「layer depth」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The depth of the trench 105 is below the thickness of the mask layer 102, and the trench 105 is extended in the direction of y.例文帳に追加

トレンチ１０５の深さは、マスク層１０２の厚さ以下であり、トレンチ１０５は、ｙ方向に延在する。 - 特許庁

A plurality of recessed parts (a) and (b) differing in depth are formed in the inner surface of the bearing metal layer 2 to form an uneven surface.例文帳に追加

軸受メタル層２の内面に深さを相違する複数の凹部ａ、ｂを設けて凹凸面とする。 - 特許庁

In the LDD layer 5a, formed from the surface of the semiconductor substrate 1 down to a predetermined depth D1, a p-type diffusion layer 10 is so formed as to be surrounded by the LDD layer 5a, excluding the surface of the LDD layer 5a, while being extended from the surface of the LDD layer 5a to a depth D3.例文帳に追加

半導体基板１の表面から所定の深さＤ１にわたり形成されたＬＤＤ層５ａには、ＬＤＤ層５ａの表面を除いてＬＤＤ層５ａに取り囲まれるとともに、ＬＤＤ層５ａの表面から深さＤ３にわたりｐ型拡散層１０が形成されている。 - 特許庁

The etching depth of the part 52B which is not superimposed on the first trenches 51 of the second trench 52 is set in a depth penetrating an upper second DBR mirror layer containing an upper oxidizable layer in the laminating direction, but does not reach a lower second DBR mirror layer containing the lower oxidizable layer.例文帳に追加

第２溝５２の第１溝５１に重ならない部分５２Ｂのエッチング深さを、積層方向において上部酸化可能層を含む上部第２ＤＢＲミラー層を貫通すると共に、下部酸化可能層を含む下部第２ＤＢＲミラー層に達しない深さとする。 - 特許庁

When the support layer 2 is a favorable support layer formed of a sand layer or a gravel layer, the diameter is formed larger than the outer diameter ( excavation diameter) and the depth is made as larger as three times of the maximum diameter from the front end of the knobbled pile 5.例文帳に追加

ソイルセメント柱３は、支持層２が砂層か礫層の良好な支持層の場合、径が杭１の外径（掘削径）以上、深さが節杭５の先端からその最大径の３倍以上に形成する。 - 特許庁

An inner wall insulating layer (13) is applied to each of via blind holes (12) formed on the layer (10) up to the depth of the layer (20) by using a protective layer (11) as a mask, thereby forming conductive layers (14).例文帳に追加

支持基板層（１０）に保護層（１１）をマスクとして埋め込み絶縁層（２０）に達する深さまで形成されたブラインドビアホール（１２）に、内壁絶縁層（１３）を施して導電層（１４）が形成される。 - 特許庁

An embedded part 35 is filled with a material layer of the same material as the insulation encapsulation layer in a Z direction from the insulation encapsulation layer to a depth position of at least a top face of the transparent conductive layer and forms a ring shape.例文帳に追加

埋め込み部３５は、Ｚ方向に絶縁封止層から少なくとも透明導電層の上面の深さ位置まで絶縁封止層と同一の材料層が充填され環形状を示す。 - 特許庁

A level difference is made between a drain layer N22 arranged on the outermost side of the element area and a drain layer N12 arranged inside the element area of the semiconductor layer 14, and a width d2 in the direction of depth of a semiconductor layer 14 under the drain layer N22 is made larger than that d1 in the direction of depth of the semiconductor layer 14 under the drain layer N12.例文帳に追加

さらに、半導体層１４の表面の、素子領域の最も外側に配置されるドレイン層Ｎ２２と素子領域の内部に配置されるドレイン層Ｎ１２との間に段差をつけて、ドレイン層Ｎ２２の下方における半導体層１４の深さ方向の幅ｄ２を、ドレイン層Ｎ１２の下方における半導体層１４の深さ方向の幅ｄ１よりも大きな幅に設定する。 - 特許庁

To provide a hardening depth measuring apparatus of a steel material for nondestructively, simply and accurately measuring the depth of a hardening layer generated on the surface of the steel material.例文帳に追加

鋼材の表面に生成された焼入れ層の深さを非破壊で簡単に精度良く測定することができる鋼材の焼入れ深さ測定装置を提供する。 - 特許庁

A first trench 108 is formed on a surface of the p-type layer 104 facing the p-electrode 103 with a depth reaching the n-type layer 106.例文帳に追加

ｐ型層１０４のｐ電極１０３側の表面に、第１の溝１０８が形成され、ｎ型層１０６に達する深さである。 - 特許庁

In addition, the rolling element 3 has the surface layer from the outside surface to the depth of 0.2 mm, the retained austenite in the surface layer being at most 4 vol.%.例文帳に追加

また、転動体３は、表面から深さ０．２ｍｍまでの部分である表面層の残留オーステナイト量が４体積％以下である。 - 特許庁

A p^- type base layer 4 ranging from the surface to a depth which a SOI insulating layer 2 reaches in the thick portion is selectively formed.例文帳に追加

肉厚部分において選択的に、表面からＳＯＩ絶縁層２に到達する深さに亘って、ｐ型ベース層４が形成されている。 - 特許庁

Due to such a formation of holes around the joint surface, the depth of depletion layer becomes equivalent to the thickness tSOI1 of single-crystal layer 21.例文帳に追加

このように接合面付近にホールが存在することによって、空乏層深さが単結晶層２１の厚さｔ_SOI1に相当することとなる。 - 特許庁

Thirdly, a part of the second nitride gallium layer 6 is etched up to such a depth as to expose a projection 4a of the first nitride gallium layer 4 to form a recess.例文帳に追加

次に第２の窒化ガリウム層６の一部を第１の窒化ガリウム層４の凸部４ａが露出する深さまでエッチングして凹部を形成する。 - 特許庁

The guard ring trench 15 digs down a semiconductor layer 3 to the middle in a depth direction from a surface of the semiconductor layer at an interval from the gate trench 5.例文帳に追加

ガードリングトレンチ１５は、ゲートトレンチ５と間隔を空けて、半導体層３をその表面から深さ方向の途中まで掘り下がっている。 - 特許庁

As a structure capable of controlling the potential of the buffer layer 2 made of an n-GaN layer, the semiconductor element employs a structure in which a source electrode 6 is buried in an epitaxial layer (channel layer 3 and electron supplying layer 4) formed on the buffer layer 3 and is extended to the depth reaching the buffer layer 2 so as to be in ohmic contact with the buffer layer 2.例文帳に追加

n-GaN層から成るバッファ層２の電位を制御できる構造として、ソース電極６が、バッファ層２とオーミック接触するように、バッファ層３上に形成されるエピタキシャル層（チャネル層３と電子供給層４）に埋め込まれてバッファ層２に達する深さまで延びている構成が採られている。 - 特許庁

An optimum encoding mode number/division bit depth/lower layer encoding mode number encoding unit 77 encodes an encoding mode number if the bit depth conversion processing is not performed, and encodes the encoding mode number and an optimum division bit depth Δ if the bit depth conversion processing is performed.例文帳に追加

最適符号化モード番号・分割ビット深度・下位階層符号化モード番号符号化部７７は、ビット深度変換処理を行わない場合、符号化モード番号を符号化し、ビット深度変換処理を行う場合、符号化モード番号と最適分割ビット深度Δとを符号化する。 - 特許庁

When providing a mask 16 on the semiconductor layer and etching the semiconductor layer except the mask, etching is performed in two steps, and the desired depth (d) of etching is a total value of the depth d_1 and d_2 in both steps of etching.例文帳に追加

半導体層にマスク１６を設けて半導体層のマスク以外の部分をエッチングする際に、２回に分けてエッチングし、所望のエッチングの深さｄは両方のエッチングの深さｄ_１、ｄ_２さを合計した値とする。 - 特許庁

Also, the water depth of the sand stratum 3 where the intake part 10a is formed is set deeper than water depth where sand at the surface- layer part of the sand stratum 3 travels at least for 50 cm and shallower than water depth where the sand travels at least as long as 1 cm.例文帳に追加

また、取水部１０ａが形成される砂層３の水深を、当該砂層３の表層部分の砂が５０ｃｍ以上移動する水深よりも深く、かつ１ｃｍ以上移動する水深よりも浅くする。 - 特許庁

A second photodetector 116 detecting reflection light from the near side recording layer 105 is provided at the outer peripheral part of a first photodetector 115 detecting reflection light from the depth side recording layer 103 when light is focused on the depth side recording layer 103 and, recording power is controlled according to the output level of the second photodetector when recording is performed to the depth side recording layer.例文帳に追加

光入射側から見て奥の記録層１０３に合焦した時に、奥の記録層からの反射光を検出する第１の光検出器１１５の外周部に、手前の記録層１０５からの反射光を検出する第２の光検出器１１６を設け、奥の記録層に記録する際には、第２の光検出器の出力レベルに応じて記録パワーを制御する。 - 特許庁

This gear has a hardened layer formed by carbonizing or carbo- nitriding, and a rateio of a depth of the hardened layer on a tooth width end face 1a to a depth of the hardened layer 5 on the tooth flank is 0-0.7.例文帳に追加

浸炭焼入れ又は浸炭浸窒焼入れにより焼入れ硬化層が形成された歯車であって、歯面における焼入れ硬化層５の深さに対する歯幅端面１ａにおける焼入れ硬化層の深さの比が０〜０．７とされていることを特徴とする。 - 特許庁

In a thin film magnetic head 10, a length in terms of depth from the plane S facing a medium for each of the layers (Pin-H) on a contact area between a pinned layer 34 and an antiferromagnetic layer 33 is longer than the length in terms of the depth for a free layer 36.例文帳に追加

本発明の薄膜磁気ヘッド１０では、ピンド層３４と反強磁性層３３との接触領域における各層それぞれの媒体対向面Ｓからの奥行き方向の長さ（Ｐｉｎ−Ｈ）が、フリー層３６の同方向の長さよりも長くなっている。 - 特許庁

To provide a forming method for a gas throttle layer capable of easily forming the gas throttle layer having the specified depth on the facial layer of a porous static pressure gas bearing without bringing about cost-up etc.例文帳に追加

コストアップ等を招くことなく多孔質静圧気体軸受の表層部に所定深さの気体絞り層を容易に形成することのできる気体絞り層の形成方法を提供する。 - 特許庁

An area to a depth of 80 μm from the surface of the precious chip 31' is defined as a surface layer area 21, and an area further inside from the surface layer area is defined as an inner layer area 20.例文帳に追加

貴金属チップ３１’の表面から内部に８０μｍまでの領域を表層部領域２１とし、該表層部領域２１よりも内部を内層部領域２０と定義する。 - 特許庁

A thickness of the second insulating layer or a total thickness of the second insulating layer and any insulating layer existing below it occupies 30% or more but not more than 98% of the depth of the cavity.例文帳に追加

第２絶縁層の厚さ、あるいは第２絶縁層と、そのさらに下方にある任意の絶縁層の厚さの合計は、キャビティの深さの３０％以上、９８％以下を占める。 - 特許庁

A first diffusion layer 8 having N^+ type conductivity, and a second diffusion layer 10 having P^+ type conductivity are formed from the surface of the epitaxial layer 7 down to a specified depth.例文帳に追加

エピタキシャル層７の表面から一定の深さにかけて、導電型がＮ^＋型である第１拡散層８、および導電型がＰ^＋型である第２拡散層１０が形成されている。 - 特許庁

The gear has a carburization layer having a C concentration of ≥0.60%, and a retained austenite content of ≤20%, and the outer layer thereof is provided with a carburization abnormal layer having the maximum depth of 5 to 13 μm.例文帳に追加

歯車は、Ｃ濃度が０．６０％以上、残留オーステナイト量が２０％以下の浸炭層を有し、その外層には最大深さ５〜１３μｍの浸炭異常層を有している。 - 特許庁

The gear has a carburized layer having a C concentration of ≥0.60% and a retained austenite content of ≤20%, and the external layer thereof is provided with a carburized abnormal layer whose maximum depth is 2 to 10 μm.例文帳に追加

歯車は、Ｃ濃度が０．６０％以上、残留オーステナイト量が２０％以下の浸炭層を有し、その外層に最大深さ２〜１０μｍの浸炭異常層を有している。 - 特許庁

A hardening layer (nitriding layer) K is formed into a prescribed depth by soft nitriding on a surface layer of a part (relative surface) facing to both gaps C1 and C2 in a rear housing 31 and a yoke 43.例文帳に追加

リヤハウジング３１ｂ及びヨーク４３における両ギャップＣ１，Ｃ２に臨む部分（相対面）の表層には、軟窒化処理により硬化層（窒化層）Ｋを所定の硬化深度にて形成した。 - 特許庁

There are included the first diffusion layer of the same conductive type as a semiconductor substrate, and the second diffusion layer of a conductive type opposite to the semiconductor substrate and diffusion depth shallower than that of the first diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板と同一導電型の第1の拡散層と、半導体基板と反対導電型であり第１の拡散層より拡散深さの浅い第２の拡散層とを有する。 - 特許庁

The filler layer 40 has a thickness larger than the depth of irregularities (roughness) on the surface shape, and the filler layer 40 is selectively polished downwardly to the stop layer 30.例文帳に追加

前記充填材層４０は表面形状の不規則部（凹凸）の深さよりも大きな厚さを有し、前記充填材層４０は前記停止層３０まで下方に選択的に研磨される。 - 特許庁

A n^- type drain layer 6 ranging from the surface to a depth which the SOI layer 2 reaches is selectively formed by arranging a predetermined spacing with the p^- type base layer 4.例文帳に追加

肉薄部分において、ｐ型ベース層４と所定間隔を空けて選択的に、その表面からＳＯＩ絶縁層２に到達する深さに亘って、ｎ型ドレイン層６が形成されている。 - 特許庁

Further depth of the recess 143 is made to be ≥5μm and ≤60μm to facilitate formation of the reflecting layer 144.例文帳に追加

さらに、凹部１４３の深さは、５μｍ以上６０μｍ以下として、反射層１４４の形成を容易にする。 - 特許庁

Consequently, a region from the surface of the silicon substrate 100 up to the second depth B becomes the amorphous layer 101.例文帳に追加

これによって、シリコン基板１００の表面から第２の深さＢまでの領域がアモルファス層１０１となる。 - 特許庁

Each through-hole has a depth going from a main surface 321 of the reflection layer 32 down to a backside opposite to the main surface.例文帳に追加

貫通孔３２は、反射層３２の主面３２１から主面と反対側の裏面に至る深さを有する。 - 特許庁

To individually and arbitrarily set the depth (d) of etching for a semiconductor layer and the length (s) of the eaves of a mask.例文帳に追加

半導体層に対するエッチングの深さｄとマスクの庇の長さｓとを個別に任意に設定可能とする。 - 特許庁

The outer layer is designed to be thicker than the skin depth at operating frequencies to transmit AC signals.例文帳に追加

この外層は、交流信号を搬送するための動作周波数における表皮深度よりも厚く設計する。 - 特許庁

The steel pipe sheet piles 14 do not bear a bearing force and therefore they need not be driven down to the depth of a bearing layer.例文帳に追加

この鋼管矢板１４は支持力を負担するものでないため、支持層の深さまで打設する必要はない。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where depth of a silicide layer in source/drain regions is limited, and to provide the manufacturing method of the device.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域のシリサイド層の深さを制限した半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The frequency of the AC power is appropriately determined depending on material of the bush 110 and a depth of the hardening layer or the like.例文帳に追加

交流電力の周波数は、ブッシュ１１０の材質や硬化層の深さ等に応じて適宜に決める。 - 特許庁

By this setup, it is advantageous for an increase in the current density of the MOSFET that the potential well of the InGaAs channel layer is increased in depth.例文帳に追加

これにより、ＩｎＧａＡｓチャネル層のポテンシャル井戸深さが深くなり高電流密度化に有利である。 - 特許庁

Diffraction efficiency in accordance with groove depth (d) of a grating of the resin layer 108b is obtained using a scalar diffraction theory.例文帳に追加

樹脂層１０８ｂの格子溝深さｄに応じた回折効率をスカラー回折理論を用いて求める。 - 特許庁

Whereby, The depth of the doping layer 26 having a polarity counter to the substrate 21 can be controlled inside the substrate 21.例文帳に追加

これにより、基板２１内部に基板２１と反対極性であるドーピング層２６の深さを制御しうる。 - 特許庁

To lead out the depth of a quench-hardened layer of a steel material from the output voltage waveform detected by a detection coil.例文帳に追加

検出コイルで検出した出力電圧波形から、鋼材の焼入硬化層の深さを導出する。 - 特許庁

Sheet impurity concentration of the p-pillar layer 4 is changed in a depth direction and is made lower as it goes downward.例文帳に追加

更に、ｐピラー層４のシート不純物濃度を深さ方向において変化させて、下方に行くほど低くする。 - 特許庁