「on top (film)」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor thin film 2 made of a zinc oxide is formed on the top face of a substrate 1, and an ultraviolet light shielding film 3 made of a metal is pattern formed on the semiconductor thin film 2.例文帳に追加

基板１の上面に酸化亜鉛からなる半導体薄膜２を成膜し、その上に金属からなる紫外光遮蔽膜３をパターン形成する。 - 特許庁

On the top surface side of the 2nd thin-film piezoelectric body 22, a 2nd upper thin-film electrode 23 is formed and on the reverse surface side, a 2nd lower thin-film electrode 24 is formed.例文帳に追加

第２薄膜圧電体２２の上面側には、第２上部薄膜電極２３が形成され、下面側には、第２下部薄膜電極２４が形成されている。 - 特許庁

On the top surface side of the 1st thin-film piezoelectric body 12, a 1st upper thin-film electrode 13 is formed and on the reverse surface side, a 1st lower thin-film electrode 14 is formed.例文帳に追加

第１薄膜圧電体１２の上面側には、第１上部薄膜電極１３が形成され、下面側には、第１下部薄膜電極１４が形成されている。 - 特許庁

The coating film layer 8 of a pearl gloss coating is formed uniformly on the surface of a translucent polycarbonate resin plate 7 (Fig. a), and the protective film of a transparent top coat layer 9 is formed on the coating film layer 8 (Fig. b).例文帳に追加

半透明のポリカーボネート樹脂板７の表面に、パール光沢塗料の塗膜層８を均一に形成し（図３のａ）、続いてその塗膜層８の上に、透明なトップコート層９の保護膜を形成する（図３のｂ）。 - 特許庁

The thin-film device 1 comprises a substrate 2, a flattening film 3 formed of an insulating material which is arranged on the substrate 2, and a capacitor 4 formed on top of the flattening film 3.例文帳に追加

薄膜デバイス１は、基板２と、基板２の上に配置された絶縁材料よりなる平坦化膜３と、平坦化膜３の上に設けられたキャパシタ４とを備えている。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor device, a protection film 10, a first insulating film 11, and a second insulating film 12 are formed in the order on an SiO_2 layer 4 provided with the lower-layer wiring 9 on the top surface side.例文帳に追加

表面側に下層配線９が設けられたＳｉＯ_2層４上に、保護膜１０と第１絶縁膜１１および第２絶縁膜１２とを順次形成する。 - 特許庁

A discontinuous film layer 3 consisting of a discontinuous film is formed on the surface side of a base material 1 composed of the elastomer material, and a top coat layer 5 is formed on the surface of the discontinuous film layer 3.例文帳に追加

エラストマー材料からなる基材１の表面側に不連続膜からなる不連続膜層３が設けられ、さらに該不連続膜層３の表面に、トップコート層５が設けられてなることを特徴とする。 - 特許庁

On an Si substrate 11 having a formed SiO2 film 12 on its top surface, a first ferromagnetic thin film 13, a tunnel barrier layer 14, and a second ferromagnetic thin film 15 are laminated in this order.例文帳に追加

ＳｉＯ_2膜１２が上面に形成されたＳｉ基板１１上には、第１強磁性薄膜１３、トンネル障壁層１４及び第２強磁性薄膜１５が、この順に積層されている。 - 特許庁

Then a silicon oxinitride film, used as a shielding layer, is formed on the top surface, and side face of the silicon nitride film pattern and a gate insulating film is formed on the exposed surface of the semiconductor substrate by performing an oxidizing process.例文帳に追加

次に、酸化工程を行ってシリコン窒化膜パターンの上部及び側面上に遮蔽層としてのシリコン窒化酸化膜と、半導体基板の露出表面上にゲート絶縁膜とを形成する。 - 特許庁

The coated steel plate is manufactured by forming a primary coated film, on a melted Zn based plating steel plate, having an anti-rust pigment containing Mg and then, on the above coated film, by forming a top coated film of which the contact angle against water is 80° or more and less than 130°.例文帳に追加

溶融Ｚｎ系めっき鋼板の上に、Ｍｇを含む防錆顔料を有する下塗り塗膜、さらにその上に、水に対する接触角が８０度以上１３０度未満である上塗り塗膜を形成して塗装鋼板とする。 - 特許庁

A frame 17 for preventing the careless deformation of the resin film 13 is provided on an outer edge part of the resin film 13 before forming a recessed part 15 for burying a key top 14 on a rear surface side of the resin film 13.例文帳に追加

キートップ１４が埋設される凹所１５を樹脂フィルム１３の裏面側に形成するのに先立って、樹脂フィルム１３の外縁部に同樹脂フィルム１３の不用意な変形を防止するための枠１７を設ける。 - 特許庁

The dampproof insulating film 120 is not formed on the top face of the fuse wiring 116 or is formed so that a film thickness d1 in the laminating direction on the top face of the fuse wiring 116 is thinner than that d2 in the vertical direction in the laminating direction on the sidewall of the fuse wiring 116.例文帳に追加

耐湿性絶縁膜１２０は、ヒューズ配線１１６の上面には形成されていないか、またはヒューズ配線１１６の上面における積層方向の膜厚ｄ１がヒューズ配線１１６の側壁における積層方向に垂直な方向の膜厚ｄ２よりも薄くなるように形成されている。 - 特許庁

After forming the alumina mask 32a on the top of the interlayer insulation film 30 consisting of the SiOC film of a low dielectric constant through a cap insulating film 31, the cap insulating film 31 and the interlayer insulation film 30 are dry-etched with a photoresist film as a mask to form a via hole 37.例文帳に追加

低誘電率のＳｉＯＣ膜からなる層間絶縁膜３０の上部にキャップ絶縁膜３１を介してアルミナマスク３２ａを形成した後、フォトレジスト膜をマスクにしてキャップ絶縁膜３１と層間絶縁膜３０とをドライエッチングすることによりビアホール３７を形成する。 - 特許庁

The icons 35 are printed on the reverse surface of a hard coat film 30, which may be arranged on the polarizing plate 20, or the icons 35 are printed on the top surface of the polarizing plate 30, which may be bonded on the hard coat film.例文帳に追加

ハードコートフィルム３０の裏面にアイコン３５を印刷し、これを偏光板２０の上に接着してもよいし、偏光板３０の表面にアイコン３５を印刷し、これをハードコートフィルム上に接着してもよい。 - 特許庁

The fire-resistant layer is formed by winding a glass mica tape 2 around the conductor 1 and winding a film mica tape 3 on its top.例文帳に追加

そして、前記耐火層は、導体１上にガラスマイカテープ２を巻回し、その上にフィルムマイカテープ３を巻回した構成となっている。 - 特許庁

To suppress reaction between aluminum and a polyimide film, when a contact hole is formed on the top surface of a pad electrode.例文帳に追加

パッド電極上面にコンタクト孔を形成する際の、アルミニウムとポリイミド膜との反応を抑制する。 - 特許庁

On the top surface of a silicon substrate 32 having a hollow part 37, a vibration electrode plate 34 is provided which performs film vibration upon receiving vibration.例文帳に追加

空洞部３７を有するシリコン基板３２の上面には、振動を受けて膜振動する振動電極板３４を設けている。 - 特許庁

Then a top-layer aluminum wire 25 is formed on the insulating film 21 in which the tungsten plug 24 is buried.例文帳に追加

その後、タングステンプラグ２４が埋め込まれた絶縁膜２１上に上層アルミニウム配線２５を形成する。 - 特許庁

To directly form a photo-catalyst film having high quality and high durability on a top surface of float glass.例文帳に追加

フロートガラスのトップ面に、高品質且つ高耐久性を有する光触媒膜を直接形成すること。 - 特許庁

A micro and porous film 8 allowing fuel to permeate therein is installed on the top face 5a of the piston 5.例文帳に追加

ピストン５の頂面５ａには、燃料を浸透させるミクロ的に多孔質な被膜８が設けられる。 - 特許庁

A switch contact is turned on and off by rocking the key top 40 centering its rocking center axis by the bend of the mounting film 30.例文帳に追加

取付用フイルム３０が撓むことでキートップ４０をその揺動中心軸を中心に揺動せしめ、スイッチ接点をオンオフする。 - 特許庁

On top of the p-type diffusion layer 15, a plate electrode 5b is formed via a capacity insulation film 4b.例文帳に追加

そして、Ｐ型拡散層１５上には、容量絶縁膜４ｂを介してプレート電極５ｂが形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device has a transparent substrate 301 and a semiconductor thin film 303 formed on the top surface side of this substrate.例文帳に追加

半導体装置は、透明の基板３０１と、この基板の上面側に配設された半導体薄膜３０３とを有する。 - 特許庁

On a top surface of the channel protective film 42, a liner source electrode S and drain electrode D are provided in a mutually parallel relationship.例文帳に追加

チャネル保護膜４２の上面には線状のソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄが互いに平行するように設けられている。 - 特許庁

The copper filament 12 is penetrated to the nitride region 13 from the copper layer 11 in the film-thickness direction and reaches on the top face of the nitride region 13.例文帳に追加

この銅フィラメント１２は、銅層１１から窒化物領域１３を膜厚方向に貫通してその上面に達する。 - 特許庁

Gate electrodes 103 are formed with Mo having a high melting point, and a gate insulating film 104 is formed on top of it.例文帳に追加

ゲート電極１０３を融点の高いＭｏによって形成し、その上にゲート絶縁膜１０４を形成する。 - 特許庁

In this case, the pad oxide film 2 and the hard mask 3 are sequentially formed on the top surface of each of the silicon columnar bodies 1F.例文帳に追加

その際に、各シリコン柱体１Ｆの上面には、パッド酸化膜２及びハードマスク３が順次に形成される。 - 特許庁

In addition, a protective film 5 is provided on the surface of the resistor 4 put between the top surface electrodes 21 and 31.例文帳に追加

そして、一対の上面電極２１、３１の間に挟まれる抵抗体４の表面に保護膜５が設けられている。 - 特許庁

If necessary, a second barrier type anode oxide film 108 is formed on the side surface and top surface of the gate electrode at a comparatively high voltage.例文帳に追加

必要に応じては比較的高い電圧でバリア型の第２の陽極酸化膜１０８をゲイト電極の側面および上面に形成する。 - 特許庁

Then a natural oxide film formed on the top surface of the connection pad 2 exposed through openings 4 and 6 is removed by argon plasma etching.例文帳に追加

次に、開口部４、６を介して露出された接続パッド２の上面に形成された自然酸化膜をアルゴンプラズマエッチングにより除去する。 - 特許庁

The semiconductor chip 30 is mounted face down on the inorganic insulating film 50 covering the backside of the semiconductor chip 20 provided in the top layer.例文帳に追加

半導体チップ３０は、最上層の半導体チップ２０の裏面を覆う無機絶縁膜５０上にフェイスダウン実装されている。 - 特許庁

A top face 171a of the oxide film 171 is located on the lower side than a boundary surface B1 of the drift region 112 and the body region 141.例文帳に追加

酸化膜１７１の上面１７１ａは、ドリフト領域１１２とボディ領域１４１との境界面Ｂ１よりも下方側に位置している。 - 特許庁

On the first inter-layer insulating film, a source electrode layer 44 is formed at a position corresponding to the top of the redundant wiring 41.例文帳に追加

第１層間絶縁膜の上には、冗長配線４１の上に対応する位置に、ソース電極層４４が形成されている。 - 特許庁

A third gate electrode comprises the second metal silicide film 22 which is thinner than the first metal silicide on the top surface.例文帳に追加

第３ゲート電極は、上部表面において第１金属シリサイドの厚さより薄い第２金属シリサイド膜２２を有する。 - 特許庁

The transparent polymer film has a top and bottom surface comprising a plurality of complex lenses on at least one surface thereof.例文帳に追加

少なくとも一表面に複数の複合レンズを含む上面および底面を有する透明ポリマーフィルム。 - 特許庁

In the waterproof sheet 1, a thermoplastic resin film 4 is also laminated and integrated on the top face of the waterproof sheet body 2.例文帳に追加

また防水シート本体２の上面にも熱可塑性樹脂フィルム４を積層一体化した防水シート１である。 - 特許庁

A lower layer insulation film 1 made of epoxy-based resin etc., is formed on a top surface of a base plate 41 made of copper foil.例文帳に追加

銅箔からなるベース板４１の上面にエポキシ系樹脂等からなる下層絶縁膜１を形成する。 - 特許庁

Thereafter, a passivation film 20 is formed on the top of the semiconductor wafer 10 and is etched to expose the electrode 18 to be connected to the outside.例文帳に追加

その後、半導体ウエハ１０の上部にパッシベーション膜２０を設け、さらにこれをエッチングして外部接続電極１８を露出させる。 - 特許庁

A lower insulating film 1 made of epoxy resin etc., is provided on a top surface of a base plate 31 made of copper foil.例文帳に追加

銅箔からなるベース板５１の上面にエポキシ系樹脂等からなる下層絶縁膜１を形成する。 - 特許庁

A lower insulating film 1 made of epoxy resin etc., is provided on a top surface of a base plate 31 made of copper foil.例文帳に追加

銅箔からなるベース板３１の上面にエポキシ系樹脂等からなる下層絶縁膜１を形成する。 - 特許庁

On the top surface of this inter-layer insulating film 12, the single-crystal silicon layer is stuck and the single-crystal silicon layer forms the transistor element.例文帳に追加

この第１層間絶縁膜１２の表面上に単結晶シリコン層を貼り合わせ、単結晶シリコン層によりトランジスタ素子を形成する。 - 特許庁

Then, an inorganic film 24 of an amorphous ceramic is formed on the copper oxide layer so that the top parts of the projected parts are exposed.例文帳に追加

次に、銅酸化物層上に突起の頂部が露出するように非晶質セラミックスからなる無機皮膜２４を形成する。 - 特許庁

An antireflection film 12a is formed on at least one of the top face, back face and inside of the display window 3.例文帳に追加

該表示窓３の表面、裏面あるいは内部の少なくとも１箇所に反射防止膜１２ａを形成する。 - 特許庁

On the second interlayer insulating film 8, an upper layer wiring 10 made of Cu is buried into a second groove 9 formed by digging down from the top surface.例文帳に追加

第２層間絶縁膜８には、その上面から掘り下げて形成された第２溝９に、Ｃｕからなる上層配線１０が埋設されている。 - 特許庁

The auxiliary capacitance electrode 6 and a portion 6d thereof are provided on a top surface of an inter-layer insulating film 19.例文帳に追加

層間絶縁膜１９の上面には補助容量電極６及びその一部６ｄが設けられている。 - 特許庁