層１２および金属基材１１を、金属層１２側から、金属基材１１の所定の深さまでエッチングすることにより、金属層１２を所定のパターンに形成する。 - 特許庁

In writing data in a recording layer in the depth layer of a magnetic card using the F2F method, a modulation pulse regulated by the cryptographic key of a cryptographic key generator 25 is outputted from a modulation pulse generator 26, and is recorded on a recording layer on the surface layer of the magnetic card.例文帳に追加

Ｆ２Ｆ方式を用いてデータを磁気カードの深層の記録層に書込む際に、暗号キー発生器２５の暗号キーにより規制された変調パルスを変調パルス発生器２６から出力し、前記磁気カードの表層の記録層に記録しておく。 - 特許庁

An embedded part 39 is filled with a material layer of the same material as the organic light-emitting unit layer inside the encapsulated closed region B1 from the organic light-emitting unit layer to a depth position of a top face of the transparent substrate with penetrating the transparent conductive layer in the Z direction.例文帳に追加

埋め込み部３９は、封止閉領域Ｂ１の内側においてＺ方向に透明導電層を貫通して有機発光ユニット層から透明基板の上面の深さ位置まで有機発光ユニット層と同一の材料層が充填されている。 - 特許庁

A carrier accumulation layer 3 is located at a region at the predetermined depth from the surface of an N-substrate 1, a base region 2 is located at a region shallower than the predetermined depth, and an emitter region 4 is located on the surface of the N-substrate.例文帳に追加

Ｎ−基板１の表面から所定の深さの領域にキャリア蓄積層３が位置し、その所定の深さよりも浅い領域にベース領域２が位置し、Ｎ−基板の表面にエミッタ領域４が位置する。 - 特許庁

The vertical MOSFET which has a semiconductor substrate layer and a drift layer, provided above the semiconductor substrate layer and having a lower impurity concentration than the semiconductor substrate layer is provided with a buffer layer which continuously varies in impurity concentration, with the depth position within an impurity range being lower than the impurity concentration of the semiconductor layer and higher than the impurity concentration of the drift layer between the semiconductor substrate layer and drift layer.例文帳に追加

半導体基板層と、半導体基板層の上方に設けられて半導体基板層の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有するドリフト層と、を有する縦型ＭＯＳＦＥＴにおいて半導体基板層とドリフト層との間に半導体基板層の不純物濃度よりも低く且つドリフト層の不純物濃度よりも高い不純物濃度範囲において、その深さ位置に応じて不純物濃度が順次変化しているバッファー層を設ける。 - 特許庁

By dipping the hot dip Zn-Al-Mg alloy plated steel sheet into an oxidizing acid aqueous solution, a plurality of pits in which the average depth is ≥0.01 μm, and also, the ratio of the average depth to the film thickness of the plating layer is ≤80% are formed on the surface of the plating layer.例文帳に追加

この溶融Ｚｎ−Ａｌ−Ｍｇ合金めっき鋼板を酸化性の酸性水溶液に浸漬して、めっき層の表面に平均深さが０.０１μｍ以上で、かつめっき層の膜厚に対する平均深さの割合が８０％以下のピットを複数形成する。 - 特許庁

The two layer representation includes a main layer having pixels exhibiting background colors and background disparities associated with correspondingly located pixels of depth discontinuity areas in the image, as well as pixels exhibiting colors and disparities associated with correspondingly located pixels of the image not found in these depth discontinuity areas.例文帳に追加

２レイヤ表現に、イメージの深さ不連続領域の対応する位置のピクセルに関連するバックグランドカラーおよびバックグラウンド視差を示すピクセルならびに深さ不連続領域内にないイメージの対応する位置のピクセルに関連するカラーおよび視差を示すピクセルを有するメインレイヤが含まれる。 - 特許庁

To provide an induction heating coil capable of increasing the depth of a hardened layer at a corner part of a stepped shaft-like member, and uniforming the depth of the hardened layer which is formed successively along a small diameter shaft part, a corner part and a bearing surface part.例文帳に追加

段付き軸状部材の隅部における焼入硬化層の深さをより深くすることができ、ひいては、小径軸部，隅部及び座面部に連続して形成される焼入硬化層の深さの均一化を図ることができるような構成の高周波誘導加熱コイルを提供する。 - 特許庁

This sliding member is provided by processing for forming recessed parts 3 on the surface of the metal-sliding layer 2 and also impregnating a resin 4 in the recessed parts 3 so as to make ≥50 % surface areal rate occupied by the resin 4 at an optional depth until 0.1 mm from the surface of the metal-sliding layer in its depth direction.例文帳に追加

金属摺動層２の表面に凹部３を加工形成すると共に、その凹部３に樹脂４を含浸させ、金属摺動層２の表面から深さ方向へ０．１ｍｍまでの任意の深さでの樹脂４の占める面積率が５０％以上となるようにする。 - 特許庁

In this heterojunction bipolar transistor, where a base layer constituted of an Mg-doped p-type INGaN is made between an emitter layer and a collector layer, In composition of that base layer is changed, according to the distance from that emitter layer to that base layer, and the depth of the acceptor level within that base layer is changed together with a band gap.例文帳に追加

Ｍｇドープｐ型ＩｎＧａＮで構成されるベース層をエミッタ層とコレクタ層とで挟んで形成したヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、該ベース層のＩｎ組成を該エミッタ層から該ベース層に至る間の距離に応じて変化させて、該ベース層中のアクセプタ準位の深さをバンドギャップと共に変化させたことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayer substrate, capable of restraining the generation of crystal defects, in a single-crystal layer in the manufacturing a multilayer substrate that has impurities contained in a depth range, on the side facing the embedded insulating layer of a single-crystal layer.例文帳に追加

単結晶層のうちの埋め込み絶縁層に面する側の深さ範囲に不純物が含まれている積層基板を製造する際に、単結晶層に結晶欠陥が発生するのを抑制できる製造方法を提供する。 - 特許庁

The hydrophilic ion-conductive material I' crosses the catalyst layer 31 in the depth direction of the catalyst layer 31 so as to be contacted with the electrolyte membrane and the diffusion layer 32, and provides a moving passage of water and hydrogen ion.例文帳に追加

親水性のイオン伝導性物質Ｉ’は、電解質膜及び拡散層３２と接触するように触媒層３１の厚さ方向に触媒層３１を横切り、水及び水素イオンの移動通路を提供することを特徴とする。 - 特許庁

A first diffusion layer 25 having N type conductivity, a second diffusion layer 26 having P^+ type conductivity, a third diffusion layer 8 having N type conductivity, and a fourth diffusion layer 10 having P^+ type conductivity are formed from the surface of the epitaxial layer 7 down to a specified depth.例文帳に追加

エピタキシャル層７の表面から一定の深さにかけて、導電型がＮ型である複数の第１拡散層２５、導電型がＰ^＋型である複数の第２拡散層２６、導電型がＮ型である第３拡散層８、および導電型がＰ^＋型である第４拡散層１１が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor substrate 100 is arranged on a dicing tape 200 having a laminate structure having a conductive layer 211 formed on a conductive layer 212 with an insulating layer 201b interposed, and the semiconductor substrate 100 and dicing tape 200 are diced to a cutting depth such that the conductive layer 211 becomes conductive and the conductive layer 212 becomes nonconductive.例文帳に追加

導電層２１２上に絶縁層２０１ｂを介して導電層２１１が形成された積層構造を備えるダイシングテープ２００上に半導体基板１００を配置して、導電層２１１が導通、かつ、導電層２１２が非導通となる切り込み深さで半導体基板１００及びダイシングテープ２００をダイシングする。 - 特許庁

The height of the highest position on the upper surface of the resin layer 12 containing a phosphor is adjusted to 100-130% of the depth of the recess 2.例文帳に追加

また、蛍光体含有樹脂層１２の上面の最も高い位置の高さが、凹部２の深さの１００〜１３０％に調整されている。 - 特許庁

(2) The nitrided gear uses the semifinished product for the nitrided gear described in (1) as a base material, and has a chemical compound layer up to a depth of 5 μm or less on the surface.例文帳に追加

(2)上記(1)の窒化歯車用粗形品を素材とする窒化歯車であって、表面の化合物層深さが5μm以下の窒化歯車。 - 特許庁

The shaft part has a surface hardening layer, and hardness distribution is present in the direction of depth from a surface, and peak hardness is present at an internal part.例文帳に追加

表面硬化層を有するシャフト部品であり、表面からの深さ方向に関し、硬さ分布を有し、ピーク硬さが内部に存在する。 - 特許庁

Then, the reverse side of this semiconductor wafer is removed by a removing means, up to a depth where there is at least no damage layer.例文帳に追加

そして、この半導体ウェーハの裏面を、除去手段で少なくともダメージ層が存在しなくなる深さまで除去することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a counter and method of manufacturing the same, effectively showing a feeling of depth and a third dimension even in a counter of a multi-layer structure.例文帳に追加

多層構造のカウンタであっても、深み感や立体感を効果的に現出することができるカウンタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An impurity diffusion layer, constituting the source region 15 and the drain region 16 of a pMOS 11, is formed very shallow depth, to an extent of 50 nm.例文帳に追加

ｐＭＯＳ１１のソース領域１５およびドレイン電極１６を構成する不純物拡散層を５０ｎｍ程度の極浅に形成する。 - 特許庁

In addition, a p-type channel 6 is formed at the intermediate depth of the p-type well 5b by implanting B+ ions into the epitaxial layer 2 by using the resist 4 as a mask.例文帳に追加

更に、レジスト４をマスクとしてＢ^+をイオン注入することにより、ｐ型ウェル５ｂの中間深さにｐ型チャネル６を形成する。 - 特許庁

DEEP LAYER WATER GATHERING SHIP OF STRUCTURE RELATIVELY LITTLE INFLUENCED BY WAVE AND WIND WHEN GATHERING WATER OF DEEP PLACE OF DEPTH OF WATER (CONVENTIONAL TECHNOLOGY)例文帳に追加

水深の深い場所の水を採取する時、波や風の影響を比較的受けにくくした構造の、深層水採取の船。〔従来の技術〕 - 特許庁

The trench separate structures are variable in depth and it is not important whether the trench separate structures are in contact with the buried oxide layer or not.例文帳に追加

トレンチ分離構造の形状の深さが可変であり、トレンチ分離構造は埋め込み酸化物層に接触しても、接触しなくても良い。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for the measurement of the strength of a concrete surface layer part wherein the degradation state of concrete can be quantitatively measured in each depth.例文帳に追加

コンクリートの劣化状態が深度毎に定量的に測定できるコンクリート表層部の強度測定及びその装置を提供する。 - 特許庁

Etching in the depth direction has selectivity, depending on the kind of compound constituting the layer, and reaction comes to a halt at the interface between the upper and lower layers.例文帳に追加

また、深さ方向のエッチングには層を構成する化合物の種類により選択性があり、下層との界面で反応は停止する。 - 特許庁

The contact hole is filled with the barrier layer to half the depth to lower an aspect ratio and facilitate fabrication of the metal plug.例文帳に追加

本発明は、バリア層によりコンタクトホールを半分の深さまで充填し、これにより、アスペクト比を低下させ、金属プラグが製作しやすいようにする。 - 特許庁

The hardness value of high carbon steel wire from the surface of the soft plated layer to a depth of 20 μm is 1.00 to 1.25 times as large as the hardness value of the central part.例文帳に追加

軟質メッキ層の表面から深さ２０μｍまでの高炭素鋼線の硬度値が中心部の硬度値の１.００〜１.２５倍である。 - 特許庁

A p-layer 5 serving as a guard ring is formed from a surface to a predetermined depth, in a second region R2 serving as a peripheral joint region.例文帳に追加

外周接合領域としての第２領域Ｒ２では、ガードリングとなるｐ層５が表面から所定の深さにわたり形成されている。 - 特許庁

In addition, when laminating a weld bead layer, the ratio of the depth of fusion of a molten metal to the width of fusion of the molten metal is set to be ≥1 and ≤1.4.例文帳に追加

さらに、溶接ビード層を積層する際には、溶金の溶け込み幅に対する溶金の溶け込み深さの比を、１以上１．４以下とする。 - 特許庁