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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > on top (film)に関連した英語例文

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on top (film)の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1151



例文

In the sound absorber manufacturing method of obtaining a sound absorbing material by sticking the film material on the top surface of the sound absorber, the film material is stuck on the top surface of the sound absorbing base material by a laser welding method.例文帳に追加

吸音基材の表面にフィルム材を貼り付けて吸音材を得る吸音材製造方法において、上記フィルム材をレーザ溶着法によって上記吸音基材の表面に貼り付けるようにしたもの。 - 特許庁

The lower conductor layer 10 comprises an electrode film 11, a first layer 12 formed on top of the electrode film 11 by using electroplating, and a second layer 13 formed on top of the first layer 12 by the PVD or CVD method.例文帳に追加

下部導体層10は、電極膜11と、電気めっき法を用いて電極膜11の上に形成された第1層12と、PVD法またはCVD法を用いて第1層12の上に形成された第2層13とを有している。 - 特許庁

When forming a sub-mount 4, the pattern of an oxide film, which has a certain width of groove on the top, is made by growing an SiO2 film on the face (100) of a silicon substrate 41, both whose sides of top and bottom are polished.例文帳に追加

サブマウント4を形成するとき、上下両面が研磨されたシリコン基板41の(100)面にSiO_2膜を成長させて上面に一定幅の溝を有する酸化膜のパターンをつくる。 - 特許庁

A memory cell includes a gate electrode 10A which is formed on a substrate 1 through a laminate insulating film consisting of a bottom oxide film 7A, a charge storage layer 8A, and a top oxide film 9A, and the thickness of the bottom oxide film 7A is larger than that of the top oxide film 9A.例文帳に追加

基板1上に、ボトム酸化膜7Aと電荷蓄積層8Aとトップ酸化膜9Aからなる積層絶縁膜を介して、ゲート電極9Aが形成され、ボトム酸化膜7Aの膜厚はトップ酸化膜9Aの膜厚よりも厚く形成されている。 - 特許庁

例文

In the semiconductor device manufacturing method, a polysilicon film 9 and a silicon nitride film 10 are deposited on top face of an epitaxial layer 4.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法では、エピタキシャル層4上面にポリシリコン膜9及びシリコン窒化膜10を堆積する。 - 特許庁


例文

A sealing film 28 made of epoxy resin etc., is formed on the top surface of the lower insulating film 1 including the semiconductor construct 2.例文帳に追加

次に、半導体構成体2を含む下層絶縁膜1の上面にエポキシ系樹脂等からなる封止膜28を形成する。 - 特許庁

Then a 2nd insulator layer 12B is formed on the top surfaces of the 1st light-shielding film 11a and 1st insulator film 12A.例文帳に追加

次に、第1遮光膜11aと第1の絶縁体層12Aの表面上に第2の絶縁体層12Bを形成する。 - 特許庁

On the top surface of the overcoat film 20 including the insulating film 23, a pixel electrode 5 made of ITO is provided.例文帳に追加

絶縁膜23を含むオーバーコート膜20の上面にはITOからなる画素電極5が設けられている。 - 特許庁

On the dielectric film, an iridium film 86 is formed at regions facing the top surfaces of the second protrusions 62b.例文帳に追加

強誘電体膜上のうち、第2の凸部の頂面と対向する領域にイリジウム86を形成する。 - 特許庁

例文

An SOG solution is applied and baking is performed to a coated insulation film 6, and the film 6 on the top surface of the resist 5 is removed.例文帳に追加

そしてSOG溶液を塗布しベーキングを行うことにより塗布系絶縁膜6を形成し、レジスト5上面の塗布系絶縁膜6を除去する。 - 特許庁

例文

This cold cathode has layers on a Si substrate 1 formed from bottom to top in the following order: a boron nitride film 2, a SiO2 layer 3 and a metal thin film 4.例文帳に追加

Si基板1の上に窒化硼素膜2が形成され、その上SiO_2層3が形成されており、さらにその上に金属薄膜4が形成されている。 - 特許庁

A second coating film is formed on the first coating film, using a top coat containing a pigment, sodium silicate and acrylic emulsion.例文帳に追加

そして、第1塗膜上に、顔料、珪酸ナトリウム、及びアクリルエマルジョンを含有する上塗り塗料を用いて第2塗膜が形成されている。 - 特許庁

Then, a sealing film 28 consisting of epoxy resin, or the like, is formed on the top face of the lower layer insulating film 1, including the semiconductor structure body 2.例文帳に追加

次に、半導体構成体2を含む下層絶縁膜1の上面にエポキシ系樹脂等からなる封止膜28を形成する。 - 特許庁

The external connection terminal 28 penetrates the insulation film 26 and is connected to the rewiring part 24 and exposed on a top face of the insulation film 16.例文帳に追加

外部接続端子28は、絶縁膜26を貫通し再配線24に接続され、絶縁膜26の上面から露出する。 - 特許庁

To provide a method of making a thin film capacitor on a metal foil by using a thick film top electrode.例文帳に追加

厚膜上部電極を使用して金属箔上に薄膜コンデンサを作製する方法を提供すること。 - 特許庁

To prevent contamination in the manufacture process for the top face side of a substrate even when a transparent conductive film such as an ITO film is formed on the back face.例文帳に追加

裏面側にITOなどの透明導電膜を形成しても、表面側の製造工程で汚れが生じないようにする。 - 特許庁

When the bump electrode is used, an insulating film on the bump connection part 15 is provided with an opening part, and the top of the bonding pad 16 is covered with the insulating film.例文帳に追加

バンプ電極を用いる場合にはバンプ接続部15上の絶縁膜に開口部を設け、ボンディングパッド16上は絶縁膜で覆う。 - 特許庁

The film heater 5 is made of a conductive film provided on the lower surface of the top plate 1 by deposition.例文帳に追加

膜状ヒータ5は、トッププレート1の下面に成膜により設けた導電性被膜により構成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a glass film, in which the glass film having the same composition and the same thickness is formed on both the top and under surfaces of a substrate, and an apparatus for manufacturing the same.例文帳に追加

基板の上下両面に同一組成、同一膜厚のガラスを成膜するガラス膜の形成方法及びその製造装置を提供する。 - 特許庁

On the top surface of a reinforced film 1 (for example, a PTFE film)which becomes porous as it is drawn, a laminated body 3 is made up which laminates two electrolyte resin materials 2.例文帳に追加

延伸することにより多孔質化する補強膜(例えば、PTFE膜)1の表面に電解質樹脂2,2を積層した積層体3を作る。 - 特許庁

Clear coating film 2 with coloring pigment dispersed therein and top full-gross clear coating film 6 are laminated one after another on a metal board 1 that is a substrate having metallic luster.例文帳に追加

金属光沢をもつ基材・金属板1に発色顔料分散クリア塗膜2,トップフルグロスクリア塗膜6を順次積層している。 - 特許庁

A patterned thin-film conductor 2 is formed by thin-film technology on at least one of the top and reverse surfaces of the core substrate 1.例文帳に追加

コア基板1の表裏面の少なくともいずれかに薄膜形成技術によってパターニングされた薄膜導体2を形成する。 - 特許庁

The top surface of the secondary insulating film is polished for the planarizing process until the primary insulating film formed on the main plane of the silicon substrate 11 is exposed.例文帳に追加

第2の絶縁膜の表面を、シリコン基板11の主面に形成された第1の絶縁膜が露出するまで研磨して平坦化処理する。 - 特許庁

A shielding conductor film 411 is formed on one face of a top surface and a rear surface of a film 7 adhered to an approximate belt-like elastic body 406.例文帳に追加

ほぼ帯状の弾性体406に貼付されるフィルム7の表面と裏面とのうちの一方の面にシールド用導体膜411を形成する。 - 特許庁

A second element isolation insulating layer in a peripheral region includes the first oxide film that is embedded in the entirety of a second element isolation groove in the peripheral region and whose top surface protrudes above the top surface of the semiconductor substrate and a second oxide film that is stacked on the first oxide film and whose top surface protrudes above the top surface of a first conductive film.例文帳に追加

周辺領域の第2素子分離絶縁層は、周辺領域の第2素子分離溝内の全体に埋込まれると共にその上面が半導体基板の上面の上方に突出した第1の酸化膜と、当該第1の酸化膜上に積層され、その上面が第1導電膜の上面より上方に突出している第2の酸化膜とで構成されている。 - 特許庁

The reflective electrode layer 14 has a conductive base film 14a laminated on the top surface of the film substrate 13 and formed of Cu or a Cu alloy, and a conductive reflection film 14b laminated on the top surface of the conductive base film 14a and containing Ag.例文帳に追加

反射電極層14は、フィルム基板13の上面に積層されCu又はCu合金により形成された導電性ベース膜14aと、この導電性ベース膜14aの上面に積層されAgを含む導電性反射膜14bとを有する。 - 特許庁

A carbon graphite layer 6 made of light-shielding film is formed (d) and a graphite stripe film 7 of a stripe shape is formed by etching (e) it, and a second resist film 8 of a stripe shape is formed on top of it (f), and then, a carbon graphite film 10 is formed on its top (g).例文帳に追加

遮光性膜のカーボングラファイト層6を形成し(d)、エッチングによりストライプ状のグラファイトストライプ膜7を形成し(e)、その上にストライプ状の第2レジスト膜8を形成し(f)、その上にカーボングラファイト膜10を形成する(g)。 - 特許庁

A NO-oxynitride film 12 is formed as bottom oxide film on a semiconductor substrate 11, a tantalum oxide film 13 is formed as an intermediate film on the NO-oxynitride 12, a TEOS film 14 is formed as top oxide film on the tantalum oxide film 13, and then the substrate is heat-treated under N2O atmosphere.例文帳に追加

半導体基板11上に底部酸化膜としてNO-オキシナイトライド膜12を形成し、NO-オキシナイトライド膜上に中間酸化膜としてタンタル酸化膜13を形成し、次に、タンタル酸化膜上に上部酸化膜としてTEOS膜14を形成し、基板をN_2O雰囲気で熱処理する。 - 特許庁

The manufacturing method forms an interlayer insulating film 105 and a hard mask film pattern 106a on a semiconductor substrate 101, and forms a spacer film 109 which covers the top surfaces of the interlayer insulating film 105 and hard mask film pattern 106a.例文帳に追加

半導体基板101上に層間絶縁膜105とハードマスク膜パターン106aを形成し、それらの表面を覆うようにしてスペーサ膜109を形成する。 - 特許庁

To provide a forming method for a laminated coating film having excellent appearance by controlling concordance or inversion in the boundary between each coating film layer in the case of applying successively a water based intermediate coating film and a top coating film on an under coating film.例文帳に追加

下塗り塗膜上に、水性中塗り塗膜及び上塗り塗膜を順次塗装した場合の、各塗膜層間の界面でのなじみや反転を制御した高外観を有する積層塗膜の形成方法を提供することにある。 - 特許庁

The process of forming the top electrode comprises processes of forming an interlayer insulation film on the base film 8 and on the dielectric film 12, forming an opening existing above the dielectric film in the interlayer insulation film, depositing a conductor inside the opening and on the interlayer insulation film, and forming the top electrode by removing the conductor from above the interlayer insulation film.例文帳に追加

上部電極を形成する工程は、下地膜8上及び誘電体膜12上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜に、誘電体膜上に位置する開口部を形成する工程と、開口部の中及び層間絶縁膜上に導電体を堆積する工程と、層間絶縁膜上から導電体を除去することにより上部電極を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 15 is formed on a semiconductor substrate 11 on which a transistor is formed, and on the top of the interlayer, wiring 18 is formed.例文帳に追加

トランジスタが形成された半導体基板11に 層間絶縁膜15が形成され、この上に配線18が形成される。 - 特許庁

The structure of this piezoelectric sensor 10 wherein a lower electrode 2, a piezoelectric thin film 3, and a top electrode 4 are provided on a substrate 1, has moreover an air gap layer 6 between the thin film 3 and the top electrode 4.例文帳に追加

本発明の圧電センサ10は、基板1上に下部電極2、圧電体薄膜3および上部電極4を設ける構造において、圧電体薄膜3と上部電極4との間に空隙層6をさらに設けた構成である。 - 特許庁

The outer periphery and the top surface of the mouth of the glass container are covered with a resin film, and a lid material is stuck to the resin film on the top surface of the mouth by heat sealing for hermetically sealing.例文帳に追加

ガラス容器の口部外周及び口部天面を樹脂フィルムで被覆し、その口部天面の前記樹脂フィルムに蓋材をヒートシールにより接着し、密封する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device called CSP in which the periphery of an electrode for external connection is covered with a sealing film and burrs are prevented from being produced on the top face of the electrode for external connection when grinding the top face side of the sealing film.例文帳に追加

外部接続用電極の周囲を封止膜で覆ったCSPと呼ばれる半導体装置において、封止膜の上面側を研削するとき、外部接続用電極の上面にバリが発生しないようにする。 - 特許庁

The sheet-like key top is formed by arranging a molded resin key top on a film, which is mounted so as to cover an upper part of a core piercing through the film.例文帳に追加

成形された樹脂キートップがフィルムに配置されているシート状キートップにおいて、樹脂キートップを、フィルムを貫通するコアの上部を被覆する如く装着した - 特許庁

To efficiently manufacture a thin-film circuit board which makes it possible to process the surface of an organic insulating film and remove an oxide film on the top surface of a lower thin-film electrode at the same time and has superior adhesive strength between the organic insulating film and upper thin-film electrode and superior conduction reliability between an upper thin-film electrode and the lower thin-film electrode.例文帳に追加

有機絶縁膜の表面処理と、下部薄膜電極の表面の酸化膜の除去を同時に行うことが可能で、有機絶縁膜と上部薄膜電極の密着強度及び上部薄膜電極と下部薄膜電極の導通信頼性に優れた薄膜回路基板を効率よく製造する。 - 特許庁

The electromagnetic wave noise prevention sheet 5 is formed of a translucent film, a translucent metal film on a film pasted on top of it, and a metal wire-net having a numerical aperture of 95% made of indium tin oxide pasted on the top of it.例文帳に追加

電磁波ノイズ防止シート5は、透光性フィルム、その上部に貼り付けられた薄膜上の透光性金属フィルム、およびその上部に貼り付けられた、酸化インジウムスズからなる開口率が95%の金網から形成される。 - 特許庁

A gate structure formed on a semiconductor substrate 101 comprises the insulation film 104 having a high dielectric constant, and a reaction prevention layer 105 which is formed on top of the insulation film 104 and composed of a silicon oxide film or a silicon oxide nitride film.例文帳に追加

半導体基板101に形成されたゲート構造は、高誘電率絶縁膜104及びその上にシリコン酸化膜もしくはシリコン酸窒化膜からなる反応防止層105から構成される。 - 特許庁

The transparent conductive film has an Al_2O_3 thin film formed on an organic polymer film base material, on top of which, a GZO thin film as ZnO doped with Ga is formed.例文帳に追加

有機高分子フィルム基材上に、Al_20_3薄膜が形成されており、その上にGaをドープしたZnOであるGZO薄膜が形成されていることを特徴とする透明導電フィルム。 - 特許庁

Since the resin film 9 is not present on a top 22d and a bottom 22e of the key top 22, a further reduction in thickness is realized independently of the foldability of the resin film 9 and drawing accuracy disturbing the reduction in thickness, and the display part 23a at the bottom 22e of the key top can be made clearly visible.例文帳に追加

このためキートップ22の上面22dや底面22eには樹脂フィルム9がないから、低背化を阻害していた樹脂フィルム9の折れ性や絞り成型の精度に関わりなく更なる低背化と、キートップ底面22eの表示部23aを明瞭に視認できる。 - 特許庁

A key top body with a film plate 1 has a structure in which a plurality of key tops 10-1 to 10-5 (a center key top 10-1 and outer periphery key tops 10-2 to 5) are formed by molding a plurality of key top bodies 30 on a film plate 20.例文帳に追加

フイルム板20に複数のキートップ本体30を成形することで複数のキートップ10−1〜5(中央キートップ10−1と外周キートップ10−2〜5)を形成してなる構造のフイルム板付きキートップ体1である。 - 特許庁

The photoluminescent coating film forming method is performed by forming the color base coating film layer containing the colored aluminum flake pigment on a base material, a photoluminescent clear coating film layer on the color base coating film layer and a top clear coating film layer on the photoluminescent clear coating film layer.例文帳に追加

基材に、着色アルミニウムフレーク顔料を含有するカラーベース塗膜層を形成した後、上記カラーベース塗膜層上に光輝性クリヤー塗膜層を形成し、さらに上記光輝性クリヤー塗膜層上にトップクリヤー塗膜層を形成する光輝性塗膜形成方法。 - 特許庁

A method includes the steps of laminating a new interlayer film 3C on an interlayer film 3A on the undersurface, of which an alignment mark 2B is formed, subjecting the top surface to planarization, and forming a new alignment mark 2C in a portion 32, located directly above the alignment mark 2B of the top surface of the interlayer film 3C.例文帳に追加

下面にアライメントマーク2Bが形成された層間膜3Aの上に、新たな層間膜3Cを積層してその上面を平坦化処理し、層間膜3Cの上面のうち、上記アライメントマーク2Bの直上に位置する部分32に新たなアライメントマーク2Cを形成する。 - 特許庁

The covering state of an insulating film 9 reflecting a step in a contact hole 61 linking the dummy electrode 8 to a wiring layer 5 is such that the thickness T3 of the insulating film on top of the dummy electrode 8 is smaller than the thickness T30 of the insulating film on top of the detecting electrode 7.例文帳に追加

ここでは、ダミー電極8と配線層5を繋げるコンタクト孔61の段差を反映させた絶縁膜9の被覆状態が、検出電極7上部の絶縁膜の厚さT30よりも、ダミー電極8上部の絶縁膜の厚さT31が小さくなるように構成されている。 - 特許庁

In a period film and the like, often a criminals is put on a bareback horse, but in reality a horse used for shichu-hikimawashi was saddled with a straw mat on top. 例文帳に追加

時代劇等では罪人は鞍の付いていない裸馬に乗せられているが、実際は菰を引いた鞍の上に乗せられていた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The ion generating electrode is composed of an electrode main body 12 having a needle part 13 on its top end and a nickel plated film 20 formed on the electrode main body.例文帳に追加

イオン発生電極は、先端に針状部13を有する電極本体12と、電極本体に形成されたニッケルメッキ膜20とよりなる。 - 特許庁

For the vibration-proof material 2, a polyethylene film is stuck on the top surface of laminar butyl rubber and an adhesion layer is formed on the reverse surface.例文帳に追加

制振材2は、層状のブチルゴムの上面にポリエチレンフィルムを貼着し、下面に接着層が形成されている。 - 特許庁

A dielectric thin film 3 having a prescribed temperature coefficient of electrostatic capacitance is formed on the top face of a lower electrode 2 formed on a board 1.例文帳に追加

基板上1に設けた下部電極2上面に所定の静電容量温度係数を持つ誘電体薄膜3を設ける。 - 特許庁

例文

The micro and porous film may be formed on the bottom face of the piston 5 on the opposite side of the top face 5a.例文帳に追加

ピストン5の頂面5aの反対側の底面にもミクロ的に多孔質な被膜を設けてもよい。 - 特許庁

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