| 意味 | 例文 |
logic arrayの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 185件
An arithmetic logic unit(ALU) array part 24 executes product sum operation between taps to be the storage values of identical column parts of plural line memories and a prescribed tap coefficient to execute oblique filtering for the image.例文帳に追加
そして、ALUアレイ部24において、その複数段のラインメモリそれぞれの同一列部分の記憶値をタップとして、所定のタップ係数との積和演算を行うことにより、画像に対して、斜め方向のフィルタリングが施される。 - 特許庁
The nonvolatile semiconductor storage device comprises a first MOS transistor included in a memory cell array part and a second MOS transistor included in a constant-voltage logic circuit unit situated next to the first MOS transistor on an SOI substrate 1.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置は、SOI基板1上に、メモリセルアレイ部に属する第1のMOSトランジスタと、第1のMOSトランジスタに隣接し、定電圧ロジック回路部に属する第2のMOSトランジスタとを備える。 - 特許庁
A concealment and reading comparison circuit is connected between the detection circuit and the writing driver, and connects an error flag to the control logic circuit in response to comparison between a data bit in an input latch and a data out read from the memory array.例文帳に追加
隠し読出し比較回路は、検知回路と書込みドライバとの間に結合され、入力ラッチ内のデータビットとメモリアレイから読み出されたデータアウトとの間の比較に応答してエラーフラグを制御ロジック回路に結合する。 - 特許庁
A hydrogen barrier layer 80 covers a capacitor 56, formed at an FeRAM macro 41 comprising the FeRAM cell array and a cell operation circuit part, extending as far as to the boundary which separates the FeRAM macro and logic part.例文帳に追加
水素バリヤ層80が、FeRAMセルアレイとセル動作回路部とからなるFeRAMマクロ41に形成されているキャパシタ56を覆って、FeRAMマクロとロジック部とを相互に分離する境界まで延在している。 - 特許庁
Upper 2 or 3 metal levels and related vias are mask- programmable, and an interconnection from a mask-programmable upper level to the lower standard cell logic is carried out by using a normal array-like conductor via scattered in the entire standard cell array and a rising output terminal producing a loop structure completed with a program level.例文帳に追加
上位2または3金属レベル及び関連するバイアはマスクプログラム可能であり、マスクプログラム可能上位レベルからその下の標準セル論理への相互接続は、標準セルアレイ全体に散在する通常のアレイ状コンダクタバイア及びプログラムレベルによって完成するループ構造を生成する上昇した出力端子を使用して行われる。 - 特許庁
A device for storing data has an automatic data confirming circuit which is connected to a page buffer and a bit line, also the circuit is provided with a confirmation logic comprising a sense latch connected to a floating gate cell in a bit latch and a memory array, and reads memory data from the cell.例文帳に追加
データ記憶用装置は、自動データ確認回路を有し、この回路はページバッファとビットラインに接続されていて、また、ビットラッチとメモリアレイ内のフローテングゲートセルとに接続されたセンスラッチを含む確認論理があって、該セルからメモリデータを読取る。 - 特許庁
To provide an automatic high-order synthesis method which restrains a decrease in degree of flexibility due to the integration of variable array in a high-order synthesis and generates the RTL description of a logic circuit which is small in circuit area and operates at a high-speed, and a high-order synthesis program therefor.例文帳に追加
変数配列の統合による高位合成での自由度の減少を抑制し、回路面積が小さく、高速動作が可能な論理回路のRTL記述を生成する自動高位合成方法及び高位合成プログラムを提供する。 - 特許庁
Control logic parts 34 and 35 are created within a range indicated by a dashed line at both the outsides of the circuit cell array, thus reducing the length of each electrode wiring.例文帳に追加
ドライバ回路部7に対し給電すべき電源電圧V_H 〜V_5 の電源配線36〜40は内側領域の出力電極8_1 〜8_N の周りに1巡回した閉ループ接続であり、互いにクロスしないので配線インピーダンスの均一化による表示コントラストのむらを抑制できる。 - 特許庁
To provide a sampling frequency conversion circuit without using an FPGA(field programmable gate array) though the FPGA of a high integrated degree for facilitating logic change is conventionally required for each system since the conversion ratio is different by an applied system.例文帳に追加
標本化周波数変換回路では、その変換比率が適用システムにより異なるため、システム毎に高集積度で論理変更が容易なFPGAが必要とされていたが、FPGAを用いることなく標本化周波数変換回路を実現する事を目的する。 - 特許庁
To provide an integrated circuit manufacturing device and its method and program, for easily executing the change of wiring connection in manufacturing an integrated circuit by arranging cells configured of the combination of a plurality of logic circuits with prescribed array configurations, and integrating them into multi-layer wiring.例文帳に追加
複数の論理回路を組にしたセルを所定の配列形態をもって配置し、多層配線化する集積回路の作製において、配線接続の変更が容易に実行できる集積回路作製装置およびその方法、並びにプログラムを提供する。 - 特許庁
A memory circuit includes an address designation circuit for receiving the addresses of an array, a row decoder, a column decoder and a data bit, a control logic for receiving a command and transmitting a control signal to a memory system block, and a detecting and writing driver circuit connected to a selected column.例文帳に追加
メモリ回路は、アレイ、行デコーダ、列デコーダ、データビットのアドレスを受信するためのアドレス指定回路、コマンドを受信し制御信号をメモリシステムブロックに送信する制御ロジック、ならびに選択された列に結合された検知および書込みドライバ回路を含む。 - 特許庁
A test logic part 14 is provided, which converts an electric signal which is an analog signal generated by a pixel array part 12 provided with a plurality of pixels for photoelectric conversion, to a digital signal by an A/D converter 13 and uses the A/D converted digital signal to verify whether the operation state of each pixel in the pixel array part 12 is normal or not.例文帳に追加
光電変換する複数のピクセルが設けられているピクセルアレイ部12にて生成されたアナログ信号である電気信号を、アナログ−デジタル変換器(A/D)13にてデジタル信号に変換し、アナログ−デジタル変換されたデジタル信号を用いて、ピクセルアレイ部12の各ピクセルの動作状態がが正常か否かを検証するテストロジック部14が設けられている。 - 特許庁
A position for warehousing a cargo by a manned carrier 10 in a flatly placing warehouse is automatically measured by a position measuring system 30 and a position measuring server 50, an absolute physical position being a position of the cargo 20 measured by the stock control system 60 is converted into a relative logic position being a relative cargo array, and stock of the cargo is controlled by the relative logic position.例文帳に追加
平置き倉庫において有人搬送車10により荷物が入庫される位置を位置計測システム30、位置計測サーバ50により自動的に計測し、在庫管理システム60により計測された前記荷物20の位置である絶対物理位置を相対的な荷物の配列である相対論理位置へ変換すると共に該相対論理位置により前記荷物の在庫を管理することを特徴とする。 - 特許庁
The controlling circuit selects a second memory cell in which a reading current flowing after the selection transistor is turned on becomes a maximum value as a second reference cell from a second cell array under a state that the same first logic causing the resistance value to increase is stored in all of a plurality of second memory cells.例文帳に追加
制御回路は、複数の第2のメモリセルの全てに抵抗値が大きくなる同じ第1の論理を記憶させた状態で、選択トランジスタをオンして流れる読み出し電流が一番大きくなる第2のメモリセルを第2の参照セルとして第2のセルアレイから選定する。 - 特許庁
A metal silicide film is formed only on the surface of the gate electrode out of the source, drain diffusion layer, and gate electrode of the first transistor of a memory cell array, and a metal silicide film is formed on the surfaces of the source, drain diffusion layer, and gate electrode of the second transistor of a logic circuit.例文帳に追加
また、メモリセルアレイ部の第1のトランジスタは、ソース、ドレイン拡散層及びゲート電極のうちゲート電極の表面のみに金属シリサイド膜が形成され、ロジック回路部の第2のトランジスタは、ソース、ドレイン拡散層及びゲート電極の表面に金属シリサイド膜が形成される。 - 特許庁
In the reconstructable hardware, which has unit components arranged in the shape of a secondary array so as to transfer the input/output signals among one another and capable of reconstructible an optional logic circuit, a peripheral mechanism for diagnosis, which returns signals transferred between adjacent unit components, is provided.例文帳に追加
二次元アレイ状に配置され隣接する相互間で入出力信号がやりとりされ、任意の論理回路が実現できる単位構成部を持つ再構成可能なハードウェアにおいて、隣接する単位構成部間で相互にやりとりする信号を折り返す診断用周辺機構を設けた。 - 特許庁
A controlling circuit selects a first memory cell in which a reading current flowing after a selection transistor is turned on becomes a maximum value as a first reference cell from a first cell array under a state that the same first logic causing a resistance value to increase is stored in all of a plurality of first memory cells.例文帳に追加
制御回路は、複数の第1のメモリセルの全てに抵抗値が大きくなる同じ第1の論理を記憶させた状態で、選択トランジスタをオンして流れる読み出し電流が一番大きくなる第1のメモリセルを第1の参照セルとして第1のセルアレイから選定する。 - 特許庁
The test module has a register for holding a register value supplied from the control device by performing the test program by the control device, and the gate array for changing the hardware logic by the register value held by the register, and supplying the test data corresponding to the test sequence realized by the test program to the device under test.例文帳に追加
テストモジュールは、制御装置が試験プログラムを実行することによって制御装置から供給されたレジスタ値を保持するレジスタと、レジスタが保持するレジスタ値によりハードウェア論理を変更し、試験プログラムにより実現される試験シーケンスに応じた試験データを被試験デバイスに供給するゲートアレイとを有する。 - 特許庁
A system-on-chip integrated circuit 10 includes a configurable logic array 15, a processor 11, and memories 13, 14 suitable for storing instructions for a mission function and instructions for a configuration loading function to be used for loading configuration data onto the integrated circuit from an external source via an input port in the integrated circuit.例文帳に追加
システムオンチップ集積回路10は、設定可能ロジックアレイ15と、プロセッサ11と、ミッション機能用の命令、外部ソースから集積回路上の入力ポートを介して集積回路上へ設定データをロードするのに用いる設定ロード機能用の命令の格納に適合したメモリ13,14とを備える。 - 特許庁
A system on-chip integrated circuit 10 includes a logic array 15 that can be set, a processor 11, and memories 13, 14 adapted to store instructions for a mission function and instructions for a configuration load function used to load setting data to the integrated circuit via an input port on the integrated circuit from an external source.例文帳に追加
システムオンチップ集積回路10は、設定可能ロジックアレイ15と、プロセッサ11と、ミッション機能用の命令、外部ソースから集積回路上の入力ポートを介して集積回路上へ設定データをロードするのに用いる設定ロード機能用の命令の格納に適合したメモリ13,14とを備える。 - 特許庁
When it is activated, its word line is driven to logic '1', and memory cells of the prescribed numbers can be accessed through an access transistor in a DRAM memory array 12.例文帳に追加
本発明技術によれば、アドレス信号をデコード回路へ印加して夫々のワード線のうちの対応する1つを活性化させ、次いで夫々のワード線の対応する1つをモニタして夫々のワード線の対応する1つが活性化されたか否かを決定し、それによりメモリアレイ及び関連回路が適切に動作しているか否かを決定する。 - 特許庁
A sensor assembly as an embodiment includes a sensor, an analog-digital converter which is configured to digitize a data signal received from the sensor, and an array of logic elements configured to receive data of 1st data transfer on a serial bus and transfer data of 2nd data transfer including information in the signal digitized on the serial bus.例文帳に追加
1つの実施形態によるセンサアセンブリは、センサ、センサから受信したデータ信号をディジタル化するように構成されたアナログディジタル変換器、およびシリアルバス上で第一データ転送を受信して、シリアルバス上でディジタル化した信号内の情報を含む第二データ転送を転送するように構成された論理要素のアレイを含む。 - 特許庁
In this method and device for reducing the average access time to the nonvolatile memory in the read-out phase, the read-out phase is generated from a matrix array 2 in a memory cell having a related logic for recognizing an access address to the memory both in a page mode and a burst mode.例文帳に追加
本発明は、読出しフェーズにおける不揮発性メモリの平均アクセス時間を減少させるための方法と装置に関し、ページ・モードまたはバースト・モードのどちらにおいても、メモリへのアクセス・アドレスを認識するためのロジックが関連付けされたメモリ・セルのマトリックス・アレイ2から、読出しフェーズが発生するものである。 - 特許庁
The electrosurgery generating device has a control system formed with the array of logic gates programmed so as to execute mathematical algorithm for controlling at least one parameter of output power, output voltage, and output current of output electrosurgery signals by a closed loop responding to detected values of output voltage and output current.例文帳に追加
電気外科発生装置は、出力電圧および出力電流の検知した値に応答して、閉ループで出力電気外科信号の出力電力、出力電圧または出力電流の少なくとも1つのパラメータを規制するために数学的アルゴリズムを実行するようにプログラムされた論理ゲートのアレイで形成された制御システムを有する。 - 特許庁
The method includes the step of setting the first input of each full adder circuit to the same fixed value, the step of connecting each respective input bit of the set number of input bits to the second input of a respective one of the full adder circuits, and the step of using the output of the carry chain of the array of the full adder circuits as the result of the logic function.例文帳に追加
前記方法は、前記全加算回路のそれぞれの第1の入力を同じ固定値に設定する工程と、前記所定の数の入力ビットをそれぞれ前記全加算回路の第2の入力に接続する工程と、前記全加算回路のアレイからなる桁上げチェーンの出力を前記論理関数の結果として用いる工程とを備える。 - 特許庁
A CMOS array and a digital logic are produced in the same integrated circuit by using the same processing technology, and a relatively inexpensive high-speed circuit 34 is used to digitally filter a pixel data stream, and a pixel whose value is on the outside of a range prescribed by adjacent pixels and deviations from adjacent pixels are larger than a threshold (t) is discriminated.例文帳に追加
CMOSアレーとディジタル論理とを同じ処理テクノロジを使用して同じ集積回路に製造し、比較的安価で高速の回路(34)を用いて、画素データストリームをディジタル的にフィルタリングし、値が隣接する画素(50,54)によって規定される範囲外にあり、隣接する画素からのずれが閾値(t)より大きい画素(52)を識別する。 - 特許庁
A system-on-chip integrated circuit 10 includes a configurable logic array 15, a processor 11, and memories 13, 14 suitable for storing instructions for a mission function and instructions for a configuration loading function to be used for loading configuration data to a nonvolatile configuration memory in the integrated circuit from an external source via an input port in the integrated circuit.例文帳に追加
システムオンチップ集積回路10は、設定可能ロジックアレイ15と、プロセッサ11と、ミッション機能用の命令、外部ソースから集積回路上の入力ポートを介して集積回路上の不揮発性設定メモリへ設定データをロードするのに用いる設定ロード機能用の命令の格納に適合したメモリ13,14とを備える。 - 特許庁
To solve a problem that data coherency technology and mechanism for confirming coherency of data regarding both of a vector instruction and a scaler instruction become necessary and it is necessary for minimization of software costs and it is realized using the minimum circuit structure regarding fuzzy logic, a neutral network and other parallel array compatible application.例文帳に追加
ファジー論理,ニューラル・ネットワークやその他の並行なアレイ準拠アプリケーションに関しては、ベクタ命令およびスケーラ命令の両方に関してデータのコヒーレンシを確認するデータ・コヒーレンシ技術およびメカニズムが必要になり、それにはソフトウェア経費が最小限で済み、最小限の回路構成を用いて実現できることが必要とされる。 - 特許庁
An optoelectrical transducer includes a photocurrent extraction circuit 3 which extracts a photocurrent from an actually applied optoelectrical transducer alone to be inputted into a switching circuit 4, by specifying a plurality of blocks optionally as the actually applied optoelectrical transducer out of two-dimensional array semiconductor optoelectrical transducers 1 and 2 based on the control of a logic circuit 10.例文帳に追加
本発明の光電変換装置は、ロジック回路10の制御に基づいて、二次元配置半導体光電変換素子1,2の中から任意で複数のブロックを実使用光電変換素子として指定して、当該実使用光電変換素子のみから光電流を抽出して切換回路4へ入力する光電流抽出回路3を具備するものである。 - 特許庁
The integrated image sensor is provided with a photo-site array configured to convert light into an electric signal, an A/D converter configured to convert the electric signal into digital data, and a logic integrated with the image sensor and configured to scale a spatial resolution of the digital image data with an integral or non-integral scaling coefficient.例文帳に追加
本発明で提供する一体型イメージセンサは、光を電気信号に変換するように構成されたフォトサイトアレイと、電気信号をデジタルデータに変換するように構成されたA/D変換器と、イメージセンサと一体であり、デジタル画像データの空間解像度を整数または非整数スケーリング係数でスケーリングするように構成されたロジックと、を備える。 - 特許庁
In an ASIC chip 1 with a built-in DRAM including a large-scale logic circuit 7, or the like, an entire DRAM macro 2 including not only a cell array part 6 of the DRAM but also an internal power supply circuit 4 is formed in a well 5 such as a Deep N well, and power is supplied to the DRAM macro 2 from the internal power supply circuit 4.例文帳に追加
大規模なロジック回路7を含むDRAM内蔵ASICチップ1等において、DRAMのセルアレイ部6のみならず内部電源供給回路4を含めたDRAMマクロ2全体をDeep Nウェル等のウェル5内に形成し、このDRAMマクロの電源供給を前記内部電源供給回路から行うものである。 - 特許庁
In the semiconductor memory device having a control circuit C2 controlling an output of an on-chip compare signal OCC indicating pass/fail of data read from a memory array based on a scan signal SCAN and provided with a logic part, the prescribed terminal PAD out of a plurality of terminals for power source potentials provided in the semiconductor memory device is used for burn-in test.例文帳に追加
バーンイン試験の際に、スキャン信号SCANに基づいて、メモリアレイから読み出したデータのパス/フェールを表すオンチップコンペア信号OCCの出力を制御する制御回路C2を有するロジック部を備えた半導体記憶装置において、半導体記憶装置に設けられた複数ある電源電位用端子のうち所定の端子PADをバーンイン試験用として使用する。 - 特許庁
To provide a reconfigurableintegrated circuit, which is capable of flexibly setting the rate of fundamental tile having logic function and the rate of fundamental tile having input and output function, in the reconfigurable integrated circuit of a structure, in which a circuit block having switch matrix, function block and routing wiring, is employed as a fundamental tile while the fundamental tiles are arranged on the substrate in the shape of array.例文帳に追加
スイッチマトリックス、機能ブロック、およびルーティング配線を有する回路ブロックを基本タイルとし、この基本タイルを基板上にアレイ状に配置した構造の再構成可能集積回路において、ロジック機能を有する基本タイルの割合と、入出力機能を有する基本タイルの割合を柔軟に設定することができる再構成可能集積回路を提供する。 - 特許庁
A cache line or a set, having defects, is deleted using array built-in self-test logic, together with the codes and hardware, a corresponding fuse repair value is distinguished, and call home is conducted by foreseeing the future, when a spare fuse cannot be used.例文帳に追加
アレイ組込みセルフテスト論理をコードおよびハードウェアと共に使用して、欠陥のあるキャッシュ・ラインまたはセットを削除し、対応するヒューズ修理値を識別し、予備ヒューズが使用不能な場合に先を見越してコール・ホームを行い、次のシステム再始動のためにソフト・ヒューズ修理をスケジューリングし、次の再始動時のライン削除をスケジューリングし、削除およびヒューズ修理をテーブルに保管し、ログ記録されていない欠けている削除がある場合にコール・ホームを行う。 - 特許庁
In the nonvolatile semiconductor memory device for programming memory cells which have a first or a second logic status, and for deleting them in sector units in accordance with input data having a plurality of bit information, the memory cell transistors of cell array block and transistors of column decoder block have a plurality of sectors which are formed by sharing a bulk area, to provide a sector structure formed of the shared bulk.例文帳に追加
第1または第2論理状態を有するメモリセルを、複数のビット情報を有する入力データに応じてプログラムしセクタ単位に消去する不揮発性半導体メモリ装置において、セルアレイブロックのメモリセルトランジスタとコラムデコーダーブロックのトランジスタが一つのバルク領域を共有して形成されたセクタを複数有し、共有バルクで形成されたセクタ構造を有する半導体メモリ装置とした。 - 特許庁
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