「layer depth」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A solid layer dispersion region 22 is formed in a depth range, on the side facing the embedded insulating layer 15 of the silicon single-crystal layer 12.例文帳に追加

シリコン単結晶層１２のうちの埋め込み絶縁層１５に面する側の深さ範囲に固層拡散領域２２が形成される。 - 特許庁

A terminal end layer 21 larger in junction depth than the p-type base layer 14 is formed in the terminal end region.例文帳に追加

終端領域には、このｐ型ベース層１４より接合深さが大きい終端層２１が形成される。 - 特許庁

A trench 8 is also formed in a depth reaching the n^- type drift layer 6 from the surface of the n^+ type semiconductor layer 7.例文帳に追加

そして、Ｎ^+型半導体層７の表面からＮ^-型ドリフト層６に至る深さのトレンチ８を形成する。 - 特許庁

Cracks 71 having a depth which reaches the upper surface of the organic polymer layer 10 is formed in the electrode layer 7.例文帳に追加

電極膜７には、有機高分子層１０の上面に達する深さのクラック７１が形成されている。 - 特許庁

To reduce the width of an element isolation layer but ensure the depth of the element isolation layer in microfabricating a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の微細化に際して、素子分離層の幅を縮小しながらも、その深さを確保する。 - 特許庁

A water communication port 9 is arranged in the depth of a water permeable layer 19 of the water cut-off wall 3.例文帳に追加

通水口９は、止水壁３の透水層１９深さに設けられる。 - 特許庁

The buried oxide layer is arranged in the substrate at ≥2 trench separate structures in depth.例文帳に追加

埋め込み酸化物層が基板内において、２つ以上の深さに配置される。 - 特許庁

Depth of the compressed grooves 6 is 50-100% of thickness of the absorptive layer 11.例文帳に追加

圧縮溝６の深さは、吸収層１１の厚みの５０〜１００％である。 - 特許庁

A trench having a depth to the substrate 1 is formed in the semiconductor layer 2.例文帳に追加

半導体層２には、基板１に至る深さを有するトレンチが形成されている。 - 特許庁

ENHANCEMENT LAYER RESIDUAL PREDICTION FOR BIT DEPTH SCALABILITY USING HIERARCHICAL LUT例文帳に追加

階層的ＬＵＴを利用したビット深度スケーラビリティのためのエンハンスメントレイヤ残差予測 - 特許庁

The device is adapted for encoding at least one occlusion layer of the layered depth image with a greater horizontal width than a foreground layer of the layered depth image.例文帳に追加

本装置は、階層化された深さ画像の前景のレイヤよりも大きい水平方向の幅をもつ階層化された深さ画像の少なくとも１つの遮蔽レイヤを符号化する。 - 特許庁

A trench gate electrode 9 that penetrates both of the first conductivity layer 14 and the second conductivity layer 15 and reaches the first conductivity layer 16 is formed and a defect layer 6 is formed at the depth where the trench gate electrode 9 penetrates the deeper first conductivity layer 16.例文帳に追加

この縦型ＭＯＳは、電流１０がトレンチゲート電極９に沿って縦方向に流れるために、オン抵抗の上昇を小さく押さえることができる。 - 特許庁

A hardned layer is formed on the outer circumferential gear part 3b of the integrated output side disk 3 and the depth of the hardened layer is set larger than the depth of a hardened layer of a gear engaged with the gear part 3b.例文帳に追加

この一体型の出力側ディスク３の外周ギヤ部３ｂに硬化層が形成され、この硬化層の深さは、ギヤ部３ｂと噛み合う歯車の硬化層深さよりも深く設定されている。 - 特許庁

Additionally, the depth Ln of the projecting part 26 is longer than the depth Gd of the lower magnetic pole tip layer 16 in which throat height is substantially determined.例文帳に追加

また、突起部２６の奥行きLnは、実質的にスロートハイトを決定している下部磁極先端層１６の奥行きGdよりも長い。 - 特許庁

The layer thickness of the metal layer is preferable to be in the range of 5-30 μm, due to a tradeoff between the depth of dynamic pressure grooves and the uniformity of the layer thickness of the formed metal layer.例文帳に追加

また、動圧溝の深さと形成する金属層の層厚の均一性との兼ね合いから、金属層の層厚は５〜３０μｍの範囲であることが望ましい。 - 特許庁

To easily and accurately measure information about tissue layers (fat layer, muscle layer, osseous tissue layer and the like) immediately under the surface of an organism along its depth.例文帳に追加

生体表面直下の深さ方向の組織層の情報（脂肪層、筋肉層、骨組織層など）を簡便に且つ精度よく計測する。 - 特許庁

A depletion layer capacitance calculation means is provided and calculates true depletion layer capacitance on the assumption that the depletion layer extends in a depth actually equal.例文帳に追加

実際と等しい深さに拡がる仮想状態での真の空乏層の容量を算出する空乏層容量算出手段を備える。 - 特許庁

Then, the crystal structure of the amorphous layer 101 is recovered with a heat treatment for a region from the first depth A up to a second depth B shallower than the first depth A.例文帳に追加

次に、熱処理によってアモルファス層１０１の結晶構造を第１の深さＡから第１の深さＡよりも浅い第２の深さＢまでの領域について回復させる。 - 特許庁

The region 2 is formed up to the depth to reach an insulating layer 1b.例文帳に追加

なお、ｐ型ウェル領域２は、絶縁層１ｂに達する深さまで形成されている。 - 特許庁

Thereby, a focus position of the laser beam is displaced in a depth direction of the recording layer 12.例文帳に追加

これにより、レーザ光の焦点位置が、記録層１２の深さ方向に変位される。 - 特許庁

A pipe insertion hole is digged down to a predetermined depth of a lower layer soil 5 at a required position on a slope A.例文帳に追加

斜面の所要位置に下層土の所要深さまでパイプ挿入孔を削孔する。 - 特許庁

Depth of the groove 66 is 0.3-0.7 times of the maximum thickness of the support layer 18.例文帳に追加

溝６６の深さは、支持層１８の最大厚みの０．３倍以上０．７倍以下である。 - 特許庁

That is, an existing pile is built to the depth to reach the support layer through the inside of the casing.例文帳に追加

即ち、ケーシング内を貫通させて、既成杭を支持層に達する深さまで建て込む。 - 特許庁

Further, the depth 12 of each groove is set to ≥10 μm to the thickness 11 of the intermediate layer or shorter.例文帳に追加

さらに、溝深さ１２を１０μｍ以上中間層厚さ１１以下とする。 - 特許庁

To provide a decarburized layer depth estimating method capable of estimating the depth of a decarburized layer in a heat-treated rolled steel by obtaining the depth by a formula for estimation, a method for controlling the depth of the decarburized layer on the surface of the rolled steel, and a steel rolling method for controlling the temperature of a heating furnace based on the estimated depth of the decarburized layer on the surface of the rolled steel.例文帳に追加

加熱処理された圧延鋼材での脱炭層の深さを予測式により求めて予測する脱炭層深さ予測方法、脱炭層深さ予測値に基づいて加熱炉の温度を制御して圧延鋼材の鋼表面の脱炭層深さを制御する方法及び圧延鋼材の鋼表面の脱炭層深さ予測値に基づいて加熱炉の温度を制御する鋼材の圧延方法を提供する。 - 特許庁

Etching depth at a part for burying the contact layer 6 is set deeper than a position where the carriers drifting the channel layer are distributed.例文帳に追加

コンタクト層６を埋め込む部分のエッチングの深さはチャネル層をドリフトするキャリアが分布する位置よりも深くする。 - 特許庁

The heat-treated hardened layer 4 is formed such that the depth of the layer gradually increases from the torque transmission teeth section 2 side to the flat smooth section 3 side.例文帳に追加

熱処理硬化層４をトルク伝達用歯部２側から平滑部３側へ深くなるように形成した。 - 特許庁

An FET with a high degree of freedom for design can be obtained by arbitrarily changing the width and depth of an i-layer (the high-resistance layer 75).例文帳に追加

ｉ層（高抵抗層７５）の幅や深さを任意に変更でき、設計の自由度の高いＦＥＴが得られる。 - 特許庁

The light-scattering layer is formed more on the depth side or the front side of the observer of the hologram than the hologram recording layer.例文帳に追加

該光散乱層は、ホログラムの観察者に対してホログラム記録層より奥側または手前側に形成される。 - 特許庁

Preferably, the film thickness of the lower magnetic pole end layer is set equal to/higher than 1 μm, and the width (depth) of the lower magnetic pole end layer is set equal to/higher than 2 μm.例文帳に追加

下部磁極端層の膜厚は1μm以上、下部磁極端層の幅（奥行き）は0.5μm以上が好ましい。 - 特許庁

The first insulating layer is etched to a prescribed depth of the trench, and a bottom insulating layer is left in the trench.例文帳に追加

次に第１絶縁層をトレンチの所定の深さまでエッチングすることにより、トレンチ内にて底部絶縁層を残す。 - 特許庁

Further, the depth of the melted-resolidified layer in the surface layer is ≥1 mm from the outermost surface of the ingot.例文帳に追加

また、表層の溶融再凝固層の深さが、インゴット最表面から１ｍｍ以上であることを特徴とする。 - 特許庁

The trench has a first area narrower than the semiconductor layer and a second area in the same depth in the semiconductor layer.例文帳に追加

前記トレンチは、半導体層よりも浅い第１領域及び半導体層に同じ深さの第２領域を有する。 - 特許庁

This brings about an embedded region of a thick oxide layer 61 and a thin oxide layer at a constant depth in the Si substrate.例文帳に追加

これはＳｉ基板内の一定の深さに厚い酸化物層と薄い酸化物層の埋め込み領域をもたらす。 - 特許庁

N^+-SiC Formed on the n^-drift layer is made a source layer, and a part of the n^-drift layer is made a channel region by forming a trench extending from the n^+ source layer to a predetermined depth of the n^-drift layer.例文帳に追加

ｎ^-ドリフト層上に形成されたｎ^＋−ＳｉＣをソース層とし、ｎ^＋ソース層からｎ^-ドリフト層の所定深さまでトレンチ溝を形成することでｎ^-ドリフト層の一部をチャネル領域とする。 - 特許庁

An effective hardened-layer depth as the hardness penetration from the workpiece surface determined by the hardness of the hardened-layer is determined by a predetermined assumed processing from the determined ultrasonic depth position.例文帳に追加

定められた超音波深さ位置から所定の推定処理により、焼入れ硬化層の硬度により定められるワーク表面からの焼入れ深さである有効硬化層深さを求める。 - 特許庁

The depth W1 from the interface between the semiconductor substrate 11 and the 1st insulating layer 12 up to the bottom part of the insulating area is deeper than a maximum depth W_max of a depletion layer.例文帳に追加

前記半導体基板１１と前記第１の絶縁層１２との界面から前記絶縁領域の底部までの深さＷ１が、空乏層の最大深さＷ_maxよりも深い。 - 特許庁

The feeling of depth occurs in the external appearance of the surface of the resin coating rod material by making the variation in the depth of the surface of the colored resin layer possible to see the inner part through the light transmissible resin layer.例文帳に追加

有色樹脂層表面の深さの変化を透けて奥が見える光透過性樹脂層越しに見えるようにすることで、樹脂被覆棒材の表面外観に深み感が生じる。 - 特許庁

Furthermore, the base layer is composed of a first p-type base layer having a uniform acceptor concentration, and a second p-type base layer having a concentration gradient in the depth direction.例文帳に追加

さらに、ベース層を均一なアクセプタ濃度を有する第１のｐ型ベース層と、深さ方向に濃度傾斜を有する第２のｐ型ベース層から構成した。 - 特許庁

On the box layer 3, a deep trench 6 having annular plan view is formed with a depth reaching the box layer 3 from the surface of the N^- type surface layer 5.例文帳に追加

ボックス層３上には、Ｎ^−型表面層５の表面からボックス層３に至る深さを有する、平面視環状のディープトレンチ６が形成されている。 - 特許庁

The resistance of a contact part of a conductive layer (wiring layer IL2), in a first via hole VH with a deep via depth BDE and a wiring layer IL1, is set smaller than the resistance of a contact part of the conductive layer (wiring layer IL2) in a second via hole VH with a shallow via depth BDE and the wiring layer IL1.例文帳に追加

ビア深さＢＤＥの深い第１のビアホールＶＨ内の導電層（配線層ＩＬ２）と配線層ＩＬ１との接触部の抵抗は、ビア深さＢＤＥの浅い第２のビアホールＶＨ内の導電層（配線層ＩＬ２）と配線層ＩＬ１との接触部の抵抗よりも小さくなっている。 - 特許庁

Besides, the groove 11 is formed so as to pass through the keeper layer 19 in the depth direction and reach the abrasive layer 18.例文帳に追加

そして、溝部１１は深さ方向において保持層１９を貫通し、砥粒層１８に至るように形成されている。 - 特許庁

Depressed portions 5b where the upper compacted layer 4 is not laminated has a depth reaching the lower compacted layer 3 from the cosmetic surface.例文帳に追加

上打型層４が積層されていない陥没部５ｂは、化粧料表面から下打型層３に到達する深さを有する。 - 特許庁

Next, an epitaxial layer is grown on the film, and then etched to a depth to the buried layer, thereby a trench for drain is formed.例文帳に追加

次いで、その上部にエピタキシャル層を成長させ、埋没層に至る深さまでエッチングしてドレーン用トレンチを形成する。 - 特許庁

A light element is ion-implanted to a thermally oxidized active layer wafer to form a defective layer at a 0.1-0.2 μm depth from the surface.例文帳に追加

熱酸化された活性層用ウェーハに軽元素イオンを注入し、表面から0.1〜2μmの深さに欠陥層が形成させる。 - 特許庁