「n- ion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Ink used in the inkjet recording system comprises tetraazacycloalkane-N, N', N'', N'''-tetraacetic acid as a metal ion scavenger.例文帳に追加

インクジェット記録システムは、使用するインクがテトラアザシクロアルカン‐Ｎ,Ｎ',Ｎ'',Ｎ'''‐四酢酸を金属イオン捕捉剤として含む。 - 特許庁

In a step 30 for identifying ion distribution, existing ion distribution generated with ion injections of n times (n: a natural number) already performed is identified.例文帳に追加

イオン分布特定ステップ３０は、既に実行されたｎ回（ｎは自然数）のイオン注入によって生じた既存のイオン分布を特定する。 - 特許庁

The alkylenediamine-N,N,N',N'-tetraacetic acid-(meth)acrylamide has especially high affinity for a calcium ion and can form a corresponding salt by forming a complex with the calcium ion.例文帳に追加

アルキレンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸−（メタ）アクリルアミドは、カルシウムイオンに対して特に高い親和性を有し、カルシウムイオンと錯体形成して対応する塩を形成し得る。 - 特許庁

Further, the ion species of N type impurity is arsenic As.例文帳に追加

そして、そのＮ型不純物のイオン種を砒素Ａｓにする。 - 特許庁

When a Ge+ ion is, for example, implanted to the III nitride semiconductor to set an n type, an N+ ion is simultaneously implanted, its surface is covered with an SiO2, and heat-annealed.例文帳に追加

III族窒化物半導体に例えばGe^+イオンを打ち込みｎ型にする際、N^+イオンを同時に打ち込み、表面をSiO_2で被覆した上、熱アニールをする。 - 特許庁

A quaternary ammonium salt which has a specific structure of a trimethyl(heptamethyltrisiloxanylpropyl)ammonium salt, bis(heptamethyltrisiloxanylpropyl)ethylmethyl ammonium salt, N-methyl-N-(pentamethyldisiloxanylpropyl)pyrrolidinium salt, N-methyl-N-(heptamethyltrisiloxanylpropyl)pyrrolidinium salt, N-methyl-N-(trimethylsilylmethyl)pyrrolidinium salt or the like is used for the ion liquid.例文帳に追加

トリエチル（ヘプタメチルトリシロキサニルプロピル）アンモニウム塩、ビス（ヘプタメチルトリシロキサニルプロピル）エチルメチルアンモニウム塩、N−メチル−N−（ペンタメチルジシロキサニルプロピル）ピロリジニウム塩、N−メチル−N−（ヘプタメチルトリシロキサニルプロピル）ピロリジニウム塩、N−メチル−N−（トリメチルシリルメチル）ピロリジニウム塩等の特定の構造を有する第４級アンモニウム塩をイオン液体として使用する。 - 特許庁

The contact areas 210, 211 are an n+ type GaN layer which is formed by implanting an n type impurity into the semiconductor layer 203 through an ion implantation method.例文帳に追加

コンタクト領域２１０,２１１は、半導体層２０３にn型不純物をイオン注入法により注入して形成したn+型GaN層である。 - 特許庁

In a step 31 for the calculation of ion distribution, assumed ion distribution which is generated with a (n+1)th ion injection is calculated.例文帳に追加

イオン分布算出ステップ３１は、第（ｎ＋１）回目のイオン注入によって生じると想定されるイオン分布を算出する。 - 特許庁

METHOD FOR CARRYING OUT BATCH BACK EXTRACTION OF ACTINOID ION OF 3 OR 4 VALENCY IN SEPARATION PROCESS SOLVENT INTO HIGH-CONCENTRATION NITRIC ACID SOLUTION BY N, N, N', N'-TETRAETHYL GLYCOL AMIDE例文帳に追加

Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラエチルジグリコールアミドにより分離プロセス溶媒中の３，４のアクチノイドイオンを高濃度の硝酸溶液に一括逆抽出する方法 - 特許庁

After an n-type semiconductor region 8A is formed by introducing an n-type impurity ion, an n-type semiconductor region 8B is formed by introducing an n-type impurity ion at a region that is adjacent to the n-type semiconductor region 8A.例文帳に追加

ｎ型の不純物イオンの導入によりｎ型半導体領域８Ａを形成した後、ｎ型半導体領域８Ａと隣接する領域にｎ型の不純物イオンの導入によりｎ型半導体領域８Ｂを形成する。 - 特許庁

METHOD FOR PREPARING GLYCINE-N,N-DIACETIC ACID DERIVATIVE AS BIODEGRADABLE COMPLEXING AGENT FOR ALKALINE EARTH METAL ION AND HEAVY METAL ION例文帳に追加

アルカリ土類金属−及び重金属イオンのための生物学的に分解可能な錯化剤としてのグリシン−Ｎ，Ｎ−二酢酸−誘導体の製法 - 特許庁

Then, N-type polysilicon films are formed by ion-implanting phosphorus into N-channel MOS-transistor forming regions.例文帳に追加

次に、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ形成領域に燐をイオン注入してＮ型のポリシリコン膜を形成する。 - 特許庁

Ion implantation 108 of n-type impurities is performed, and an n-type extension region 109 is formed.例文帳に追加

そして、ｎ型不純物のイオン注入１０８を行い、ｎ型エクステンション領域１０９を形成する。 - 特許庁

This N-acetyl methionine silver complex is obtained by co-existing a silver compound with the N-acetyl methionine, and coordinating the silver ion with the N-acetyl methionine.例文帳に追加

銀化合物とＮ−アセチルメチオニンとを共存させ、銀イオンにＮ−アセチルメチオニンを配位させて、Ｎ−アセチルメチオニン銀錯体を得る。 - 特許庁

(1) (M^2+ is a divalent metal ion; M^3+ is a trivalent metal ion; A^n- is an n-valent anion; x and m satisfy conditions of 0<x<0.6 and 0≤m<2).例文帳に追加

(M^2+)_1-x(M^3+)_x(OH)_2(SO_4)_0.5x・mH_2O …(1)（但しこれら式中、M^2+は2価の金属イオン、M^3+は3価の金属イオンを示し、A^n-はｎ価のアニオンを示す。また式中、x、a、bおよびmは下記条件を満足する。0＜x＜0.6，0≦m＜2） - 特許庁

In such a case, the impurity ion is prevented from being implanted into the N^+ layer 8.例文帳に追加

この際、不純物イオンがＮ^＋層８に注入されないようにする。 - 特許庁

Meanwhile, the n^+-type diffused region 39 is formed by ion implanting.例文帳に追加

一方、Ｎ＋型の拡散領域３９はイオン注入により形成する。 - 特許庁

In order to form a p-type III nitride semiconductor region, an Mg+ ion is, for example, implanted simultaneously with the N+ ion, its surface is covered with the SiO2, and heat annealed.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体領域を形成するには例えばMg^+イオンをN^+イオンと同時に打ち込み、表面をSiO_2で被覆した上、熱アニールをすれば良い。 - 特許庁

With its high affinity for a calcium ion, the alkylenediamine-N,N,N',N'-tetraacetic acid-(meth)acrylamide can promote its bonding with dental enamel and dentine.例文帳に追加

カルシウムイオンに対する高い親和性に起因して、アルキレンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸−（メタ）アクリルアミドは、歯のエナメル質およびぞうげ質への接着を促進し得る。 - 特許庁

The positive ion Q+ is represented by (CH3)3(C2H5)X+ (X=N, P or As) or (CH3)4X+ (X=N, P or Sb).例文帳に追加

陽イオンＱ^+ は、(ＣＨ_3）_3(Ｃ__2Ｈ_5）Ｘ^+(Ｘ＝Ｎ，Ｐ，Ａｓ）または(ＣＨ_3）_4Ｘ^+(Ｘ＝Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ）で表される。 - 特許庁

An ion packet is reflected, so as to be reciprocated between the first and second ion reflectors and reflected n-times at the second ion reflector 19.例文帳に追加

イオンパケットは、第１および第２のイオン反射器のあいだを行ったり来たりするように反射され、第２のイオン反射器１９においてｎ回反射される。 - 特許庁

Arsenic ion implantation 13 is conducted to a source-drain contact aperture of an N-channel MOS transistor, and ion implantation layers 14 are formed in an N^+ source layer 9 and an N^+ drain layer 10.例文帳に追加

本発明では、ＮｃｈＭＯＳトランジスタのソース・ドレインコンタクト開口部に砒素イオン注入１３を行い、Ｎ^＋ソース層９及びＮ^＋ドレイン層１０内にイオン注入層１４を形成する。 - 特許庁

As a result, the ion implantation for the P body 4a and the ion implantation for the N source 5a are carried out by self alignment.例文帳に追加

これにより、Ｐボディ４ａ用のイオン注入とＮソース５ａ用のイオン注入はセルフアラインで行なわれる。 - 特許庁

This solution comprises an N-acylglutamate and water, wherein the N-acylglutamate is a salt of 1 mol of an N-acylamino acid with 0.35-0.9 mol of a counter ion being a mixture containing potassium and sodium in an equivalent ratio of 20/1 to 1/5.例文帳に追加

Ｎ−アシルアミノ酸の対イオンとしてカリウムとナトリウムの混合物を当量比率２０／１〜１／５で用いてなる界面活性剤水溶液。 - 特許庁

Then, an n-type semiconductor region 8C is formed by introducing an n-type impurity ion into a region that is adjacent to the n-type semiconductor region 8B.例文帳に追加

続いて、ｎ型半導体領域８Ｂと隣接する領域にｎ型の不純物イオンの導入によりｎ型半導体領域８Ｃを形成する。 - 特許庁

N-type dopants are ion-implanted into a portion of an n-type silicon substrate 1 where the charge transferring portion 5 is to be formed (b).例文帳に追加

ｎ型シリコン基板１の電荷転送部５の形成予定部位に、ｎ型の不純物をイオン注入する（ｂ）。 - 特許庁

On an n^+ substrate as an n^+ drain region 11; an n^- drift region 12, a p^- body region 41, and an n^+ source region 31 are formed by epitaxial growth and ion injection.例文帳に追加

まず，Ｎ^+ ドレイン領域１１となるＮ^+ 基板上にエピタキシャル成長およびイオン注入によりＮ^- ドリフト領域１２，Ｐ^- ボディ領域４１およびＮ^+ ソース領域３１を形成する。 - 特許庁

After the ion implantation and the non-crystallization, the n-type silicon substrate 1 is annealed.例文帳に追加

イオン注入及び非晶質化を経た後にｎ型シリコン基板１をアニールする。 - 特許庁

In a step 32 for the calculation of a difference between the ion distribution with the (n+1)th ion injection calculated in the step 31 for calculation ion distribution and the existing ion distribution identified in the step 30 for identifying ion distribution is performed.例文帳に追加

差分計算ステップ３２は、イオン分布算出ステップ３１によって算出された第（ｎ＋１）回目のイオン注入によるイオン分布と、イオン分布特定ステップ３０によって特定された既存のイオン分布との差分を計算する。 - 特許庁

The general formula A:[I_rX_nL_(6-n)]^m (where X denotes a halogen ion or pseudo halogen ion or an arbitrary ligand exclusive of water other than the pseudo halogen ion; (n) denotes 3, 4 or 5; (m) denotes an integer from -5 to +1).例文帳に追加

一般式Ａ［Ｉ_ｒＸ_ｎＬ_（６−ｎ）］^ｍ（式中，Ｘはハロゲンイオンまたは擬ハロゲンイオンまたは擬ハロゲンイオン以外の水を除く任意の配位子、ｎは３、４または５、ｍは−５から＋１までの整数を表す。） - 特許庁

In the formula, XI is a halogen ion or a pseudo-halogen ion other than a cyanate ion; LI is an arbitrary ligand different from XI; n is an integer of 3-5; and m is an integer of -4 to +1.例文帳に追加

（Ｉ）［ＩｒＸ^I_nＬ^I_(6-n)］^m-（Ｘ^Iは、ハロゲンイオンまたはシアン酸イオン以外の擬ハロゲンイオンを表す。Ｌ^IはＸ^Iとは異なる任意の配位子を表す。ｎは３〜５の整数を表す。ｍは−４〜＋１の整数を表す。） - 特許庁

Since the n-type ion-implanted layer 5 and threshold controlling ion-implanted layer 6 are formed by simultaneously implanting n-type ions, the ion-implanted layer 5 can be formed deeply and the sensitivity of the photodiode can be improved.例文帳に追加

ｎ型イオン注入層５としきい値制御イオン注入層６とを同時にｎ型イオン注入して形成することにより、ｎ型イオン注入層５を深く形成でき、フォトダイオードの感度の向上を図れる。 - 特許庁

To provide a device for ion trap mass spectrometry capable of improving the sensitivity of MS^n analysis of an ion trap mass spectrometry device.例文帳に追加

イオントラップ質量分析装置のＭＳ^ｎ分析の感度を向上可能なイオントラップ質量分析装置を実現する。 - 特許庁

When an n+ type source region 4 is formed through ion implantation, an n+ type semiconductor substrate 1 is rotated about the normal of the n+-type semiconductor substrate 1 as the rotational axis, and further ion implantation is carried out obliquely.例文帳に追加

ｎ^+ 型ソース領域４の形成をイオン注入によって形成する際に、ｎ^+ 型半導体基板１の法線を軸としてｎ^+ 型半導体基板１を回転させ、さらにイオン注入を斜めにして行う。 - 特許庁

To provide an ion balance sensor having a good S/N ratio and a static eliminator equipped with it.例文帳に追加

Ｓ／Ｎ比の良いイオンバランスセンサ、および該イオンバランスセンサを備えた除電器を提供する。 - 特許庁

N-type impurities 208 are ion implanted for forming extension source-drain areas 209.例文帳に追加

ｎ型不純物２０８をイオン注入し、エクステンション・ソース・ドレイン領域２０９を形成する。 - 特許庁

The electrolytic liquid 28 contains ion solution of N-methyl-N-propylpiperidinium-bis(trifuoromethanesulfonyl)imide(PP13-TFSI) or the like.例文帳に追加

電解液２８はＮ−メチル−Ｎ−プロピルピペリジニウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（ＰＰ１３−ＴＦＳＩ）、などのイオン液体を含んでいる。 - 特許庁

On a top surface of an epitaxial layer 2, N type impurities are ion-implanted to form N^+ semiconductor layers 5 and 6 as a photodetection portion.例文帳に追加

エピタキシャル層２の表面上にＮ型不純物をイオン注入して、受光部となるＮ^＋半導体層５，６を形成する。 - 特許庁

An n+-type semiconductor region 15 of a second MISFET 14 is formed through ion-injecting n-type impurity into a p-type well 3.例文帳に追加

ｐ型ウエル３にｎ型不純物をイオン注入して第２ＭＩＳＦＥＴ１４のｎ^+型半導体領域１５を形成する。 - 特許庁

On the basis of ionic strength expressed by a peak to the mass-to-charge ratio of ions in results of MS^n, mass spectrometry at the n-th stage, control contents of the next analysis of MS^n are determined for every ion to be analyzed.例文帳に追加

ｎ段階目の質量分析であるＭＳ^n結果で、イオンの質量対電荷比に対するピークで表されたイオン強度に基づき、ＭＳ^nの次の分析の制御内容を分析対象イオン毎に判定するデータ処理する。 - 特許庁

A P type epitaxial layer is provided on an N+ substrate, and a buried N region is formed by ion implantation on a boundary between the N+ substrate and the P type epitaxial layer.例文帳に追加

Ｎ＋基板上に、Ｐ型エピタキシャル層を設け、当該Ｎ＋基板とＰ型エピタキシャル層との境界に埋込Ｎ領域をイオン注入によって形成する。 - 特許庁

In a step 33 for the calculation of ion distribution, a (n+1)th ion distribution is calculated by obtaining a (n+1)th dose from the difference obtained in the step 32 for the calculation of the difference.例文帳に追加

イオン分布計算ステップ３３は、差分計算ステップ３２によって求められた差分から第（ｎ＋１）回目のドーズ量を求めて第（ｎ＋１）回目のイオン分布を計算する。 - 特許庁

The mask 13M for ion implantation is sued to perform the selective ion implantation of boron (^11B^+) deep into the n-type epitaxial growth layer 12.例文帳に追加

イオン注入用マスク１３Ｍを用いて、ｎ型エピタキシャル成長層１２の深い位置に、ボロン（^11Ｂ^+）の選択イオン注入を行う。 - 特許庁

Also gate electrodes of the p-tpe and n-type thin film transistors are formed through second and third mask steps, and steps to dope polycrystalline semiconductor layers of the respective thin film transistors with a p+ ion, an n+ ion, and an n- ion are conducted so as to form a second storage electrode.例文帳に追加

また、第２マスク工程及び第３マスク工程によって、ｐ型及びｎ型の薄膜トランジスタのゲート電極を形成して、前記各薄膜トランジスタの多結晶半導体層にｐ＋イオンと、ｎ＋イオンのドーピング工程及びｎ-イオンのドーピング工程を行い、第２ストレージ電極を形成する。 - 特許庁

An n type dopant N ion 12 is injected selectively into an FS layer schedule region 2a and the JTE schedule region 23b.例文帳に追加

次に、ＦＳ層予定領域２ａおよびＪＴＥ予定領域２３ｂにｎ型ドーパントＮイオン１２を選択的に注入する。 - 特許庁