「memory reference」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The reference layers (40) of the plurality of memory cells (12') include permanent magnets having a high coercivity.例文帳に追加

複数のメモリセル（１２´）それぞれの基準層（４０）は、高保磁力の永久磁石を含む。 - 特許庁

NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY DEVICE HAVING TIMING REFERENCE CONTROL FUNCTION AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME例文帳に追加

タイミングレファレンス制御機能を有する不揮発性強誘電体メモリ装置及びその制御方法 - 特許庁

To provide a technology for generating effectively a reference current in a nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

非揮発性メモリ装置における基準電流を効果的に発生する技術を提供する。 - 特許庁

A measuring section of an allocation amount and data reference frequency is arranged that measures the amount of memory allocated for each thread and data reference frequency, which is set to a table of the allocation amount and data reference frequency.例文帳に追加

各スレッド毎に割付けたメモリ量とデータ参照回数を計測して割付量・データ参照回数テーブルに設定する割付量・データ参照回数計測部を設ける。 - 特許庁

A user carries out information retrieval by inputting a reference time, a reference place, a reference category and a fixed axis, by means of a retrieval condition input means 25 of the information memory retrieval device A(2).例文帳に追加

利用者は、情報記憶検索装置Ａ（２）の検索条件入力手段２５によって、基準時間、基準場所、基準カテゴリ及び固定軸を入力して情報検索を行う。 - 特許庁

A selector control section 26 controls a reference frame selector 25 so that only the determined frame is stored in the reference frame memory 18 by referring to the reference frame history table 24.例文帳に追加

一方、セレクタ制御部２６にて、参照フレーム履歴テーブル２４を参照して、決められたフレームのみを参照フレームメモリ１８へ保存するように、参照フレームセレクタ２５を制御する。 - 特許庁

Meanwhile, a selector control section 26 refers to the reference frame history table 24 and controls a reference frame selector 25 so as to store only the determined frame into the reference frame memory 18.例文帳に追加

一方、セレクタ制御部２６にて、参照フレーム履歴テーブル２４を参照して、決められたフレームのみを参照フレームメモリ１８へ保存するように、参照フレームセレクタ２５を制御する。 - 特許庁

By second release, a reference image corresponding thereto, namely, a reference frame, pre-frames fetched before, a reference image and post-frames photographed thereafter are stored on a memory card 400.例文帳に追加

セカンドレリーズによりこれに対応する基準画像、つまり基準コマと、以前から取り込んでいたプレコマと、基準画像及びそれ以降に撮影されたポストコマとが、メモリカード４００に格納される。 - 特許庁

A database management object 61 divides a reference graph into a plurality of partial reference graphs by adding one or more divided objects to the reference graph on a main memory 31.例文帳に追加

データベース管理オブジェクト６１は、メインメモリ３１上の参照グラフに一又は複数の分割オブジェクトを追加することにより参照グラフを複数の部分参照グラフに分割する。 - 特許庁

To provide a method and a device for controlling an output reference voltage generated by a reference voltage generator arranged on a memory device.例文帳に追加

メモリデバイス上に配置された基準電圧発生器によって生成された出力基準電圧を制御するための方法および装置。 - 特許庁

A spare reference cell SRMC being a spare is arranged with respect to the reference cell RMC of a comparison object of the selective memory sell at the time of reading data.例文帳に追加

データ読出時における選択メモリセルの比較対象となるリファレンスセルＲＭＣに対して、予備となるスペアリファレンスセルＳＲＭＣを配置する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device having a reference memory cell that generates reference potential with less variation and does not need any refresh operation.例文帳に追加

ばらつきが少ない基準電位を生成し尚且つリフレッシュ動作を必要としない基準メモリセルを備えた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

By storing the average value difference in the black reference memory, the storage capacity is reduced compared with when storing the black reference data itself.例文帳に追加

平均値差を黒基準メモリに格納することにより、黒基準データそのものを記憶する場合と比較して記憶容量が低減される。 - 特許庁

The reference element (930) is configured as a reference for protecting the control element (25) when the state of the memory storage element (23) is selectively controlled.例文帳に追加

基準素子(930)は、メモリ記憶素子(23)の状態を選択的に制御するときに制御素子(25)を保護するための基準となるよう構成される。 - 特許庁

REGISTER ARRAY HAVING TIMING REFERENCE SENSING FUNCTION, NONVOLATILE FERROELECTRIC SUBSTANCE MEMORY DEVICE USING THE ARRAY, AND DATA SENSING METHOD USING TIMING REFERENCE例文帳に追加

タイミングレファレンスセンシング機能を有するレジスタアレイ、該アレイを用いる不揮発性強誘電体メモリ装置及びタイミングレファレンスを利用したデータセンシング方法 - 特許庁

According to at least one embodiment, a method comprises measuring (401) drive current of a reference memory cell (110) of a circuit (101), and determining (402), based on the measured drive current of the reference memory cell, a drive current to be supplied to a calibration memory cell (120) of the circuit to mimic a defective memory cell.例文帳に追加

少なくとも１つの実施形態によれば、方法は、回路(101)の基準メモリセル(110)の駆動電流を測定(401)し、基準メモリセルの測定された駆動電流に基づいて、欠陥メモリセルを模倣するために回路の較正メモリセル(120)に供給されるべき駆動電流を決定する(402)ことを含む。 - 特許庁

The computer system is constituted so as to stop supply of clocks when the free memory size of a memory of the computer system is larger than a reference value and to supply the clocks when the free memory size of the memory is smaller than the reference value in order to reduce power consumption in the computer system.例文帳に追加

コンピュータ・システムにおける消費電力を低減する為、コンピュータ・システムのメモリの空きメモリ量が基準値より多い場合、クロックの供給を停止し、前記メモリの空きメモリ量が基準値より少ない場合、クロックを供給するよう構成されてなるコンピュータ・システム。 - 特許庁

To provide a method for writing data in a semiconductor memory device and a semiconductor memory device which suppress a variation in a reading current in a sub-memory region that becomes a reference cell of a memory cell of a semiconductor memory device, and can reduce an erroneous determination when determining the reading current of the memory cell.例文帳に追加

半導体記憶装置のメモリセルの参照セルとなる副記憶領域の読出し電流の変動を抑制して、メモリセルの読出し電流の判定時における誤判定を低減することができる半導体記憶装置へのデータの書込み方法及び半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The ferroelectric memory device comprises a reference potential generation circuit in a system which generates the reference potential by averaging the potential read from two ferroelectric capacitors CD00 and CD20 for reference memory cells storing high-level data and two ferroelectric capacitors CD10 and CD30 for reference memory cells storing low-level data, for example.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置は、例えば、ハイレベルのデータを記憶した２個のリファレンスメモリセル用強誘電体キャパシタＣＤ００、ＣＤ２０と、ローレベルのデータを記憶した２個のリファレンスメモリセル用強誘電体キャパシタＣＤ１０とＣＤ３０から読み出された各電位を平均化して、基準電位を生成する方式のリファレンス電位発生回路を有する。 - 特許庁

Reference image signals in the searching range are read from the cache memory 100 and written in a reference image buffer 407 to be used for searching the motion vector, and the reference image signals of blocks at positions ahead by the prescribed number of blocks in a raster order from the center block of a searching range are read from a reference image frame memory 405 and written in the cache memory 100.例文帳に追加

キャッシュメモリ１００から探索範囲の参照画像信号を読み出して参照画像バッファ４０７に書き込み、動きベクトル探索に供すると共に、探索範囲の中心ブロックからラスタ順で所定のブロック数だけ先行した位置のブロックの参照画像信号を参照画像フレームメモリ４０５から読み出してキャッシュメモリ１００に書き込む。 - 特許庁

The NOR flash memory device comprises a memory cell for storing multi-bit data; a reference voltage generating circuit for generating respectively different reference voltages; a sensing amplifier circuit for serially sensing the multi-bit data which is stored in the memory cell, in response to the different reference voltages; and a selecting circuit for selecting the reference voltage to be provided to the sensing amplifier circuit.例文帳に追加

本発明に従うＮＯＲフラッシュメモリ装置は、マルチビットデータを貯蔵するメモリセルと、相異なる基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、相異なる基準電圧に応答してメモリセルに貯蔵されたマルチビットデータをシリアルセンシングする感知増幅回路と、感知増幅回路に提供される基準電圧を選択する選択回路と、を含む。 - 特許庁

The semiconductor memory device is the semiconductor memory device that stores data in memory cells holding data in accordance with a threshold voltage and that reads out it, and the device includes a reference current generating circuit having a reference current generating part, and an amplifier part outputting a reference current to wiring from an output terminal based on an output of the reference current generating part.例文帳に追加

半導体記憶装置は、しきい値電圧に応じたデータを保持するメモリセルにデータを記憶し、読み出すことが可能な半導体記憶装置であって、基準電流生成部と、基準電流生成部の出力に応じて出力端子から配線に基準電流を出力するアンプ部と、を有する基準電流生成回路を備える。 - 特許庁

The memory structure (20) is constituted of the memory storage element (23), the control element (25) comprising a tunnel-junction device electrically coupled to the memory storage element and configured to control the state of the memory storage element, and a reference element (930).例文帳に追加

メモリ構造(20)は、メモリ記憶素子(23)と、メモリ記憶素子に電気的に結合され、かつ、メモリ記憶素子の状態を制御するよう構成されたトンネル接合デバイスからなる制御素子(25)と、基準素子(930)とから構成される。 - 特許庁

To improve accuracy of bit line reference voltage to read and write data in a memory capacitor MC in a memory in which a differential sense amplifier SA is connected to a pair of bit lines, for example, a ferroelectric memory to read and write data in a memory capacitor MC.例文帳に追加

メモリキャパシタＭＣにおけるデータの読み書きのため、差動型センスアンプＳＡがビット線対と接続されているメモリたとえば強誘電体メモリにおいて、ビット線参照電圧の精度を高める。 - 特許庁

A memory cell left in an initial state is provided without performing write-in/erasure even in an inspection process in a region of a memory cell side storing data, Vt setting of a reference cell is performed performing verifying of the reference cell basing the cell as reference.例文帳に追加

本発明は、データを記憶するメモリーセル側の領域で、検査工程中も書込み／消去を行わず初期状態で残しておくメモリーセルを設け、そのセルを基準としてリファレンスセルのベリファイを行いながら、リファレンスセルのＶｔ設定を行う。 - 特許庁

A method for reading in an MRAM device includes partially switching magnetic moments in a reference memory cell to generate a reference current; measuring a read current through a memory cell to be read; and comparing the read current with the reference current.例文帳に追加

ＭＲＡＭ装置の読取方法は、基準電流を発生するために基準メモリセルの磁気モーメントを部分的に切換え、読取られるメモリセルを通る読取電流を測定し、読取った電流を基準電流と比較するステップを含んでいる。 - 特許庁

The changing step includes: a step for determining a history read reference level of a group of history cells associated with a group of memory cells of a nonvolatile memory cell array; a step for allowing correct reading of the group of history cells; a step for selecting a memory read reference level according to the first read reference level, and a step for reading the nonvolatile memory array cells.例文帳に追加

変更ステップは、不揮発性メモリセルアレイのメモリセルのグループと関連付けられた履歴セルのグループの履歴読出し基準レベルを決定する段階と、履歴セルのグループの正確な読出しを可能にする段階と、第１の読出し基準レベルに応じてメモリ読出し基準レベルを選択する段階と、不揮発性メモリアレイのセルを読出す段階とを含む。 - 特許庁

A DRAM 1, which is the semiconductor storage device where data is read by comparing the potential of a memory cell with the reference potential of a reference cell, is provided with a bit line 14, a bit line 16, a reference cell 20, and a reference cell 30.例文帳に追加

ＤＲＡＭ１は、メモリセルの電位とリファレンスセルの参照電位との比較によりデータの読出しが行われる半導体記憶装置であって、ビット線１４、ビット線１６、リファレンスセル２０、およびリファレンスセル３０を備えている。 - 特許庁

The reference relationship memory 11 stores the reference relationship between a reference DB which is referred to when a predetermined object is derived in other DB (DB: DataBase) and the derived DB which stores the object to be derived from the reference DB.例文帳に追加

参照関係記憶部１１は、他のＤＢ（ＤＢ：DataBase）における所定のオブジェクトの導出時に参照される参照ＤＢと、参照ＤＢから導出されるオブジェクトを格納する導出ＤＢとの参照関係を記憶する。 - 特許庁

The drawing unit 141 arranges the predetermined number of images (near images) located before and after the reference image in a time axis and continuing from the reference image, in the order with reference to the reference image according to the time axis and draws the near images in the image memory 300.例文帳に追加

また、描画部１４１は、時間軸において基準画像の前後に位置して基準画像から連続する所定数の画像（近傍画像）を時間軸に従って基準画像に並べて画像メモリ３００に描画する。 - 特許庁

A corrected reference data determining section decides the corrected reference data, corresponding to the temperature measurement value of the delay member which is measured by a temperature measuring section, based on the reference data set of each of temperature of the delay members stored in the reference data memory section.例文帳に追加

補正参照データ決定部は、参照データメモリ部に格納される遅延部材温度毎の参照データに基づいて、温度計測部によって計測される遅延部材の温度計測値に応じた補正参照データを決定する。 - 特許庁

As an example, the corrected reference data determining section determines a corrected reference data set from among a plurality of reference data sets stored in the reference data memory section, which has a corresponding delay member temperature that is closest in value to the measured temperature value.例文帳に追加

一例として、補正参照データ決定部は、参照データメモリ部に格納される複数の参照データのうち、対応の遅延部材温度が遅延部材の温度計測値に最も近いものを補正参照データに決定する。 - 特許庁

To provide a write reference mesh (WORM) which detects a memory writing operation to a reference position of mesh entry in a memory window mesh and calls an action responding to the detected writing.例文帳に追加

メモリーウインドウメッシュにおけるメッシュエントリーのリファレンス位置へのメモリー書き込みオペレーションを検出し、その検出された書き込みに応答するアクションを呼び出す書き込みリファレンスメッシュ（ＷＯＲＭ）を提供する。 - 特許庁

The memory access circuit comprises a memory, a clock generation circuit for generating a reference clock signal, and a clock delay adjustment circuit for generating a delay clock signal by delaying the reference clock signal.例文帳に追加

メモリと、基準クロック信号を生成するクロック生成回路と、基準クロック信号を遅延して遅延クロック信号を生成するクロック遅延調整回路とを有するメモリアクセス回路を構成する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric random access memory device comprising a reference circuit generating reference voltage being variable in accordance with variation in a polarization state of a ferroelectric capacitor of a memory cell caused by elapse of a time.例文帳に追加

時間の経過によるメモリセルの強誘電体キャパシタの分極状態変化に応じて可変する基準電圧を発生する基準回路を含む強誘電体ランダムアクセスメモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a device for self-reference for a ferroelectric memory cell which does not depend on the secular change of a memory cell and in which a hysteresis region is utilized as much as possible to obtain reference voltage.例文帳に追加

メモリセルの経年変化に依存せずかつ参照電圧を得るためにヒステリシス領域ができるだけ利用される、強誘電体メモリセルの自己参照のための装置を提供することである。 - 特許庁

The semiconductor device includes a plurality of memory cells MC storing data of two bits per one cell; and a first reference cell RC1 and a second reference cell RC2 shared by the plurality of memory cells MC.例文帳に追加

本発明は、１セルあたり２ビットのデータを記憶する複数のメモリセルＭＣと、複数のメモリセルＭＣにより共有される第１リファレンスセルＲＣ１及び第２リファレンスセルＲＣ２を備える。 - 特許庁

The control device 1 includes a timer 2, a pattern 3 memory for deflection electromagnet current, a frequency pattern memory 4, and a frequency reference value correction circuit 5.例文帳に追加

制御装置１は、タイマ２、偏向電磁石電流用パターンメモリ３、周波数用パターンメモリ４、周波数基準値補正回路５を備える。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory MRAM capable of accurately determining data stored in a magnetic memory cell without using any reference cell.例文帳に追加

基準セルを使用せず、マグネチックメモリセルに貯蔵されたデータを正確に判別することができるマグネチックランダムアクセスメモリＭＲＡＭが提供される。 - 特許庁

Alternatively, each time a writing event occurs in a memory in the design data and a memory in the reference data, written data to both the memories are compared.例文帳に追加

あるいは、設計データ内のメモリや参照データ内のメモリに書き込みイベントが発生する毎に、両メモリへの書き込みデータどうしを比較する。 - 特許庁

In a preferable embodiment, a memory cell used in a reference cell programming process is a cell of a memory array having the highest intrinsic threshold value.例文帳に追加

１つの好ましい実施形態では、基準セルプログラミングプロセス中に使用されるメモリセルは、最高固有閾値を有するメモリアレイのセルである。 - 特許庁

To solve the problem in a conventional semiconductor memory device that wrong decision happens by permitting voltage of a memory cell and voltage of a reference cell to be reversed.例文帳に追加

従来の半導体記憶装置においては、メモリセルの電圧とリファレンスセルの電圧とが逆転することにより、誤判定が生じる。 - 特許庁

The electronic control device to be mounted in the vehicle is equipped with a reference data accommodation memory, a data memory failure judging means, and at least two transferring means for a RAM memory.例文帳に追加

この発明による車載電子制御装置は、さらに基準データ格納メモリと、データメモリ異常判定手段と、ＲＡＭメモリに対する少なくとも２つの転送手段を備えている。 - 特許庁

In other preferable embodiment, a memory cell used in the reference cell programming process is an intrinsic cell incorporated in a die comprising a memory cell array, but it is not a cell in the memory cell array.例文帳に追加

他の好ましい実施形態では、基準セルプログラミングプロセス中に使用されるメモリセルは、メモリアレイを含むダイ上に搭載されている固有セルであるが、メモリアレイ内のセルではない。 - 特許庁

Image information which is included in a reference region corresponding to the encoding block of this time and which is not arranged in a second memory 103 amongimage information of a reference frame arranged in a first memory 104 is copied in the second memory 103.例文帳に追加

また第１メモリ１０４に配置されている参照フレームの画像情報の内で、今回の符号化ブロックに対応する参照領域に含まれており、かつ第２メモリ１０３に配置されていない画像情報を第２メモリ１０３にコピーする。 - 特許庁