「on top (film)」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

These memory cell transistors MT respectively include a charge trap film 4 on the top face of or above the active region Sa via a tunnel insulation film 3, with the charge trap film 4 having a charge accumulating function.例文帳に追加

これらのメモリセルトランジスタＭＴは、それぞれ、活性領域Ｓａの上面上または上方にトンネル絶縁膜３を介して電荷蓄積機能を有する電荷トラップ膜４を備えている。 - 特許庁

A charge transfer electrode 14a which transfers the signal charge in the charge transfer portion 4 and comprises a metal material film is provided on the top of the thick film portion 5a of the gate insulating film 5 which covers the charge transfer portion 4.例文帳に追加

電荷転送部４上を被覆する、ゲート絶縁膜５の厚膜部５ａ上には、電荷転送部４内の信号電荷を転送する、金属材料膜からなる電荷転送電極１４ａが設けられる。 - 特許庁

The second interlayer insulating film inclines to a surface of the substrate on the side which wraps the channel area (1a') from a slanting upper part in the peripheral are and has a refractive index lower than those of the top interlayer insulating film and the first interlayer insulating film.例文帳に追加

第２層間絶縁膜は、周縁領域においてチャネル領域（１ａ’）を斜め上方から包む側に基板の面に対して傾斜しており、上側層間絶縁膜及び第１層間絶縁膜よりも低い屈折率を持つ。 - 特許庁

To obtain a metal surface treating agent having excellent electroconductivity and corrosion resistance of coating film and excellent coating adhesivity in forming a top coating film on the coating film, to provide a method for metal surface treatment and to obtain a surface treated metal material.例文帳に追加

皮膜の導電性と耐食性に優れ、また、皮膜上に上塗り塗膜を形成した時の塗装密着性に優れた金属表面処理剤、金属表面処理方法および表面処理金属材料を提供する。 - 特許庁

A piezoelectric thin film filter 1 has such a structure that an adhesion layer 12, a cavity forming film 13, a reverse-surface electrode 15, a piezoelectric thin film 16, and a top-surface electrode 17 are laminated in this order on a support material 11.例文帳に追加

圧電薄膜フィルタ１は、支持基板１１の上に、接着層１２、キャビティ形成膜１３、下面電極１５、圧電体薄膜１６及び上面電極１７をこの順序で積層した構造を有している。 - 特許庁

Thus, damages given to the wiring of the top layer of the semiconductor chip 1 by the generation of cracks on a protective film 4 by the film stress of the metal film forming the electrode 5 for the external connection are reduced.例文帳に追加

これにより、外部接続用電極５を形成する金属膜の膜応力により保護膜４にクラックが生じて半導体チップ１の最上層の配線へ与えるダメージを低減することができる。 - 特許庁

Since only an exposed side surface of the Sn solder film 3 is oxidized by a cell reaction of Ag and Sn even in a wet process, a top surface of the Ag film 4 on the solder film, which exerts an influence upon connection, is not oxidized.例文帳に追加

ウェットプロセスでも、ＡｇとＳｎの電池反応により、露出したＳｎはんだ膜３の側面のみが酸化されるため、接続に影響を及ぼす、はんだ膜上のＡｇ膜４上面は酸化されない。 - 特許庁

At this time, the two resistance bodies have the same resistance value and the same shape, the metal thin film is etched by using the etched insulating film for the mask as a mask and an insulating film for passivation is formed on the top surface.例文帳に追加

このとき２つの抵抗体は同じ抵抗値、同じ形になるようにし、エッチングしたマスク用絶縁膜をマスクとして、金属薄膜をエッチングし、表面にパッシベーション用の絶縁膜を成膜する。 - 特許庁

The pad 18 consists of a two-layer film where an Au film 19b is laminated on a Ni film 19a, and is formed integrally to cover the top face and the side face of the rewiring 15.例文帳に追加

パッド１８は、Ｎｉ膜１９ａの上部にＡｕ膜１９ｂを積層した２層膜からなり、再配線１５の上面および側面を覆うように一体形成されている。 - 特許庁

The rolled film bearing board 40 has a recession 40a which receives the law material film 14 on its top face, and is so formed that the rolled film 14, which is transferred from both rollers 20 and 21 onto the recession 40a, is parallel in axial direction with both rollers 20 and 21.例文帳に追加

原反フィルム置台は、その上面に原反フィルムを受ける凹部４０ａを有し、両ローラ上から凹部上に載せ替えられた原反フィルムの軸方向と、両ローラとが平行に位置するように構成する。 - 特許庁

Then the connection hole 16 to the protective film 10, and the wiring groove 17 which communicates with the top of the connection hole 16, are formed in the first insulating film 11 and second insulating film 12 on the lower-layer wiring 9.例文帳に追加

次に、下層配線９上の第１絶縁膜１１および第２絶縁膜１２に、保護膜１０に達する接続孔１６と接続孔１６の上部に連通する配線溝１７を形成する。 - 特許庁

In this magnetic head comprising the main magnetic pole (12) and the shield (13) arranged on a top face and side faces of the main magnetic pole through the non-magnetic film (30), at least a portion of the non-magnetic film is made of a metal film and is formed by plating.例文帳に追加

主磁極(12)と主磁極の上面及び側面に非磁性膜(30)を介して配置されたシールド(13)とを具備する磁気ヘッドにおいて、非磁性膜の少なくとも一部を金属膜とし、めっきで形成する。 - 特許庁

Then an insulating film 7, having a thickness that can sufficiently cover residues 5a, is formed on the interlayer insulating film 2, and another connecting hole 8 is formed by removing the insulating film 7 from the top of the connecting hole 4.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜２上に残渣５ａを十分に覆うことができる膜厚の絶縁膜７を形成し、さらに接続孔４の上方の部分の絶縁膜７を除去して接続孔８を形成する。 - 特許庁

To provide a protective film having direction confirmation marks formed not to obstruct a member inspection from the top of the protective film when laminated on a member, while the direction of the protective film is confirmed.例文帳に追加

保護フィルムの方向は確認できるが、部材に張り合わせた時には、保護フィルムの上からの部材検査に邪魔にならないような方向確認用マークを有する保護フィルムを提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a multifunctional retention material of a film house, fixable and holdable by freely connecting and developing according to a scale of a film house, and stably holding and arranging a sprinkler hose on the top of a film house.例文帳に追加

フィルムハウスの規模に合わせて自在に連結展開し固定保持ができ、且散水ホースもフィルムハウス頂部に安定して保持配置できるフィルムハウスの多機能保持材を提供する。 - 特許庁

Accordingly, when an interlayer insulating film Z is embedded in the gate electrode isolation region GV on the second gate insulating film 7, it may be embedded up to the top face of the second gate insulating film 7.例文帳に追加

このため、第２のゲート絶縁膜７上のゲート電極分離領域ＧＶに対して層間絶縁膜Ｚを埋込むときには第２のゲート絶縁膜７の上面まで埋込めばよい。 - 特許庁

To prevent an organic thin film from being damaged which becomes a foundation when a transparent electrode is film-formed on the organic thin film in manufacturing an organic electroluminescent element such as a transparent, and a top-emission type organic electroluminescent element.例文帳に追加

透明有機電界発光素子やトップエミッション型有機電界発光素子などの有機電界発光素子の製造において、有機薄膜上に透明電極を成膜する際に、下地となる有機薄膜にダメージを与えないようする。 - 特許庁

The key top 20 positioned on a light emitting surface side of the EL sheet 10, on which an EL layer 12 is formed on a transparent substrate 11 such as PET film is adhered and fixed by an adhering layer 30 provided with a 2 layer structure consisting of a first layer 31 on the EL sheet side and a second layer 32 on the key top side.例文帳に追加

ＰＥＴフィルム等の透明基材１１にＥＬ層１２が形成されいるＥＬシート１０の発光面側に位置するキートップ２０は、ＥＬシート側の第１層３１とキートップ側の第２層３２とからなる２層構造を有する接着層３０によって貼着固定されている。 - 特許庁

The adhesive film 1 is formed by coating on a substrate a first varnish comprising the first thermoplastic resin and a second varnish comprising the second thermoplastic resin, one on top of the other, and drying to form the film on the substrate.例文帳に追加

接着フィルム１は、第１熱可塑性樹脂を含む第１ワニスと第２熱可塑性樹脂を含む第２ワニスとを基材上に重ねて塗布した後、乾燥することによって基材上に形成される。 - 特許庁

The method further includes a step of floating a transfer film 16 made by printing a plurality of the patterns 13 on a water soluble film substrate 15 on a water surface W and spraying an adhesive on a top surface of the pattern 13.例文帳に追加

水溶性フィルム基体１５に複数の模様１３を印刷してなる転写フィルム１６を水面Ｗに浮かべて模様１３の上面に接着剤を噴霧する。 - 特許庁

In the transparent gas barrier film, at least a metal oxide thin film layer and a top coat layer are formed on one surface of a plastic film in order, the metal oxide thin film layer is an aluminum oxide thin film layer, and the top coat layer includes at least a polyurethane-based resin and polyvinyl alcohol.例文帳に追加

本発明の透明ガスバリアフイルムはプラスチックフイルムの片面に、少なくとも金属酸化物薄膜層、トップコート層が順次形成されている透明ガスバリアフイルムにおいて、金属酸化物薄膜層を酸化アルミニウム薄膜層とし、トップコート層が少なくともポリウレタン系樹脂、及びポリビニルアルコールを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The control section coats the metal nitride film BM2 under film-depositing conditions corresponding to film-depositing condition data, so that the film thickness of the metal nitride film BM2 positioned on the bottom of the via hole VH is thinner than a reference film thickness and the thickness of the metal nitride film BM2 positioned on the top of the via hole VH is thicker than the reference film thickness.例文帳に追加

そして、制御部が、成膜条件データに対応する成膜条件の下で金属窒化膜ＢＭ２を被覆させ、ビアホールＶＨの底部に位置する金属窒化膜ＢＭ２の膜厚を基準膜厚よりも薄く形成し、かつ、ビアホールＶＨの上部に位置する金属窒化膜ＢＭ２の膜厚を基準膜厚よりも厚く形成させた。 - 特許庁

After forming a third silicon oxide film on top of the silicon substrate 1 by film formation via the second silicon nitride film pattern 11, the third silicon oxide film is plasma-nitrided via the second silicon nitride film pattern 11.例文帳に追加

次いで、第２のシリコン窒化膜パターン１１を介した成膜によって、シリコン基板１の上に第３のシリコン酸化膜を形成した後、第２のシリコン窒化膜パターン１１を介してこの第３のシリコン酸化膜に対しプラズマ窒化処理を行う。 - 特許庁

The microfabrication method has a step for forming an antireflection film 21 comprising DLC(diamond-like carbon) on a base film, a step for coating the top of the antireflection film 22 with a photoresist film 23 and a step for exposing and developing the photoresist film 23.例文帳に追加

本発明に係る微細加工方法は、下地膜上にＤＬＣからなる反射防止膜２１を成膜する工程と、この反射防止膜２２上にフォトレジスト膜２３を塗布する工程と、このフォトレジスト膜２３を露光、現像する工程と、を具備するものである。 - 特許庁

In the regions, on both sides of the top face of the film in contact with the first electrode film 16 out of the multilayer film 18 with the second electrode film 17 in-between, a source electrode 12 and a drain electrode 13 are formed in contact with the ferroelectric film 15, respectively.例文帳に追加

積層膜１８のうちの第１の電極膜１６と接する膜の上面における第２の電極膜１７を挟んで両側の領域には、強誘電体膜１５と接するソース電極１２及びドレイン電極１３とが形成されている。 - 特許庁

An ohmic contact layer-forming film 25 of n-type amorphous silicon is deposited on the top surface of a semiconductor film-forming film 21 of intrinsic amorphous silicon, containing a first channel protective film 5 of silicon nitride and a second channel protective film 6 of shading metal.例文帳に追加

窒化シリコンからなる第１のチャネル保護膜５および遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６を含む真性アモルファスシリコンからなる半導体膜形成用膜２１の上面にｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層形成用膜２５を成膜する。 - 特許庁

To provide a base coat coating composition which can inhibit the crack of a metal thin film, even if a firm top coat layer, which can sufficiently protect the metal thin film, is formed on the metal thin film, and heat test is performed, and to provide a composite coating film and a method for manufacturing the film.例文帳に追加

金属薄膜を十分に保護できる強固なトップコート層を金属薄膜上に形成したり、耐熱試験を行ったりしても、金属薄膜の割れを抑制できるベースコート塗料組成物、および複合塗膜とその製造方法を提供する。 - 特許庁

When formed on a substrate, it is preferable that the porous titanium oxide coating film has a continuous or gradual concentration gradient such that the concentration of the titanium oxide structures (A) at a point away from the interface of the coating film and the substrate in the coating film becomes higher as the point becomes closer to the top surface of the coating film in the thickness direction of the coating film.例文帳に追加

基板上に形成される際には、膜厚方向に、基板との界面から最表面に近づくにしたがい、酸化チタン構造体（Ａ）の濃度が高くなる連続的又は段階的な濃度勾配を有することが好ましい。 - 特許庁

The bactericidal mildewproofing multilayer film has a first coating film formed by using an undercoating composition containing a cationic bactericidal agent and a second coating film formed on the first coating film by using a top-coating composition containing a mildewproofing agent, and a method for forming the multilayer film.例文帳に追加

カチオン性殺菌剤を含有する下塗り塗料組成物から形成された第１の塗装膜と、該第１の塗装膜上に、防カビ剤を含有する上塗り塗料組成物から形成された第２の塗装膜を有することを特徴とする殺菌防カビ性多層膜、及び該多層膜の形成方法。 - 特許庁

The wiring 102 is composed of a first conductive film 102A and a second conductive film 102B which is formed on the top of the conductive film 102A, overhanging in the widthwise directions of the film 102A and extending along the film 102A.例文帳に追加

配線１０２は、第１の導電性膜１０２Ａと、第１の導電性膜１０２Ａの上に該第１の導電性膜１０２Ａに沿い且つ該第１の導電性膜１０２Ａの幅方向の両側に張り出すように形成された第２の導電性膜１０２Ｂとを有している。 - 特許庁

The solar cell module has a top-surface protective resin sheet, a filler, a photovoltaic element, a filler, and a reverse-surface protective sheet laminated in order from a solar light incidence side, wherein the top-surface protective resin sheet is a transparent resin sheet having a cured film at least on one surface thereof, and the cured film of the top-surface protective resin sheet is disposed at least on a filler side.例文帳に追加

太陽光入射側から、表面保護樹脂シート、充填材、光起電力素子、充填材および裏面保護シートの順に積層された太陽電池モジュールであって、前記表面保護樹脂シートが、その少なくとも片面に硬化膜を有する透明性樹脂シートであり、前記表面保護樹脂シートの硬化膜が少なくとも前記充填材側に配置されている太陽電池モジュール。 - 特許庁

This polyimide film 4 is formed over the entire surface of a substrate including a metal layer (pad electrode) 1 made of an aluminum film, which is exposed from a passivation film 3 and has a cap metal 2, made of a titanium nitride film, stacked on the top surface, and a resist film formed on the polyimide film 4 is used as a mask to remove the polyimide film 3 on the pad electrode 1.例文帳に追加

パッシベーション膜３から露出し、その上面にチタンナイトライド膜から成るキャップメタル２が積層されたアルミニウム膜から成る金属層（パッド電極）１を含む基板全面にポリイミド膜４を形成し、前記ポリイミド膜４上に形成したレジスト膜をマスクにして前記パッド電極１上のポリイミド膜３を除去する。 - 特許庁

The top gate type thin film transistor 1-1 has an organic semiconductor layer 15 prepared between a source electrode 13s and a drain electrode 13d, and a gate electrode 19 prepared on top of these through the intermediary of a gate insulating film 17.例文帳に追加

ソース電極１３ｓ−ドレイン電極１３ｄ間にわたって設けられた有機半導体層１５と、これらの上部にゲート絶縁膜１７を介して設けられたゲート電極１９とを有するトップゲート型の薄膜トランジスタ１-1である。 - 特許庁

On the p-type cladding layer, are formed a dielectric film 10 which covers the ridge portion and has an opening selectively exposing a top of the ridge portion, and a P electrode 9 in contact with a top surface and a side surface of the p-type contact layer exposed from the dielectric film.例文帳に追加

ｐ型クラッド層の上には、リッジ部を覆うように設けられ、リッジ部の上部を選択的に露出する開口部を有する誘電体膜１０と、該誘電体膜から露出したｐ型コンタクト層の上面及び側面と接触するＰ電極９とが形成されている。 - 特許庁

In the method of manufacturing the stain-resistant resin plate, an urethane setting type under coating material is applied on a resin plate to form an under coating film and then an urethane setting type top coating material containing a silicate compound is applied thereon to form a stain- resistant top coating film.例文帳に追加

樹脂板に対して、ウレタン硬化型下塗り塗料を塗布して下塗り塗膜を形成した後、シリケート化合物を含有するウレタン硬化型上塗り塗料を塗布して耐汚染性上塗り塗膜を形成することを特徴とする耐汚染性樹脂板の製造方法。 - 特許庁

An insulating film 13 is formed covering at least part of a top surface of the semiconductor layer 12 and a region S2 on the top surface of the substrate 11, and a p-side electrode 14 is provided covering upper parts of the insulating film 13 and semiconductor layer 12.例文帳に追加

半導体層１２の上面の少なくとも一部と基板１１表面の領域Ｓ２とを覆うように絶縁膜１３が形成され、この絶縁膜１３と半導体層１２の上部を覆うように、ｐ側電極１４が設けられている。 - 特許庁

The packaging film container comprises a container body 11 which houses the rolled packaging film 13, and a container lid 12 which is formed in continuous with the top edge of the rear face wall of the container body 11, where the lid 12 can be turned on the top edge around the container body 11.例文帳に追加

包装用フィルム容器は、ロール状に巻回された包装用フィルム１３を収納する容器本体１１と、容器本体１１の後面壁の頂縁を回動軸として容器本体１１に対して回動可能なように、頂縁に連設されている容器蓋部１２とを有して構成される。 - 特許庁

As a result, without depending on the drawing workability of the resin film 33, the height of the body of the key top 34 can be set at any height, and gaps do not exist between the body of the key top 34 and the resin film 33, and poor illumination due leakage of light from the gap will not occur.例文帳に追加

そのため、樹脂フィルム３３の絞り加工性に依存されずにキートップ本体３４の背を任意の高さにすることができ、キートップ本体３４と樹脂フィルム３３との間に隙間がなく、その隙間からの光漏れによる照光不良が生じない。 - 特許庁

To provide a method by which fitness and reversal on the interface between coating film layers are controlled and a multilayer coating film excellent in physical properties, particularly chipping resistance is formed when the top of a substrate is successively coated with an intermediate coating film and a final coating film by a wet-on-wet process.例文帳に追加

基材上に、中塗り塗膜及び上塗り塗膜を順次ウエットオンウエットで塗装した場合に、各塗膜層間の界面でのなじみや反転を制御し、更に、塗膜物性、特に耐チッピング性に優れた積層塗膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, a lower layer gate insulating film and a lower layer gate electrode are formed in the opening, a second insulating film is formed on the lower layer gate electrode and the upper layer of the first insulating film, a second substrate is laminated on top thereof, and a first semiconductor substrate is ground using the first insulating film in the element isolation region as a stopper.例文帳に追加

次に、開口部内に下層ゲート絶縁膜と下層ゲート電極を形成し、下層ゲート電極および第１絶縁膜の上層に第２絶縁膜を形成し、その上面から第２基板を張り合わせ、素子分離領域の第１絶縁膜をストッパとして第１半導体基板を研磨する。 - 特許庁

A second element isolating insulation film is provided which is formed on the first element isolating insulation film, protruding to a top face of the block insulation film while abutting on a side face thereof, and the Si concentration of which is higher than that of the block insulation film.例文帳に追加

前記第１の素子分離絶縁膜上に形成され、前記ブロック絶縁膜の側面と接して前記ブロック絶縁膜上面まで突出し、かつSi濃度が前記ブロック絶縁膜よりも高い第２の素子分離絶縁膜が設けられる。 - 特許庁

A highly thermally conductive insulating film 3 is formed on a lead frame 1, a Peltier effect element 5 is formed on the insulating film 3, a thermally conductive insulating film 4 is further formed on the Peltier effect element 5, and an LSI chip 6 is mounted on top of it.例文帳に追加

リードフレーム１上に熱伝導性の高い絶縁膜３が形成され、この絶縁膜３上にペルチェ効果素子５が形成され、このペルチェ効果素子５の上に更に熱伝導性の高い絶縁膜４が形成されて、この上にＬＳＩチップ６が搭載される。 - 特許庁

Thin film dielectric layers 6 are arranged on top of parts of ground patterns 5 of a coplanar waveguide by selectively performing patterning and plural island metal patterns 7 are arranged on the thin film dielectric layers 6 at fixed intervals.例文帳に追加

コプラナ・ウェーブガイドのグラウンドパターン５の一部の上部に薄膜誘電体層６を選択的にパターニングして配置し、この薄膜誘電体層６の上に島状メタルパターン７を一定間隔で複数個配置する。 - 特許庁

Namely, the ultraviolet ray reflection film provided on a top side of the plastic film layer reflects the ultraviolet ray, and the metal reflection layer provided on a back side reflects the visible light and infrared ray.例文帳に追加

すなわち、プラスチックフィルム層の表面側に設けられた紫外反射膜で紫外線を反射し、裏面側に設けられた金属反射層で可視光及び赤外光を反射する。 - 特許庁

The optical filter has at least one polyester film 2 laminated on the back face (display side) of a transparent resin substrate 1 and has no polyester film on the top face side of the substrate.例文帳に追加

透明樹脂基板１の裏面（ディスプレイ側）に少なくとも１枚のポリエステルフィルム２が積層され、その基板の表面側にはポリエステルフィルムが積層されていない光学フィルターが提供される。 - 特許庁