「leadframe」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the force acting on a lead pattern 31 is reduced by relaxing flow of a resin 59 by a protection lead 32 provided in both outsides of the lead pattern 31 of the leadframe 30 when attaching the leadframe 30 by insert molding on an edge face 21 of a molding 20 by pouring the resin 59 for forming the molding 20, the displacement of the lead pattern 31 can be prevented.例文帳に追加

成形体２０を形成する樹脂５９を流し込んで成形体２０の先端面２１にインサート成形によりリードフレーム３０を取り付ける際に、リードフレーム３０のリードパターン３１の両外側に設けた保護リード３２が樹脂５９の流れを緩和して、リードパターン３１に作用する力を減少させるので、リードパターン３１の位置ずれを防止することができる。 - 特許庁

To suppress output fluctuations due to a change in environmental temperature, in a component package with a configuration in which a first and second components are supported on a leadframe and these are secured in a molding material.例文帳に追加

第一の素子および第二の素子をリードフレーム上に支持し、これらをモールド材中に固定するような形態の素子パッケージにおいて、環境温度変化に伴う出力変動を抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has high reliability enough to reduce connection resistance accompanying the connection of an electrode such as an emitter electrode or the like with a leadframe, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、エミッタ電極などの電極とリードフレームの接続に伴う接続抵抗を低減した信頼性の高い半導体デバイスとその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A projection 58 for positioning provided to a second slide core 56 for positioning a core pin 54 provided to a first slide core 55 is engaged into a hole 34 for positioning provided to a leadframe 30.例文帳に追加

第１スライドコア５５に設けられているコアピン５４の位置決めを行うための第２スライドコア５６に設けられている位置決め用突起５８を、リードフレーム３０に設けられている位置決め用孔３４に嵌合させる。 - 特許庁

One example of such an integrated circuit package is a non-volatile memory integrated circuit package that contains multiple, like-sized memory storage integrated circuit chips stacked on one or both sides of a leadframe.例文帳に追加

そのような集積回路パッケージの一例は、リードフレームの片側面または両側面上に積層された複数の類似のサイズのメモリ記憶集積回路チップを備える不揮発性メモリ集積回路パッケージである。 - 特許庁

Inside of the sealing section 3, three semiconductor chips (two memory chip 10A, 10A and one control chip 10B) being equipped with a metal leadframe LF_1 and a part of the leadframes LF_1 (lead 8) are sealed.例文帳に追加

封止部３の内部には、金属製のリードフレームＬＦ_１と、このリードフレームＬＦ_１の一部（リード８）の上に搭載された３個の半導体チップ（２個のメモリチップ１０Ａ、１０Ａおよび１個のコントロールチップ１０Ｂ）が封止されている。 - 特許庁

A modular package for a light-emitting device comprises a leadframe including a first region having a topmost surface and a bottom surface, and a first thickness, and a second region having a topmost surface and a bottom surface, and a second thickness thinner than the first thickness.例文帳に追加

発光デバイス用モジュールパッケージは最上面、底面、および第１の厚さを有する第１の領域と、最上面、底面、および第１の厚さより薄い第２の厚さを有する第２の領域を含むリード・フレームを含んでいる。 - 特許庁

A V-shaped or a rectangular recess is formed by processing or a circular bore is made at an end of an anode lead 14 derived in the solid electrolytic capacitor, and then the recess is welded to an anode leadframe 9.例文帳に追加

固体電解コンデンサにおいて導出した陽極リード１４先端部に加工によりＶ字状または矩形状の凹部を形成させ、あるいは、円形状に穿孔し、しかる後、凹部に陽極リードフレーム９と溶接することを特徴とする。 - 特許庁

The modular package for a light emitting device includes the leadframe including a first region having a top surface, a bottom surface and a first thickness and a second region having the top surface, the bottom surface and a second thickness that is thinner than the first thickness.例文帳に追加

本発明の発光デバイス用モジュールパッケージは最上面、底面、および第１の厚さを有する第１の領域と、最上面、底面、および第１の厚さより薄い第２の厚さを有する第２の領域を含むリード・フレームを含んでいる。 - 特許庁

To provide a resin composition exhibiting good adhesivity to an Ni-Pd leadframe and low in the elastic modulus, and to provide a semiconductor device excellent in reliability such as solder cracking resistance by using the same as a die attach material for a semiconductor.例文帳に追加

Ｎｉ−Ｐｄリードフレームへの良好な密着性を示すとともに弾性率の低い樹脂組成物及び該樹脂組成物を半導体用ダイアタッチ材料とすることにより耐半田クラック性等の信頼性に優れた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a pressure-sensitive self-adhesive tape the storage modulus of whose adhesive layer is within a suitably controlled range and which is capable of satisfactorily preventing resin leak in an encapsulation step in the production of a semiconductor device using a metallic leadframe.例文帳に追加

粘着剤層の貯蔵弾性率が適切な範囲の値にコントロールされ、金属製のリードフレームを用いる半導体装置の製造における封止工程での樹脂漏れを好適に防止することが可能な、感圧性粘着テープを提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing a leadframe, which comprises a step of providing a substrate, a step of plating the substrate with a layer of tin, a step of plating a layer of nickel over the layer of tin, and a step of plating one or more protective layers over the layer of nickel.例文帳に追加

基板を提供する段階と、基板にスズ層をメッキする段階と、スズ層上にニッケル層をメッキする段階と、その後に、ニッケル層上に１層以上の保護層をメッキする段階と、を備えるリードフレームの製造方法を提供する。 - 特許庁

A cutting punch 8, wherein difference in height exists between an edge section 8c on the package side and an edge section 8d opposite to the package side, is lowered toward a die 6 mounted with a semiconductor package 2 and with a leadframe 4 for the edge section 8c on the package side to cut off unnecessary leads 12.例文帳に追加

パッケージ側エッジ部８ｃと反パッケージ側エッジ部８ｄの高さが異なる切断パンチ８を半導体パッケージ２及びリードフレーム４が載置されたダイ６に向かって下降させ、不要リード１２を切断パンチ８のパッケージ側エッジ部８ｃで切断するようにした。 - 特許庁

Since the leadframe 30 is provided near a lead pattern 31 and insert molding is performed by positioning the lead pattern 31 at an exact position to the second slide core 56, the three-dimensional electric wiring is easily performed at the exact position.例文帳に追加

リードフレーム３０はリードパターン３１の近傍に設けられているので、リードパターン３１を第２スライドコア５６に対して正確な位置に位置決めしてインサート成形することができるので、容易に正確な位置に３次元的な電気配線を行うことができる。 - 特許庁

The semiconductor resin-sealing apparatus comprises a mold for resin-sealing a semiconductor element mounted on a leadframe, a resin feeding unit for feeding a resin to the mold, and a dust collector for collecting dust out of the mold and out of the resin feeding unit, and the dust collector has a dust collecting filter and a cooler.例文帳に追加

リードフレームに搭載された半導体素子を樹脂で封止するモールド型と、樹脂をモールド型に供給する樹脂供給装置と、モールド型と樹脂供給装置とを集塵する集塵装置とからなり、集塵装置に集塵フィルタおよび冷却装置を備える。 - 特許庁

In the leadframe 8, a nickel plating layer 12, a copper-tin alloy layer 13, a tin plating layer 14, and an Ag_3Sn alloy layer 16 are formed in sequence on a copper alloy member 11 that is punched into a specified shape, and its uppermost surface is the Ag_3Sn alloy layer 16.例文帳に追加

リードフレーム８は、所定の形状に打ち抜き加工された銅合金部材１１の上にニッケルめっき層１２、銅錫合金層１３、錫めっき層１４、Ａｇ_３Ｓｎ合金層１６を順に形成したものであり、最表面がＡｇ_３Ｓｎ合金層１６とされている。 - 特許庁

The LED package includes: first and second leadframes which are separated from each other, a plurality of LED chips which are mounted on the first leadframe, and a resin material which covers the LED chips and covers part of respective first and second leadframes.例文帳に追加

実施形態に係るＬＥＤパッケージは、相互に離隔した第１及び第２のリードフレームと、前記第１のリードフレームに搭載された複数個のＬＥＤチップと、前記複数個のＬＥＤチップを覆い、前記第１及び第２のリードフレームのそれぞれの一部を覆う樹脂体と、を備える。 - 特許庁

Further, by arranging an auxiliary member 30 made of the same material and having the same shape as the board 20 on the underside of the leadframe 2, stresses caused due to a difference in thermal expansion coefficient between the board 20 and a sealing resin after a sealing step has been completed can be reduced, and thus distortions and cracks of the resin can be prevented.例文帳に追加

また、リードフレーム２の下面側に配線基板２０と同じ材質及び形状の補助部材３０を配置することによって、封止後に配線基板２０と封止樹脂との熱膨張率差によって生じる応力を低減させて、樹脂の歪みや割れを防止することができる。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device of a QFN-type package using a multiple leadframe having tie bars for bundling the outer ends of a plurality of leads, a sealing resin filling the gap between the outer circumference of a mold cavity and the tie bars is removed by means of a laser beam and then surface treatment such as solder plating is carried out.例文帳に追加

複数のリードの外端部を束ねるタイ・バーを有する多連リードフレームを用いたＱＦＮ型パッケージの半導体集積回路装置の製造方法において、モールド・キャビティ外周とタイ・バー間に充填された封止レジンをレーザにより除去した後、半田メッキ等の表面処理を実行する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an electrode formed on the surface of a semiconductor layer, and additional electrode that is formed on the electrode and can be soldered to a leadframe, and a passivation film that is formed to cover the electrode together with the additional electrode and wherein an opening is provided on the surface of the additional electrode to cover the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層の表面に形成された電極と、該電極上に形成され、リードフレームとはんだ付け可能な付加電極と、該付加電極とともに該電極を覆い、かつ、該半導体層を覆うように該付加電極の表面に開口部を設けて形成されたパッシベーション膜とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

In planned regions for resin sealing of a semiconductor-device leadframe 101 on which a multi-layered metal cover film is formed, a plated coating film 108 of paladium or an alloy containing paladium is provided on the outermost surface layer of both first and second principal surfaces, and an oxide coating film 109 thereof is selectively formed on the surface of the plated coating film 108.例文帳に追加

複数層の金属被膜が形成された半導体装置用リードフレーム１０１の樹脂封止予定領域内で、第一主面及び第二主面の両方の最表層にパラジウムまたはパラジウムを含む合金のめっき皮膜１０８を備え、その表面に選択的に酸化皮膜１０９が形成されている。 - 特許庁

At least either the first or second leadframe has a base having an edge covered with the resin material and a part on the lower surface exposed on the lower surface of the resin material; and hanging pins extending from the base, having a lower surface covered with the resin material and a front edge exposed on the side surface of the resin material.例文帳に追加

前記第１のリードフレーム及び前記第２のリードフレームのうちの少なくとも一方は、その端面が前記樹脂体によって覆われ、その下面の一部が前記樹脂体の下面において露出したベース部と、前記ベース部から延出し、その下面が前記樹脂体によって覆われ、その先端面が前記樹脂体の側面において露出した吊ピンと、を有する。 - 特許庁

The interconnect structure of the leadframe includes a plurality of leads 10 and 10', an insulation thin film 20 disposed on a first surface of some leads, a plurality of openings 22 formed in the insulation film to expose of the first surface of some leads, and at least one conductive element 30 selectively connecting the insulation thin film to the exposed part of the leads electrically.例文帳に追加

リードフレームの内部接続構造は、複数のリード１０、１０’と、一部のリードの第一表面に設置される絶縁薄膜２０と、絶縁薄膜上に設置されて、一部のリードの第一表面を露出する複数の開口２２と、絶縁薄膜を露出するリードに選択的に電気的接続される少なくとも一つの導電素子３０と、からなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor encapsulating epoxy resin composition excellent in adhesion with various bases such as a semiconductor element or a leadframe, especially with plating frames of Ni, Ni-Pd, Ni-Pd-Au, or the like, and high in solder resistance, with the semiconductor device prevented from cracking or from exfoliation from the base during a soldering process after moisture absorption.例文帳に追加

半導体素子、リードフレーム等の各種基材との密着性、特にＮｉ、Ｎｉ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕ等のプリプレーティングフレームとの密着性に優れた特性を有し、吸湿後の半田処理においても半導体装置にクラックや基材との剥離が発生しない耐半田性に優れる特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁