「on top (film)」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor device comprises lower layer wiring 2, a first insulation film (e.g., organic insulation film 3) formed on the lower layer wiring 2 and having an opening 31 exposing a top face of the lower layer wiring 2, and a second insulation film (e.g., inorganic insulation film 4) formed on the first insulation film, in which a through hole 5 is formed.例文帳に追加

半導体装置は、下層配線２と、下層配線２上に形成され、下層配線２の上面を露出させる開口３１を有する第１絶縁膜（例えば、有機絶縁膜３）と、第１絶縁膜上に形成され、スルーホール５が形成された第２絶縁膜（例えば、無機絶縁膜４）とを有する。 - 特許庁

By this manufacturing method, a silicon nitride film 7 of about 4 nm or smaller in thickness is formed on a silicon oxide film 6 formed on the top surface of a semiconductor substrate 1 and then the silicon nitride film 7 and silicon oxide film 6 in an region B where a thin gate insulating film is formed are removed in the order, by using a resist pattern 8 as a mask.例文帳に追加

半導体基板１の表面に形成された酸化シリコン膜６の上層に約４ｎｍ以下の窒化シリコン膜７を形成し、次いでレジストパターン８をマスクとして、薄いゲート絶縁膜を形成する領域Ｂの窒化シリコン膜７および酸化シリコン膜６を順次除去する。 - 特許庁

To provide a method by which fitness and reversal on the interface between coating film layers are controlled, base hiding properties to a coating film by electrodeposition coating are improved and a multilayer coating film having excellent finished appearance is formed when the top of a substrate is successively coated with an intermediate coating film and a final coating film by a wet-on-wet process.例文帳に追加

基材上に、中塗り塗膜及び上塗り塗膜を順次ウエットオンウエットで塗装した場合に、各塗膜層間の界面でのなじみや反転を制御し、電着塗膜に対する下地隠蔽性を向上させて、優れた仕上がり外観を有する積層塗膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

In the film shape acquisition device 1, for an optical model of a silicon film formed on a substrate 9 having multiple texture convexities on a top surface, thin film concavities corresponding to the multiple texture convexities and thin film convexities located above the thin film concavities are set.例文帳に追加

膜形状取得装置１では、上面に複数のテクスチャ凸部を有する基板９上に形成されたシリコン膜の光学モデルにおいて、複数のテクスチャ凸部に一致する薄膜凹部およびその上方に位置する薄膜凸部が設定される。 - 特許庁

A silicon oxide film is formed on a wiring film formed on a semiconductor substrate 11, and both of the wiring film and the silicon oxide film are processed to a desired pattern by photolithography and etching, so that wiring 13a is formed with the top covered with a silicon oxide film 14a.例文帳に追加

半導体基板１１上に形成された配線膜上にシリコン酸化膜を形成し、その配線膜およびシリコン酸化膜の双方をフォトリソグラフィおよびエッチングにより所望のパターンに加工して、上部がシリコン酸化膜１４aで覆われた配線１３aを形成する。 - 特許庁

A wiring board 5 has first to sixth top conductor patterns 51 to 56 and first to fourth reverse conductor patterns 512, 542, 553, and 562 formed on the top and reverse surfaces of a dielectric film 50, and the reverse surface is put over the top surface of a first yoke member 4.例文帳に追加

配線基板５は、誘電体フィルム５０の表面及び裏面に第１乃至第６表導体パターン５１〜５６、及び、第１乃至第４裏導体パターン５１２、５４２、５５３、５６２が形成され、裏面が第１ヨーク部材４の表面に重ねられている。 - 特許庁

The top electrode P12 formed of a metal material is partially formed on the surface of the contact layer 15 of the GaN light emitting diode, and the reflection film P13 formed of a metal material is formed not to be in contact with the top electrode P12 in a portion of the surface of the contact layer 15 where the top electrode P12 is not formed.例文帳に追加

ＧａＮ系発光ダイオードのコンタクト層１５の表面に、金属材料からなる上部電極Ｐ１２を部分的に形成するとともに、前記上部電極Ｐ１２が形成されていない部分に、前記上部電極Ｐ１２と接しないように、金属材料からなる反射膜Ｐ１３を形成する。 - 特許庁

A wiring board 5 has first to sixth top conductor patterns 51 to 56 and first to fourth reverse conductor patterns 512, 542, 553, and 562 formed on the top and reverse surfaces of a dielectric film 50, and the reverse surface is superposed facing the top surface of the support substrate 4.例文帳に追加

配線基板５は、誘電体フィルム５０の表面及び裏面に第１乃至第６表導体パターン５１〜５６、及び、第１乃至第４裏導体パターン５１２、５４２、５５３、５６２が形成され、裏面が支持基板４の表面に対面して重ねられている。 - 特許庁

An insulating layer 31 made of epoxy resin etc., is formed on the top surface of the lower insulating film 1 at a periphery of the semiconductor construct 2, and an upper insulating film 32 made of epoxy resin etc., is formed on top surfaces of the semiconductor construct 2 and insulating layer 31.例文帳に追加

次に、半導体構成体２の周囲における下層絶縁膜１の上面にエポキシ系樹脂等からなる絶縁層３１を形成し、且つ、半導体構成体２および絶縁層３１の上面にエポキシ系樹脂等からなる上層絶縁膜３２を形成する。 - 特許庁

The MOS capacitor uses an n-type diffusion region 2 formed on the top face of a p-type silicon substrate 1 as a bottom electrode, a gate insulation film 3 formed above the n-type diffusion region 2 as a dielectric layer, and a gate electrode 4 formed on the gate insulation film 3 as a top electrode.例文帳に追加

ＭＯＳキャパシタは、Ｐ型シリコン基板１の上面部に形成されたＮ型拡散領域２を下部電極とし、その上に形成されたゲート絶縁膜３を誘電体層とし、当該ゲート絶縁膜３の上に形成されたゲート電極４を上部電極としている。 - 特許庁

Since a top surface of a second interlayer insulation film 3 and that of a first wiring 11 made of copper are different from each other in height, a step is formed at a position corresponding to a position of the first wiring 11 on the top surface of a three-layer film constituting an MIM capacitive element 13 on the level difference.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜３の上面と銅を材料とする第１の配線１１の上面との高さが互いに異なるので、その上のＭＩＭ容量素子１３を構成する３層膜の上面には、第１の配線１１の位置に対応した位置に段差が形成される。 - 特許庁

A method of manufacturing a laminated wafer includes an oxidation step forming an oxide film on at least one side of a base wafer, a lamination step laminating the base wafer on which the oxide film is formed to a top wafer, and a thinning step thinning the top wafer in the laminated wafer.例文帳に追加

ベースウェーハの少なくとも一方の面上に酸化膜を形成する酸化工程と、前記酸化膜を形成したベースウェーハをトップウェーハと貼り合せる貼り合わせ工程と、前記貼り合わせたウェーハ中のトップウェーハを薄膜化する薄膜化工程とを含む貼り合わせウェーハの製造方法。 - 特許庁

This furnace top pressure recovery turbine is arranged in a wet furnace top pressure recovery turbine power generation facility, the stator vane is a first stage stator vane, and the hydrophilic coating film is formed on a convex surface 22 of the stator vane.例文帳に追加

この炉頂圧回収タービンは、湿式の炉頂圧回収タービン発電設備に配設されるものであり、上記静翼は第１段の静翼であり、親水性皮膜はその凸面２２上に形成する。 - 特許庁

The aqueous primer is applied to a surface prearrangement base to form a primer layer, a top coat is applied to the primer layer to form a top coat layer so that a coating film is formed on the surface prearrangement base.例文帳に追加

この水性プライマーを下地基材上に塗布してプライマー層を形成した後、そのプライマー層上に上塗り塗料を塗布して上塗り層を形成することにより、下地基材上に塗膜が形成される。 - 特許庁

A copper wiring layer 114 serving as the top layer of a seal ring 110 is formed in an interlayer insulating film 109 on a silicon substrate 101, and an aluminum wiring layer 141 is formed for covering the top of the copper wiring layer 114.例文帳に追加

シリコン基板１０１上の層間絶縁膜１０９に、シールリング１１０の最上層となる銅の配線層１１４を形成し、その上面を覆うアルミ配線層１４１を形成する。 - 特許庁

The counter top board and the system kitchen and sink which are equipped with the same are characterized in that the counter top board comprises a stain-proofing silicone film formed on the surface of a stainless base material.例文帳に追加

ステンレス基材表面に、防汚性被膜のシリコーン樹脂が形成されていることを特徴とするカウンター天板、及びそれを備えたシステムキッチン及び流し台。 - 特許庁

The first protective film 3 has: a substrate section 3A formed on the top surface of the substrate 1; and a pad section 3B formed in the peripheral section at the side surface of the electrode pad 2 and the top surface of the electrode pad 2.例文帳に追加

第１の保護膜３は、基板１の上面に形成された基板部３Ａと、電極パッド２の側面及び電極パッド２の上面における周縁部に形成されたパッド部３Ｂとを有している。 - 特許庁

Then, by forming the groove part of 1,300 Å depth, the height of the top surface of the upper electrode 18 is made substantially equal to that of the top surface of the LOCOS oxide film 9 on a P-well region 8.例文帳に追加

そこで、溝部１２の深さを１３００Åとすることにより、上部電極１８の上面とＰウエル領域８上のＬＯＣＯＳ酸化膜９の上面とを実質的に同じ高さにすることができる。 - 特許庁

A lens material layer of SiO_2 or the like is deposited on the top of the pattern by way of a sacrificial film or the top of the pattern is coated with a lens material layer comprising a light transmissive resin to produce a microlens array and this microlens array is separated from the pattern.例文帳に追加

この型の上面に犠牲膜を介してＳｉＯ_２等のレンズ材層を被着したり、透光性樹脂からなるレンズ材層を塗布したりしてマイクロレンズアレイを作成した後、型からマイクロレンズアレイを分離する。 - 特許庁

An EL sheet 10 including facing electrode layer circuits 17a and 17b is stacked on a transparent film 11; the multiple key top parts 3a and 3b are formed by unevenly drawing it; and the key top parts 3a and 3b are filled with a core material 6.例文帳に追加

対向電極層回路１７ａ，１７ｂを含むＥＬシート１０を透明フィルム１１に積層し、凹凸に絞り成型してキートップ部３ａ，３ｂを多数設け、キートップ部３ａ，３ｂには芯材６を充填している。 - 特許庁

To avoid dislocation of designs and patterns of characters, marks, or the like at manufacturing a key top board having a projected key top on the surface by filling resin in the interior of the projected part of a resin film.例文帳に追加

樹脂フィルムの凸状部分の内部に樹脂を充填することによって表面に凸状のキートップを有するキートップ板を製造する際に、文字や記号等の絵柄の位置ずれが生ずる。 - 特許庁

At this time, a brush 232 fitted to a notched part 230 of the film carrier 38 sweeps the top surface of the diffusion plate 204 mounted on the top surface of a diffusion box.例文帳に追加

この際、フィルムキャリア３８の切欠部２３０に取り付けられたブラシ２３２が、拡散ボックス４０の上面に装着された拡散板２０４の上面を掃く。 - 特許庁

To provide an illuminating key switch having stable quality of fetters and symbols by facilitating size adjustment of the letters and the symbols on a resin key top, in a push-button switch consisting of the resin key top and a synthetic resin film sheet.例文帳に追加

樹脂キートップと合成樹脂フィルムシートからなる押釦スイッチにおいて、樹脂キートップの文字、記号の寸法調整を容易にし、安定した文字、記号品質の照光キースイッチ。 - 特許庁

Since the sidewall surface 24 of the mask 22 crosses with the top surface 23 at the angle β of intersection of ≤90°, a vertical plane, i.e., wall surface that rises steeply toward the top surface at the angle of 90° is secured on the material film 17.例文帳に追加

マスク２２の側壁面２４は上面２３に９０度以下の交差角βで交差することから、素材膜１７には上面に９０度の角度で切り立つ垂直面すなわち壁面が確保されることができる。 - 特許庁

Also, a bit line 15 provided on the top electrode 17 has the etching surface 15c formed by patterning, and an etching surface 15c of the bit line 15 contacts the film formation initiating surface 17a of the top electrode 17.例文帳に追加

また、上部電極１７に接続されたビット線１５は、パターニングにより形成されたエッチング面１５ｃを有しており、ビット線１５のエッチング面１５ｃと、上部電極１７の成膜開始面１７ａとが接している。 - 特許庁

An upper magnetic pole top end 23a is formed so as to be made longer than the lower magnetic pole top end 19a on a recording gap layer 22, and extended to a position facing one part of a thin film coil 21.例文帳に追加

上部磁極先端部２３ａは、記録ギャップ層２２上において下部磁極先端部１９ａよりも長く形成されており、薄膜コイル２１の一部に対向する位置まで延在している。 - 特許庁

To provide a polishing device and a method therefor capable of detecting the film thickness of a polished surface in a real time without moving the top ring outer than a turn table, while keeping a semiconductor wafer mounted on the top ring.例文帳に追加

半導体ウエハをトップリングに装着したまま、該トップリングをターンテーブル外にずらすことなく、被研磨面の膜厚をリアルタイムで検出できるポリッシング装置および方法を提供する。 - 特許庁

The protecting film 40 has a top surface part 40A to be covered on the top surface 30A of the tile body 30, four side surface parts 40B and four lower surface parts 40C.例文帳に追加

このうち、保護用フィルム４０は、タイル本体３０の上面３０Ａに被せられる上面部分４０Ａと、４個の側面部分４０Ｂと、４個の下面部分４０Ｃとを有する。 - 特許庁

To control the agglomeration of a fine organic pigment contained in a top coat for a vehicle film, stabilize the hue and also prevent not only the deterioration but also the release on an interface between a prime coat and the top coat generated by the transmitted light.例文帳に追加

自動車用塗膜における、上塗り塗膜に含まれる微小有機顔料の凝集を抑制し、色相を安定化させ、更に、透過光による下塗り塗膜と上塗り塗膜の界面での劣化、しいては剥離を防止することにある。 - 特許庁

Intervals between an organic light-emitting element 106 and a sealing board 101 are controlled at top end of a bank 107 fitted at a pixel part 120 and on the top end of an insulation film 108 fitted at a driving circuit part 121.例文帳に追加

画素部１２０に設けられたバンク１０７の上端、駆動回路部に設けられた絶縁膜１０８の上端で有機発光素子１０６と封止基板１０１との間隔を制御する。 - 特許庁

The top of the side of the semiconductor chip 2 on the substrate 1 is sealed with an insulating resin layer 6 and a copper paste film 7 which comes into contact with an exposed surface of the top surface of the semiconductor chip 2 is formed.例文帳に追加

この半導体チップ２の側部の基板１上は絶縁性樹脂層６により封止され、半導体チップ２の表面の露出面に接触する銅ペースト膜７が形成されている。 - 特許庁

The top surface of a photodetector 4 corresponding to an opening formed in the top surface of a silicon substrate 1 is exposed below an opening 11 of a light shield film 10 which corresponds to each photodetector 4, and a silicon nitride film 20 is formed on the light shield film 10 while directly covering the top surface of each photodetector 4 exposed in each opening 11.例文帳に追加

遮光膜１０の各受光素子４に対応する開口１１下に、シリコン半導体基板１の表面部に形成された該開口１１と対応する受光素子４表面を露出させ、該遮光膜１０上にシリコンナイトライド膜２０を各開口１１に露出する各受光素子４表面を直接覆うように形成してなる。 - 特許庁

The coated steel sheet has a steel sheet, a chemically treated film formed on the surface of the steel sheet, a primer coating film formed on the surface of the chemically treated coating and a top coating film formed on the surface of the primer coating film.例文帳に追加

本発明の塗装鋼板は、鋼板と、前記鋼板の表面に形成された化成処理皮膜と、前記化成処理皮膜の表面に形成されたプライマー塗膜と、前記プライマー塗膜の表面に形成されたトップ塗膜とを有する。 - 特許庁

To prevent a silicon nitride film from decreasing in thickness, when a tungsten-containing film provided with a mask of silicon nitride film on its top surface is etched by the use of a fluorine-containing gas.例文帳に追加

フッ素を含むガスを用いたエッチングで、窒化シリコン膜からなるマスクを上層に備えたタングステンを含む膜をエッチングする際に、窒化シリコン膜の膜減りの防止を図る。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor apparatus, a silicon oxide film 12, a polysilicon film 13, and a silicon nitride film 14 are deposited on the top surface of an epitaxial layer 5.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法では、エピタキシャル層５上面にシリコン酸化膜１２、ポリシリコン膜１３及びシリコン窒化膜１４を堆積する。 - 特許庁

A gate electrode G2 is formed on the top surface and the sides of the Si epitaxial layer 3 through the oxide film 8, the nitride film 9, and the gate oxide film 20.例文帳に追加

酸化膜８，窒化膜９及びゲート酸化膜２０を介して、Ｓｉエピタキシャル層３の上面上及び側面上にゲート電極Ｇ２が形成される。 - 特許庁

To provide an oxide multilayer film optical element which has an oxide aluminum thin film and a silicon dioxide thin film on both the top and reverse surfaces of a calcium fluoride substrate in layers and is small in light absorption.例文帳に追加

弗化カルシウム基板の表裏両面に酸化アルミニウム薄膜および二酸化ケイ素薄膜を多層成膜形成する光吸収の少ない酸化物多層膜光学素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The top plate 1 for a cooker includes a glass substrate 10 and a layered film 2 comprising an Si film 11 and a silicon nitride film 12 formed on the glass substrate 10.例文帳に追加

調理器用トッププレート１は、ガラス基板１０と、ガラス基板１０の上に形成されたＳｉ膜１１及び窒化ケイ素膜１２からなる積層膜２とを備えている。 - 特許庁

The moisture-proof body 7 is formed with a base film such as PET with silicon oxide film or aluminum oxide film on top.例文帳に追加

防湿体７は、例えばＰＥＴ等のベースフィルムと、その上に酸化シリコン膜や酸化アルミニウム膜からなる防湿薄膜とを備えて形成されている。 - 特許庁

A silicon film is formed on the top surface of a silicon carbide substrate, and a refractory metal film is formed thereon so as to have the stoichiometric composition ratio 1:2 (= refractory metal film:silicon).例文帳に追加

炭化珪素基板の上面にシリコン膜を形成し、その上に高融点金属膜を化学量論的組成比が１：２（＝高融点金属：シリコン）となるように形成する。 - 特許庁

The step of patterning the upper film includes a step of performing anisotropic etching on the upper film, by using charged particles that travel parallel to a first direction inclined, with respect to the top surface of the upper film.例文帳に追加

上部膜をパターニングする段階は、上部膜の上部面に傾いた第１方向に平行に運動する荷電された粒子を使用して、上部膜を異方性エッチングする段階を含む。 - 特許庁

The vegetable seed paper film 20 is produced by placing vegetable seeds on a base paper film interposing definite spaces between the seeds, covering the base paper with a top paper film keeping a proper space and pasting the paper films.例文帳に追加

野菜種紙膜２０は、下紙膜上に野菜の種を一定間隔で裁置し、あらかじめ適度の空間を残して上紙膜を覆い被せて貼り付ける。 - 特許庁

On the passivation films 15 and 16, an SiN film 19 (a second passivation film) is formed as a passivation film as a top layer by using a catalyst chemical vapor deposition method.例文帳に追加

そして、パッシベーション膜１５，１６上に、触媒化学気相成長法を用いて、最上層のパッシベーション膜としてＳｉＮ膜１９（第２パッシベーション膜）が形成されている。 - 特許庁

This coated steel sheet is the three-coat specification coated steel sheet wherein an undercoating film, an intermediate coating film and a top coating film are successively laminated on a surface of the steel sheet.例文帳に追加

本発明の塗装鋼板は、鋼板の表面に下塗り塗膜、中塗り塗膜および上塗り塗膜が順次積層されている、３コート仕様の塗装鋼板である。 - 特許庁

A resonator film 14 is formed of: a piezoelectric film 11; and a pair of a lower electrode 12 and an upper electrode 13 formed on the top surface and the bottom surface of the piezoelectric film 11 so as to be opposed to each other.例文帳に追加

圧電膜１１と圧電膜１１の下面及び上面にそれぞれ互いに対向するように形成された一対の下部電極１２及び上部電極１３とからなる共振膜１４が形成されている。 - 特許庁