「on top (film)」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device which prevents peeling from occurring between an insulating film on the top face of which a strap wiring is formed and a wiring formed on a bottom face of the film, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

上面にストラップ配線が形成された絶縁膜と、この絶縁膜の下面に形成された配線と間で剥離が生じることが抑制された半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

On the top surface of the semiconductor substrate 1, the gate oxide film 6 of the high gate dielectric strength MOS element 32 is provided, and on the gate oxide film 6, a gate electrode 9 is provided.例文帳に追加

半導体基板１表面に高ゲート耐圧ＭＯＳ素子３２のゲート酸化膜６が設けられ、ゲート酸化膜６上にゲート電極９が設けられている。 - 特許庁

This III-V compound semiconductor crystal film 10 or a p- AlGaAs film (Al=0.3) is formed on all the top surface of an uneven GaAs substrate 16 with a step 14 equipped with a (111) A face as a projecting face 12 on its (100) face.例文帳に追加

本III-Ｖ族化合物半導体結晶膜１０は、（１１１）Ａ面を傾斜面１２として有する段差１４を（１００）基板面に備える段差ＧａＡｓ基板１６上全面に成膜されたｐ−ＡｌＧａＡｓ膜（Ａｌ＝０．３）である。 - 特許庁

A visible radiation transmission film 7 consists of a cobalt-contained silicon polyester resin and is formed on the outside surfaces of the exhaust tip 1d and the top part 1a3, at the side of the infrared reflecting interference film 5, as shown on Figs. 2, 3, 6.例文帳に追加

可視光透過膜7は、コバルトを含むシリコーンポリエステル樹脂からなり、図2、図3および図6に示すように、排気チップ部ldおよびトップ部la3の外表面で、赤外線反射性干渉膜5の際に形成されている。 - 特許庁

A second gate insulating film 8 is formed on top surfaces of the electronic charge storage layer and the second part, and a control gate 9 is formed on the second gate insulating film 8.例文帳に追加

第２のゲート絶縁膜８は、電荷蓄積層の上面、及び第２の部分の上面に形成され、制御ゲート電極９は、第２のゲート絶縁膜８上に形成されている。 - 特許庁

In the sticking stage, the adhesive film 3 is stuck on the reverse surface of the wafer W so that the sticking direction of the adhesive film 3 is nearly parallel to a street 31 in one direction on the top surface of the wafer W.例文帳に追加

そして，上記貼付工程では，ウェハＷの表面にある一方向のストリート３１と，接着フィルム３の貼付方向とが略平行となるようにして，ウェハＷの裏面に接着フィルム３を貼り付ける。 - 特許庁

On the other hand, when the bonding wire is used, the insulating film on the bonding pad 16 is provided with an opening part, and the top of the bump connection part 15 is covered with the insulating film.例文帳に追加

一方、ボンディングワイヤを用いる場合にはボンディングパッド１６上の絶縁膜に開口部を設け、バンプ接続部１５上は絶縁膜で覆う。 - 特許庁

Then a fluoroplastic film 5 is applied between each discharge electrode on an insulating substrate, and a fluoroplastic film 3 is applied on an insulating top plate part 13 facing the substrate.例文帳に追加

また、絶縁性基板４上の各吐出電極２の間にフッ素樹脂被膜５を被覆し、これに対面する絶縁性天板１３部分にフッ素樹脂被膜３を被覆した。 - 特許庁

In the substrate (17), glass (1) where an Mo conductive film (2) is formed on the top is used, and an In layer (3) and a Cu-Ga layer (4) are alternately repeated on the glass (1) to form the precursor thin film (5).例文帳に追加

基板（１７）は表面にＭｏ導電膜（２）を形成したガラス（１）を用い、その上にＩｎ層（３）とＣｕ−Ｇａ層（４）とが交互に繰り返して前駆体薄膜（５）を形成している。 - 特許庁

On a top surface of a semiconductor substrate 2, a first insulating film 31 having a first opening 31a and a second opening 31b is formed; and on the first opening 31a and second opening 31b, a second insulating film 32 is formed.例文帳に追加

半導体基板２の上面に、第１の開口３１ａ及び第２の開口３１ｂを有する第１の絶縁膜３１を形成し、第１の開口３１ａ及び第２の開口３１ｂ上に第２の絶縁膜３２を形成する。 - 特許庁

An electrophoretic display 100 being approximately rectangular in a plan view is included by a top surface protection film 131 covering a surface on the viewing side of the display element 120 and a bottom surface protection film 132 covering a surface on the rear side.例文帳に追加

平面視略長方形の電気泳動型表示装置１００は、表示素子１２０の視認側の面を覆う上面保護フィルム１３１と背後側の面を覆う下面保護フィルム１３２とによって内包されている。 - 特許庁

Prepared is a burnishing machine which has a film of 75 μm in thickness, containing no abrasive, on a soft material of ≤30 in Shore hardness and has abrasives on the top surface of the film.例文帳に追加

ショア硬さ３０未満の柔軟材の上に、研磨材を含有しない厚さ７５μｍ未満のフィルムが有り、このフィルムの上面に研磨材が有る研磨盤を用意する。 - 特許庁

A laminated green body 6 is formed on a first rigid carrier plate 10a via a first base film 11a, and a second rigid carrier plate is placed on top of this via a second base film 11b.例文帳に追加

第１の剛体キャリア板１０ａ上に、第１のベースフィルム１１ａを介して積層グリーン体６を作製し、その上に第２のベースフィルム１１ｂを介して第２の剛体キャリア板を載せる。 - 特許庁

It also comprises a film-thickness correcting plate 17 on a top face of the revolution table 13, for making the thickness of the thin film uniform by controlling a depositing quantity of a target material on the substrate 19 with covering a part of the substrate mounting tables 15.例文帳に追加

ここで、公転テーブル１３の上面には、基板載置台１５の一部分を覆うことによって基板１９上のターゲット材料の堆積量をコントロールし、薄膜の膜厚を均一にするための膜厚補正板１７を設ける。 - 特許庁

A fluorescent substance film 4 is formed on a recess 2 formed on the top surface of a substrate 1, and a protection body 5 which covers the fluorescent substance film 4 is bonded with the substrate at the periphery of the recess 2.例文帳に追加

基板１の表面に形成した凹部２に蛍光物質膜４を成膜し、この蛍光物質膜４を覆う保護体５を前記凹部周囲の基板２に接合して設ける。 - 特許庁

On the ZnO film 3 an n-type GaN glad layer 4, a p-type GaN active layer 5 and a p-type GaN active layer 6 are provided and an SiO2 film 7 is formed on the top face thereof.例文帳に追加

ＺｎＯ膜３の上にｎ型ＧａＮクラッド層４、ｐ型ＧａＮ活性層５及びｐ型ＧａＮクラッド層６を設け、その上面にＳｉＯ_2膜７を形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises processes of: forming a foundation region including an interlayer insulation film 108 on a semiconductor substrate 100; forming an alumina film 117 on the foundation region; forming a hole in the alumina film, filling up the hole with bottom electrode films 118 and 119, forming a dielectric film 121 on the bottom electrode films; and forming a top electrode film 122 on the dielectric film.例文帳に追加

半導体基板１００上に、層間絶縁膜１０８を含む下地領域を形成する工程と、下地領域上にアルミナ膜１１７を形成する工程と、アルミナ膜に穴を形成する工程と、穴を下部電極膜１１８，１１９で埋める工程と、下部電極膜上に誘電体膜１２１を形成する工程と、誘電体膜上に上部電極膜１２２を形成する工程とを備える。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 7 covering an MOSFET (the semiconductor device) 100 is formed on the main surface of a semiconductor substrate 1 and on the top face of a gate electrode 5, and a first wiring layer 9 is formed in the region other than above the channel region 6 of the MOSFET 100 on the top face thereof.例文帳に追加

半導体基板１の主面上及びゲート電極５の上面上には、ＭＯＳＦＥＴ（半導体素子）１００を被覆する第一層間絶縁膜７が形成され、その上面上の前記ＭＯＳＦＥＴ１００のチャネル領域６の上方以外の領域には第一配線層９が形成されている。 - 特許庁

To permit deviation of print along the longitudinal direction of a resistance film between both terminal electrodes and the resistance film without causing a change in a resistance value, in a chip resistor in which a pair of terminal electrodes in right and left are formed on the top surface of a chip substrate and the zigzag resistance film is formed on a portion between the pair of terminal electrodes on the top surface of the chip substrate.例文帳に追加

チップ基板における上面に左右一対の端子電極３，４を形成し，前記チップ基板における上面のうち前記一対の端子電極の間の部分につづら折りにした抵抗膜５を形成して成るチップ抵抗器において，両端子電極と抵抗膜との間における抵抗膜の長手方向に沿っての印刷ずれを，抵抗値の変化を招来することなく許容する。 - 特許庁

A light shielding film 5 comprising a resist film and light transmissive patterns 6a formed by partly removing the light shielding film 5 are formed on a main surface of a mask substrate 2, a flat film 8 is formed in such a way as to cover the light shielding film 5, and phase shifters 7a comprising a resist film are further formed on the flat top surface of the flat film 8.例文帳に追加

マスク基板２の主面上に、レジスト膜からなる遮光膜５と、その遮光膜５の一部を開口することにより形成された光透過パターン６ａとを形成し、その遮光膜５を覆うように平坦性膜８を形成し、さらにその平坦性膜８の平坦な上面上にレジスト膜からなる位相シフタ７ａを形成した。 - 特許庁

A part of a first transparent film sheet 20 with the decorative layer (deposition layer) 23 formed thereon is bent upward to form a bent part 21; and the key top 30 made of a transparent mold resin is formed in the bent part 21; and this key top plate 10 is formed by installing a second film plate 40 on the undersurface side of the key top 30.例文帳に追加

透明な第一フイルム板２０の加飾層（蒸着層）２３を設けた部分を上方向に湾曲して湾曲部２１を設け、この湾曲部２１内に透明なモールド樹脂製のキートップ３０を成形し、キートップ３０の下面側に第二フイルム板４０を設置してキートップ板１０を構成する。 - 特許庁

The tin alloy layer containing one or two kinds selected from Fe and Ni is provided on the surface of a steel sheet and a formed film containing 0.5-100 mg/m^2 P and 0.1-250 mg/m^2 S is provided on the top layer thereof, and a heat-fused polyethylene film is provided on the surface of the formed film.例文帳に追加

鋼板表面上に、FeおよびNiのうちから選んだ１種または２種を含有する錫合金層を有し、その上層に0.5〜100mg/m^2のＰと0.1〜250mg/m^2のSiを含有する化成皮膜を有し、前記化成皮膜の表面に熱融着したポリエチレンフィルムを有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide: a method for making a fingerprint stain on a cured film with a low reflection and a film strength hardly be distinct; an anti-fingerprint coating material composition capable of forming the cured film on which a fingerprint soil is hardly notified; and a coated article formed on the top surface of a base material.例文帳に追加

低反射性で被膜強度を備えたものとしながら硬化被膜の指紋汚れを目立ちにくくする方法、並びに指紋汚れが目立ちにくい硬化被膜が形成できる耐指紋性コーティング材組成物、及び該硬化皮膜が基材の最表面に形成されてなる塗装品を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a substrate, two or more wiring layers formed on the substrate, a fuse formed in the top layer among the wiring layers, a first insulating film formed in contact with the fuse surface on the wiring layer, and a second insulating film formed on the first insulating film.例文帳に追加

半導体装置において、基板と、基板上に形成された複数層の配線層と、配線層うち最上層に形成されたヒューズと、配線層上に、ヒューズ表面に接して形成された第１絶縁膜と、第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜とを備える。 - 特許庁

The method for forming the brilliant coating film comprises forming a black base coating film layer having ≤10 L value on a material to be coated, forming a brilliant clear coating film layer on the black base coating film layer by using the brilliant coating material composition and then forming a top clear coating film layer on the brilliant clear coating film layer.例文帳に追加

また被塗基材に、Ｌ値が１０以下の黒色ベース塗膜層を形成した後、上記黒色ベース塗膜層上に、上記の光輝性塗料組成物を用いて光輝性クリヤー塗膜層を形成し、次いで上記光輝性クリヤー塗膜層上にトップクリヤー塗膜層を形成する光輝性塗膜形成方法。 - 特許庁

A resin product 10 (e.g., a millimeter-wave radar device cover) comprises a plate-like resin substrate 11, a base film 12 formed on the resin substrate 11, and a metallic film 13 having metallic gloss and a discontinuous structure formed on the base film 12, a top coat or a block film formed as a protective film on the metal film 13.例文帳に追加

樹脂製品１０（例えばミリ波レーダー装置カバー）は、板状の樹脂基材１１と、樹脂基材１１の上に成膜された下地膜１２と、下地膜１２の上に成膜された光輝性及び不連続構造の金属皮膜１３とを含み、金属皮膜１３の上には保護膜としてのトップ塗膜、おさえ塗膜等が形成される。 - 特許庁

After the intercoating film layer containing aluminum flake pigment with a mean particle size of 15-25 μm and a mean thickness of 0.5-1.5 μm is formed on a base material, a brilliant clear coating film layer is formed on the intercoating film layer and a top clear coating film layer is further formed on the brilliant clear coating film layer to form the brilliant coating film.例文帳に追加

基材に、平均粒子径が１５〜２５μｍ、かつ平均厚みが０．５〜１．５μｍであるアルミニウムフレーク顔料を含有する中塗り塗膜層を形成した後、上記中塗り塗膜層上に光輝性クリヤー塗膜層を形成し、さらに上記光輝性クリヤー塗膜層上にトップクリヤー塗膜層を形成する光輝性塗膜形成方法。 - 特許庁

Then, after a photoresist pattern PR2 is formed on the insulation film 6 so as to cover the film 6 except protrusions 6a of the film 6 which are exposed from the pattern PR2, the exposed top parts of the insulation film 6 are removed by etching.例文帳に追加

続いて、その絶縁膜６上に、絶縁膜６の突起部６ａが露出され、それ以外が覆われるようなフォトレジストパターンＰＲ２を形成した後、これをマスクとして、そこから露出される絶縁膜６の上部をエッチング除去する。 - 特許庁

When various kinds of optical films such as an optical reflection film and a top-coat film or the like are formed on the reflecting plates 6, 7, the film formation is carried out in two divided parts so that unevenness in film thickness can be reduced in the first and the second reflection surfaces 63, 73 than a reflecting plate formed in one body.例文帳に追加

これら反射板６、７に光反射膜やトップコート膜等の各種光学膜を形成する際に２つに分割して行うことで、第１及び第２の反射面６３、７３は、一体構成された反射板より膜圧バラツキが少なくなる。 - 特許庁

A gate insulating film 6 and a gate electrode 8 are laminated on a semiconductor channel forming region 1a provided onto the surface of a substrate, and a charge storage means (a carrier trap in a nitride film 12 and near to an interface with a top insulating film) which is dispersed in a two-dimensional manner in the gate insulating film 6 is provided.例文帳に追加

基板表面に設けられた半導体のチャネル形成領域１ａ上にゲート絶縁膜６とゲート電極８が積層され、ゲート絶縁膜６内に平面的に離散化された電荷蓄積手段（窒化膜１２膜中、およびトップ絶縁膜との界面付近のキャリアトラップ）を有する。 - 特許庁

The method of etching a carbon-containing film includes a step of forming a mask pattern on a carbon-containing film to partially expose the top surface of the carbon-containing film, and anisotropically etching the carbon-containing film with a plasma of a mixture gas composed of O_2- and Si-containing gases using the mask pattern as an etching mask.例文帳に追加

炭素含有膜上に炭素含有膜の上面を一部露出させるマスクパターンを形成し、マスクパターンをエッチングマスクとして利用して、Ｏ_２、及びＳｉ含有ガスからなる混合ガスのプラズマによって炭素含有膜を異方性エッチングする炭素含有膜エッチング方法である。 - 特許庁

The top end part 25b of the film pressing plate 25 comes into contact with the long and narrow region between the edge of the perforation 33a of the photographic film 33 and the side edge of the photographic film 33 on a side provided with the perforation 33a, to press the film 33 toward a rail surface frame as an exposure frame.例文帳に追加

フイルム押さえ板２５の先端部２５ｂは、写真フイルム３３のパーフォレーション３３ａのエッジと、パーフォレーション３３ａが設けられた側の写真フイルム３３の側端との間の細長い領域に接触し、写真フイルム３３を露光枠であるレール面枠の方向に押圧する。 - 特許庁

Then, hydrogen gas and oxygen gas are made to react on the nitride silicon film 16b in such a status that the nitride silicon film 16b (substrate 1) is heated while being pressure-reduced by atmosphere, so that the oxide silicon film 16b can be grown, and that the top oxide silicon film 16c can be formed.例文帳に追加

次いで、大気圧より減圧しながら窒化シリコン膜１６ｂ（基板１）を加熱した状態で、水素ガスと酸素ガスとを窒化シリコン膜１６ｂ上で反応させることによって、酸化シリコン膜１６ｂを成長させてトップ酸化シリコン膜１６ｃを形成する。 - 特許庁

After gulvanization is applied to a steel plate substrate, an epoxy-modified coating is baked to make a undercoating film, and further, a composite film is formed on a substrate surface by baking a top coat such as a melamine-modified acrylic coating making the undercoating film as a primer to make a protection film.例文帳に追加

鋼板素地に亜鉛めっきを施した後、エポキシ変成塗料を焼付けて下地皮膜とし、さらに、下地皮膜をプライマーとしてメラミン変成アクリル塗料などのトップコートを焼付けることにより素地表面に複合皮膜を形成して保護皮膜とする。 - 特許庁

The catalyst ball 1 includes a spherical core made of aluminum oxide, a metal coating film that is disposed on the surface thereof and exhibits a catalytic function upon its oxidation, a coating film laid thereover of a metal having a oxygen-defficiency gradient structure, and a top layer of a coating film of an film.例文帳に追加

酸化アルミニウムにより形成されたコア球体の表面に対し、酸化により触媒機能を発揮する金属被膜を設け、さらに上層にその金属の酸素欠乏傾斜構造を有する被膜を設け、最上層は酸化被膜を設けた触媒ボール１を形成した。 - 特許庁

Three optical glass substrates, front and rear surfaces of which are polished, and the desired surfaces of which are coated with a polarization film and a reflection film, are put on top of one another, and the substrates are bonded with ultraviolet ray photosetting bond, then, a 1st layered block 21 having the polarization film and the reflection film between the substrates is formed.例文帳に追加

表裏に研磨加工が施され必要な面に偏光膜と反射膜のコーティングが施された光学ガラス基板を３枚重ね合わせ、紫外線硬化型接着剤で接合することにより、基板間に偏光膜と反射膜を有する第１積層ブロック２１を作製する。 - 特許庁

To improve the contact between a capacitor bottom electrode and an insulating film while holding a connection between a conductive plug in a hole of an insulating film and the capacitor bottom electrode as to a semiconductor device having a capacitor comprising the bottom electrode, a dielectric film, and a top electrode formed on an insulating film.例文帳に追加

絶縁膜上に形成される下部電極と誘電体膜と上部電極から構成されるキャパシタを有する半導体装置に関し、絶縁膜のホール内の導電性プラグとキャパシタ下部電極の接続を良好に保ちながらキャパシタ下部電極と絶縁膜との密着性を良くすこと。 - 特許庁

The repair coating film 8 formed of a repair coating material compounded with coarse grains or secondary particles 7 of a large surface area as aggregate is formed on the cut end surface 6 of the cut sheet cut out for the precoated steel sheet provided with the under coating film 2, a top coating film 3, and a rear surface coating film 4.例文帳に追加

塗装原板１に下塗り塗膜２，上塗り塗膜３，裏面塗膜４を設けたプレコート鋼板から切り出された切板の切断端面６に、表面積の大きな粗粒又は二次粒子７を骨材として配合した補修塗料で補修塗膜８を形成する。 - 特許庁

A bottom silicon oxide film 2a is deposited on the upper surface of a silicon substrate 1 applied with annealing treatment under the atmosphere of ammonia gas by thermal oxidation method and, thereafter, a silicon nitride film 2b and a top silicon oxide film 2c are deposited sequentially by thermal CVD method to form the ONO film 2.例文帳に追加

アンモニアガス雰囲気下でアニール処理を施したシリコン基板１の上面に、ボトムシリコン酸化膜２ａを熱酸化法により成膜した後、シリコン窒化膜２ｂとトップシリコン酸化膜２ｃとを熱ＣＶＤ法により順次成膜することで、ＯＮＯ膜２を形成する。 - 特許庁

The antibacterial decorative sheet comprises a decorative sheet, in which an ink design layer and an adhesive layer are sequentially provided in this order on a base material film and a top coating layer is provided on an outermost surface of the decorative sheet laminated an olefin resin film which is embossed, and is obtained by adding an antibacterial agent to the olefin resin film and the top coating layer.例文帳に追加

基材フィルムにインキ絵柄層、接着層を順次設け、さらにエンボスの施したオレフィン樹脂系フィルムを積層した化粧シートの最外表面にトップコート層を有する化粧シートにおいて、前記オレフィン樹脂系フィルムおよび前記トップコート層に抗菌剤が添加されたことを特徴とする抗菌化粧シートを提供する。 - 特許庁

The image display device is manufactured through the stages of: forming a circuit layer 2 having unevenness on a surface on a substrate 1; coating the circuit layer 2 with photosensitive resin paste until its top surface becomes flat and then curing the paste to form a flattening film precursor 3'; and exposing the nearly entire top surface of the flattening film precursor 3' and developing it to form the flattening film 3.例文帳に追加

表面に凹凸を有する回路層２を基板１上に形成する工程と、感光性樹脂ペーストを、その上面が平坦になるまで回路層２上に塗布し、硬化することにより平坦化膜前駆体３’を形成する工程と、平坦化膜前駆体３’の上面略全体を露光し、現像することにより平坦化膜３を形成する工程と、を経て画像表示装置を製造する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a semiconductor substrate, a plurality of diffusion layer patterns formed on top of the semiconductor substrate, an insulation film formed among the plurality of diffusion layer patterns formed on top of the semiconductor substrate, and a pass-through plug which is not in contact with the plurality of diffusion layer patterns and has its part surrounded by the insulation film and is formed through the insulation film and the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板と、半導体基板上に形成された複数の拡散層パターンと、半導体基板上の複数の拡散層パターン間に形成された絶縁膜と、複数の拡散層パターンには接することなくその一部が絶縁膜に包囲されて絶縁膜および半導体基板を貫通して形成された貫通プラグとを具備する。 - 特許庁

The absorption type polarizer 10 is constituted by forming a light absorbing film 14 of a material having a light absorbing component on a top surface of a transparent substrate 12 having unevenness in a triangular-wave shape formed on the top surface continuously in fixed cycles.例文帳に追加

吸収型偏光板１０は、表面に三角波状の凹凸が一定周期で連続的に形成された透明基板１２の表面に光吸収成分を有する材料によって光吸収膜１４を成膜することにより構成される。 - 特許庁

Steps B and C form a connection pad 5A having a both-side wall 6A with inner width W2 almost equivalent to outer width W1 of a stud 4a on the smooth top surface of a mounting circuit 3A, then form a metal junction film 8 on the top surface of the both-side wall 6A.例文帳に追加

工程Ｂおよび工程Ｃにおいてはスタッド４ａの外幅Ｗ１と同程度の内幅Ｗ２を有する両側壁６Ａを有する接続パッド５Ａを実装回路３Ａの平滑な表面上に形成し、その両側壁６Ａの表面上に金属接合膜８を形成する。 - 特許庁

A part of an electron charge storage layer 7 on a first gate insulating film 22 is partially overlapped on said first part in the isolation region to be formed in a self-aligning manner to the second part, and has a flat top surface flush with the top surface of the second part.例文帳に追加

第１のゲート絶縁膜２２上の電荷蓄積層７は、一部分が素子分離領域の前記第１の部分上にオーバーラップして第２の部分と自己整合的に形成され、第２の部分の上面と一致された平坦な上面を有している。 - 特許庁